TW202127682A - 發光裝置 - Google Patents

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黃銘祥
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Abstract

本公開內容提供一種發光裝置，包含: 一具有第一正向電壓和第一峰值波長介於580到700奈米之間的第一發光元件、一具有第二正向電壓和第二峰值波長介於400 奈米至480 奈米之間的第二發光元件以及一具有第三正向電壓和第三峰值波長介於500 奈米至590 奈米之間的第三發光元件；其中，第一正向電壓與第二正向電壓之間的差值，或第一正向電壓與第三正向電壓之間的差值不大於0.5V。

Description

發光裝置
本公開內容有關於一種發光裝置，尤指一種包含第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件的發光裝置。
發光二極體被廣泛地用於固態照明光源。相較於傳統的白熾燈泡和螢光燈，發光二極體具有耗電量低以及壽命長等優點，因此發光二極體已逐漸取代傳統光源，並且應用於各種領域，如交通號誌、背光模組、路燈照明、醫療設備等。
本公開內容提供一種發光裝置，包含一第一發光元件、一第二發光元件以及一第三發光元件；第一發光元件發出一第一輻射且具有一第一正向電壓，第一輻射具有一第一峰值波長介於580到700奈米之間；第二發光元件發出一第二輻射且具有一第二正向電壓，第二輻射具有一第二峰值波長介於400 奈米至480 奈米之間；第三發光元件發出一第三輻射且具有一第三正向電壓，第三輻射具有一第三峰值波長介於500 奈米至590 奈米之間；其中，第一正向電壓與第二正向電壓之間有一第一差值，第一正向電壓與第三正向電壓之間有一第二差值，第一差值或第二差值不大於0.5V。
以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀或厚度可擴大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或說明書未描述之元件，可以是熟習此技藝之人士所知之形式。
在本公開內容中，如果沒有特別的說明，通式AlGaAs代表Alx Ga(1-x) As，其中0≦x≦1；通式AlInP代表Alx In(1-x) P，其中0≦x≦1；通式AlGaInP代表(Aly Ga(1-y) )1-x Inx P，其中0≦x≦1，0≦y≦1；通式AlGaN代表Alx Ga(1-x) N，其中0≦x≦1；通式AlAsSb代表AlAs(1-x) Sbx ，其中0≦x≦1；通式InGaP代表Inx Ga1-x P，其中0≦x≦1；通式InGaAsP代表Inx Ga1-x As1-y Py ，其中0≦x≦1，0≦y≦1；通式InGaAsN代表Inx Ga1-x As1-y Ny, ，其中0≦x≦1，0≦y≦1；通式AlGaAsP代表Alx Ga1-x As1-y Py ，其中0≦x≦1，0≦y≦1；通式InGaAs代表Inx Ga1-x As，其中0≦x≦1；通式AlGaN代表Alx Ga1–x N，其中0≦x≦1；通式InGaN代表Inx Ga1–x N，其中0≦x≦1。調整元素的含量可以達到不同的目的，例如但不限於，匹配成長基板的晶格常數、調整能階或是調整主發光波長。
第1圖為本公開內容之第一實施例之發光元件1的剖面圖。發光元件1包含一成長基板10、在成長基板10上的調整結構20、在調整結構20上的發光結構30、在發光結構30上的第一電極50以及在成長基板10之相反於發光結構30的一側的第二電極60。於本實施例中，調整結構20以及發光結構30垂直地堆疊以及成長於同一成長基板10上。
發光元件1是元件形式且具有正向電壓。於本公開內容中，用語「元件」是指發光元件1直接從切割一晶圓的步驟獲得，晶圓包含成長基板10、調整結構20、發光結構30、第一電極50和第二電極60，且發光元件1沒有習知領域所具有的引線架。於本實施例中，成長基板10包含砷化鎵(GaAs)。於一實施例中，成長基板10具有一相對於(100)面傾斜一角度的晶面，作為主要成長表面。較佳地，角度介於2度(含)和15度(含)之間。
發光結構30包含在調整結構20上的第一半導體層31、在第一半導體層31上的第二半導體層32以及位於第一半導體層31和第二半導體層31之間的第一活性層33。第一半導體層31和第二半導體層32具有不同的導電型態。於本實施例中，第一半導體層31為用於提供電子的n型，且第二半導體層32為用於提供電洞的p型。第一半導體層31的能階和第二半導體層32的能階皆高於第一活性層33的能階，藉以限制電子或電洞的在第一活性層33內。第一活性層33發射出具有第一峰值波長λ1 的第一光。較佳地，第一光為可見的紅光，第一峰值波長λ1 在580奈米(nm)和700 nm之間，且較佳地，在600 nm和650 nm之間。第一半導體層31和第二半導體層32包含III-V族半導體材料，例如鋁砷化鎵(AlGaAs)，磷化銦鋁(AlInP)或磷化鋁鎵銦(AlGaInP)。
第2圖為本公開內容之如第1圖所示的第一實施例之發光元件1的調整結構的剖面圖。調整結構20的總厚度介於發光元件1的總厚度的0.3％(含)至3％(含)之間，且較佳地，介於0.3％(含)和1％(含)之間。調整結構20包含二極體21和一穿隧結構22。二極體21在成長基板10和穿隧結構22之間。於本實施例中，二極體21包含一第三半導體層211、第四半導體層212以一位於第三半導體層211和第四半導體層212之間的第二活性層213。第三半導體層211和第四半導體層212具有不同的導電型態。於本實施例中，第三半導體層211可提供n型的電子，第四半導體層212可提供p型的電洞。第三半導體層211的能階和第四半導體層212的能階不小於第二活性層213的能階。第三半導體層211和第四半導體層212各自具有一厚度，其不小於100 nm，且較佳地，介於100 nm(含)和500 nm(含)之間。第三半導體層211和第四半導體層212包含III-V族半導體材料，例如AlGaAs。
於本實施例中，第二活性層213發射出具有第二峰值波長λ2 的第二光。第二光為遠紅外光，第二峰值波長λ2 在800奈米(nm)和1900 nm之間，且較佳地，在850 nm和1500 nm之間。由於調整結構20中的二極體21發射出具有峰值波長在800nm和1900nm之間的第二光，所以第一光的顏色不會被不可見的第二光影響。較佳地，第一峰值波長λ1 和第二峰值波長λ2 之間的差異大於150 nm，且不大於1300 nm。第3圖為第一活性層33發出的第一光與第二活性層發光的第二光之相對強度的圖譜。於一實施例中，在一約為5±0.5毫安培(mA)的電流下，第一活性層33發射的第一光的相對強度與第二活性層213在發射的第二光的相對強度的比大於10，且不大於1000，較佳地，介於50和350之間。於一實施例中，在一約為100±0.5 mA的電流下，第一活性層33發射的第一光的相對強度與第二活性層213發射的第二光的相對強度的比大於5，且不大於100，較佳地，介於5和20之間。
調整結構20與發光結構30堆疊且以串聯的方式電性連接，藉以調整發光元件1的正向電壓。調整結構20用於增加發光元件1的正向電壓至一預定值。與一不包含調整結構20的發光元件相比，包含調整結構20的發光元件，其正向電壓介於(1240 /0.8 λ1 )伏特(V)和(1240 /0.5 λ1 )V。具體地，正向電壓介於2.5 V(含)和3.5 V(含)之間，且較佳地，介於2.9 V(含)和3.3 V(含)之間。具體地，正向電壓是在大約為5±0.5mA的電流下量測或是在大約介於18 安培每平方公分(A / cm2 ) (含)至25 A / cm2 (含)之間的電流密度下量測。在比較例中，不包含調整結構20的發光元件在約5±0.5mA的電流下或者在約介於18 A / cm2 和25 A / cm2 之間的電流密度下具有小於2.2 V的正向電壓。
於一實施例中，第一活性層33和第二活性層213的結構可以是單異質結構(single heterostructure; SH)、雙異質結構(double heterostructure；DH)、雙側雙異質結構(double-side double heterostructure；DDH)、或多層量子井 (multi-quantum well；MQW)。具體地，第一活性層33和第二活性層213皆包含交替的井層和阻障層。第一活性層33中的阻障層之能階高於第一活性層33中的井層的能階。第二活性層213中的阻障層的能階高於第二活性層213中的井層的能階。第一活性層33中的阻障層的能階低於第一半導體層31的能階和第二半導體層32的能階。第二活性層213中的阻障層的能階不大於第三半導體層211的能階以及不大於第四半導體層212的能階。第一活性層33發射出的第一光的第一峰值波長和第二活性層213發射出的第二光的第二峰值波長可以藉由調整井層的厚度和材料來改變。較佳地，第一活性層33中的井層的材料包含III-V族半導體材料，例如磷化鋁鎵銦(AlGaInP)。第一活性層33中的阻障層的材料包含III-V族半導體材料，例如磷化鋁鎵銦(AlGaInP)。較佳地，第二活性層213中的井層的材料包含III-V族半導體材料，例如砷化銦鎵(InGaAs)。第二活性層213中的阻障層的材料包含III-V族半導體材料，例如磷砷化鎵鋁(AlGaAsP)或砷化鋁鎵(AlGaAs)。第一活性層33中的井層和阻障層的對數大於第二活性層213中的井層和阻障層的對數，其中一井層和一阻障層被視為一對。較佳地，第一活性層33的對數大於10。第二活性層213的對數小於10。較佳地，第一活性層33的對數與第二活性層213的對數的比不小於3，且較佳地，介於5至20之間，藉以使發光元件1獲得更好的磊晶品質。
穿隧結構22包含一第一穿隧層221以及一第二穿隧層222，第一穿隧層221以及一第二穿隧層222垂直交疊於二極體21和發光結構30之間。第一穿隧層221和第二穿隧層222具有不同的導電型態。於本實施例中，第一穿隧層221是p型半導體，第二穿隧層222是n型半導體。第二穿隧層222包含摻雜物，其中n型摻雜物是碲(Te)或矽(Si) ， p型摻雜物是碳(C)或鎂(Mg)。例如，當n型摻雜物為Te，p型摻雜物為C。第一穿隧層221與第二穿隧層222之摻雜物具有摻雜濃度，摻雜濃度例如高於1×1018 cm-3 ，且較佳地，不小於5×1018 cm-3 ，更佳地，介於5×1018 cm-3 (含)和1×1022 cm-3 (含)之間。穿隧結構22將進入的電子轉換成電洞或將進入的電洞轉換成電子。二極體21藉由穿隧結構22與發光結構30以串聯的方式形成電連接。即，發光結構30和二極體21形成pn-pn或np-np結構。第一穿隧層221和第二穿隧層222包含III-V族半導體材料，例如磷化銦鎵(InGaP)或砷化鋁鎵(AlGaAs)。較佳地，第一穿隧層221的能階和第二穿隧層222的能階大於第二活性層213的能階。第二穿隧層222的厚度不小於5 nm，且較佳地，不大於100 nm。於一實施例中，第一穿隧層221的厚度大於第二穿隧層222的厚度，較佳地，不小於10 nm，更佳地，不大於500 nm。第一穿隧層221的厚度和第二穿隧層222的厚度之間的差異大於100nm，較佳地，介於150 nm(含)和500 nm(含)之間。在另一實施例中，第一穿隧層221的厚度不小於5nm，較佳地，不大於100nm。
於一實施例中，調整結構20還包含一位在二極體21和第一穿隧層221之間的基層(圖未示)。基層具有一摻雜濃度，其小於第一穿隧層221的摻雜濃度。較佳地，基層具有大於200 nm的厚度，較佳地，介於200 nm和500 nm之間。基層用於改善隨後成長於其上的第一穿隧層221的磊晶品質，因此，可以防止發光元件的正向電壓超過或小於一預定值。
當本公開內容所揭露之發光元件1發出第一峰值波長λ1 介在580 nm和700nm之間的可見紅光時，藉由包含調整結構20，可以直接與另一個藍色發光二極體和/或綠色發光二極體整合，避免習知以紅色發光二極體與綠色或藍色發光二極體整合時，因正向電壓之間的差異造成不穩定。此外，當發光元件1具有預定的正向電壓，由於調整結構20的總厚度介於發光元件1的總厚度的0.3％(含)至3％(含)之間，發光元件1之體積可較為精巧。
第4圖為本公開內容之第二實施例之發光元件2的剖面圖。本公開內容之第二實施例之發光元件2包含的結構實質上與第一實施例相同，不同之處在於，發光元件2還包含一位在調整結構20和發光結構30之間的緩衝層80。緩衝層80包含一材料，其實質上與穿隧結構22的材料晶格匹配。緩衝層80用於改善發光結構30的磊晶品質。較佳地，緩衝層80包含AlGaAs，並且具有不小於50埃 (Å) 的厚度，較佳地，介於80 Å和250 nm之間。如果緩衝層80的厚度小於50 Å，則緩衝層80將呈現斑駁的外觀，進而導致在緩衝層80上生長的層的品質變差。於本實施例中，緩衝層80是n型半導體。
第5圖為本公開內容之第三實施例之發光元件3的剖面圖。本公開內容之第二實施例之發光元件3包含的結構實質上與第二實施例相同，不同之處在於，發光元件3還包含一位於緩衝層80和發光結構30之間的反射層70，較佳地，反射層70包含分佈式布拉格反射鏡(Distributed Bragg reflector)。於本實施例中，分佈式布拉格反射鏡為n型半導體，其與第一半導體層31的導電型態相同。具體地，分佈式布拉格反射鏡具有不小於1×1017 /cm3 的摻雜濃度，較佳地，摻雜濃度介於1×1017 /cm3 (含)和1×1018 /cm3 (含)之間。分佈式布拉格反射鏡包含複數交替的第一半導體子層和第二半導體子層。複數第一半導體子層各自具有實質上彼此相同的厚度，並且厚度實質上等於aλ/ 4n1 ，其中 n1 是第一半導體子層的折射率，a是正奇數。第二半導體子層各自具有實質上彼此相同的厚度，並且厚度實質上等於bλ/ 4n2 ，其中 n2 是第二半導體子層的折射率，並且b是正奇數。第一半導體子層的折射率和厚度與第二半導體子層的折射率和厚度不同。分佈式布拉格反射鏡的材料包含III-V族半導體材料，例如Alx Ga(1-x) As/Aly Ga(1-y) As(其中x不同於y)或Ala Ga(1-a) )1-x Inx P/ Alb Ga(1-a) )1-x Inx P(其中a不同於b)，調整元素的含量可以改變反射的波長範圍。較佳地，分佈式布拉格反射鏡對第一峰值波長λ1 的反射率高於對第二峰值波長λ2 的反射率。也就是說，相較於第二光，分佈式布拉格反射鏡反射比較多的第一光。因此，大部分的第一光被反射至發光元件3的前側，也是第一電極50所在的位置。具體地，分佈式布拉格反射鏡對第一峰值波長λ1 的反射率與對第二峰值波長λ2 的反射率之間的差異大於70％，較佳地，大於80％，又更佳地，大於85％。
第6圖為本公開內容之第四實施例之發光元件內的調整結構20的剖面圖。本公開內容之第四實施例之發光元件包含的結構實質上與第一實施例相同，不同之處在於，發光元件中的二極體21'還包含一位於第三半導體層211以及第二活性層213之間的第一限制層214，其用於防止第三半導體層211中的摻雜物擴散到第二活性層213中。第一限制層214具有一能階，其大於第二活性層中的井層的能階，且不大於第三半導體層211的能階。第一限制層214具有一厚度，其介於第二活性層213中其中一阻障層的厚度和第三半導體層211的厚度之間。較佳地，第一限制層214是未摻雜的。於一實施例中，二極體21'還包含一位於第四半導體層212和第二活性層213之間的第二限制層215，用於防止第四半導體層212中的摻雜物擴散到第二活性層213中。第二限制層215具有一能階，其大於第二活性層213中井層的能階，且不大於第四半導體層212的能階。第二限制層215具有一厚度，其介於第二活性層213中其中一阻障層的厚度和第四半導體層212的厚度之間。第一限制層214和第二限制層215各自具有一介於50 nm(含)和150 nm(含)之間的厚度。第一限制層214和第二限制層215包含III-V族半導體材料，例如AlGaAs。較佳地，第一限制層214和第二限制層215是未摻雜的。
第7圖為本公開內容之第五實施例之發光元件內的調整結構20a的剖面圖。本公開內容之第五實施例之發光元件包含的結構實質上與第四實施例相同，不同之處在於，調整結構20a更包含一位在二極體21'和穿隧結構22之間的中間層23。中間層23具有一能階，其介於第四半導體層212的能階和穿隧結構22的能階之間，藉以控制發光元件的正向電壓，以防止發光元件的正向電壓超過或小於預定值。中間層23的厚度不小於10 nm，較佳地，介於10 nm和100 nm之間。中間層23包含III-V族半導體材料，例如AlGaInP。較佳地，中間層23為p型半導體，其具有一摻雜濃度，中間層23的摻雜濃度小於第四半導體層212的摻雜濃度，用於降低中間層23中的摻雜物的擴散長度，藉以改善發光元件的品質。於一實施例中，中間層23的組成從連接至第四半導體層212的一側到連接至穿隧結構22的一側逐漸改變。具體地，中間層23包含一元素，其具有一組成比例，組成比例自靠近第四半導體層212的一側至靠近穿隧結構22的一側逐漸改變。於本實施例中，中間層23包含Al元素，其從靠近第四半導體層212的一側到靠近穿隧結構22的一側逐漸變化，藉以使其能階自靠近第四半導體層212的一側至靠近穿隧結構22的一側逐漸增加。於一實施例中，調整結構20a還包含一位在中間層23和穿隧結構22之間的擴散阻擋層24，藉以防止中間層23中的摻雜物擴散到穿隧結構22中，因此，可以提高穿隧結構22的品質，進而防止發光元件的正向電壓超過或小於預定值。擴散阻擋層24包含III-V族半導體材料，例如AlGaAs。較佳地，擴散阻擋層24是未摻雜的，擴散阻擋層24的厚度不小於中間層23的厚度。具體地，擴散阻擋層24的厚度不小於10 nm，較佳地，介於20 nm(含)和200 nm(含)之間。
第8圖為本公開內容之第六實施例之發光元件4的剖面圖。本公開內容之第六實施例之發光元件4包含的結構實質上與第一實施例相同，不同之處在於，調整結構20b的二極體21”包含一擴散層25、一位於成長基板10和擴散層25之間的第一導電型態半導體層26以及一位在第一導電型態半導體層26和成長基板10之間的pn接面27。成長基板10的導電型態不同於第一導電型態半導體層26的導電型態，藉以在成長基板10以及第一導電型態半導體層26之間形成pn接面27。於一實施例中，成長基板10包含IV族半導體材料，例如矽(Si)或鍺(Ge)。擴散層25包含III-V族半導體材料，例如GaAs或InGaP。擴散層25用於提供五族元素，五族元素可以在磊晶成長的過程中，擴散至成長基板1以形成導電型態不同於成長基板10的第一導電型態半導體層26，其中磊晶成長的過程較佳地是在400℃和700℃之間的溫度下操作。於本實施例中，成長基板10是p型半導體，第一導電型半導體層26是n型半導體。擴散層25具有大於5 nm的厚度，較佳地，介於10 nm至150 nm之間。第一導電型態半導體層26具有介於300 nm和2500 nm之間的厚度。
第9圖為本公開內容之第七實施例之發光元件5的剖面圖。本公開內容之第七實施例之發光元件5包含的結構實質上與第一實施例相同，不同之處在於，調整結構20c包含一分佈式布拉格反射鏡，其導電型態與第一半導體層31的導電型態相同，並且具有小於3×1017 /cm3 的摻雜濃度，較佳地，摻雜濃度介於5×1015 /cm3 和5×1016 /cm3 之間。具體地，調整結構20c中的分佈式布拉格反射鏡具有介於20歐姆(Ω)和1000 Ω之間的電阻。分佈式布拉格反射鏡包含交替的第一半導體子層和第二半導體子層。第一半導體子層各自具有實質上彼此相同的厚度，並且厚度實質上等於aλ/4n1 ，其中 n1 是第一半導體子層的折射率，a是正奇數。第二半導體子層各自具有實質上彼此相同的厚度，並且厚度實質上等於bλ/4n2 ，其中 n2 是第二半導體子層的折射率，並且b是正奇數。第一半導體子層的折射率和厚度與第二半導體子層的折射率和厚度不同。分佈式布拉格反射鏡的材料包含III-V族半導體材料，例如Alx Ga(1-x) As/Aly Ga(1-y) As(其中x不同於y)或Ala Ga(1-a) )1-x Inx P/ Alb Ga(1-a) )1-x Inx P(其中a不同於b)，調整元素的含量可以改變反射的波長範圍。較佳地，分佈式布拉格反射鏡對於第一峰值波長λ1 具有高於90％的反射率，較佳地，反射率高於95％。
第10圖為本公開內容之第八實施例之發光元件6的剖面圖。本公開內容之第八實施例之發光元件6包含的結構實質上與第一實施例相同，不同之處在於，發光元件6包含一如第5圖所示的反射鏡70以及位於發光結構30上的調整結構20d。調整結構20d包含如本公開的實施例中所描述的穿隧結構22和一蕭特基二極體24。蕭特基二極體24包含一第五半導體層241和第一電極50a。第五半導體層241的厚度小於第二半導體層32的厚度，且具有一摻雜濃度，其小於第二半導體層32的摻雜濃度。較佳地，第五半導體層241具有不小於30 nm的厚度，較佳地，介於40 nm和500 nm之間。第五半導體層241具有不大於1×1017 cm-3 的摻雜濃度，較佳地，介於5×1012 cm-3 和5×1016 cm-3 之間。因此，在第五半導體層241和第一電極50a之間會形成一蕭特基接面。
第11圖為本公開內容之第九實施例之發光裝置100的俯視圖。發光裝置100包含第一發光元件101和與第一發光元件101電連接的第二發光元件102。第一發光元件101包含任何一個本公開內容所揭示的發光元件，其中發光元件可以發出具有一第一峰值波長λ1 的第一輻射，第一峰值波長λ1 介於580 nm至700 nm之間，且第一發光元件101具有第一正向電壓。第二發光元件102可以發出具有一第二峰值波長λ1 的第二輻射，第二峰值波長λ2 介於400 nm至480 nm之間或介於500 nm至590 nm之間，且第二發光元件101具有第二正向電壓。第一正向電壓和第二正向電壓之間的差值不大於0.5V。於本實施例中，第一正向電壓介於3 伏特(V)和3.3 V之間，且第二正向電壓介於3 V和3.3 V之間。第二發光元件102包含本領域所知的結構，以發射出具有第二峰值波長例如介於400 nm至480 nm之間或介於500 nm至590 nm之間的第二輻射，且第二峰值波長不同於第一峰值波長。於本實施例中，第一發光元件101和第二發光元件102可以在一共同的載體110上，共同的載體110包含具有第一極性的第一電極墊111和具有第二極性的多個分離的第二電極墊112a、112b，第二極性不同於第一極性。第一發光元件101和第二發光元件102可以共同地位於第一電極墊111上，以電連接到第一發光元件101的第二電極以及電連接到第二發光元件102的其中一電極，第一發光元件101的第一電極50和第二發光元件102的另一電極103分別引線接合到第二電極墊112a、112b。第一發光元件101和第二發光元件102可以獨立地操作。例如，通過控制第一電極墊111和第二電極墊112a來操作第一發光元件101。於本實施例中，由於第一發光元件101包含本公開內容的發光元件，發光元件包含本公開內容的調整結構，故，在大約為5±0.5mA的電流下或者在大約為18A/cm2 和25A/cm2 之間的電流密度下，第一發光元件101的第一正向電壓與第二發光元件102的第二正向電壓之間的差異不大於0.5V。因此，可以降低因為第一發光元件101的正向電壓與第二發光元件的正向電壓之間的差異引起的不穩定性。
第12圖為本公開內容之第十實施例之發光裝置100a的俯視圖。本公開內容之第二實施例之發光裝置100a包含的結構實質上與如第11圖所示的第一實施例的發光裝置相同，不同之處在於，載體110包含多個分離的第一電極墊111a、111b，用以分別電性連接第一發光元件101的第二電極以及電性連接第二發光元件102的其中一電極。第一發光元件101和第二發光元件102可以獨立地操作。例如，通過控制第一電極墊111a和第二電極墊112a來操作第一發光元件101。
第13圖為本公開內容之第十一實施例之發光裝置100c的俯視圖。本公開內容之第三實施例之發光裝置100c包含的結構實質上與如第11圖所示的第九實施例的發光裝置相同，不同之處在於，發光裝置100c更包含一第三發光元件104，其可發射出一第三輻射，第三輻射具有一第三峰值波長，第三峰值波長位於400 nm和480 nm 之間的第一範圍中或位於500 nm和590nm之間的第二範圍中。第三發光元件104具有第三正向電壓。於本實施例中，第三峰值波長和第二峰值波長分別在第一範圍和第二範圍內，且在大約為5±0.5mA的電流下或者在大約為18A/cm2 和25A/cm2 之間的電流密度下，第一正向電壓和第三正向電壓之間的差異不大於0.5 V。第一發光元件101、第二發光元件102和第三發光元件104可以獨立地操作。例如，通過控制第一電極墊111和第二電極墊112a操作第一發光元件101。第一發光元件的第一輻射、第二發光元件的第二輻射和第三發光元件的第三輻射可以混合在一起，以發射出色溫大於10000K的白光。較佳地，白光在CIE1931色度座標圖上具有色度坐標(x，y)，其中0.27≤x≤0.285，0.23≤y≤0.26。
第14圖為本公開內容之第十一實施例之發光裝置沿著如第13圖之A-A’線的剖面圖。發光裝置100c可以進一步被一支撐結構106封裝。支撐結構106可以是透明結構，其主要地由有機材料和/或無機材料中的一種或多種構成。有機材料可以是環氧樹脂，聚酰亞胺(Polyimide，PI)、苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB) 、全氟環丁烷(Perfluorocyclobutane，PFCB)、Su8、丙烯酸樹脂(acrylic resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate ，PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚酰亞胺(polyetherimide)或氟碳聚合物(fluorocarbon polymer)。無機材料可以是玻璃、氧化鋁(Al2 O3 )、矽氧烷聚合物(SINR，Siloxane polymer)或旋轉塗佈式玻璃材料(Spin-on-Glass，SOG)。封裝的發光裝置100c可以是顯示器的一個像素，且較佳地，顯示器為戶外LED顯示器。或者，幾個封裝的發光裝置100c可以進一步地安裝在一基座上，並且互相連接形成LED顯示模組(圖未示)的一個像素。於一實施例中，如圖13和圖14所示，封裝的發光裝置100c還包含一圍繞第一發光元件101、第二發光元件102和第三發光元件104的擋牆107。擋牆107可吸收或反射光，並且包含非透明材料，例如其上具有黑色或白色塗層的塑膠或與黑色或白色塗層混合的塑膠以形成一整體結構。塑膠包含矽樹脂(silicone) 、環氧樹脂(epoxy) 、聚酰亞胺(Polyimide，PI) 、苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB) 、全氟環丁烷(Perfluorocyclobutane，PFCB) 、Su8、丙烯酸樹脂(acrylic resin) 、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate ，PMMA) 、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET) 、聚碳酸酯(polycarbonate，PC) 、聚醚酰亞胺(polyetherimide) 、聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）。擋牆107可以用於降低相鄰的封裝發光裝置100c之間形成串擾的可能性。
於一實施例中，通過任何合適的方法移除部分的發光結構30以暴露第一半導體層31，並且在暴露的第一半導體層31上形成第二電極60。因此，第一電極50/50a和第二電極60在成長基板110的同一側上。於一實施例中，第一電極50/50a的與發光結構30相對的外表面，其實質上與第二電極60的與發光結構30相對的外表面共平面。故，發光元件能夠通過覆晶接合的方式接合到包括電路的另一載體。
於一實施例中，成長基板10可以藉由任何的方式被移除，且發光元件可藉由黏接方式與一永久基板連接。於一實施例中，本公開內容的發光元件更包含一介於永久基板以及發光結構30之間的導電黏接結構，用於機械地黏接永久基板與發光結構30。導電黏接結構包含透明導電材料或金屬材料。透明導電材料包含透明導電氧化物，透明導電氧化物包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦鋅(IZO)。金屬材料包含銦、錫、金、鈦、鎳、鉑、鎢或其等之合金。
第一電極50、50a和第二電極60用於與一外接電源連接且傳導在兩者之間的電流。於一實施例中，第一電極50、50a以及第二電極60的材料包含透明導電材料或是金屬材料。透明導電材料包含透明導電氧化物，金屬材料包含金(Au) 、鉑(Pt) 、鍺金鎳(GeAuNi) 、鈦(Ti)、鈹金(BeAu)、鍺金(GeAu)、鋁(Al) 、鋅金( ZnAu) 或鎳。
於一實施例中，第一電極50、50a和第二電極60分別位於永久基板的相反兩側，導電的永久基板用於傳導第一電極50、50a和第二電極60之間的電流。永久基板包含導電材料，其包含矽(Si)、銅 (Cu)、鋁(Al) 、 鉬(Mo)、錫(Sn) 、鋅(Zn) 、鎳(Ni) 、鈷(Co) 、類鑽碳(DLC)、石墨、碳纖維、金屬基複合材料(Metal Matrix Composite，MMC)或陶瓷基複合材料(ceramic  Matrix Composite，MMC)。較佳地，永久基板包含矽(Si)。於一實施例中，當第一電極50、50a和第二電極60位於永久基板的同一側時，永久基板可以不導電，其材料可以包含例如藍寶石或玻璃。永久基板具有一足夠的厚度，藉以支撐在其上的層或是結構。例如，大於100微米，且較佳地，小於200微米。
於一實施例中，本公開內容所揭示的任一發光元件更包含一介於第二半導體層32和第一電極50/50a之間的接觸層， 第一電極50/50a藉由接觸層與發光結構30電連接，接觸層是第一層直接接觸第一電極50/50a的半導體層，其用於降低接觸層和第一電極50/50a之間的電阻。接觸層具有例如高於1018 /cm3 的摻雜濃度，且較佳地，介於5×1018 /cm3 至5×1020 /cm3 之間(兩者皆含)。接觸層24的材料包含一三五族半導體材料，例如砷化鎵(GaAs)、鋁砷化鎵(AlGaAs) 、磷化銦鎵(InGaP)、磷化鎵(GaP) 或磷化鋁鎵銦(AlGaInP)。
於一實施例中，本公開內容所揭示的任一發光元件更包含一第六半導體層(圖未示)，第六半導體層位於第一電極50、50a和發光結構30之間或是位於接觸層和發光結構30之間，用於增進光取出和/或增進電流散佈使電流擴及發光結構30。第六半導體層具有一大於2000 nm的厚度，且較佳地，介於2500 nm 至7000 nm之間。於一實施例中，第六半導體層具有一小於500 nm的厚度，且較佳地，介於100 nm 至300 nm之間。於一實施例中，第六半導體層具有一能階，其大於第一活性層33的能階。於一實施例中，第一光實質上可穿透第六半導體層。於一實施例中，第六半導體層具有一高於1×1017 /cm3 的摻雜濃度。於一實施例中，第六半導體層包含一相對於成長基板10且面對第一電極50/50a的表面，於一實施例中，部分未被第一電極50/50a覆蓋的表面可被粗化。較佳地，粗糙度介於0.1 微米至3 微米之間，且更佳地，介於0.3 微米至2 微米之間。第六半導體層包含三五族半導體材料，例如鋁砷化鎵(AlGaAs)或磷化鋁鎵銦(AlGaInP)。
磊晶的方法包含，但不限於，金屬有機化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition，MOCVD)、氫化物氣相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy ，HVPE) 、分子束磊晶(molecular beam epitaxy，MBE)或液相磊晶法(liquid-phase epitaxy，LPE) 。
需注意的是，本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作顯而易見的修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。不同實施例中相同或相似的構件，或者不同實施例中具相同標號的構件皆具有相同的物理或化學特性。此外，本發明中上述之實施例在適當的情況下，是可互相組合或替換，而非僅限於所描述之特定實施例。在一實施例中詳細描述之特定構件與其他構件的連接關係亦可以應用於其他實施例中，且均落於如後之本發明之權利保護範圍的範疇中。
1、2、3、4、5、6:發光元件 10:成長基板20、20a、20b、20c、20d:調整結構 30:發光結構50:第一電極 60:第二電極31:第一半導體層 31:第二半導體層33:第一活性層 21、21’、21”:二極體22:穿隧結構 211:第三半導體層212:第四半導體層 213:第二活性層221:第一穿隧層 222:第二穿隧層80:緩衝層 70:反射層214:第一限制層 215:第二限制層23:中間層 24:擴散阻擋層  25:擴散層 26:第一導電型態半導體層27:pn接面 24 :蕭特基二極體241:第五半導體層 100、100a、100c:發光裝置107:擋牆 101:第一發光元件102:第二發光元件 110:載體111、111a、111b:第一電極墊 112a、112b、112c:第二電極墊104:第三發光元件 106:支撐結構
第1圖為本公開內容之第一實施例之發光元件的剖面圖；
第2圖為本公開內容之第一實施例之發光元件的調整結構的剖面圖；
第3圖為第一活性層發出的第一光與第二活性層發光的第二光之相對強度的圖譜；
第4圖為本公開內容之第二實施例之發光元件的剖面圖；
第5圖為本公開內容之第三實施例之發光元件的剖面圖；
第6圖為本公開內容之第四實施例之發光元件內的調整結構的剖面圖；
第7圖為本公開內容之第五實施例之發光元件內的調整結構的剖面圖；
第8圖為本公開內容之第六實施例之發光元件的剖面圖；
第9圖為本公開內容之第七實施例之發光元件的剖面圖；
第10圖為本公開內容之第八實施例之發光元件的剖面圖；
第11圖為本公開內容之第九實施例之發光裝置的俯視圖；
第12圖為本公開內容之第十實施例之發光裝置的俯視圖；
第13圖為本公開內容之第十一實施例之發光裝置的俯視圖；以及
第14圖為本公開內容之第十二實施例之發光裝置沿著如第13圖之A-A’線的剖面圖。
無。
100c:發光裝置
101:第一發光元件
102:第二發光元件
103:電極
104:第三發光元件
107:擋牆
110:載體
111:第一電極墊
112c、112b、112c:第二電極墊
50:第一電極

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，包含：                                                                                       一第一發光元件，發出一第一輻射且具有一第一正向電壓，該第一輻射具有一第一峰值波長介於580到700奈米之間；                                                                                                  一第二發光元件，發出一第二輻射且具有一第二正向電壓，該第二輻射具有一第二峰值波長介於400 奈米至480 奈米之間；以及                                                                                                                                                   一第三發光元件，發出一第三輻射且具有一第三正向電壓，該第三輻射具有一第三峰值波長介於500 奈米至590 奈米之間； 其中，該第一正向電壓與該第二正向電壓之間有一第一差值，該第一正向電壓與該第三正向電壓之間有一第二差值，該第一差值或該第二差值不大於0.5V。
  2. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該第一發光元件包含一反射層。
  3. 如請求項2所述的發光裝置，其中，該反射層包含一分佈式布拉格反射鏡。
  4. 如請求項1所述的發光裝置，其中，該第一發光元件、該第二發光元件與該第三發光元件皆可獨立地操作。
  5. 如請求項1所述的發光裝置，更包含一載體，該第一發光元件、該第二發光元件與該第三發光元件位於該載體上。
  6. 如請求項5所述的發光裝置，其中，該載體包含一第一電極墊及複數個第二電極墊，該複數個第二電極墊彼此分離且該第一發光元件、該第二發光元件與第三發光元件共同地位於該第一電極墊上。
  7. 如請求項5所述的發光裝置，其中，該載體包含複數個第一電極墊及複數個第二電極墊，該複數個第一電極墊彼此分離且該複數個第二電極墊彼此分離，該第一發光元件、該第二發光元件與第三發光元件分別地位於該複數個第一電極墊上。
  8. 如請求項1所述的發光裝置，更包含一支撐結構，覆蓋該第一發光元件、該第二發光元件與該第三發光元件。
  9. 如請求項1所述的發光裝置，更包含一擋牆，圍繞該第一發光元件、該第二發光元件與該第三發光元件。
  10. 如請求項9所述的發光裝置，其中，該擋牆包含黑色或白色的塑膠材料。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200365767A1 (en) * 2019-05-17 2020-11-19 Shin-Etsu Opto Electronic Co., Ltd. Light-emitting diode structure and method for forming the same
US11588072B2 (en) * 2019-11-06 2023-02-21 Epistar Corporation Semiconductor device and semiconductor component including ihe same

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5808592A (en) * 1994-04-28 1998-09-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Integrated light-emitting diode lamp and method of producing the same
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JP3635757B2 (ja) * 1995-12-28 2005-04-06 昭和電工株式会社 ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
US6760357B1 (en) * 1998-04-14 2004-07-06 Bandwidth9 Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6281538B1 (en) * 2000-03-22 2001-08-28 Motorola, Inc. Multi-layer tunneling device with a graded stoichiometry insulating layer
US6712478B2 (en) 2001-01-19 2004-03-30 South Epitaxy Corporation Light emitting diode
US6822991B2 (en) * 2002-09-30 2004-11-23 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices including tunnel junctions
US7136406B2 (en) * 2003-07-03 2006-11-14 Finisar Corporation Pseudomorphic layer in tunnel junction VCSEL
CN1275337C (zh) * 2003-09-17 2006-09-13 北京工大智源科技发展有限公司 高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
JPWO2006038665A1 (ja) * 2004-10-01 2008-05-15 三菱電線工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
DE102006010728A1 (de) * 2005-12-05 2007-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Laservorrichtung
DE102006039369A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
DE102006035627A1 (de) * 2006-07-31 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper
DE102006046038A1 (de) 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
DE102006059612A1 (de) * 2006-12-12 2008-06-19 Forschungsverbund Berlin E.V. Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4928927B2 (ja) * 2006-12-13 2012-05-09 日本オプネクスト株式会社 面発光半導体レーザ素子
TWI349371B (en) * 2007-02-13 2011-09-21 Epistar Corp An optoelectronical semiconductor device having a bonding structure
DE102008028036A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper mit Tunnelübergang und Verfahren zur Herstellung eines solchen
CN101281946A (zh) * 2008-05-21 2008-10-08 旭丽电子(广州)有限公司 可应用于交流回路的发光二极管结构及其驱动方法
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
DE102009037185B4 (de) * 2009-05-29 2018-11-22 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
US8203155B2 (en) * 2009-12-01 2012-06-19 Massachusetts Institute Of Technology Cavity-enhanced multispectral photonic devices
JP5533744B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-25 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP5593163B2 (ja) * 2010-08-18 2014-09-17 昭和電工株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
TWI555226B (zh) 2011-07-12 2016-10-21 晶元光電股份有限公司 具有多層發光疊層的發光元件
US9130107B2 (en) * 2011-08-31 2015-09-08 Epistar Corporation Light emitting device
JP6189217B2 (ja) * 2011-11-07 2017-08-30 株式会社東芝 白色光源およびそれを用いた白色光源システム
TWI707484B (zh) * 2013-11-14 2020-10-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
CN103715326B (zh) * 2014-01-14 2016-10-26 厦门乾照光电股份有限公司 近红外发光二极管及其制造方法
US9681515B2 (en) * 2015-05-13 2017-06-13 Juha Rantala LED structure with a dynamic spectrum and a method

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