JP2006086938A

JP2006086938A - アンテナスイッチ回路及びそれを搭載した高周波モジュール

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Publication number: JP2006086938A
Application number: JP2004271048A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ogawa; 貴史小川; 信一郎 ▲高▼谷; Shinichiro Takatani; Akishige Nakajima; 秋重中島; Yasushi Shigeno; 靖重野; Eigo Tange; 英吾丹下
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2004-09-17
Filing date: 2004-09-17
Publication date: 2006-03-30
Anticipated expiration: 2024-09-17
Also published as: JP4300171B2; US20060061434A1; US7425876B2

Abstract

【課題】動作周波数が高くなっても交差部での信号の漏れを効果的に低減するアンテナスイッチ回路及び同回路を搭載した高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】送信端子１，２に入力される送信信号をアンテナ端子８に伝送し、かつアンテナ端子に入力される受信信号を受信端子３〜６に伝送するための高周波信号線８１と、送信端子とアンテナ端子との間の高周波信号線の途中に接続されたスイッチ９，１０と、受信端子とアンテナ端子との間の高周波信号線の途中に接続されたスイッチ１３〜１６と、スイッチ９，１０，１３〜１６のオン、オフを制御する制御信号を伝送する信号線２５〜３２とを備えている。例えば、信号線２６は、高周波信号線と交差する交差部分３５を挟んで配置された抵抗体４０，４１を介して配線され、信号線３０は、高周波信号線と交差する交差部分３７を挟んで配置された抵抗体４４，４５を介して配線される。
【選択図】図１

Description

本発明は、送受信回路とそれらに共通のアンテナとの接続を切替えるアンテナスイッチ回路及び同アンテナスイッチ回路を搭載した高周波モジュールに関する。

携帯電話の回路の集積度は高まりつつあり、それに伴って、絶縁体を用いて形成される配線層の厚さが薄くなる。そのため、例えば高周波の信号線を配線層の１層を挟んで他の信号線と交差させる場合、交差部分では両信号線が接近することとなる。

両信号線が接近する交差部では、両配線層とその間の絶縁体とによって結合容量が形成される。携帯電話では扱う高周波信号の周波数がＧＨｚ帯に及ぶため、この結合容量を介して高周波信号が他の信号線に漏れることが避けられない。この漏れを低減するために、高周波信号線の直下に高周波信号線と交差して抵抗体を配置し、他の信号線がこの抵抗体を通って配線されるようにした例が特許文献１に開示されている。

特開平１０−１７８３０５号公報

携帯電話では、アンテナは送受信で共用され、送受信回路とアンテナとの接続を切替えるアンテナスイッチ回路が設けられる。特に、複数の規格に対応するようにしたマルチモード携帯電話では、複数の送受信回路を備え、アンテナスイッチ回路は、複数の送受信回路とそれらに共通のアンテナとの接続を切替えるように構成される。この場合、多くのスイッチ素子が用いられ、アンテナへの高周波信号線或いは受信端子への高周波信号線がこれらスイッチ素子のオン、オフを制御する制御信号線を跨ぐようになり、そこに交差部が出現するのが普通である。

アンテナスイッチ回路は、一般に集積回路によって構成される。集積回路の集積度は高まっており、これに伴って交差部の両信号線の間隔が狭まる。交差する部分には層間絶縁膜が形成されるため、両信号線の間に層間絶縁膜を誘電体とする容量が形成されることとなる。そして、周波数が高いほど容量を介しての影響が顕著になる。交差部でこの結合容量を介して送信の高周波信号が漏れる場合、電力効率の低下を招くこととなる。又、受信の高周波信号が漏れる場合、受信感度の低下を招くこととなる。更に、交差部で漏れた信号が他の交差部や、或いは別のスイッチ素子を介して受信の信号線に漏れることも起こり得る。

電池を内蔵し、更にＧＨｚ帯に及ぶ高い周波数を扱うマルチモード携帯電話では低消費電力や高感度化が要求されており、各送受信回路とアンテナ間の挿入損失の低減、送信間、受信間、送受信間に高いアイソレーションが要求される。

交差部に抵抗体を配置する従来の方法は、漏れを低減することができる。しかし、交差部において、抵抗体に分布的に容量が結合するため、高周波では等価的に抵抗値が低下し、低減効果が下がる。

また、従来方法では、高周波信号線の配線の太さに応じて制御信号線路との交差部分に形成する抵抗体の大きさが変わる問題もある。例えば、シート抵抗1００［Ω／□］で、高周波信号線の幅が許容電流による制限によって５００［μｍ］である場合、抵抗体の幅を１０［μｍ］とすると、交差部の抵抗体は幅１０［μｍ］、長さ５００［μｍ］の５［ｋΩ］となる。高周波信号線の幅が５［μｍ］の場合、抵抗体の幅を１０［μｍ］とすると交差部の抵抗体は幅１０［μｍ］、長さ５［μｍ］の５０［Ω］となる。このように、抵抗値が変わることにより、漏れの低減効果が変わることとなる。更に、交差部の信号線間の間隔が非常に狭くなる場合、大きい電力の送信信号を流す高周波信号線では、その漏れによる信号が抵抗体に流れることによって抵抗体にジュール熱が発生することも起こり得る。

本発明の目的は、動作周波数が高くなっても交差部での信号の漏れを効果的に低減するアンテナスイッチ回路を提供することにあり、又は同アンテナスイッチ回路を搭載した高周波モジュールを提供することにある。

上記目的を達成するための本発明のアンテナスイッチ回路は、送信端子に入力される送信信号をアンテナ端子に伝送し、かつアンテナ端子に入力される受信信号を受信端子に伝送するための第１の信号線と、送信端子とアンテナ端子との間の第１の信号線の途中に接続された第１のスイッチと、受信端子とアンテナ端子との間の第１の信号線の途中に接続された第２のスイッチと、上記第１のスイッチのオン、オフを制御する第１の制御信号を伝送するための第２の信号線と、上記第２のスイッチのオン、オフを制御する第２の制御信号を伝送するための第３の信号線とを具備し、上記第２、第３の信号線の少なくともいずれか一方は、第１の信号線と交差しており、上記第１の信号線が交差する交差部分を挟むようにして上記交差部分の両側に２個の抵抗体が配置され、上記第１の信号線と交差している上記第２、第３の信号線の少なくともいずれか一方は上記２個の抵抗体を介して配線されていることを特徴とする。

上記構成により、交差部で漏れた信号は２個の抵抗体で阻止され、漏れが低減される。更に、交差部の直下に抵抗体が配置されないので、漏れ低減効果が下がる現象は生じない。従って、漏れが効果的に低減され、挿入損失の低減、送受信間の高いアイソレーションの要求を満たすことが可能になる。

上記目的を達成するための本発明の高周波モジュールは、送信信号を出力する送信回路と、アンテナ端子からの受信信号を入力する受信回路と、送信時に送信回路からの出力信号をアンテナ端子に供給し、受信時にアンテナ端子からの受信信号を受信回路に供給するアンテナスイッチ回路とを具備しており、アンテナスイッチ回路が上述のアンテナスイッチ回路であることを特徴とする。アンテナスイッチ回路において、挿入損失の低減、送受信間の高いアイソレーションが達成されるので、高性能の高周波モジュールを実現することができる。

本発明によれば、交差部に抵抗体が配置されず、交差部から離れてかつ交差部を挟むようにして配置された抵抗体によって漏れ電流が抑圧されるので、信号の漏れを効果的に低減することが可能になる。

以下、本発明に係るアンテナスイッチ回路又は同アンテナスイッチ回路を搭載した高周波モジュールを図面に示した実施形態を参照して更に詳細に説明する。なお、図１〜図４における同一の符号は、同一物又は類似物を表示するものとし、説明の重複を避ける。

図１に、本発明のアンテナスイッチ回路の実施形態を示す。同図において、９，１０は、それぞれ送信端子１、２をアンテナ端子８に接続するスイッチ（第１のスイッチ）、１１は、受信時にオン、送信時にオフになるスイッチ、１２は、受信時にオフになり、送信時にオンになって高周波接地端子７に導通するスイッチ、１３〜１６は、それぞれ受信端子３〜６をスイッチ１１を介してアンテナ端子８に接続するスイッチ（第２のスイッチ）である。更に図１において、８１は、送信端子１，２に入力される送信信号をアンテナ端子８に伝送し、かつアンテナ端子８に入力される受信信号を受信端子３〜６に伝送するための高周波信号線（第１の信号線）、３４は、各スイッチのゲートに各スイッチのオンオフを制御する制御電圧を生成する制御回路、３３は、スイッチ９〜１６及び制御回路３４を含んで構成されるアンテナスイッチ回路である。この構成において、スイッチ９，１０はそれぞれ送信端子１，２とアンテナ端子８との間の高周波信号線８１の途中に接続され、スイッチ１１，１３〜１６は受信端子３〜６とアンテナ端子８との間の高周波信号線８１の途中に接続される。以上により、アンテナスイッチ回路３３は、アンテナ端子８を端子１〜６のいずれかに選択して接続する。なお、上記のスイッチ数は一例であって、本発明はこの数に限定されない。

スイッチ９〜１６はそれぞれＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果型トランジスタ）素子で構成され、ドレインとソースの間の電気伝導がゲートに印加される制御電圧によって制御される。

スイッチ９，１０は１［Ｗ］を超える電力を扱うため、デュアルゲートトランジスタ２段で構成される。これによって、トランジスタ１個に掛かる電圧が１／２に分圧される。スイッチ９，１０は、その他にシングルゲートトランジスタやトリプルゲートトランジスタなどを分圧のために多段接続して構成することが可能である。

次に、スイッチ１１はトリプルゲートトランジスタ１段、スイッチ１２はデュアルゲートトランジスタ１段、スイッチ１３〜１６はシングルゲートトランジスタ１段で構成される。アンテナスイッチ回路３３は、各スイッチと制御回路３４とを含んで、化合物半導体による半絶縁性基板の上に半導体プロセスによって集積され、１チップの半導体集積回路として構成される。なお、制御回路３４はスイッチ回路３３と同一チップ上に配置されなくともよく、別チップでもよい。

各スイッチの制御は、制御回路３４から出力される制御電圧、即ちスイッチをオンするためのオン電圧、オフするためのオフ電圧により、各スイッチのゲートに接続された制御信号線２５〜３２を介して行なわれる。各制御信号線に設けられた抵抗１７〜２４は、ＦＥＴスイッチのドレイン又はソースから入力された高周波信号がゲートから漏れ出すのを防ぐために用いられる。

スイッチ９〜１６を制御するために用いられる制御信号線２５〜３２の一端は抵抗１７〜２４に接続され、他端は制御回路３４側に配線される。また、高周波接地端子７は最短距離でアンテナスイッチ回路３３のチップ外のグランド端子と接続されなければならないため制御回路３４とは反対側に配置される。

この構造において、制御信号線２６，２７，３０〜３２と高周波信号線８１とが交差する部分３５，３６，３７，３８，３９が存在する。交差部３５を挟むようにして制御信号線（第２の信号線）２６に抵抗体４０，４１が配置され、交差部３６を挟むようにして制御信号線２７に抵抗体４２、４３が配置される。また、交差部３７を挟むようにして、制御信号線（第３の信号線）３０に抵抗体４４，４５が、制御信号線３１に抵抗体４６，４７が、制御信号線３２に抵抗体４９，５０が配置される。更に、交差部３８を挟むようにして制御信号線３１に抵抗体４７，４８が、制御信号線３２に抵抗体５０，５１が配置され、交差部３９を挟むようにして制御信号線３２に抵抗体５１，５２が配置される。

これらは半導体プロセスにより同一チップ上に形成されるため、交差部の配線間には誘電体膜からなる層間絶縁膜が充填されている。そのような交差部３５とその周辺の構造を図２及び図３に示す。図２は平面図、図３は図２のＡ・Ａ線による断面図である。半絶縁性基板８６の上に形成された層間絶縁膜８７の中に制御信号線２６が形成され、抵抗体４０，４１が層間絶縁膜８８の中に形成され、高周波信号線８１が層間絶縁膜８７の上に形成されている。抵抗体４０，４１と制御信号線２６との接続がプラグ８４によって成される。そして、交差部３５が層間絶縁膜８７の中の、高周波信号線８１と制御信号線２６の間に形成され、そこに結合容量が形成される。このように、抵抗体４０，４１が交差部３５から離れ、かつ交差部３５を挟むようにして交差部３５の両側に配置される。なお、その他の交差部３６とその周辺も同様に構成され、交差部３７，３８，３９とその周辺も類似の構造で構成される。

図４に交差部３５とその周辺の電気的等価回路を示す。抵抗体４０，４１が配置された制御信号線２６に結合容量Ｃを介して高周波信号線８１が接続される。結合容量Ｃを通って漏れた信号は、抵抗体４０，４１によって阻止される。

以下、本実施形態における信号漏洩の低減効果について、制御回路３４が同一チップ上にある場合で説明する。

先ず、送信時について説明する。送信端子１に送信信号が入力されるとき、制御回路３４からはスイッチ９，１２をオン、スイッチ１０，１１，１３〜１６をオフにする電圧が出力される。入力された送信信号はアンテナ端子８に出力される。このとき、高周波信号線８１と制御信号線２６，２７のそれぞれの交差部３５，３６により、送信信号は交差部３５，３６の層間絶縁膜を介して制御信号線２６，２７に漏れる。

交差部３５に関して抵抗体４０，４１が無い場合、漏れた高周波信号はスイッチ１０のゲート側と制御回路３４側に漏れる。スイッチ１０のゲート側の抵抗体１８が全て同じ抵抗値である場合、制御信号線２６から見た合成抵抗値はその約１／４となり、送信信号が漏れ易くなる。また、制御回路３４においては各制御信号線にバイパス容量が接続されており、これにより制御回路３４側は高周波信号に対して短絡となっているため高周波信号は漏れ易くなる。これらが送信端子１とアンテナ端子８間の挿入損失劣化の原因となる。

交差部３６に関して、抵抗体４２，４３が無い場合、漏れた高周波信号はスイッチ１２のゲート側と制御回路３４側に流れる。スイッチ１２のゲート側の抵抗２０は２本あり、同じ抵抗値の場合は制御信号線２７から見た合成抵抗は１／２となり、高周波信号はスイッチ１２のドレイン側、即ちスイッチ１１のソース側や端子７側に漏れ易くなる。また、上述のように制御回路３４側は高周波信号に対して短絡となっているため高周波信号は漏れ易くなる。制御回路３４側や端子7側に漏れると端子１とアンテナ端子８の間の挿入損失劣化の原因となり、スイッチ１１のソース側に漏れた場合、送受信間のアイソレーション劣化の原因となる。

スイッチ１０がオン、スイッチ９がオフの場合、交差部３６に関して抵抗体４２，４３が無い場合は上述の通り、送信端子２とアンテナ端子８の間の挿入損失劣化の原因となり、送受信間アイソレーション劣化の原因となる。交差部３５に関しては、抵抗体４０，４１が無い場合、送信信号は制御回路３４側とスイッチ９側に漏れる。制御回路３４側はバイパス容量により短絡となっているため送信信号が漏れ易く、これにより送信端子２とアンテナ端子８の間の挿入損失が劣化する。

図１に示したように、抵抗体４０，４１，４２，４３を設けると、交差部３５，３７から見た制御回路３４側とスイッチ１０のゲート側は高インピーダンスとなるため高周波信号が漏れ難くなり、挿入損失の劣化やアイソレーションの劣化を防ぐことができる。

次に、受信のアンテナ端子８から受信端子４に対応する信号が入力されるときについて説明する。制御回路３４によりスイッチ９，１０，１２，１３，１５，１６がオフ、スイッチ１１，１４がオンになり、アンテナ端子８から入力された受信信号はスイッチ１１，１４を経て受信端子４に出力される。このとき、高周波信号線８１と制御信号線２６，２７，３０，３１，３２との交差部３５，３６，３８により性能劣化する。

交差部３５，３６に関して制御回路３４側はバイパス容量により短絡されているため高周波信号が漏れて挿入損失が劣化するが、抵抗体４０，４２を用いることで制御回路３４側が高インピーダンスになるため挿入損失の劣化を防ぐことができる。

交差部３８に関して抵抗体４６〜５２が無い場合、制御回路３４側のバイパス容量への漏れによる挿入損失の劣化が問題となる。更に、受信信号が制御信号線３０〜３２と交差部３７〜３９を介してスイッチ１３と受信端子３を接続する高周波配線、スイッチ１５と受信端子５を接続する高周波配線、スイッチ１６のゲートからソース側の、受信端子６を接続する高周波配線に漏れることによる受信端子４と受信端子３の間、受信端子４と受信端子５の間、受信端子４と受信端子６の間のアイソレーション劣化が問題となる。

抵抗体４７，５０により、制御回路３４側への漏れを抑え、挿入損失の劣化を防ぐことができ、スイッチ１３と受信端子３を接続する高周波配線への受信信号の漏れを防ぐことができる。抵抗体４８，５１により、スイッチ１５と受信端子５を接続する高周波配線への受信信号の漏れを防ぐと共に、スイッチ１６のゲートから受信端子６への受信信号の漏れを防ぐことができ、受信端子４，３間、受信端子４，５間、受信端子４，６間のアイソレーション劣化を防ぐことができる。

アンテナ端子８と受信端子３に対応する信号が入力されるとき、制御回路３４によりスイッチ９，１０，１２，１４〜１６がオフ、スイッチ１１，１３がオンになり、アンテナ端子８から入力された受信信号はスイッチ１１，１３を経て受信端子３に出力される。

このとき、交差部３５，３６による挿入損失の劣化は受信端子４で受信する場合と同様に抵抗体４０，４２により抑えられる。

交差部３７に関しては、抵抗体４４〜４７，４９，５０が無い場合、制御信号線３０〜３２を介して制御回路３４のバイパス容量へ受信信号が漏れ、挿入損失が劣化する。また、スイッチ１４と受信端子４を接続する高周波配線へも制御信号線３０〜３２を介して受信信号が漏れる。これにより受信間のアイソレーションが劣化するが、抵抗体４４，４６，４９，４７，５０により交差部３７から見た制御回路３４側とスイッチ１４と受信端子４を接続する高周波配線側は高インピーダンスとなるため、受信信号の漏れを防止することができ、性能劣化を抑えることができる。詳細説明を省略するが、同様に、スイッチ１５と受信端子５を接続する高周波線路への受信信号の漏れ、スイッチ１６のゲートから受信端子６への受信信号の漏れを防止することができる。

アンテナ端子８と受信端子５を接続して受信する場合、アンテナ端子８と受信端子６を接続して受信する場合についても以上と同様である。

以上、本実施形態により、交差部から離れてかつ交差部を挟むようにして配置された抵抗体によって漏れ電流が抑圧されるので、信号の漏れを効果的に低減することができ、挿入損失の低減、及び高いアイソレーションの確保が可能になる。また、交差部の直下に抵抗体を配置した場合に生ずる可能性があるジュール熱の発生を抑えることができる。

なお、交差部における信号の漏れ量によっては、交差部を挟む抵抗体の配置は、交差部４１，４３、又は交差部３７〜３９のいずれか一方とすることも可能である。

次に、図４に本発明のアンテナスイッチ回路を搭載した高周波モジュールの実施形態を示す。本実施形態のモジュールは、クアッドバンド用携帯電話の送受信モジュールである。クアッドバンドは、欧州のＧＳＭ（Global System for Mobile communications）、米国のＧＳＭ、ＰＣＳ（Personal Communication Services）、ＤＣＳ（Digital Communication System）の４つの携帯電話規格によって構成される。なお、本発明は、これら規格に限定されない。便宜上、欧州のＧＳＭをＧＳＭ１、米国のＧＳＭをＧＳＭ２とする。ＧＳＭは９００［ＭＨｚ］帯、ＰＣＳ及びＤＣＳは１８００［ＭＨｚ］帯であるため、高周波モジュール５３は、ＧＳＭ１／２で共通の、送信信号を入力する端子５４と、ＰＣＳ／ＤＣＳで共通の、送信信号を入力する端子５５とを具備する。更に、モジュール５３は、制御端子５６と、ＰＣＳ受信端子５７、ＤＣＳ受信端子５８、ＧＳＭ１受信端子５９及びＧＳＭ２受信端子６０と、アンテナ端子６１とを具備する。

送信端子５４にはＧＳＭ１／２用の電力増幅回路６２の入力端子が接続され、出力端子には電力増幅回路６２から出力される高調波を除去するローパスフィルタ６３の入力端子が接続され、出力端子にはスイッチ回路３３の端子２が接続される。

送信端子５５にはＰＣＳ／ＤＣＳ用の電力増幅回路６４の入力端子が接続され、出力端子には電力増幅回路６４から出力される高調波を除去するローパスフィルタ６５が接続され、出力端子にはスイッチ回路３３の端子１が接続される。

電力増幅回路６２，６４及びローパスフィルタ６３，６５によって送信回路９０が構成される。なお、本発明においては、送信回路９０はこの構成に限定されない。

制御端子５６はスイッチ回路３３の制御回路３４の制御端子６６が接続される。

スイッチ回路３３の端子３にはＰＣＳ受信周波数帯以外の雑音や余分な信号を除去するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ６７の入力端子が接続され、出力端子にはＰＣＳ用の低雑音増幅回路６８の入力端子が接続され、出力端子にはミキサ（ＬＯ）６９のＲＦ（Radio Frequency）入力端子が接続され、ＩＦ（Intermediate Frequency）出力端子はモジュール５３の受信端子５７に接続される。

スイッチ回路３３の端子４にはＤＣＳ受信周波数帯以外の雑音や余分な信号を除去するＳＡＷフィルタ７０の入力端子が接続され、出力端子にはＤＣＳ用の低雑音増幅回路７１の入力端子が接続され、出力端子にはミキサ７２のＲＦ入力端子が接続され、ＩＦ出力端子はモジュール５３の受信端子５８に接続される。

スイッチ回路３３の端子５にはＧＳＭ１受信周波数帯以外の雑音や余分な信号を除去するＳＡＷフィルタ７３の入力端子が接続され、出力端子にはＧＳＭ１用の低雑音増幅回路７４の入力端子が接続され、出力端子にはミキサ７５のＲＦ入力端子が接続され、ＩＦ出力端子はモジュール５３の受信端子５９に接続される。

スイッチ回路３３の端子６にはＧＳＭ２受信周波数帯以外の雑音や余分な信号を除去するＳＡＷフィルタ７６の入力端子が接続され、出力端子にはＧＳＭ２用の低雑音増幅回路７７の入力端子が接続され、出力端子にはミキサ７８のＲＦ入力端子が接続され、ＩＦ出力端子はモジュール５３の受信端子６０に接続される。

ミキサ６９，７２，７５，７８のローカル端子はモジュール５３の端子７９にそれぞれ接続される。

低雑音増幅回路６８，７１，７４，７７、ＳＡＷフィルタ６７，７０，７３，７６及びミキサ６９，７２，７５，７８によって受信回路９１が構成される。なお、本発明においては、受信回路９１はこの構成に限定されない。

以上の各部がモジュール基板に搭載され、モジュール５３として構成される。そして、アンテナ８０がモジュール５３のアンテナ端子６１に接続される。

モジュール５３は、携帯端末に適用されることと、複数の通信規格に対応することから、送信側の電力効率の向上つまりスイッチ回路３３の低挿入損失と受信側の低挿入損失、受信間の高アイソレーション化が要求される。

更にＰＣＳ帯の送信周波数とＤＣＳ帯の受信周波数のうち１８５０［ＭＨｚ］〜１８７５［ＭＨｚ］は動作周波数が重なっているため、この帯域のＰＣＳの送信信号が出力された場合、ＳＡＷフィルタ７０に入力される電力はＰＣＳ送信とＤＣＳ受信間のアイソレーションによって決まる。このとき、ＳＡＷフィルタ７０はＰＣＳの送信信号を除去できないばかりか過入力電力によりＳＡＷフィルタ７０の破壊、更には低雑音増幅回路７１の破壊にも繋がる。ＳＡＷフィルタの耐電力は０［ｄＢｍ］前後で、ＰＣＳ送信側の最大送信電力は３４．５［ｄＢｍ］であるからアイソレーションとしては１．５［ｄＢ］のマージンをとって３６［ｄＢ］以上必要である。スイッチ回路３３の動作は図１で詳しく説明したためここでは説明を省略する。

本発明の効果をＰＣＳ送信時を例にとって説明する。ＰＣＳ送信時、制御端子５６から制御回路３４の端子６６に信号が入力される。制御回路３４はデコーダ回路となっており、端子６６入力された信号の組み合わせにより制御信号線２５〜３２にスイッチ９，１２をオン、１０，１１，１３〜１６をオフにするような電圧を加える。端子５５に入力されたＰＣＳの送信信号は、電力増幅回路６４で所望の送信電力に増幅され、フィルタ６５で高調波を除去されスイッチ３３の端子１に入力される。入力されたＰＣＳ送信信号はスイッチ９、端子８、端子６１を経てアンテナ８０で放射される。

このとき、抵抗体４０，４２，４３が無いと交差部３５，３６によりＰＣＳ送信信号の一部が制御回路３４側、スイッチ１２のゲート側に漏れてしまう。交差部の面積を３０００［μｍ^２］、層間絶縁膜を厚み０．５［μｍ］、比誘電率３．８とすると交差部の容量は約０．２［ｐＦ］となる。これで求めた挿入損失を図５、送受信間のアイソレーションを図６に示す。このときの挿入損失は１．９１［ＧＨｚ］で０．９［ｄＢ］となる。

これに対して、本発明に従い抵抗体４０，４２，４３を設けると、挿入損失は０．８［ｄＢ］となり、挿入損失劣化を改善することができる。送信側挿入損失の０．１［ｄＢ］の改善によって電力効率は約２．３［％］向上する。

ＰＣＳ送信とＤＣＳ受信の周波数が重なっている帯域の送受信のアイソレーションは、抵抗体４０，４２，４３が無いと３３［ｄＢ］であったが、本発明の抵抗体４０，４２，４３により３８［ｄＢ］となり５［ｄＢ］改善した。送受信間アイソレーションの５［ｄＢ］の改善により、ＤＣＳ受信側のＳＡＷフィルタ７０の破壊耐圧に対し大きなマージンを確保することができる。

本実施形態により、複数の通信規格に対応しつつ、挿入損失、アイソレーションの劣化を防ぐことができた。

本発明に係るアンテナスイッチ回路の実施形態を説明するための構成図。交差部の構造を説明するための平面図。交差部の構造を説明するための断面図。交差部の電気的等価回路を示す回路図。本発明の高周波モジュールの実施形態を説明するための構成図。挿入損失に関する本発明の効果を説明するための曲線図。送受信間アイソレーションに関する本発明の効果を説明するための曲線図。

符号の説明

１，２…送信端子、３〜６…受信端子、７…高周波接地端子、８…スイッチ回路のアンテナ端子、９〜１６…ＦＥＴスイッチ、１７〜２４…抵抗、２５〜３２…制御信号線、３３…スイッチ回路、３４…制御回路、３５〜３９…高周波配線と制御信号線の交差部、４０〜５２…制御信号線上の交差部に設けた抵抗体、５３…送受信モジュール、５４…ＧＳＭ１／２用送信端子、５５…ＰＣＳ／ＤＣＳ用送信端子、５６…モジュールの制御端子、５７…ＰＣＳ用受信端子、５８…ＤＣＳ用受信端子、５９…ＧＳＭ１用受信端子、６０…ＧＳＭ２用受信端子、６１…モジュールのアンテナ端子、６２…ＧＳＭ１／２用電力増幅回路、６３…ローパスフィルタ、６４…ＰＣＳ／ＤＣＳ用電力増幅回路、６５…ローパスフィルタ、６６…スイッチ回路の制御端子、６７，７０，７３，７６…ＳＡＷフィルタ、６８，７１，７４，７７…低雑音増幅回路、６９，７２，７５，７８…ミキサ、７９…ローカル端子、８０…アンテナ、８１…高周波信号線、９０…送信回路、９１…受信回路。

Claims

送信端子に入力される送信信号をアンテナ端子に伝送し、かつ上記アンテナ端子に入力される受信信号を受信端子に伝送するための第１の信号線と、
上記送信端子と上記アンテナ端子との間の上記第１の信号線の途中に接続された第１のスイッチと、
上記受信端子と上記アンテナ端子との間の上記第１の信号線の途中に接続された第２のスイッチと、
上記第１のスイッチのオン、オフを制御する第１の制御信号を伝送するための第２の信号線と、
上記第２のスイッチのオン、オフを制御する第２の制御信号を伝送するための第３の信号線とを具備し、
上記第２、第３の信号線の少なくともいずれか一方は、上記第１の信号線と交差しており、
上記第１の信号線が交差する交差部分を挟むようにして上記交差部分の両側に２個の抵抗体が配置され、
上記第１の信号線と交差している上記第２、第３の信号線の少なくともいずれか一方は上記２個の抵抗体を介して配線されていることを特徴とするアンテナスイッチ回路。
請求項１において、上記第１、第２のスイッチは、電界効果型トランジスタから成ることを特徴とするアンテナスイッチ回路。
請求項１において、上記第１、第２の制御信号を生成する制御回路を更に具備していることを特徴とするアンテナスイッチ回路。
請求項１において、上記アンテナスイッチ回路が半絶縁性基板上に集積された１チップの半導体集積回路によって構成されていることを特徴とするアンテナスイッチ回路。
送信信号を出力する送信回路と、
アンテナ端子からの受信信号を入力する受信回路と、
送信時に上記送信回路からの出力信号を上記アンテナ端子に供給し、受信時に上記アンテナ端子からの上記受信信号を上記受信回路に供給するアンテナスイッチ回路とを具備してなり、
上記アンテナスイッチ回路は、
送信端子に入力される上記送信信号を上記アンテナ端子に伝送し、かつ上記アンテナ端子に入力される上記受信信号を受信端子に伝送するための第１の信号線と、
上記送信端子と上記アンテナ端子との間の上記第１の信号線の途中に接続された第１のスイッチと、
上記受信端子と上記アンテナ端子との間の上記第１の信号線の途中に接続された第２のスイッチと、
上記第１のスイッチのオン、オフを制御する第１の制御信号を伝送するための第２の信号線と、
上記第２のスイッチのオン、オフを制御する第２の制御信号を伝送するための第３の信号線とを具備し、
上記第２、第３の信号線の少なくともいずれか一方は、上記第１の信号線と交差しており、
上記第１の信号線が交差する交差部分を挟むようにして上記交差部分の両側に２個の抵抗体が配置され、
上記第１の信号線と交差している上記第２、第３の信号線の少なくともいずれか一方は上記２個の抵抗体を介して配線されていることを特徴とする高周波モジュール。
請求項５において、上記第１、第２のスイッチは、電界効果型トランジスタから成ることを特徴とするアンテナスイッチ回路。
請求項５において、上記第１、第２の制御信号を生成する制御回路を更に具備していることを特徴とするアンテナスイッチ回路。
請求項５において、上記アンテナスイッチ回路が半絶縁性基板上に集積された１チップの半導体集積回路によって構成されていることを特徴とするアンテナスイッチ回路。