JP2006093211A - ファラデーカップ装置およびイオンドーピング装置ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
ファラデーカップ装置およびイオンドーピング装置ならびに半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ファラデーカップ31の受容面に半導体薄膜を設け、この半導体薄膜の温度を変更して該半導体薄膜の導電性を変化させることにより、ファラデーカップ31の検出感度を変更できるようにする。
【選択図】図2
Description
20 ビーム形成部(ビーム形成手段)
30 処理室
31 制御用ファラデーカップ(ファラデーカップ)
32 半導体薄膜
33 加熱部(温度変更手段)
34 冷却部(温度変更手段)
40 制御部(制御手段)
101 絶縁性基板(基板)
106 ソース領域
107 チャネル領域
108 ドレイン領域
S 非晶質シリコン膜(アモルファスシリコン膜)
S´ 結晶質シリコン膜(結晶性シリコン膜)
Claims (11)
- イオンビームを受容する受容面を有し、該受容面に照射されたイオンビームのビーム電流密度を検出するファラデーカップを備えたファラデーカップ装置であって、
前記受容面に設けられ、温度により導電性を変化させる半導体薄膜と、
前記半導体薄膜の導電性が変化するように該半導体薄膜の温度を変更する温度変更手段とを備えていることを特徴とするファラデーカップ装置。 - 請求項1に記載のファラデーカップ装置において、
前記温度変更手段は、前記ファラデーカップの温度を変更するように設けられていて、該ファラデーカップの温度を変更することで前記半導体薄膜の温度を変更するように構成されていることを特徴とするファラデーカップ装置。 - 請求項1に記載のファラデーカップ装置を備えたイオンドーピング装置であって、
イオンを発生するイオン源と、
前記イオン源で発生したイオンをイオンビームに形成するビーム形成手段と、
前記ビーム形成手段により形成されたイオンビームが照射されるターゲットを収容するための処理室と、
前記ファラデーカップ装置により検出されるビーム電流密度の値が、予め設定された値になるように前記イオン源を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするイオンドーピング装置。 - 請求項3に記載のイオンドーピング装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
絶縁表面を有する基板上に成膜したアモルファスシリコン膜の表面に、該アモルファスシリコン膜の結晶化を促進する触媒元素を添加し、
次いで、前記アモルファスシリコン膜を結晶化する結晶化処理を行って、結晶性シリコン膜を得、
しかる後、前記イオンドーピング装置を用いて、前記結晶性シリコン膜においてチャネル領域となる領域中の前記触媒元素をゲッタリングするための不純物イオンを、該結晶性シリコン膜においてソース領域およびドレイン領域となる領域に注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記アモルファスシリコン膜の膜厚を、25〜80nmとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記触媒元素として、ニッケル,コバルト,パラジウム,白金,銅,銀,金,インジウム,錫,アルミニウムおよびアンチモンのうち一種又は複数種の元素を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記触媒元素として、少なくともニッケルを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記結晶化処理を、加熱炉内での熱処理,ランプアニールおよびレーザ照射のうちの少なくとも2つを組み合わせて順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記結晶性シリコン膜においてチャネル領域となる領域中の前記触媒元素の濃度を、1×1016atoms/cm3 以下にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記結晶性シリコン膜においてチャネル領域となる領域に、ボロンイオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の画素電極と、
各画素電極毎に設けられ、該画素電極に対するスイッチング動作を行うスイッチング素子とを備えた液晶表示装置であって、
前記スイッチング素子として、請求項4に記載の半導体装置の製造方法により得られた半導体装置を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
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---|---|---|---|---|
JP2014127373A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法 |
CN111128656A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种宽带束束流二维检测的方法与装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02216494A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-08-29 | Goldstar Electron Co Ltd | イオン注入ファラデー・システムのセンター・ビーム電流測定装置 |
JPH05140742A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-06-08 | Ebara Corp | 原子線注入装置 |
JP2001101990A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JP2003151992A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003318403A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02216494A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-08-29 | Goldstar Electron Co Ltd | イオン注入ファラデー・システムのセンター・ビーム電流測定装置 |
JPH05140742A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-06-08 | Ebara Corp | 原子線注入装置 |
JP2001101990A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JP2003151992A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003318403A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014127373A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法 |
CN111128656A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种宽带束束流二维检测的方法与装置 |
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