JP2001101990A

JP2001101990A - イオン注入装置

Info

Publication number: JP2001101990A
Application number: JP27892299A
Authority: JP
Inventors: Masashi Konishi; 正志小西; Yasunori Ando; 靖典安東
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 1999-09-30
Publication date: 2001-04-13
Anticipated expiration: 2019-09-30
Also published as: JP4147699B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板ホルダがビーム電流計測器を遮蔽中に
も、イオン源から引き出すイオンビームの電流値を所定
値に制御するようにしたイオン注入装置を提供する。【解決手段】このイオン注入装置は、イオン源２から
引き出されたイオンビーム１２を受けてそのビーム電流
を計測するものであって基板ホルダ１３の走査領域外に
配置されていて走査中の基板ホルダ１３によって遮蔽さ
れない非遮蔽ビーム電流計測器２４を更に備えている。
しかも制御装置２２は、基板ホルダ１３の走査開始前に
電流値制御ルーチンおよび均一性制御ルーチンを所定回
繰り返す走査開始前制御と、基板ホルダ１３の走査開始
直前の非遮蔽ビーム電流計測器２４による計測値を目標
値として記憶し、基板ホルダ１３の走査中に、非遮蔽ビ
ーム電流計測器２４による計測値が目標値に近づくよう
に各フィラメント６に流すフィラメント電流を互いにほ
ぼ同じ量だけ増減させる走査時制御とを、基板ホルダ１
３の１往復走査毎に行うものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、複数のフィラメ
ントを有するイオン源から引き出したイオンビームを基
板に照射してイオン注入を行うイオン注入装置に関し、
より具体的には、イオン源から引き出すイオンビームの
ビーム電流を所定の値に、しかも均一性の良いものに制
御する手段の改良に関する。

【０００２】

【先行技術】複数のビーム電流計測器と、このビーム電
流計測器で計測したビーム電流に基づいて各フィラメン
トに流すフィラメント電流を制御するものであって、電
流値制御ルーチンと均一性制御ルーチンとを少なくとも
１回ずつ行う制御装置とを備えていて、フィラメントの
経時変化等による均一性の悪化を防いで、イオンビーム
のビーム電流を所定の値に、しかも均一性の良いものに
制御することのできるイオン注入装置が同一出願人によ
って先に提案されている（特願平１１−１２３９７３
号）。その一例を図４〜図９を参照して説明する。

【０００３】図４に示すイオン注入装置は、イオンドー
ピング装置（または非質量分離型イオン注入装置）とも
呼ばれるものであり、イオン源２から引き出した幅広の
イオンビーム１２を、質量分離器を通すことなくそのま
ま基板１４に照射して、当該基板１４にイオン注入を行
うよう構成されている。

【０００４】基板１４は、それよりも幾分大きい基板ホ
ルダ１３上に保持され、両者はホルダ走査機構１５によ
って、イオン源２から引き出されたイオンビーム１２の
照射領域内で矢印Ｄ方向に往復走査される。

【０００５】基板ホルダ１３および基板１４は、例えば
図５に示すような方形（正方形または矩形）をしてい
る。イオンビーム１２の平面形状は、例えば図５に示す
ような細長い矩形をしている。

【０００６】イオン源２は、バケット型イオン源（また
は多極磁場型イオン源）とも呼ばれるものであり、プラ
ズマ生成容器４内に複数（例えば三つ）のフィラメント
６を設けており、この各フィラメント６とプラズマ生成
容器４との間でアーク放電を生じさせてイオン源ガスを
電離させてプラズマ８を生成し、このプラズマ８から、
引出し電極系１０によって、上記イオンビーム１２を引
き出す構成をしている。多極磁場形成用の磁石の図示は
省略している。

【０００７】上記各フィラメント６には、この例ではフ
ィラメント電源１６がそれぞれ接続されており、この各
フィラメント電源１６から各フィラメント６に対して、
各フィラメント６を加熱するフィラメント電流ＩＦを互
いに独立して流すことができる。

【０００８】イオン源２から引き出すイオンビーム１２
のビーム電流を所定の値に制御するために、このイオン
注入装置は、更に、イオンビーム１２を受けてそのビー
ム電流を基板ホルダ１３の走査領域の下流側における複
数位置において計測するものであってフィラメント６の
数よりも多い複数（例えば２４個）のビーム電流計測器
１８と、このビーム電流計測器１８で計測したビーム電
流ＩＢに基づいて、各フィラメント電源１６から各フィ
ラメント６に流すフィラメント電流ＩＦを制御する制御
装置２０とを備えている。

【０００９】各ビーム電流計測器１８は、図５に示すよ
うに、イオンビーム１２の照射領域内であって基板ホル
ダ１３の走査領域の下流側に、例えば一列に配置されて
いる。

【００１０】制御装置２０は、図６に示すように、電流
値制御ルーチン（ステップ３０）と均一性制御ルーチン
（ステップ３１）とを、１回以上の所定回繰り返して行
うものである。

【００１１】上記電流値制御ルーチンの一例を図７に示
す。また、制御の前後におけるビームプロファイルの概
略例を図９に示し、以下の説明においてはこの図９も参
照するものとする。なお、図９中の横軸の１〜２４は、
２４個のビーム電流計測器１８の端からの番号を示して
いる。

【００１２】まず、各ビーム電流計測器１８によってイ
オンビーム１２のビーム電流をそれぞれ計測する（ステ
ップ５０）。これによって、例えば、図９中のビームプ
ロファイルＡが得られる。次に、計測した全てのビーム
電流ＩＢの平均値ＡＶＥを演算する（ステップ５１）。

【００１３】この平均値ＡＶＥが、その設定値ＳＥＴに
対する停止範囲ＳＴＰ内にあるか否かを判断する（ステ
ップ５２）。停止範囲ＳＴＰは、例えば、設定値ＳＥＴ
の±３％の範囲である。停止範囲ＳＴＰ内にあれば、既
に平均値制御の目的は達成されているので、以下に示す
均一性制御ルーチンに進む。

【００１４】平均値ＡＶＥが停止範囲ＳＴＰ内にないと
きは、ステップ５３に進んで、当該平均値ＡＶＥが上記
設定値ＳＥＴより大か否かを判断し、大きければステッ
プ５４に進んで全てのフィラメント６に流すフィラメン
ト電流ＩＦを所定量だけ減少させ、小さければステップ
５５に進んで全てのフィラメント６に流すフィラメント
電流ＩＦを所定量だけ増加させる。この増加または減少
の量は、この例では、全てのフィラメント６に対して互
いにほぼ同じ（同じを含む）量としている。このフィラ
メント電流ＩＦの増減によって、各フィラメント６から
の放出電子量が増減し、それによって各フィラメント６
付近でのプラズマ８の密度が増減し、各フィラメント６
に対応する領域から引き出されるイオンビーム１２のビ
ーム電流が増減する。

【００１５】上記電流値制御ルーチンによって、イオン
源２から引き出すイオンビーム１２のビーム電流の平均
値ＡＶＥが設定値ＳＥＴに近づく方向に制御される。こ
れによって、例えば、図９中のビームプロファイルＢが
得られる。この状態では、未だ均一性制御ルーチンを実
行していないので、ビームプロファイルＢは、元のビー
ムプロファイルＡと似た形状をしており、当該ビームプ
ロファイルＡをほぼ平行移動させたようなものである。

【００１６】続いて、上記均一性制御ルーチンに進む。
その一例を図８に示す。

【００１７】ここでは、上記２４個のビーム電流計測器
１８（計測点）を上記フィラメント６の数すなわち三つ
にグループ分けする（ステップ６０）。具体的には、図
９中に示すように、１番目から８番目までのビーム電流
計測器１８をグループ１とし、９番目から１６番目まで
のビーム電流計測器１８をグループ２とし、１７番目か
ら２４番目までのビーム電流計測器１８をグループ３と
する。

【００１８】そして、全てのビーム電流計測器１８によ
る全ての計測値の中から最大値ＭＡＸおよび最小値ＭＩ
Ｎを探し（ステップ６１）、その最大値ＭＡＸおよび最
小値ＭＩＮが属するグループをそれぞれ決定する（ステ
ップ６２）。図９の例では、グループ１に最大値ＭＡＸ
が属しており、グループ３に最小値ＭＩＮが属してい
る。

【００１９】そして、最大値ＭＡＸが属するグループ１
に対応するフィラメント６に流すフィラメント電流ＩＦ
を所定量だけ減少させ（ステップ６３）、最小値ＭＩＮ
が属するグループ３に対応するフィラメント６に流すフ
ィラメント電流ＩＦを所定量だけ増加させる（ステップ
６４）。これによって、グループ１のビーム電流が減
り、グループ３のビーム電流が増える。

【００２０】この均一性制御ルーチンによって、上記ビ
ームプロファイルＢの最大値ＭＡＸが属するグループ１
のビーム電流が減少させられ、最小値ＭＩＮが属するグ
ループ３のビーム電流が増加させられるので、ビーム電
流の均一性が良くなる方向に制御される。これによっ
て、例えば図９中に示すビームプロファイルＣが得られ
る。

【００２１】なお、ビーム電流の均一性は、例えば、全
計測点中のビーム電流の最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮと
を用いて、（ＭＡＸ−ＭＩＮ）／（ＭＡＸ＋ＭＩＮ）で
定義することができる。

【００２２】このイオン注入装置によれば、制御装置２
０によって、上記のような電流値制御ルーチンと均一性
制御ルーチンとを少なくとも１回ずつ行うので、フィラ
メント６の経時変化等による均一性の悪化を防いで、イ
オンビーム１２のビーム電流を所定の値に（即ち設定値
ＳＥＴに）、しかも均一性の良いものに制御することが
できる。

【００２３】しかも、上記のような電流値制御ルーチン
と均一性制御ルーチンとの２段階制御によれば、特開平
３−１３４９３７号公報に記載されている従来技術の場
合と違って、制御がハンチングを起こして収束しなくな
る問題も起こらず、安定した制御を行うことができる。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記先行例
のイオン注入装置においては、図５に示すように、基板
ホルダ１３を走査して基板１４にイオンビーム１２を照
射して基板１４にイオン注入を行っている間には、イオ
ンビーム１２が基板ホルダ１３によって遮られてビーム
電流計測器１８に入射しなくなり、ビーム電流計測器１
８からビーム電流ＩＢの計測値が出力されなくなるの
で、基板１４へのイオン注入中には、イオンビーム１２
の電流値および均一性の前述したような制御を行うこと
ができない。

【００２５】基板ホルダ１３の１往復走査に要する時間
は例えば３〜２０秒程度と比較的短く、このような短い
時間内であれば、イオン源２の各フィラメント６の経時
変化の違いによるイオンビーム１２の均一性低下は無視
することができるけれども、イオンビーム１２の電流値
はイオン源２内のプラズマ８の状態によって時々刻々に
変化し得るものであるので、基板１４へのイオン注入中
にも、具体的には基板ホルダ１３がビーム電流計測器１
８を遮蔽中にも、イオンビーム１２の電流値の制御を行
うことができるようにするのが好ましい。そのようにす
れば、基板１４に対するイオン注入量（ドーズ量）制御
をより精度良く行うことが可能になる。

【００２６】そこでこの発明は、上記のようなイオン注
入装置を更に改善して、基板ホルダがビーム電流計測器
を遮蔽中にも、イオン源から引き出すイオンビームの電
流値を所定値に制御するようにしたイオン注入装置を提
供することを主たる目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段】この発明に係るイオン注
入装置は、前記イオン源から引き出されたイオンビーム
を受けてそのビーム電流を計測するものであって前記基
板ホルダの走査領域外に配置されていて走査中の前記基
板ホルダによって遮蔽されない非遮蔽ビーム電流計測器
を更に備えている。

【００２８】しかもこの発明に係るイオン注入装置を構
成する制御装置は、前記基板ホルダの走査開始前に前記
電流値制御ルーチンおよび前記均一性制御ルーチンを前
記所定回繰り返す走査開始前制御と、前記基板ホルダの
走査開始直前の前記非遮蔽ビーム電流計測器による計測
値を目標値として記憶し、前記基板ホルダの走査中に、
前記非遮蔽ビーム電流計測器による計測値が前記目標値
に近づくように前記各フィラメントに流すフィラメント
電流を互いにほぼ同じ量だけ増減させる走査時制御と
を、前記基板ホルダの１往復走査毎に行うものである。

【００２９】上記構成によれば、基板ホルダの走査開始
前には、前述した先行例の場合と同様、複数のビーム電
流計測器で計測したビーム電流に基づいて、前述したよ
うな電流値制御ルーチンおよび均一性制御ルーチンが所
定回繰り返して行われる（走査開始前制御）。それによ
って、イオン源から引き出すイオンビームのビーム電流
を所定の値に、しかも均一性の良いものに制御すること
ができる。

【００３０】一方、基板ホルダの走査中は、非遮蔽ビー
ム電流計測器による計測値が、基板ホルダの走査開始直
前に記憶した目標値に近づくように、イオン源の各フィ
ラメントに流すフィラメント電流が制御される（走査時
制御）。従って、基板ホルダがビーム電流計測器を遮蔽
中にも、イオン源から引き出すイオンビームのビーム電
流値を所定値に制御することができる。

【００３１】しかも、上記のような走査開始前制御と走
査時制御とが、基板ホルダの１往復走査毎に行われるの
で、正確なビーム電流値で、しかも均一性の良いイオン
ビームで、基板に対してイオン注入を行うことができ
る。

【００３２】

【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を示す図である。図２は、図１の装置の基
板ホルダ周りの平面図である。先に説明した先行例と同
一または相当する部分には同一符号を付し、以下におい
ては当該先行例との相違点を主に説明する。

【００３３】このイオン注入装置は、前記イオン源２か
ら引き出されたイオンビーム１２を受けてそのビーム電
流ＩＢを計測するものであって、前記基板ホルダ１３の
走査領域の側方外に配置されていて走査中の基板ホルダ
１３によって遮蔽されない一つの非遮蔽ビーム電流計測
器２４を更に備えている。この非遮蔽ビーム電流計測器
２４も、前記各ビーム電流計測器１８と同様、例えばフ
ァラデーカップから成る。

【００３４】更にこのイオン注入装置は、先行例におけ
る制御装置２０に代わるものとして、次のような制御装
置２２を備えている。

【００３５】制御装置２２は、この例では、前記各ビー
ム電流計測器１８および前記非遮蔽ビーム電流計測器２
４で計測したビーム電流ＩＢに基づいて、かつ前記ホル
ダ走査機構１５による基板ホルダ１３の走査情報に基づ
いて、図３に示すステップ３０〜３２の走査開始前制御
と、ステップ３３〜３９の走査時制御とを、基板ホルダ
１３の１往復走査毎に行うものである。

【００３６】これを詳述すると、まず、基板ホルダ１３
の走査開始前に、図６の場合と同様、電流値制御ルーチ
ン（ステップ３０）と均一性制御ルーチン（ステップ３
１）とを、１回以上の所定回繰り返して行う（ステップ
３０〜３２）。この電流値制御ルーチンの一例は図７に
示したとおりであり、均一性制御ルーチンの一例は図８
に示したとおりであるので、ここでは重複説明を省略す
る。

【００３７】この走査開始前制御によって、先行例の場
合と同様、イオン源２から引き出すイオンビーム１２の
ビーム電流を所定の値に、しかも均一性の良いものに制
御することができる。

【００３８】次に、基板ホルダ１３の走査開始直前の非
遮蔽ビーム電流計測器２４による計測値（ビーム電流Ｉ
Ｂ）を目標値として記憶し（ステップ３３）、基板ホル
ダ１３の走査を開始する（ステップ３４）。

【００３９】基板ホルダ１３の走査中は、非遮蔽ビーム
電流計測器２４による計測値が上記目標値より大きいか
否かを判断し（ステップ３５）、大きければステップ３
６に進んで全てのフィラメント６に流すフィラメント電
流ＩＦを所定量だけ減少させる。大きくなければステッ
プ３７に進んで、同計測値が同目標値より小さいか否か
を判断し、小さければステップ３８に進んで全てのフィ
ラメント６に流すフィラメント電流ＩＦを所定量だけ増
加させる。この増加または減少の量は、この例では、全
てのフィラメント６に対して互いにほぼ同じ（同じを含
む）量としている。このフィラメント電流ＩＦの増減に
よって、各フィラメント６からの放出電子量が増減し、
それによって各フィラメント６付近でのプラズマ８の密
度が増減し、各フィラメント６に対応する領域から引き
出されるイオンビーム１２のビーム電流が増減する。

【００４０】上記ステップ３５〜３８の処理を、基板ホ
ルダ１３の１往復走査が終了するまで行う（ステップ３
９）。

【００４１】この走査時制御によって、基板ホルダ１３
の走査中は、即ち基板１４に対するイオン注入中は、非
遮蔽ビーム電流計測器２４による計測値が、基板ホルダ
１３の走査開始直前に記憶した目標値に近づくように制
御される。即ち、基板ホルダ１３がビーム電流計測器１
８を遮蔽中にも、イオン源２から引き出すイオンビーム
１２の電流値を所定値に制御することができる。従っ
て、基板１４に対するドーズ量制御を、先行例の場合よ
りも精度良く行うことができる。

【００４２】上記走査開始前制御および走査時制御は、
基板ホルダ１３の１往復走査毎に行われる。即ち、ステ
ップ４０において基板ホルダ１３を所定回だけ往復走査
したか否かを判断し、所定回の往復走査が完了すれば制
御は終了し、未完了であればステップ３０の電流値制御
ルーチンに戻って上記制御が繰り返される。

【００４３】なお、基板ホルダ１３の往復走査中には、
イオンビーム１２の均一性制御は行われないけれども、
前述したように、そのような短い時間内でのイオンビー
ム１２の均一性低下は無視することができるので、特に
支障はない。しかも、基板ホルダ１３の往復走査の間毎
にステップ３１の均一性制御ルーチンが行われるので、
イオンビーム１２の均一性を良好なものに保つことがで
きる。

【００４４】以上のようにこのイオン源によれば、上記
のような走査開始前制御と走査時制御とが、基板ホルダ
１３の１往復走査毎に行われるので、正確なビーム電流
値で、しかも均一性の良いイオンビーム１２で、基板１
４に対してイオン注入を行うことができる。

【００４５】なお、図３のステップ３１における均一性
制御ルーチンは、図１０に示すようなものとしても良
い。これを、図８との相違点を主体に説明すると、この
図１０の均一性制御ルーチンでは、図８のステップ６０
と同様に複数のビーム電流計測器１８（計測点）をフィ
ラメント６の数に（ここでは三つに）グループ分けし
（ステップ７０）、各グループ１〜３内における計測ビ
ーム電流の平均値をそれぞれ演算し（ステップ７１）、
最大平均値を有するグループ（図９の例ではグループ
１）および最小平均値を有するグループ（図９の例では
グループ３）をそれぞれ決定し（ステップ７２）、最大
平均値を有するグループ１に対応するフィラメント６に
流すフィラメント電流ＩＦを減少させ（ステップ７
３）、最小平均値を有するグループ３に対応するフィラ
メント６に流すフィラメント電流ＩＦを増加させる（ス
テップ７４）。

【００４６】このような均一性制御ルーチンを採用する
ことにより、仮に複数のビーム電流計測器１８による複
数のビーム電流計測値の中に少数の特異値やノイズが含
まれていても、グループごとの平均値に基づいて制御す
るので、上記特異値やノイズによる影響を小さく抑えて
ビーム電流を制御することができる。換言すれば、単発
的な特異点やノイズがあったとしても、それに全体の制
御が引きずられることを防止して、イオンビーム全体の
ビーム電流をより正しく制御することができる。

【００４７】なお、上記複数のフィラメント電源１６
は、必ずしも別個のものである必要はなく、それらを一
つにまとめて、各フィラメント６に互いに独立してフィ
ラメント電流ＩＦを流すことのできる一つのフィラメン
ト電源としても良い。

【００４８】また、上記ビーム電流計測器１８の数は、
例えばフィラメント６の数の２以上の整数倍であるが、
必ずしも整数倍でなくても良い。また、各グループ内に
属させるビーム電流計測器１８の数は、必ずしも同数ず
つにする必要はない。よりきめ細かく制御したいグルー
プ内のビーム電流計測器１８の数を他より増やしても良
い。

【００４９】制御装置２２による上記例のような制御
は、制御方法として着目すれば、イオン注入装置の制御
方法、イオン源の制御方法またはイオンビーム電流の自
動制御方法と言うこともできる。

【００５０】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板ホ
ルダの走査開始前には、複数のビーム電流計測器で計測
したビーム電流に基づいて、電流値制御ルーチンおよび
均一性制御ルーチンが所定回繰り返して行われるので、
イオン源から引き出すイオンビームのビーム電流を所定
の値に、しかも均一性の良いものに制御することができ
る。

【００５１】一方、基板ホルダの走査中は、非遮蔽ビー
ム電流計測器による計測値が、基板ホルダの走査開始直
前に記憶した目標値に近づくように、イオン源の各フィ
ラメントに流すフィラメント電流が制御されるので、基
板ホルダがビーム電流計測器を遮蔽中にも、イオン源か
ら引き出すイオンビームのビーム電流値を所定値に制御
することができる。

【００５２】しかも、上記のような走査開始前制御と走
査時制御とが、基板ホルダの１往復走査毎に行われるの
で、正確なビーム電流値で、しかも均一性の良いイオン
ビームで、基板に対してイオン注入を行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るイオン注入装置の一例を示す図
である。

【図２】図１の装置の基板ホルダ周りの平面図である。

【図３】図１中の制御装置による制御内容の一例を示す
フローチャートである。

【図４】イオン注入装置の先行例を示す図である。

【図５】図４の装置の基板ホルダ周りの平面図である。

【図６】図４中の制御装置による制御内容の一例を示す
フローチャートである。

【図７】図１および図４中の制御装置における電流値制
御ルーチンの一例を示すフローチャートである。

【図８】図１および図４中の制御装置における均一性制
御ルーチンの一例を示すフローチャートである。

【図９】制御の前後におけるビームプロファイルの概略
例を示す図である。

【図１０】図１および図４中の制御装置における均一性
制御ルーチンの他の例を示すフローチャートである。

【符号の説明】

２イオン源６フィラメント１２イオンビーム１３基板ホルダ１４基板１５ホルダ走査機構１６フィラメント電源１８ビーム電流計測器２２制御装置２４非遮蔽ビーム電流計測器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のフィラメントを有するイオン源
と、このイオン源の各フィラメントに互いに独立してフ
ィラメント電流を流す１以上のフィラメント電源と、イ
オン注入すべき基板を保持する基板ホルダと、この基板
ホルダを前記イオン源から引き出されたイオンビームの
照射領域内で往復走査するホルダ走査機構と、前記イオ
ン源から引き出されたイオンビームのビーム電流を前記
基板ホルダの走査領域の下流側における複数位置におい
て計測するものであって前記フィラメントの数よりも多
い複数のビーム電流計測器と、このビーム電流計測器で
計測したビーム電流に基づいて前記フィラメント電源か
ら前記各フィラメントに流すフィラメント電流を制御す
る装置であって、前記複数のビーム電流計測器で計測し
た全ビーム電流の平均値を演算して当該平均値が設定値
に近づくように前記各フィラメントに流すフィラメント
電流を互いにほぼ同じ量だけ増減させる電流値制御ルー
チン、および前記複数のビーム電流計測器を前記フィラ
メントの数にグループ分けし、各グループに対応するフ
ィラメントに流すフィラメント電流を増減させることに
よってビーム電流の均一性を制御する均一性制御ルーチ
ンを１回以上の所定回繰り返して行う制御装置とを備え
るイオン注入装置において、前記イオン源から引き出されたイオンビームを受けてそ
のビーム電流を計測するものであって前記基板ホルダの
走査領域外に配置されていて走査中の前記基板ホルダに
よって遮蔽されない非遮蔽ビーム電流計測器を更に備え
ており、かつ前記制御装置は、前記基板ホルダの走査開始前に前
記電流値制御ルーチンおよび前記均一性制御ルーチンを
前記所定回繰り返す走査開始前制御と、前記基板ホルダ
の走査開始直前の前記非遮蔽ビーム電流計測器による計
測値を目標値として記憶し、前記基板ホルダの走査中
に、前記非遮蔽ビーム電流計測器による計測値が前記目
標値に近づくように前記各フィラメントに流すフィラメ
ント電流を互いにほぼ同じ量だけ増減させる走査時制御
とを、前記基板ホルダの１往復走査毎に行うものであ
る、ことを特徴とするイオン注入装置。