JP2006086162A - 基板搬送方法及び半導体露光装置 - Google Patents

基板搬送方法及び半導体露光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】複数の静電チャックにより、基板を吸着する際に、各チャックの製造誤差から生じる高さ及び傾きの差や被吸着面のうねり、或は基板搬送ハンドの変形が生じた場合でも、各チャックが一様に基板に密着することにより、保持力を高めて、信頼性の高い基板搬送を行うことを目的とする。
【解決手段】基板搬送ハンドに複数の静電チャックを用いて基板を搬送する搬送装置を具備し、各静電チャックの姿勢を傾き自在、高さ自在に保持する手段を具備した。又、傾き自在、高さ自在に保持する手段として上記ハンドと各々の静電チャックの間に弾性体(フッ素ゴム)により静電チャックを挟み込むように配置した。
【選択図】図4

Description

本発明は、半導体製造装置、半導体検査装置等において用いられる、マスクやレクチル、又は、半導体ウエーハやガラス基板等の薄板状の基板を保持、搬送する基板保持、搬送機構に関するものであり、特に、真空雰囲気下で半導体基板を露光する半導体露光装置の静電吸着装置に関する。
半導体製造工程においてレチクルパターンをシリコンウエーハ上に投影して転写する投影露光装置として、EUV(Extreme Ultraviolet:極紫外)光である13〜14nm程度の波長の露光光を光源として使用するEUV露光装置が提案されている。
現在公表されているEUV露光装置について図7を用いて説明する。
306Aはデバイスパターンの描画されたレチクル、303は露光領域を真空にするための真空チャンバー、306はレチクル306Aを搭載するレチクルステージ、320はレチクル306Aを真空チャンバー303内に搬入する時に使用するレチクルロードロック、313はレチクル306Aを搬送するためのレチクルハンド、312はレチクル306Aを真空領域内で保管する為のレチクルストッカーである。
このような、従来構成の露光装置ではロードロック320を通ったレチクル306Aはレチクルチェンジャーハンド313により真空領域内のレチクルストッカー312へ搬送される。更に、レチクルチェンジャーハンド313は、レチクルストッカー312内のレチクル306Aをレチクルステージ306へ搬送し露光を行う。
真空領域で静電チャックにより基板を保持する手段として、特許文献1において、半導体基板の裏面を静電吸着する手段が開示されている。又、露光装置内で静電チャックによりレチクルを保持する手段として、特許文献2公報に複数の静電チャックによるレチクル吸着が開示されている。
特開2001−196290号公報 特開2001−358055号公報
しかしながら、レチクルを搬送するハンドに静電チャックを用いてレチクルを保持する場合は、パターン面に異物が付着しないように露光エリア以外の部分を保持しなければならず、特許文献1(特開2001―196290号公報)に開示されているように、ウエーハを保持する時のように、裏面全面を保持することはできない。又、一般に基板搬送ハンドは薄いハンド状を成しており、レチクルステージほど剛性がないので複数の静電チャックを配置しても、各チャック間の平面度を精密に加工することは困難であった。更に、特許文献2(特開2001―358055号公報)に開示されているような複数静電チャックの構成では、各チャックの製造誤差から生じる高さ及び傾きの差や被吸着面のうねり等があった場合では、それぞれのチャックと被吸着面が密着することができず、よって、所望の保持力が得られず、搬送中にレチクルを落下させる危険があった。
更に、レチクル搬送ハンドに静電チャックを使用する場合には、レチクルの重さによりハンドが変形して、各チャックが一様にレチクルに密着することは困難であり、よって、所望の保持力が得られず、搬送中にレチクルを落下させる危険があった。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、複数の静電チャックにより基板を吸着する際に各チャックの製造誤差から生じる高さ及び傾きの差や被吸着面のうねり或は基板搬送ハンドの変形が生じた場合でも、各チャックが一様に基板に密着することにより保持力を高めて信頼性の高い基板搬送を行うことを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の露光装置は、基板搬送ハンドに複数の静電チャックを用いて基板を搬送する搬送装置を具備し、各静電チャックの姿勢を傾き自在、高さ自在に保持する手段を具備した。又、傾き自在、高さ自在に保持する手段として
上記ハンドと各々の静電チャックの間に弾性体(フッ素ゴム)により静電チャックを挟み込むように配置した。
本発明によれば、複数の静電チャックにより基板を吸着する際に各チャックの製造誤差から生じる高さ及び傾きの差や被吸着面のうねり或は基板搬送ハンドの変形が生じた場合でも、各チャックが一様に基板に密着することにより、保持力を高めて、信頼性の高い基板搬送を行うことが可能となる。
本発明は、半導体製造装置、半導体検査装置等において用いられる、マスクやレチクル、又は半導体ウエーハやガラス基板等の薄板状の基板を保持、搬送する基板保持搬送機構であれば公知のものに適用される。
以下に本発明の実施の形態を説明する。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係る真空中におけるレチクル搬送ハンドを示す概略図である。図1において、1は光源の発光点となる光源材料をガス化、液化又は噴霧ガス化させたポイントに向けてレーザー光を照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させるための励起レーザーで、YAG固体レーザー等を用いる。
2は露光用光源の光源発光部で、内部は真空に維持された構造を持ち、2Aは露光用光源の発光ポイント(以下、光源と言う)である。2Bは光源ミラーで、光源2Aからの全球面光を発光方向に揃え集光反射するために、光源2Aを中心に半球面状のミラーとして配置される。光源2Aのポイントには、発光元素として液化Xe、液化Xe噴霧体、又はXeガスを不図示のノズルにより噴出させ、且つ、励起レーザー1からの光が照射される。
3は露光装置全体を格納する真空チャンバーで、真空ポンプ4により真空状態を維持することが可能である。5は光源発光部2からの露光光を導入して成形する露光光導入部で、ミラー5A〜5Dにより構成され、露光光を均質化し、且つ、整形する。
6はレチクルステージで、レチクルステージ上の可動部には、露光パターンの反射原版である原版6Aが搭載されている。7は原版6Aから反射した露光パターンを縮小投影する縮小投影ミラー光学系であり、原版6Aにより反射された露光パターンをミラー7A〜7Eに順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比でウエーハ8A上に縮小投影する。8はウエーハステージで、原版6Aにより反射縮小投影されたパターンを露光するSi基板であるウエーハ8Aを、所定の露光位置に位置決めするために、XYZ、XY軸回りのチルト、Z軸回りの回転方向の6軸駆動可能に位置決め制御される。
9はレチクルステージ支持体で、レチクルステージ6を装置設置床に対して支持する。10は投影系支持体で、縮小投影ミラー光学系7を装置設置床に対して支持する。11はウエーハステージ支持体で、ウエーハステージ8を装置設置床に対して支持する。
以上のレチクルステージ支持体9と投影系支持体10とウエーハステージ支持体11により分離独立して支持された、レチクルステージ6と縮小投影ミラー光学系7間及び縮小投影ミラー光学系7とウエーハステージ8間は、相対位置を位置計測し、所定の相対位置に連続して維持制御する手段(不図示)が設けられている。
又、レチクルステージ支持体9と投影系支持体10とウエーハステージ支持体11には、装置設置床からの振動を絶縁するマウント(不図示)が設けられている。
12は装置外部から一旦装置内部に原版6Aであるレチクルを保管するレチクルストッカーで、保管容器に密閉状態で異なるパターン及び異なる露光条件に合わせたレチクルが保管されている。13はレチクルストッカー12から使用するレチクルを選択して搬送するレチクルチェンジャーである。14はXYZ及びZ軸周りに回転可能な回転ハンドから成るレチクルアライメントユニットで、レチクルチェンジャー13から原版6Aを受け取って180度回転することにより、レチクルステージ6端部に設けられたレチクルアライメントスコープ15部分に搬送し、縮小投影ミラー光学系7基準に設けられたアライメントマーク15A(図9参照)に対して原版6A上をXYZ軸回転方向に微動してアライメントする。アライメントを終了した原版6Aはレチクルステージ6上にチャッキングされる。
16は装置外部から一旦装置内部にウエーハ8Aを保管するウエーハストッカーで、保管容器に複数枚のウエーハが保管されている。17はウエーハ搬送ロボットで、ウエーハストッカー16から露光処理するウエーハ8Aを選定し、ウエーハメカプリアライメント温調器18に運ぶ。ウエーハメカプリアライメント温調器18では、ウエーハの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエーハ温度を露光装置内部温調温度に合わせ込む。19はウエーハ送り込みハンドで、ウエーハメカプリアライメント温調器18にてアライメントと温調されたウエーハ8Aをウエーハステージ8に送り込む。
20及び21はゲートバルブで、装置外部からレチクルおよびウエーハを挿入するゲート開閉機構である。22も同じくゲートバルブで、装置内部でウエーハストッカー16及びウエーハメカプリアライメント温調器18の空間と露光空間とを隔壁で分離し、ウエーハ8Aを搬入搬出するときのみ開閉する。このように、隔壁で分離することによりウエーハ8Aの装置外部との搬入搬出の際に、一旦大気開放される容積を最小限にして、速やかに真空平衡状態にすることを可能にしている。
又、原版(レチクル)6Aをレチクルステージ6に位置決めクランプする際は、レチクルストッカー12に保管された原版(レチクル)6Aをレチクルチェンジャー13により選定搬送し、更に、レチクルアライメントユニット14のレチクルアライメントハンド114Aに、持ち替えて回転搬送すると同時に、レチクルステージ6を、レチクルアライメントスコープ15によるレチクルアライメント位置まで移動させる。
レチクルステージ6に位置決めクランプされた原版(レチクル)6Aは、レチクルステージ6を駆動することにより露光位置へ移動し、光源2Aから照射された露光光により原版(レチクル)6Aにパターニングされた回路パターンは、ミラーを介してウエーハ8A上に結像される。
図2はレチクルチェンジャー13を表す概要図である。
レチクルチェンジャー13はレチクルストッカー12に保管されているレチクル6Aを下方からレチクルチェンジャーハンド13Aによって保持し、レチクルチェンジャーハンド13Aへ搬送する。レチクルアライメントハンド114Aにはレチクルチェンジャーハンド13Aとの干渉回避の為の溝が設けられており、レチクル6Aを下方から保持した状態で受け渡しを行う。
図3はレチクルチェンジャーハンド13Bを表す概要図である。
レチクルチェンジャーハンド13Bには、レチクルパターン面上の露光領域を避けて、レチクルの端部4箇所を保持するための静電チャックパッド13Bが取り付けられている。
図4は静電チャックパッド13Bの1箇所を横から見た概要図である。
静電チャックパッド13Bは絶縁体の部分と正極、負極の電極、誘電体部分で成り立っている。静電チャックはレチクル等の被吸着物体と電極の間の誘電体を介して高電圧を印加して、このとき、被吸着物体と電極との間に生じる静電気的な吸引力を利用して被吸着物を電極側に吸引保持する。
不図示の電源及び配線より、正極、負極の電極に直流高電圧が印加されると、誘電体の内部に誘電分極を生じ、誘電体の電極側に印加した電圧の極性と反対側の極性を持つ電荷分布σを生じる。これに伴って、誘電体の反対の面には同じ容量で逆極性を持つ電荷分布−σを生じ、レチクル等の被吸着物の表面には電荷分布σを生じる。このとき、誘電体と被吸着物に生じた電荷分布により静電気的な吸引力(ジョンセン―ラーベック力)が発生し、被吸着物は静電チャックに吸着される。
このとき、下からレチクルを支えている4箇所の静電チャックとレチクルの密着性が悪いと、所望の吸着力を得ることができない。一般に、基板搬送ハンドはレチクルステージほど剛性がないので複数の静電チャックを配置しても、各チャック間の平面度を精密に加工することは困難である。又、各チャックの製造誤差から生じる高さ及び傾きの差や被吸着面のうねり等があった場合では、それぞれのチャックと被吸着面が密着することができず、よって所望の保持力が得られない。更に、レチクルの重さによりハンドが変形して、各チャックが一様にレチクルに密着することは困難である。よって、所望の保持力が得られず、搬送中にレチクルを落下させる可能性があった。
そこで、本発明では、各静電チャックの姿勢を傾き自在、且つ、高さ自在に保持した。図4において、ハンドと各々の静電チャックの間には弾性体により静電チャックを挟み込むように配置した。前記弾性体は、ばねでもゴムでもスポンジでも良いが、レチクルへのケミカルコンタミの影響が小さい材質が好ましい。本実施の形態では、フッ素ゴムを使用した。レチクルが静電チャック上に受け渡されると、レチクルの自重により、各静電チャックが垂直方向変位を行いながらイコライズすることにより各チャック全面がレチクルに密着する。よって、レチクル保持力が大きくなり、高速、高信頼性の搬送が実現する。又、弾性体をチャックとハンドの間だけでなくチャックと固定ねじの間にも配置したため、上方向から常に軽い力が掛かり、搬送中の振動があってもレチクルに伝わり難いというメリットがある。
図5(a)は静電チャックの高さのみ移動でき、傾きは変えることができない場合のレチクルとチャックの密着性を表す図である。高さのみの移動では静電チャック自身の傾きやレチクルのうねり等に追従できず、密着性が悪いことが分かる。図5(b)は静電チャックの傾きのみ移動でき、高さは変えることができない場合のレチクルとチャックの密着性を表す図である。図5(b)のように直線上に3箇所のチャックがある場合は2箇所のチャックには追従できるが、3箇所目のチャックはチャック間の高さ誤差やレチクルのうねり等に追従できないことが分かる。レチクル端部の4箇所にチャックを配置した場合では、3箇所のチャックまでは追従できるが4箇所目のチャックは密着できない。よって、本発明のように各静電チャックの姿勢を傾き自在、且つ、高さ自在に保持した場合のみ、各チャックが一様にレチクルに密着することができる。
<実施の形態2>
図6は本発明の実施の形態2に係る静電チャックパッド13Bの1箇所を横から見た概要図である。
本実施の形態では、弾性体とハンド、静電チャックを接着している。前記弾性体は、ばねでもゴムでもスポンジでも良いが、レチクルへのケミカルコンタミの影響が小さい材質が好ましい。本実施の形態ではフッ素ゴムを使用した。接着剤についてもケミカルコンタミの影響が小さい材質が好ましい。本実施の形態ではエポキシ系接着剤を使用した。本実施の形態の構成でも実施の形態1と同様にレチクルが静電チャック上に受け渡されると、レチクルの自重により各静電チャックが垂直方向変位を行いながらイコライズすることにより、各チャック全面がレチクルに密着する。よって、レチクル保持力が大きくなり高速、高信頼性の搬送が実現する。又、弾性体をチャックとハンドの間だけでなく、チャックと固定ねじの間にも配置したため、上方向から常に軽い力が掛かり、搬送中の振動があってもレチクルに伝わり難いというメリットがある。
本発明の実施の形態1に係る露光装置の構成を示す図である。 本発明の実施の形態1に係るレチクルチェンジャーの構成を示す図である。 本発明の実施の形態1に係るレチクルチェンジャーハンドの構成を示す図である。 図3に示した静電チャックパッドの構成を示す図である。 (a)は静電チャックの高さのみ移動でき、傾きは変えることができない場合のレチクルとチャックの密着性を表す図、(b)は静電チャックの傾きのみ移動でき、高さは変えることができない場合のレチクルとチャックの密着性を表す図である。 本発明の実施の形態2に係る静電チャックパッド13Bの1箇所を横から見た概要図である。 従来のEUV露光装置の構成を示す図である。
符号の説明
1 励起レーザー
2 光源発光部
2A 光源
3 真空チャンバー
4 真空ポンプ
5 露光光導入部
5A、5B、5C、5D ミラー
6 レチクルステージ
6A 原版(レチクル)
6B レチクルチャックスライダー
6C レチクル駆動手段
6D、6E、6F、6G、6H、6J、6K、6L 静電チャック電極
6M、6N、6P、6Q ギャップセンサー
7 縮小投影ミラー光学系
7A、7B、7C、7D、7E ミラー
8 ウエーハステージ
8A ウエーハ
9 レチクルステージ支持体
10 投影系支持体
11 ウエーハステージ支持体
12 レチクルストッカー
13 レチクルチェンジャー
13Aレチクルチェンジャーハンド
13B 静電チャックパッド
14 レチクルアライメントユニット
14A レチクルアライメントハンド
15 レチクルアライメントスコープ
15A レチクルアライメントマーク
16 ウエーハストッカー
17 ウエーハ搬送ロボット
18 ウエーハメカプリアライメント温調器
19 ウエーハ送り込みハンド
20、21、22 ゲートバルブ
114A レチクルアライメントハンド
303 真空チャンバー
306 レチクルステージ
306A 原版(レチクル)
312 レチクルストッカー
313 レチクルチェンジャー
320 ゲートバルブ

Claims (6)

  1. 基板搬送ハンドに複数の静電チャックを用いて基板を搬送する搬送装置を具備し、各静電チャックの姿勢を傾き自在、且つ、高さ自在に保持する手段を具備したことを特徴とする基板搬送方法。
  2. 傾き自在、且つ、高さ自在に保持する手段として上記ハンドと各々の静電チャックの間に弾性体を配置することを特徴とする請求項1記載の基板搬送方法。

  3. 前記弾性体は、フッ素ゴムであることを特徴とする請求項2記載の基板搬送方法。
  4. 基板搬送ハンドに複数の静電チャックを用いて基板を搬送する搬送装置を具備し、各静電チャックの姿勢を傾き自在、且つ、高さ自在に保持する手段を具備したことを特徴とする半導体露光装置。

  5. 傾き自在、且つ、高さ自在に保持する手段として、上記ハンドと各々の静電チャックの間に弾性体を配置したことを特徴とする請求項4記載の半導体露光装置。

  6. 前記弾性体はフッ素ゴムであることを特徴とする請求項4記載の半導体露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8928860B2 (en) 2008-02-21 2015-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a chuck with a visco-elastic damping layer

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