JP2006083886A - 電磁弁一体型圧力センサの取付構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 電磁弁一体型圧力センサを、配線基材に接続されたソレノイドに取り付けてなる取付構造において、電磁弁一体型圧力センサをソレノイドに取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制する。
【解決手段】 電磁弁１１０の一端部に圧力センサ１２０を接続した電磁弁一体型圧力センサ１００と、電磁弁１１０を駆動させるソレノイド２００と、ソレノイド２００に接続された配線基材３００とを備え、電磁弁一体型圧力センサ１００を圧力センサ１２０側から電磁弁１１０の部分まで、ソレノイド２００の中空部に挿入した取付構造において、圧力センサ１２０のバネ電極１２１は、ソレノイド２００の平電極２３０に対してバネ接触して脱着可能に接続され、この平電極２３０を介して配線基材３００と電気的に接続されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電磁弁一体型圧力センサを、配線基材に接続されたソレノイドに取り付けてなる取付構造に関する。

図１３は、従来の一般的な電磁弁一体型圧力センサＪ１００の概略構成を示す図であり、図１４は、図１３に示される電磁弁一体型圧力センサＪ１００を配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造の概略断面構成を示す図であり、図１５は、図１４に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサＪ１００をソレノイド２００から分離した状態を示す概略断面図である。

この図１３に示されるように、電磁弁一体型圧力センサＪ１００は、電磁弁１１０の一端部に圧力センサ１２０を接続してなるものであり、圧力センサ１２０によって電磁弁１１０から出てくる圧力または電磁弁１１０に入る圧力を測定するようにしたものである。このような電磁弁一体型圧力センサとしては、特許文献１、特許文献２などに記載されたものがある。

図１３では、電磁弁１１０の他端部側がケース４００に取り付けられており、このケース４００には、圧力媒体を導入するための穴部４１０が設けられている。図示しないが、電磁弁１１０の内部には、圧力媒体が流通する通路とこの通路の流量を調整する弁部とが設けられている。

そして、たとえば、ケース４００の穴部４１０から導入される圧力媒体は、電磁弁１１０の他端部から一端部側の圧力センサ１２０へ導入され圧力センサ１２０にて圧力が測定されるようになっている。このとき、電磁弁１１０内の上記弁部は、電磁力により駆動され、圧力媒体の流量を調整する。

ここで、電磁弁一体型圧力センサＪ１００においては、電磁弁１１０は外部から磁界を加えることにより作動するため、結線は不要であるが、圧力センサ１２０は端子部Ｊ１０１により結線が必要である。その結線の具体的な様子は、図１４に示される。

図１４に示されるように、圧力センサ１２０の端子部Ｊ１０１は、はんだ、溶接、圧着あるいは接触などの結合方法により配線基材３００に接続される。また、圧力センサ１２０の端子部Ｊ１０１と配線基材３００とはコネクタを介した接続も可能である。ここで、配線基材３００は、回路基板やバスバーなどの成形された導体などである。

ソレノイド２００は、電磁弁１１０を駆動させるための磁界を発生するものであり、中空筒状をなしている。ここでは、ソレノイド２００の内部には、磁界を発生させるためのコイル２１０が設けられている。

そして、ソレノイド２００は、ソレノイドターミナル２２０を有し、このソレノイドターミナル２２０によって配線基材３００と電気的に接続されている。そして、ソレノイド２００のコイル２１０には、配線基材３００からソレノイドターミナル２２０を介して電流が供給される。

このような各部の接続は、図１４に示されるように、電磁弁一体型圧力センサＪ１００を、圧力センサ１２０側から電磁弁１１０の部分まで、ソレノイド２００の中空部に挿入した状態で行われている。それにより、圧力センサ１２０と配線基材３００とが電気的に接続されている。

具体的には、ケース４００に組み付けられた電磁弁一体型圧力センサＪ１００に対して、ソレノイド２００が取り付けられた配線基材３００を、かぶせるようにする。したがって、圧力センサ１２０の端子部Ｊ１０１と配線基材３００との接続は、電磁弁一体型圧力センサＪ１００にソレノイド２００を挿入した後に行われる。

また、図１５に示されるように、電磁弁一体型圧力センサＪ１００をソレノイド２００から分離するときには、圧力センサ１２０の端子部Ｊ１０１と配線基材３００との接続を先に外した後、電磁弁一体型圧力センサＪ１００をソレノイド２００から引き抜くようにすることが必要である。
特表２００２−５２０２１１号公報 特表２００３−５２２６７７号公報

ところで、上記したような従来の電磁弁一体型圧力センサＪ１００の取付構造においては、電磁弁一体型圧力センサＪ１００をソレノイド２００から分離することが必要な場合が多い。これは、配線基材３００である回路基板を修理・交換したりする場合、配線基材３００が接続されているソレノイド２００を、電磁弁一体型圧力センサＪ１００から分離した方が、上記した配線基材３００の修理や交換が容易になるためである。

しかしながら、上述したように、従来では、電磁弁一体型圧力センサＪ１００をソレノイド２００に挿入する場合、当該挿入工程の後に、圧力センサ１２０の端子部Ｊ１０１と配線基材３００との接続をを行う必要があり、工数がかかる。また、その部分の接続における結合形態も、溶接やはんだ付けなどであり、圧力センサ１２０における端子部Ｊ１０１の位置決めなどが容易ではないことから、手間がかかる。

また、電磁弁一体型圧力センサＪ１００をソレノイド２００から分離する場合、圧力センサ１２０の端子部Ｊ１０１と配線基材３００との接続を先に外す必要があり、工数がかかる。また、その部分の接続における結合形態が溶接やはんだ付けなどであることから、当該接続部を外すのに手間がかかる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電磁弁一体型圧力センサを、配線基材に接続されたソレノイドに取り付けてなる取付構造において、電磁弁一体型圧力センサをソレノイドに取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、次のような点を特徴とする取付構造が提供される。

・電磁弁（１１０）の一端部に圧力センサ（１２０）を接続してなり圧力センサ（１２０）によって電磁弁（１１０）から出てくる圧力または電磁弁（１１０）に入る圧力を測定するようにした電磁弁一体型圧力センサ（１００、１０１、１０２、１０３、１０４）と、電磁弁（１１０）を駆動させるための磁界を発生する中空筒状のソレノイド（２００）と、ソレノイド（２００）に電気的に接続された配線基材（３００）とを備えること。

・電磁弁一体型圧力センサ（１００〜１０４）を、圧力センサ（１２０）側から電磁弁（１１０）の部分まで、ソレノイド（２００）の中空部に挿入した状態で、圧力センサ（１２０）と配線基材（３００）とを電気的に接続してなること。

・圧力センサ（１２０）の端子部（１２１、１２２、１２３、１２４、１２５）は、ソレノイド（２００）に設けられた端子部（２３０、２３１、２３２、２３３、２３４）に対して脱着可能に接続され、このソレノイド（２００）の端子部（２３０〜２３４）を介して、配線基材（３００）と電気的に接続されていること。本発明の電磁弁一体型圧力センサの取付構造はこれらの点を特徴としている。

それによれば、ソレノイド（２００）に圧力センサ（１２０）の端子部（１２１〜１２５）の接続部を設けるとともに、圧力センサ（１２０）の端子部（１２１〜１２５）がソレノイド（２００）の端子部（２３０〜２３４）に対して脱着可能であるため、電磁弁一体型圧力センサ（１００〜１０４）とソレノイド（２００）との挿入・分離と同時に、圧力センサ（１２０）の端子部（１２１〜１２５）の接続部の結合・分離を行うことができる。

そのため、本発明においては、従来に比べて、ソレノイド（２００）に対する電磁弁一体型圧力センサ（１００〜１０４）の取付およびその分離が容易になる。

よって、本発明によれば、電磁弁一体型圧力センサ（１００〜１０４）を、配線基材（３００）に接続されたソレノイド（２００）に取り付けてなる取付構造において、電磁弁一体型圧力センサ（１００〜１０４）をソレノイド（２００）に取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制することができる。

ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の取付構造においては、圧力センサ（１２０）の端子部（１２１、１２２、１２３、１２４）とソレノイド（２００）の端子部（２３０、２３１、２３２、２３３）とは、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものにできる。

また、請求項３に記載の発明のように、請求項１に記載の取付構造においては、圧力センサ（１２０）の端子部（１２５）とソレノイド（２００）の端子部（２３４）とは、電磁波を利用した非接触の形態で接続されるものとしてもよい。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

また、以下に示される各実施形態における取付構造の図において、圧力センサ１２０の端子部１２１、１２２、１２３、１２４とソレノイド２００の端子部２３０、２３１、２３２、２３３とは、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるが、中には、両者の端子部が離れた状態に描いてあるものがある。しかし、これは、両端子部を区別しやすくするためであり、実際には、取付構造においては、両端子部はバネ接触している。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサ１００を配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造の概略断面構成を示す図であり、図２は、図１に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサ１００をソレノイド２００から分離した状態を示す概略断面図である。

電磁弁一体型圧力センサ１００は、その適用範囲を限定するものではないが、たとえば自動車のブレーキ用アクチュエータに搭載され、たとえば圧力媒体であるブレーキフルードの圧力を測定するものとして適用される。

図１に示されるように、電磁弁一体型圧力センサ１００は、電磁弁１１０と、この電磁弁１１０の一端部に接続された圧力センサ１２０とを備えて構成されている。ここで、図３は、電磁弁１１０の内部構成を示す概略断面図である。

本実施形態では、電磁弁１１０の他端部側には、アクチュエータケース４００が取り付けられている。このケース４００には、圧力媒体を導入するための穴部４１０が設けられている。そして、電磁弁一体型圧力センサ１００における電磁弁１１０は、このケース４００の穴部４１０に挿入され、かしめやピン止めなどにより固定されている。

図３に示されるように、電磁弁１１０の内部には、圧力媒体であるブレーキフルードが流通する圧力通路１１１とこの圧力通路１１の流量を調整する弁部１１２とが設けられている。ここでは、弁部１１２は電磁力により図中の上下方向に移動可能なものであり、ニードル状をなしている。

つまり、図３にて矢印Ｙに示されるように、測定されるべき圧力媒体は、アクチュエータケース４００の穴部４１０から電磁弁１１０の圧力通路１１１に導入され、電磁弁１１０の他端部から一端部へと圧力通路１１１を流通して圧力センサ１２０へ導入される。

そして、この圧力媒体の圧力は圧力センサ１２０にて測定されるようになっている。このとき、電磁弁１１０内の弁部１１２は、電磁力により駆動され、圧力媒体の流量を調整する。

図１に示されるように、圧力センサ１２０は、電磁弁１１０の一端部にたとえば溶接やロウ付けなどにより接続されており、上記したように、電磁弁１１０の一端部から圧力媒体を導入し、測定可能となっている。本例では、電磁弁１１０および圧力センサ１２０は円柱形状をなしている。

このような圧力センサ１２０は、たとえばピエゾ式、静電容量式の圧力センサであり、導入された圧力媒体の圧力に応じたレベルの電気信号を出力するものである。

なお、圧力センサ１２０が測定する圧力は、電磁弁１１０から出てくる圧力媒体の圧力だけに限るものでなく、電磁弁１１０に入る前の圧力媒体の圧力であってもよい。つまり、電磁弁一体型圧力センサ１００においては、圧力センサ１２０によって、電磁弁１１０から出てくる圧力または電磁弁１１０に入る圧力を測定することができる。そして、この測定圧力は電磁弁１１０により調整される。

また、ソレノイド２００は、電磁弁１１０を駆動させるための磁界、すなわち電磁弁１１０の上記弁部１１２を駆動させるための磁界を発生するものである。本実施形態では、ソレノイド２００は中空筒状をなしており、ソレノイド２００の内部には、磁界を発生させるための導体からなるコイル２１０が設けられている。

また、ソレノイド２００は、ソレノイドターミナル２２０を有し、このソレノイドターミナル２２０は、先端部が配線基材３００に挿入されて溶接・ロウ付けなどによって配線基材３００と電気的に接続されている。

ここで、配線基材３００は、回路基板やバスバーなどの成形された導体などである。そして、ソレノイド２００のコイル２１０には、配線基材３００からソレノイドターミナル２２０を介して電流が供給される。

ここで、電磁弁一体型圧力センサ１００における圧力センサ１２０には、当該電気信号を出力するための端子部としてのバネ電極１２１が設けられている。このバネ電極１２１は、圧力センサ１２０におけるソレノイド２００の内周面と対向する外周面に設けられている。

バネ電極１２１は、柱状の圧力センサ１２０の径方向に弾性力を発揮する導電性のバネ部材からなり、溶接やロウ付けなどにより圧力センサ１２０の外周面に接合され固定されている。

一方、ソレノイド２００の内周面における上記バネ電極１２１と対向する部位には、導電性材料からなる端子部としての板状の平電極２３０が接着などにより設けられている。この平電極２３０には、ソレノイドターミナル２２０と同様に配線基材３００まで延びるセンサターミナル２４０が導通して設けられている。

そして、このセンサターミナル２４０の先端部が配線基材３００に挿入されて溶接・ロウ付けなどによって配線基材３００と電気的に接続されている。これにより、平電極２３０と配線基板３００とはセンサターミナル２４０を介して電気的に接続されている。

そして、図１に示される取付構造においては、電磁弁一体型圧力センサ１００を、圧力センサ１２０側から電磁弁１１０の部分まで、ソレノイド２００の中空部に挿入した状態で、圧力センサ１００と配線基材３００とが電気的に接続されている。

本実施形態では、ソレノイド２００に挿入された圧力センサ１２０において、圧力センサ１２０の端子部であるバネ電極１２１とソレノイド２００の端子部である平電極２３０とは、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されている。

このように、ソレノイドターミナル２２０によって配線基材３００と電気的に接続されたソレノイド２００に対して、圧力センサ１００がバネ電極１２１および平電極２３０を介して電気的に接続されており、その結果、圧力センサ１００と配線基材３００とが電気的に接続されている。

このような本実施形態の電磁弁一体型圧力センサの取付構造は、アクチュエータケース４００に組み付けられた電磁弁一体型圧力センサ１００に対して、ソレノイド２００が取り付けられた配線基材３００を、かぶせるようにする。そして、電磁弁一体型圧力センサ１００をソレノイド２００に挿入する。

この電磁弁一体型圧力センサ１００のソレノイド２００への挿入を行うだけで、圧力センサ１２０の端子部であるバネ電極１２１とソレノイド２００の端子部である平電極２３０とがバネ接触の形態で電気的に接続される。

そして、このようにして形成された本実施形態の取付構造においては、ソレノイド２００によって電磁弁１１０で圧力を調整しながら、圧力センサ１２０にて圧力を測定する。圧力センサ１２０からの信号は、上記各電極１２１、２３０を介して配線基材３００へと出力される。

また、この電磁弁一体型圧力センサ１００をソレノイド２００から分離することは、図２に示されるように、電磁弁一体型圧力センサ１００をソレノイド２００から引き抜くだけで容易に実現できる。

すなわち、圧力センサ１２０のバネ電極１２１とソレノイド２００の平電極２３０とは、バネ接触であり、溶接やロウ付けのような固定的な接続ではなく脱着可能な接続がなされているため、分離は容易なものとなる。

このように、本実施形態によれば、電磁弁１１０の一端部に圧力センサ１２０を接続してなり圧力センサ１２０によって電磁弁１１０から出てくる圧力または電磁弁１１０に入る圧力を測定するようにした電磁弁一体型圧力センサ１００を、電磁弁１１０を駆動させるための磁界を発生する中空筒状のソレノイド２００に挿入して取り付ける取付構造において、次のような特徴点を有する取付構造が提供される。

すなわち、本実施形態によれば、上記電磁弁一体型圧力センサ１００と、上記ソレノイド２００と、ソレノイド２００に電気的に接続された配線基材３００とを備え、電磁弁一体型圧力センサ１００を、圧力センサ１２０側から電磁弁１１０の部分まで、ソレノイド２００の中空部に挿入した状態で、圧力センサ１２０と配線基材３００とを電気的に接続してなる電磁弁一体型圧力センサの取付構造において、圧力センサ１２０の端子部１２１は、ソレノイド２００に設けられた端子部２３０に対して脱着可能に接続され、このソレノイド２００の端子部２３０を介して、配線基材３００と電気的に接続されていることを特徴とする電磁弁一体型圧力センサの取付構造が提供される。

それによれば、ソレノイド２００に圧力センサ１２０の端子部１２１の接続部を設けるとともに、圧力センサ１２０の端子部１２１がソレノイド２００の端子部２３０に対して脱着可能としているため、電磁弁一体型圧力センサ１００とソレノイド２００との挿入・分離と同時に、圧力センサ１２０の端子部１２１の接続部の結合・分離を行うことができる。

そのため、本実施形態においては、従来に比べて、ソレノイド２００に対する電磁弁一体型圧力センサ１００の取付およびその分離が容易になる。

よって、本実施形態によれば、電磁弁一体型圧力センサ１００を、配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造において、電磁弁一体型圧力センサ１００をソレノイド２００に取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制することができる。

また、本実施形態の取付構造では、圧力センサ１２０の端子部を上記バネ電極１２１とし、ソレノイド２００の端子部を上記平電極２３０とすることにより、これら両端子部１２１、２３０を、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとしたことも特徴点である。

（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサ１０１を配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造の概略断面構成を示す図であり、図５は、図４に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサ１０１をソレノイド２００から分離した状態を示す概略断面図である。

上記第１実施形態では、圧力センサ１２０の端子部を上記バネ電極１２１とし、ソレノイド２００の端子部を上記平電極２３０とすることにより、これら両端子部１２１、２３０を、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとした。本実施形態でも、両端子部１２２、２３１を、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとしたことは、上記第１実施形態と同様である。

しかし、本実施形態では、図４、図５に示されるように、上記第１実施形態とは反対に、圧力センサ１２０の端子部を導電性板状の平電極１２２とし、ソレノイド２００の端子部をバネ電極２３１としたところが相違するものである。

これら各電極１２２、２３１の圧力センサ１２０やソレノイド２００の固定は、溶接、接着、ロウ付けなどにより可能である。ソレノイド２００のバネ電極２３１は、中空筒状のソレノイド２００の径方向に弾性力を発揮する導電性のバネ部材である。

このように、本実施形態によっても、電磁弁一体型圧力センサ１０１を、配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造において、圧力センサ１２０の端子部１２２は、ソレノイド２００に設けられた端子部２３１に対して脱着可能に接続され、このソレノイド２００の端子部２３１を介して、配線基材３００と電気的に接続されていることを特徴とする電磁弁一体型圧力センサの取付構造が提供される。

そして、本実施形態においても、圧力センサ１２０およびソレノイド２００の両端子部１２２、２３１を、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとして、脱着可能なものにすることにより、電磁弁一体型圧力センサ１０１をソレノイド２００に取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制することができる。

（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサ１０２を配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造の概略断面構成を示す図であり、図７は、図６に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサ１０２をソレノイド２００から分離した状態を示す概略断面図である。

上記実施形態では、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続される電極１２１、１２２、２３０、２３１を、取付構造において対向する圧力センサ１２０の外周面とソレノイド２００の内周面とに設けていた。本実施形態でも、両端子部１２３、２３２を、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとしたことは、上記各実施形態と同様である。

しかし、本実施形態では、図６、図７に示されるように、圧力センサ１２０の端子部を圧力センサ１２０の頂部に設けられた導電性の突起電極１２２とし、ソレノイド２００の端子部をソレノイド２００の開口部に設けられた導電性のバネ材からなるバネ電極２３２としている。

これら各電極１２３、２３２の圧力センサ１２０やソレノイド２００の固定は、溶接、接着、ロウ付けなどにより可能である。圧力センサ１２０のソレノイド２００への挿入方向にて、圧力センサ１２０の突起電極１２３がソレノイド２００のバネ電極２３２にあたり、バネ電極２３２の弾性力により、両電極１２３、２３２がバネ接触の状態で電気的に接続される。

このように、本実施形態によっても、電磁弁一体型圧力センサ１０２を、配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造において、圧力センサ１２０の端子部１２３は、ソレノイド２００に設けられた端子部２３２に対して脱着可能に接続され、このソレノイド２００の端子部２３２を介して、配線基材３００と電気的に接続されていることを特徴とする電磁弁一体型圧力センサの取付構造が提供される。

そして、本実施形態においても、圧力センサ１２０およびソレノイド２００の両端子部１２３、２３２を、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとして、脱着可能なものにすることにより、電磁弁一体型圧力センサ１０２をソレノイド２００に取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制することができる。

（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサ１０３を配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造の概略断面構成を示す図であり、図９は、図８に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサ１０３をソレノイド２００から分離した状態を示す概略断面図である。

本実施形態でも、上記各実施形態と同様に、圧力センサ１２０の端子部１２４とソレノイド２００の端子部２３３とを、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとしている。

しかし、上記各実施形態では、ソレノイド２００の端子部２３０、２３１、２３２は、圧力センサ１２０の端子部１２１、１２２、１２３に対向した部位にのみ実質的に設けられている。

そのため、上記各実施形態では、取付時においては、両端子部を位置あわせすべく、電磁弁一体型圧力センサ１００とソレノイド２００とを軸方向に回転させて、両者１００、２００の向きをそろえなけれなならない。

それに対して、本実施形態では、図８、図９に示されるように、圧力センサ１２０の外周面において、端子部としてのバネ電極１２４はそれぞれ、軸方向に沿って位置を変えて設けられている。

一方、ソレノイド２００の内周面において、端子部としての平電極２３３は、それぞれ、軸方向に沿って圧力センサ１２０のバネ電極１２４に対応した位置の全周に設けられている。

このように本実施形態によれば、取付時において、両端子部１２４、２３３を位置あわせするために、電磁弁一体型圧力センサ１００とソレノイド２００とを軸方向に回転させて、両者１００、２００の向きをそろえる必要がなくなる、という利点がある。

こうして、本実施形態によっても、電磁弁一体型圧力センサ１０３を、配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造において、圧力センサ１２０の端子部１２４は、ソレノイド２００に設けられた端子部２３３に対して脱着可能に接続され、このソレノイド２００の端子部２３３を介して、配線基材３００と電気的に接続されていることを特徴とする電磁弁一体型圧力センサの取付構造が提供される。

そして、本実施形態においても、圧力センサ１２０およびソレノイド２００の両端子部１２４、２３３を、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとして、脱着可能なものにすることにより、電磁弁一体型圧力センサ１０３をソレノイド２００に取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制することができる。

なお、本実施形態においても、図示例とは反対に、圧力センサ１２０側の端子部を平電極とし、ソレノイド２００側の端子部をバネ電極としてもよい。

（第５実施形態）
図１０は、本発明の第５実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサ１０４を配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造の概略断面構成を示す図であり、図１１は、図１０に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサ１０４をソレノイド２００から分離した状態を示す概略断面図である。

上記各実施形態では、圧力センサ１２０の端子部１２１〜１２４とソレノイド２００の端子部２３０〜２３３とを、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものとしていた。

それに対して、本実施形態では、図１０、図１１に示されるように、圧力センサ１２０の端子部１２５とソレノイド２００の端子部２３４とは、電磁波を利用した非接触の形態で接続されるものとしている。

具体的に、本実施形態では、圧力センサ１２０の端子部１２５とソレノイド２００の端子部２３４として、トランス５００を用いている。図１３は、この端子部１２５、２３４としてのトランス５００の半断面構成を示す図である。

図１３に示されるように、トランス５００は、Ｃｕなどの導体５０１と樹脂やセラミックなどの絶縁体５０２とが同心円状に構成されたコイルとなっている。このトランス５００を上記端子部１２５、２３４として用いることにより、これら両端子部１２５、２３４の間で、非接触状態であっても磁力線による信号の伝達を行うことができる。

なお、上記図１０、図１１に示される例では、電磁波を利用した非接触の形態で接続される端子部の例として、トランス５００を用いたが、光による信号の伝達が可能なフォトカプラを用いてもよい。

このように、本実施形態によっても、電磁弁一体型圧力センサ１０４を、配線基材３００に接続されたソレノイド２００に取り付けてなる取付構造において、圧力センサ１２０の端子部１２５は、ソレノイド２００に設けられた端子部２３４に対して脱着可能に接続され、このソレノイド２００の端子部２３４を介して、配線基材３００と電気的に接続されていることを特徴とする電磁弁一体型圧力センサの取付構造が提供される。

そして、本実施形態においては、圧力センサ１２０およびソレノイド２００の両端子部１２５、２３４を、電磁波を利用した非接触の形態で接続されるものとして、脱着可能なものにすることにより、電磁弁一体型圧力センサ１０４をソレノイド２００に取付・分離するにあたって、構造上の設計の制限や工数の増加を抑制することができる。

本発明の第１実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサの取付構造の概略断面構成を示す図である。 図１に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサをソレノイドから分離した状態を示す概略断面図である。 電磁弁の内部構成を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサの取付構造の概略断面構成を示す図である。 図４に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサをソレノイドから分離した状態を示す概略断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサの取付構造の概略断面構成を示す図である。 図６に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサをソレノイドから分離した状態を示す概略断面図である。 本発明の第４実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサの取付構造の概略断面構成を示す図である。 図８に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサをソレノイドから分離した状態を示す概略断面図である。 本発明の第５実施形態にかかる電磁弁一体型圧力センサの取付構造の概略断面構成を示す図である。 図１０に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサをソレノイドから分離した状態を示す概略断面図である。 圧力センサの端子部およびソレノイドの端子部としてのトランスの半断面構成を示す図である。 従来の一般的な電磁弁一体型圧力センサの概略構成を示す図である。 図１３に示される電磁弁一体型圧力センサの取付構造の概略断面構成を示す図である。 図１４に示される取付構造において電磁弁一体型圧力センサをソレノイドから分離した状態を示す概略断面図である。

符号の説明

１００、１０１、１０２、１０３、１０４…電磁弁一体型圧力センサ、
１１０…電磁弁、１２０…圧力センサ、
１２１、１２４…圧力センサの端子部としてのバネ電極、
１２２…圧力センサの端子部としての平電極、
１２３…圧力センサの端子部としての突起電極、
１２５…圧力センサの端子部としてのトランス、２００…ソレノイド、
２３０、２３３…ソレノイドの端子部としての平電極、
２３１、２３２…ソレノイドの端子部としてのバネ電極、
２３４…ソレノイドの端子部としてのトランス、３００…配線基材。

Claims (3)

1. 電磁弁（１１０）の一端部に圧力センサ（１２０）を接続してなり前記圧力センサ（１２０）によって前記電磁弁（１１０）から出てくる圧力または前記電磁弁（１１０）に入る圧力を測定するようにした電磁弁一体型圧力センサ（１００、１０１、１０２、１０３、１０４）と、
   前記電磁弁（１１０）を駆動させるための磁界を発生する中空筒状のソレノイド（２００）と、
   前記ソレノイド（２００）に電気的に接続された配線基材（３００）とを備え、
   前記電磁弁一体型圧力センサ（１００〜１０４）を、前記圧力センサ（１２０）側から前記電磁弁（１１０）の部分まで、前記ソレノイド（２００）の中空部に挿入した状態で、前記圧力センサ（１２０）と前記配線基材（３００）とを電気的に接続してなる電磁弁一体型圧力センサの取付構造において、
   前記圧力センサ（１２０）の端子部（１２１、１２２、１２３、１２４、１２５）は、前記ソレノイド（２００）に設けられた端子部（２３０、２３１、２３２、２３３、２３４）に対して脱着可能に接続され、このソレノイド（２００）の端子部（２３０〜２３４）を介して、前記配線基材（３００）と電気的に接続されていることを特徴とする電磁弁一体型圧力センサの取付構造。
2. 前記圧力センサ（１２０）の端子部（１２１、１２２、１２３、１２４）と前記ソレノイド（２００）の前記端子部（２３０、２３１、２３２、２３３）とは、バネ弾性を利用したバネ接触の形態で接続されるものであることを特徴とする請求項１に記載の電磁弁一体型圧力センサの取付構造。
3. 前記圧力センサ（１２０）の端子部（１２５）と前記ソレノイド（２００）の前記端子部（２３４）とは、電磁波を利用した非接触の形態で接続されるものであることを特徴とする請求項１に記載の電磁弁一体型圧力センサの取付構造。
   

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