JP2006086336A - 光源 - Google Patents
光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006086336A JP2006086336A JP2004269687A JP2004269687A JP2006086336A JP 2006086336 A JP2006086336 A JP 2006086336A JP 2004269687 A JP2004269687 A JP 2004269687A JP 2004269687 A JP2004269687 A JP 2004269687A JP 2006086336 A JP2006086336 A JP 2006086336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- emitting diode
- light emitting
- light
- fall time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
【解決手段】 GaN系化合物の単一量子井戸構造の発光ダイオードD20と、その発光ダイオードD20にパルス電圧を印加する駆動電圧源10を備え、そのパルス電圧のローレベルの電圧が、発光ダイオードD20の立下り時間を最も遅くする電圧よりも小さな電圧に設定されていることを特徴とする光源。
【選択図】 図1
Description
POF等を利用する光通信システムでは、III-V族化合物の発光ダイオードを利用する試みがなされている。例えば、GaN(窒化ガリウム)系化合物の緑色ないしは青色の発光ダイオード、あるいはAlGaInP系化合物の赤色発光ダイオードを、POFを利用する光通信システムの光源に利用する研究がなされている。III-V族化合物の発光ダイオードを利用すると、POFの伝達損失が小さい波長の光を得ることが可能となる。
P2+(P1−P2)×0.9の光出力からP2+(P1−P2)×0.1の光出力にまで変化するのに要する時間をいう。ここでいう点滅とは、ローレベルの電圧を印加しているときの光出力が、ハイレベルの電圧を印加しているときの光出力より低下することを言い、光出力がゼロに低下することに限定されない。
発光ダイオードの立下り時間を短縮する技術が特許文献1に開示されている。特許文献1の技術では、図5(A)に示すように、ローレベルの電圧とハイレベルの電圧の差が小さなパルス電圧を利用する。この例では、ハイレベルの電圧が3.1Vであり、ローレベルの電圧が2.8Vに設定されているパルス電圧を利用する。
図5(B)の図示42の実線は、図5(A)に示すパルス電圧を発光ダイオードに印加した場合の光出力の時間的変化を示す。図示44の破線は、ローレベルの電圧を0V(アース電圧)に設定した場合の光出力の時間的変化を示す。
ローレベルの電圧がアース電圧に設定されている場合には、その立下り時間がt1であるのに対し、ローレベルの電圧をアース電圧より大きく設定した場合には、その立下り時間がt2に短縮される。特許文献1の技術は、ローレベルの間も発光ダイオードに電流を流し続けてローレベルの間の光出力を持ち上げることによって、立下り時間を短縮することに成功している。
しかしながら、特許文献1の技術は、光出力振幅(ハイレベルの電圧を印加したときの光出力P1と、ローレベルの電圧を印加したときの光出力P2の差)が小さくなるという問題がある。光出力振幅が小さくなると、光出力がハイレベルにあるのかローレベルにあるのかを判別する受信回路に特殊な工夫が必要となる。特殊な受信回路を利用しても、伝送距離が制限されるという問題がある。特許文献1の技術は、普及しているIII-V族化合物の発光ダイオードを利用する限り、ローレベルの電圧をハイレベルの電圧に近づけることによって、立下り時間を短縮することができる実際的な唯一の技術であるといってもよいので、光出力振幅が小さくなるという欠点を苦労して克服している。
本発明では、III-V族化合物の発光ダイオードの立下り時間を短縮し、しかも光出力振幅を大きく確保することができる光通信用の光源を提供する。普及しているIII-V族化合物の発光ダイオードを利用する限り、ローレベルの電圧を上げないと立下り時間を短縮することができず、ローレベルの電圧を上げると光出力振幅が小さくなるというジレンマを克服することに成功した全く新規な発想の光源を提供する。
普及している発光ダイオードは、主として照明用に利用され、高輝度であることを重視して開発されている。高輝度を得るために、普及している発光ダイオードは多量子井戸構造を備えている。多量子井戸構造の発光ダイオードは、一対のクラッド層の間に活性層が挟まれている単位積層構造を、複数組備えている。例えば、クラッド層、活性層、クラッド層、活性層、クラッド層、活性層、クラッド層の順に積層されているような発光ダイオードを多量子井戸構造の発光ダイオードと言い、この場合には3量子井戸構造を備えている。
多量子井戸構造の発光ダイオードは、ローレベルの電圧をハイレベルの電圧に近づけるほど立下り時間が短縮化され、ローレベルの電圧を下げるほど立下り時間が長くなる。普及している多量子井戸構造のIII-V族化合物の発光ダイオードを利用する限り、ローレベルの電圧を上げないと立下り時間を短縮することができず、ローレベルの電圧を上げると光出力振幅が小さくなるというジレンマを克服することができない。
しかしながら、本発明者らは、単一量子井戸構造のIII-V族化合物の発光ダイオードを利用すると、ローレベルの電圧と立下り時間との関係において、多量子井戸構造の場合とは全く違う挙動が現れることを見出した。
単一量子井戸構造の発光ダイオードでも、ローレベルの電圧をハイレベルの電圧に近づけるほど立下り時間が短縮化され、ローレベルの電圧を下げるほど立下り時間が長くなる。しかしながら、単一量子井戸構造の発光ダイオードの場合、さらにローレベルの電圧を下げると、今度は逆に立下り時間が短縮する挙動が現れる。従来の常識に反して、ローレベルの電圧を下げると立下り時間が短縮する電圧領域が現れるのである。
本発明では、この挙動を利用する。ローレベルの電圧をハイレベルの電圧に近い値から低下させていくと立下り時間は遅くなる。それでもローレベルの電圧を下げ続けると、今度は立下り時間が速くなる。即ち、あるローレベルの電圧において立下り時間が最も遅くなる。
本発明の光源では、ローレベルの電圧を、発光ダイオードの立下り時間を最も遅くする電圧よりも小さな電圧に設定する。この領域を利用して立下り時間を短縮すると、ローレベルの電圧印加時の光出力を低減することができ、大きな光出力振幅を得ることができる。
III-V族化合物の単一量子井戸構造の発光ダイオードを選択し、電圧を減少すると発光ダイオードの立下がり時間が速くなる電圧領域にローレベルの電圧が設定されていると、ローレベルの電圧を上げないと立下がり時間を短縮することができず、ローレベルの電圧を上げると光出力振幅が小さくなるというジレンマを克服することができる。10dB以上の消光比(光信号がハイのときの光出力とローのときの光出力の比)と100Mbps以上の伝送速度を実現する光通信用の光源を実現することができる。
ここでいう閾値電圧とは、発光ダイオードの順方向に電圧を印加したときに、発光ダイオードに電流が流れ始める電圧をいう。すなわち、この発明では、ローレベルの電圧の印加時には、発光ダイオードに電流が流れないほど小さな電圧を加える。この範囲に設定された電圧を印加すると、発光ダイオードの立下り時間を短縮することができ、大きな光出力振幅を得ることができる。
(第1形態) 発光ダイオードは、ハイのときの光出力とローのときの光出力の比(消光比)が10dB以上で点滅する。このために、特殊な受信回路が必要とされない。汎用の受信回路で、光出力のハイ状態とロー状態を識別することができる。
(第2形態) 発光ダイオードは、100Mbps以上の伝送速度を実現する速度で点滅する。このために、発光ダイオードの光出力の立下り時間が4.5nsec以下とされている。
(第3形態) 発光ダイオードは、10dB以上の消光比と100Mbps以上の伝送速度を実現するように点滅する。
図2に示すように、SQWの発光ダイオードD20を用いた場合、MQWの発光ダイオードを用いた場合に比して、立上がり時間と立下り時間のいずれも大幅に短縮されることが分かる。とくに、図2(B)に示すように、立下り時間に関しては、バイアス電流が増加するほど顕著に短縮されることが分かる。
ところが、図2(B)に示すように、バイアス電流を加えない場合の立下り時間を見てみると、数mAのバイアス電流を加えた場合と同等程度に、立下り時間が短縮されていることが判明した。そこで、バイアス電流が実質的に流れない範囲のバイアス電圧(発光ダイオードの閾値電圧以下と言い換えることもできる)を加えた場合を詳しく検討したところ、図3に示す測定結果が得られた。
図3(A)に示すように、印加するバイアス電圧を変動させると、立下り時間が最も遅くなる(極大値を示す)ときのバイアス電圧が存在する。そのバイアス電圧よりも大きい場合は、バイアス電圧の増大に追随して立下り時間は短縮される。また、立下り時間が最も遅くなるときのバイアス電圧より小さい場合も、そのバイアス電圧の減少に追随して立下り時間は短縮される。図3(A)に示すように、SQWの発光ダイオードD20の場合、立下り時間が最も遅くなるときのバイアス電圧より小さいバイアス電圧を印加すると、立下り時間が短縮する挙動が得られる電圧領域が存在することを本発明者らは突き止めた。
なお、図3(B)に示すように、MQWの発光ダイオードの場合、立下り時間が最も遅くなるときのバイアス電圧より小さい電圧領域において、立下り時間は略一定であると言える。SQWの発光ダイオードD20のように、立下り時間がはっきりと短縮する挙動を得ることができない。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
D20:発光ダイオード
R1:抵抗
Claims (4)
- III-V族化合物の単一量子井戸構造の発光ダイオードと、
その発光ダイオードにパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段を備え、
そのパルス電圧のローレベルの電圧が、発光ダイオードの立下り時間を最も遅くする電圧よりも小さな電圧に設定されていることを特徴とする光源。 - III-V族化合物の単一量子井戸構造の発光ダイオードと、
その発光ダイオードにパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段を備え、
そのパルス電圧のローレベルの電圧が、発光ダイオードの閾値電圧よりも小さな電圧に設定されていることを特徴とする光源。 - III-V族化合物の単一量子井戸構造の発光ダイオードと、
その発光ダイオードにパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段を備え、
そのパルス電圧のローレベルの電圧が、パルス電圧のハイレベルの電圧の40%よりも小さな電圧に設定されていることを特徴とする光源。 - 10dB以上の消光比と100Mbps以上の伝送速度を実現する光通信用の光源であり、
III-V族化合物の単一量子井戸構造の発光ダイオードが選択されており、
その発光ダイオードに印加するパルス電圧のローレベルの電圧が、電圧を減少すると発光ダイオードの立下り時間が速くなる電圧領域に設定されていることを特徴とする光源。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004269687A JP2006086336A (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | 光源 |
US11/226,373 US7342364B2 (en) | 2004-09-16 | 2005-09-15 | Light source |
DE102005045439A DE102005045439A1 (de) | 2004-09-16 | 2005-09-16 | Lichtquelle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004269687A JP2006086336A (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | 光源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086336A true JP2006086336A (ja) | 2006-03-30 |
Family
ID=36073272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004269687A Pending JP2006086336A (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | 光源 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7342364B2 (ja) |
JP (1) | JP2006086336A (ja) |
DE (1) | DE102005045439A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7773646B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor light source and light-emitting device drive circuit |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2468629B (en) * | 2008-06-08 | 2011-10-26 | Tarig Sayed Mustafa Arbab | Method, composition, device for the treatment of amylase malfunctions/inactivity in association with saccharides (mainly polysaccharides) based diseases |
KR20140075822A (ko) * | 2012-11-22 | 2014-06-20 | 서울반도체 주식회사 | 교류 led 조명을 이용한 광 통신장치 및 이를 이용한 통신방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138766A (ja) | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 着磁方法 |
US7039322B1 (en) | 1998-12-24 | 2006-05-02 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Optical communication apparatus |
TW492202B (en) * | 2001-06-05 | 2002-06-21 | South Epitaxy Corp | Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge |
JP2003163377A (ja) | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | GaN系緑色発光ダイオード駆動装置及び光伝送装置 |
US20040095184A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Driving circuit and driving method of light emitting device and optical communication apparatus |
-
2004
- 2004-09-16 JP JP2004269687A patent/JP2006086336A/ja active Pending
-
2005
- 2005-09-15 US US11/226,373 patent/US7342364B2/en active Active
- 2005-09-16 DE DE102005045439A patent/DE102005045439A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7773646B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor light source and light-emitting device drive circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005045439A1 (de) | 2006-06-08 |
US7342364B2 (en) | 2008-03-11 |
US20060061302A1 (en) | 2006-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6794688B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor, and LED lamp and LED display | |
Lan et al. | 752-MHz modulation bandwidth of high-speed blue micro light-emitting diodes | |
JP3240097B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP3290672B2 (ja) | 半導体発光ダイオード | |
Tsai et al. | Line-of-sight visible light communications with InGaN-based resonant cavity LEDs | |
JP5186436B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JPH0794781A (ja) | 面発光型半導体発光ダイオード | |
JP2009530803A5 (ja) | モノリシック白色発光ダイオード及びその製造方法 | |
CN107331746A (zh) | 一种发光二极管的外延片及制备方法 | |
US20180287333A1 (en) | An Apparatus Comprising A Waveguide-Modulator And Laser-Diode And A Method Of Manufacture Thereof | |
JPH06232503A (ja) | 青−緑注入形レーザ装置 | |
DE60225110T2 (de) | Doppel-III-V-Nitridlaserstruktur mit reduziertem thermischen Übersprechen | |
JP2006086336A (ja) | 光源 | |
JP2019020614A (ja) | 光送信モジュール | |
KR20040022703A (ko) | 고효율 발광 다이오드 | |
JP2002237617A (ja) | 半導体発光ダイオード | |
JP4026970B2 (ja) | 発光ダイオードの駆動方法およびそれを用いた光伝送装置 | |
JPH09266351A (ja) | AlInGaN系半導体発光素子 | |
CN109983639B (zh) | 光器件 | |
JPS63237590A (ja) | 半導体発光素子 | |
TW202127682A (zh) | 發光裝置 | |
JP2000174398A (ja) | 半導体発光装置、指示装置および光伝送装置 | |
JP4278437B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2007287851A (ja) | 光通信に用いる発光素子およびこれを用いた通信装置 | |
JP2005150772A (ja) | 半導体発光素子および製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090519 |