JP2006080483A - 電子部品の工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 搬送サイクルを短くして生産性を向上させることができるとともに、追加機構が少なく低コストで、工程処理時間を長く確保することができ、信頼性の高い電子部品の工程処理技術を提供する。
【解決手段】 電子部品の搬送方向に処理機構２１，２２、複数の吸着ノズル１０を備える。吸着ノズル１０の複数の停止回数のうちの１回の割合で、吸着ノズル１０に半導体素子Ｓを供給する供給部を備える。停止する毎に、処理機構２１，２２のそれぞれに対応する位置に来る吸着ノズル１０は、複数の停止回数のうちの１回の割合で処理機構２１，２２の一方に半導体素子Ｓを受け渡すノズルと、複数の停止回数のうちの１回の割合で処理を終了した半導体素子Ｓを処理機構２１，２２の他方から受け取るノズルを含む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば、半導体素子などの電子部品の搬送過程において、工程処理を行うための工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムに関する。

半導体素子は、前工程と呼ばれるプロセスで、Ｓｉウェハ上に多数作成された後、後工程と呼ばれるプロセスにて個片に分離され、電気特性試験、特性分類、マーキング、外観検査等の工程を経た後、テープ、コンテナチューブなどに梱包されて出荷される。

このような半導体素子は、個片に分離された後の工程において、保持機構に保持されて搬送機構により搬送され、搬送経路に沿って設けられた各工程処理部において、各種の処理を施される。搬送機構による搬送方法としては、直線搬送、ターンテーブル搬送等が用いられるが、いずれの場合でも、保持機構を所定の工程順に従って進行させるステップと、各工程処理部において半導体素子の処理開始から終了まで保持機構を停止させるステップを繰り返す、いわゆる間欠搬送が用いられることが多い。

ところで、上記のような間欠搬送による工程処理には、長い処理時間への対応、高速化が困難となるという問題がある。まず、１搬送サイクル時間＝搬送時間＋搬送停止時間であり、停止時間＞最大工程処理時間＋受け渡し時間である。ここで、最大工程処理時間を７０ｍｓ、停止時間中の受け渡し時間を２０ｍｓとすると、停止時間の下限は９０ｍｓとなる。そして、搬送時間を３０ｍｓとすると、１搬送サイクル時間の下限は１２０ｍｓとなり、これ以上の高速化は困難である。

このように、高速化が困難となる理由としては、以下のものが挙げられる。
（１）機構上の制約から、搬送、停止を搬送機構全体で同時に行う必要がある。このため、最大工程処理時間で停止時間を決めざるを得ず、搬送停止時間を律速する。
（２）搬送の高速化で生産性を向上させてきたが、限界に達しつつある。
（３）例えば、複雑なテストサイクルが要求される電気特性検査のように、長い処理が必要な工程が含まれる場合には、最大処理時間が長くなり、１搬送サイクル時間はさらに長くなる。

これに対処するため、特許文献１に開示されたような工程処理装置が提案されている。これは、複数の半導体素子を並行して搬送しながら、工程処理も並列で行う装置であり、搬送も工程処理も並列で行うために、全体としての生産性が高まるというものである。また、搬送経路上に同一工程の処理機構を複数配置し、並列して工程処理を行う方法、すなわち、搬送＝１個毎、工程処理＝並列で行う方法も考えられる。

さらに、特許文献２には、以下のような工程処理技術が開示されている。この工程処理技術は、工程処理部に処理機構を複数設け、半導体素子を保持機構から処理機構の一つに受け渡した後、受け渡し場所とは別の場所に移動させて、工程処理を行う。これにより、半導体素子の保持機構から処理機構への受け渡しと、処理機構から保持機構への受け渡しとを、別のサイクルで行うことができる。このような従来技術によれば、処理機構の移動時間を、搬送機構の搬送時間よりも短くできるので、同じサイクルタイムであっても、従来より工程処理時間を長くすることが可能となる。
特開平５−２２９５０９号公報 国際公開ＷＯ０２／０６５８２４号公報

しかしながら、上記のような従来技術には、以下のような問題があった。すなわち、特許文献１に開示されたように並列処理を行う技術では、処理時間が短くて済む工程であっても、工程処理の長い工程と同数の処理機構を配置しなくてはならず、無駄が生じて装置のコストを増加させることになる。また、かかる並列処理のための高コスト化とともに、並列搬送のために搬送機構が複雑化し、装置稼働の信頼性の低下を招く可能性もある。そして、個々の処理機構の処理条件にバラツキが発生するため、マッチング等の補正を定期的に行う必要も発生する。搬送＝１個毎、工程処理＝並列で行う場合にも同様の問題が生じるとともに、搬送機構の慣性質量増大による駆動力増加、ランニングコスト増大につながる。

次に、特許文献２に開示された発明では、上記のような工程処理機構の複雑化、装置稼働信頼性の低下、高コスト化という問題があるとともに、処理機構を工程処理部内で移動させるため、処理条件の不安定化、電気特性測定時のインピーダンス変動による高周波特性測定の精度低下を招くとともに、処理機構の移動時間の分だけ工程処理時間が短くなる。さらに、工程処理機構が大型化すると、搬送経路に沿って複数の工程処理機構を並べることができず、生産性をさらに向上させることが困難となる。

また、本件出願人により出願された特願２００３−２９１３９５においては、工程処理部に複数の処理機構を設け、半導体素子を保持している保持機構と保持していない保持機構とが一対となった保持機構により、複数の工程処理機構に半導体素子を受渡すとともに、工程処理が終了した半導体素子を受取る。これにより、工程処理機構上に搭載されて工程処理される時間を間欠搬送の１サイクル時間よりも長くすることが可能となる。しかし、かかる発明では、工程処理機構の上流側及び下流側には半導体素子の相互位置を変える移載機構が必要となる。

本発明は、以上のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、搬送サイクルを短くして生産性を向上させることができるとともに、追加機構が少なく低コストで、工程処理時間を長く確保することができ、信頼性の高い電子部品の工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムを提供することにある。

上記の目的を達成するため、請求項１の発明は、電子部品に工程処理を施す処理機構と、電子部品を保持して進行及び停止するサイクルを繰り返しながら搬送するとともに、前記処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行う保持機構とを有する電子部品の工程処理装置において、前記保持機構及び前記処理機構は、電子部品の搬送方向に複数設けられ、前記保持機構の複数の停止回数のうちの１回の割合で、前記保持機構に電子部品を供給する供給部を備え、前記保持機構が停止する毎に、複数の処理機構のそれぞれに対応する位置に来る複数の保持機構は、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品を受け渡す保持機構と、複数の停止回数のうちの１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取る保持機構とを含むことを特徴とする。

請求項２の発明は、電子部品に工程処理を施す処理機構と、電子部品を保持して進行及び停止するサイクルを繰り返しながら搬送するとともに、前記処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行う保持機構とを有する電子部品の工程処理装置において、前記保持機構及び前記処理機構は、電子部品の搬送方向に複数設けられ、複数の保持機構につき１つの割合で電子部品を保持するとともに、停止時に複数の処理機構のそれぞれに対向する位置に来る複数の保持機構は、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品を受け渡す保持機構と、複数の停止回数のうち１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取る保持機構とを含むことを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１の発明を方法の観点から捉えたものであり、電子部品を保持する複数の保持機構が、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送し、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構が、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行い、電子部品を受け渡された処理機構が工程処理を施す電子部品の工程処理方法において、電子部品を供給する供給部が、前記保持機構の複数の停止回数のうちの１回の割合で、前記保持機構に電子部品を供給し、前記保持機構の停止時に、電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に来る複数の保持機構のうち、いずれかの保持機構が、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品を受け渡し、他のいずれかの保持機構が、複数の停止回数のうちの１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取ることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１及び３の発明をコンピュータプログラムの観点から捉えたものであり、電子部品を保持する複数の保持機構に、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送させる制御と、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構に、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行わせる制御と、電子部品を受け渡された処理機構に工程処理をさせる制御とを、コンピュータに実行させる電子部品の工程処理用プログラムにおいて、電子部品を供給する供給部に、前記保持機構の複数の停止回数のうちの１回の割合で、前記保持機構に電子部品を供給させる制御と、前記保持機構の停止時に、電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に来る複数の保持機構のうち、いずれかの保持機構に、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品の受け渡しをさせる制御と、他のいずれかの保持機構に、複数の停止回数のうちの１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取らせる制御とを、前記コンピュータに実行させることを特徴とする。

以上のような請求項１、２、３及び４の発明では、複数回に１回の割合で供給部から保持機構に電子部品を供給し（複数の保持機構に一つの割合で電子部品を保持し）、複数の保持機構のいずれかが、複数回に１回の割合で複数の処理機構のいずれかに対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行うため、保持機構が進行及び停止（間欠搬送）する時間で決まる１搬送サイクルよりも、各処理機構における電子部品の載置時間を長く確保でき、工程処理時間を長くすることが可能になる。また、処理機構の上流及び下流に電子部品の相互位置を変えるための移載機構等がなくても、複数の保持機構における電子部品の保持間隔を、一定に揃えることができる。

請求項５の発明は、電子部品に工程処理を施す処理部と、電子部品を保持して進行及び停止するサイクルを繰り返しながら搬送するとともに、前記処理部に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行なう保持機構とを有する電子部品の工程処理装置において、前記保持機構は、電子部品の搬送方向に複数設けられ、前記処理部は、電子部品の搬送方向に配設された複数の処理機構を備え、前記複数の処理機構は、それぞれに対向する位置に進行した保持機構から電子部品を一括して同時に受け渡された場合に、受け渡された電子部品を一括して同時処理するように設定されていることを特徴とする。

請求項６の発明は、請求項５の発明を方法の観点から捉えたものであり、電子部品を保持する複数の保持機構が、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送し、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構が、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行い、電子部品を受け渡された処理機構が工程処理を施す電子部品の工程処理方法において、電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に進行した保持機構が、全ての処理機構への電子部品の一括同時受け渡しを行い、全ての処理機構が、受け渡された電子部品に対して一括同時処理を行い、全ての処理機構のそれぞれに対向する保持機構が、処理を終了した電子部品の一括同時受け取りを行い、保持機構が、処理機構の数よりも１少ない回数だけ、前記サイクルを繰り返す空送りを行い、前記一括受け渡し、前記一括同時処理、前記一括同時受け取り、前記空送りを繰り返すことを特徴とする。

請求項７の発明は、請求項５及び６の発明を、コンピュータプログラムの観点から捉えたものであり、 電子部品を保持する複数の保持機構に、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送させる制御と、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構に、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行わせる制御と、電子部品を受け渡された処理機構に工程処理をさせる制御とを、コンピュータに実行させる電子部品の工程処理用プログラムにおいて、電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に進行した保持機構に、全ての処理機構への電子部品の一括同時受け渡しを行わせる制御と、全ての処理機構に、受け渡された電子部品の一括同時処理を行わせる制御と、全ての処理機構のそれぞれに対向する保持機構に、処理を終了した電子部品の一括同時受け取りを行わせる制御と、保持機構が、処理機構の数よりも１少ない回数だけ、前記サイクルを繰り返す空送りを行わせる制御と、前記一括受け渡し、前記一括同時処理、前記一括同時受け取り、前記空送りを行わせる制御を繰り返すことを特徴とする。

以上のような請求項５、６及び７の発明では、複数の電子部品の一括同時受け渡し、一括同時処理、一括同時受け取り、空送りを繰り返すことにより、電子部品１個当たりのインデックスタイムを大幅に改善することができる。

本発明によれば、搬送サイクルを短くして生産性を向上させることができるとともに、追加機構が少なく低コストで、工程処理時間を長く確保することができ、信頼性の高い電子部品の工程処理装置及び工程処理方法並びに工程処理用プログラムを提供することができる。

［第１の実施形態］
［構成］
本発明の第１の実施形態を、図１及び図２の工程図、図３のフローチャート、図４の工程表を参照して説明する。すなわち、本実施形態は、搬送部１、処理部２及び供給部（図示せず）を備えている。搬送部１は、搬送ラインに等間隔で複数配設された吸着ノズル１０を有している。吸着ノズル１０は、図示しない真空源に接続され、この切替に応じて半導体素子Ｓを一つずつ吸着及び開放する保持機構である。

この吸着ノズル１０は、図示しない駆動機構によって、１本づつの間隔で図中左から右の方向に前進した後、一時停止するというサイクルを繰り返しながら、吸着された半導体素子Ｓを搬送（間欠搬送）するように構成されている。また、吸着ノズル１０は、昇降機構によって、上下に昇降可能に設けられている。各組における吸着ノズル１０は、便宜的に右からＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ…として表す。また、駆動機構は、吸着ノズル１０を上記のように移動させることができるものであればよく、例えば、直線搬送させるもの、ターンテーブルにより曲線搬送させるもの等、公知のあらゆる技術を適用できる。昇降機構の構成も、特定のものには限定されない。

次に、処理部２は、搬送ラインにおける吸着ノズル１０の下部に配設された１対の処理機構２１及び２２によって構成されている。右側（下流側）の処理機構２１と左側（上流側）の処理機構２２は、それぞれ隣接する吸着ノズル１０に対応する位置に設けられている。さらに、供給部は、吸着ノズル１０に対して、１つ置きに（２回の停止回数のうちの１回の割合で）、半導体素子Ｓを供給する手段である。この供給部は、半導体素子Ｓを吸着ノズル１０に受け渡すための専用の装置であってもよいし、前工程における装置若しくは前工程との間における搬送装置が、半導体素子Ｓを吸着ノズル１０に受け渡す機能を備えているものであってもよい。さらに、供給部を、多数の電子部品が搭載可能なものとし、吸着ノズル１０がその上部を通過する際に、１つ置きに吸着する構成としてもよい。

なお、吸着ノズル１０を移動させる駆動機構、昇降機構、真空源、処理部２の処理機構２１，２２、供給部等は、以下に説明する手順で作動するように、所定のプログラムによって動作するコンピュータ若しくは専用の回路によって制御される。

［作用］
以上のような構成を有する本実施形態の動作を、図１〜４を参照して説明する。なお、図１及び図２における点線で囲まれた図は、それぞれの工程における処理機構２１，２２に対する半導体素子Ｓの受け渡し及び受け取り後の状態を示す。また、図１及び図２における（１）〜（１０）は、図２の（１）〜（１０）に対応する。

まず、図１（１）に示すように、吸着ノズル１０が進行及び停止する間欠搬送サイクルの２回に１回の割合で、搬送部が吸着ノズル１０に半導体素子Ｓを受け渡すことにより、半導体素子Ｓは、１つ置きに、すなわち、ノズルＣ、Ｅ、Ｇ…によって吸着されて搬送される。

このように吸着ノズル１０が進行することにより半導体素子Ｓが搬送される過程で（ステップ３０１）、例えば、図１（２）に示すように、ノズルＣに吸着された半導体素子Ｓが、処理機構２２上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する（ステップ３０２）。そして、下降したノズルＣが半導体素子Ｓの吸着を停止して解放すると、処理機構２２上に半導体素子Ｓが搭載される（ステップ３０３）。これにより処理機構２２による半導体素子Ｓの工程処理が開始する。なお、処理機構２１上には、未だ半導体素子Ｓは搭載されていないため、吸着の必要はない。

次に、吸着ノズル１０が進行し（ステップ３０４）、図１（３）に示すように、半導体素子Ｓを解放したノズルＣと半導体素子Ｓを保持していないノズルＤが、処理機構２１，２２上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する（ステップ３０５）。このとき、ノズルＣ及びノズルＤともに半導体素子Ｓの受け渡し及び受け取りを行わず、処理機構２２上の半導体素子Ｓはそのまま工程処理が継続される（ステップ３０６）。

さらに、吸着ノズル１０が進行し（ステップ３０７）、図１（４）に示すように、ノズルＤと半導体素子Ｓを保持しているノズルＥが、処理機構２１，２２上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する（ステップ３０８）。このとき、処理機構２２には半導体素子Ｓが搭載されたままなので、ノズルＥによる半導体素子Ｓの受け渡しは行われず、処理機構２２上の半導体素子Ｓはそのまま工程処理が継続される（ステップ３０９）。

また、吸着ノズル１０が進行し（ステップ３１０）、図１（５）に示すように、半導体素子Ｓを保持したノズルＥと保持していないノズルＦが、処理機構２１，２２上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する（ステップ３１１）。このとき、ノズルＥは昇降して半導体素子Ｓを解放することにより処理機構２１に受け渡し、ノズルＦは昇降して吸着することにより、工程処理が終了した半導体素子Ｓを処理機構２２から受け取る（ステップ３１２）。これにより、処理機構２１による半導体素子Ｓの工程処理が開始する。

次に、吸着ノズル１０が進行し（ステップ３１３）、図１（６）に示すように、半導体素子Ｓを受け取ったノズルＦと半導体素子Ｓを保持したノズルＧが、処理機構２１，２２上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する（ステップ３１４）。このとき、ノズルＧは昇降して半導体素子Ｓを解放することにより処理機構２２に受け渡す（ステップ３１５）。なお、ノズルＦに吸着された半導体素子Ｓは処理済であり、受け渡しは行われない。

そして、吸着ノズル１０が進行し（ステップ３１６）、図２（７）に示すように、半導体素子Ｓを解放したノズルＧと半導体素子Ｓを保持していないノズルＨとが、処理機構２１，２２上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する（ステップ３１７）。このとき、ノズルＧ及びノズルＨともに半導体素子Ｓの受け渡し及び受け取りは行わず、処理機構２２上の半導体素子Ｓはそのまま工程処理が継続される（ステップ３１８）。

さらに、吸着ノズル１０が進行し（ステップ３１９）、図２（８）に示すように、ノズルＨと半導体素子Ｓを保持しているノズルＩが、処理機構２１，２２上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する（ステップ３２０）。このとき、ノズルＨが昇降して吸着することにより、工程処理が終了した半導体素子Ｓを処理機構２１から受け取る（ステップ３２１）。なお、処理機構２２には半導体素子Ｓが搭載されたままなので、ノズルＩによる半導体素子Ｓの受け渡しは行われず、処理機構２２上の半導体素子Ｓはそのまま工程処理が継続される。その後は、ステップ３１０以降の処理が繰り返し行われる（図２（９）、図２（１０）参照）。そして、工程処理が済んだ半導体素子Ｓは、隣接する吸着ノズル１０のいずれか一方へ揃って保持された状態（例えば、ノズルＦ，Ｈ…といった１つ置きで保持された状態）で、次工程へと順次搬送されていく。

［効果］
以上のような本実施形態によれば、半導体素子Ｓを吸着している吸着ノズル１０と、吸着していない吸着ノズル１０が交互に存在する状態で間欠搬送を行い、図４の工程表に示すように、常時、処理機構２１，２２のいずれかにおいて工程処理が行われている状態を確保できるので、搬送サイクルを短くしつつ、効率のよい工程処理を行うことができる。しかも、図４から明らかなように、停止時間＋進行時間で定まる間欠搬送の１サイクル時間よりも、最大工程処理時間を長くすることができる。従って、例えば、瞬時に処理が終わる外観検査及び捺印工程に比べて、テストコンタクト（電気特性検査）等のようにその数倍の処理時間を要するような工程処理に適用する場合に、非常に有効となる。

また、本実施形態では、半導体素子Ｓを移し変えるための移載機構がなくても、半導体素子Ｓを吸着している吸着ノズル１０と吸着していない吸着ノズル１０とが交互に存在する状態で、処理機構２１，２２に半導体素子Ｓを供給し、処理の終了した半導体素子Ｓを吸着している吸着ノズル１０と吸着していない吸着ノズル１０とが交互に存在する状態で、次工程へと搬送させることができ、次工程での処理がし易くなる。

また、本実施形態では、従来の工程処理装置の保持機構（吸着ノズル１０等）の停止位置に、処理部２のみを追加し、制御プログラム若しくはソフトウェアを変更するのみで実現できる。このため、従来装置、特に搬送部１や保持機構の設計を大幅に変更する必要がない。そして、従来装置と装置構成上の互換性が高く、従来装置から本実施形態への改造等が容易である。また、必要に応じて従来装置の形態で装置を稼動させることも容易である。さらに、設計の変更点が少なくて済むため、部品、ユニットの互換性を保つことができ、実績のある部品、ユニットの使用による装置稼働の信頼性の向上、装置コストの低下が可能となる。

［第２の実施形態］
［構成］
本発明の第２の実施形態の構成を、図５を参照して説明する。すなわち、本実施形態は、処理部２が４つの処理機構２１，２２，２３，２４を備え、隣接する４つの保持機構４が、４つの処理機構２１，２２，２３，２４との間で、電子部品の一括同時受け渡し及び一括同時受け取りを行うものである。そして、供給部は、全ての吸着ノズル１０に対して、半導体素子Ｓを供給する手段である。なお、その他の構成は、上記の第１の実施形態と同様である。

［作用］
以上のような構成を有する本実施形態の動作を、図５及び図６を参照して説明する。なお、図５における（１）〜（１０）は、図６の（１）〜（１０）に対応する。まず、図５（１）に示すように、供給部が各吸着ノズル１０に半導体素子Ｓを受け渡すことにより、半導体素子ＳはノズルＡ、Ｂ、Ｃ…によって吸着されて搬送される。

このように吸着ノズル１０が進行することにより半導体素子Ｓが搬送される過程で、例えば、図５（２）及び図６（２）に示すように、ノズルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄに吸着された４つの半導体素子Ｓが、処理機構２１，２２，２３，２４上まで来ると、吸着ノズル１０は一時停止する。そして、下降したノズルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄが一括して同時に半導体素子Ｓの吸着を停止し、これを解放して上昇すると、処理機構２１，２２，２３，２４上にそれぞれ半導体素子Ｓが搭載される。

これにより処理機構２１，２２，２３，２４による４つの半導体素子Ｓの工程処理が同時に開始する。そして、工程処理が終了すると、図５（３）に示すように、再び下降したノズルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、一括して同時に半導体素子Ｓの吸着を開始して上昇することにより、処理機構２１，２２，２３，２４上から半導体素子Ｓを受け取る。

次に、図５（４）及び図６（４）に示すように、全ての吸着ノズル１０が半導体素子Ｓを吸着したまま進行して停止する空送りが、１回行なわれる。さらに、図５（５）（６）及び図６（５）（６）に示すように、空送りが２回行われる。このように、空送りが３回（処理機構の数−１）行われた後、吸着ノズル１０が進行して、図５（７）及び図６（７）に示すように、ノズルＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈに吸着された未処理の４つの半導体素子Ｓが、処理機構２１，２２，２３，２４上まで来る。そして、下降したノズルＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈが一括して同時に半導体素子Ｓの吸着を停止し、これを解放して上昇すると、処理機構２１，２２，２３，２４上にそれぞれ半導体素子Ｓが搭載される。

これにより処理機構２１，２２，２３，２４による４つの半導体素子Ｓの工程処理が同時に開始する。そして、工程処理が終了すると、図５（８）に示すように、再び下降したノズルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、一括して同時に半導体素子Ｓの吸着を開始して上昇することにより、処理機構２１，２２，２３，２４上から半導体素子Ｓを受け取る。さらに、上記と同様の空送りが行われる。以後、これが繰り返される。工程処理が済んだ半導体素子Ｓは次工程へと順次搬送されていく。

このような本実施形態における電子部品１個当たりの実行処理時間（インデックスタイム）の短縮の具体例を、図７及び図８を参照して説明する。この例は、４つの処理機構２１〜２４として、電子部品（ワーク）のテストコンタクトを行うテストコンタクトユニットを用い、テストタイム（処理時間）を２００ｍｓ、間欠搬送における吸着ノズル１０の進行時間を５０ｍｓ、停止時間を５０ｍｓとした例である。

まず、１個ずつテスト及び進行を繰り返す従来例の場合、図７に示すように、進行時間＋テストタイムで決まる１個当たりのインデックスタイムは、５０ｍｓ＋２００ｍｓ＝２５０ｍｓとなる。

一方、本実施形態の場合には、前回の空送り後、進行によりワークが全てテストコンタクトユニットに揃い、テストが終了するまでの時間は、進行時間５０ｍｓ＋テストタイム２００ｍｓ＝２５０ｍｓとなる。そして、テスト終了後、３回の空送りを行うと、（進行時間５０ｍｓ＋停止時間５０ｍｓ）×３＝３００ｍｓかかる。すると、４個当たりのインデックスタイムは、２５０ｍｓ＋３００ｍｓ＝５５０ｍｓとなる。従って、１個当たりのインデックスタイムは、５５０／４＝１３７．５ｍｓに改善されることになる。

以上のことから、テストコンタクトユニットの数をＮ、空送り時間（進行時間ＦＦ＋停止時間）をＭ、テストタイムをＴＴ、インデックスタイムをＩとすると、
（数１）
Ｉ＝｛（ＴＴ＋ＦＦ）＋Ｍ（Ｎ−１）｝／Ｎ
が成立する。このような、インデックスタイムの短縮効果は、１個の処理に要するテストタイムが大きなワークである程、さらに、テストコンタクトユニットを６個、８個と増やすに従って大きくなる。

［効果］
以上のような本実施形態によれば、半導体素子Ｓの１個当たりのインデックスタイムが大幅に改善されることになるので、生産性向上に寄与する。また、半導体素子Ｓは、全ての吸着ノズル１０に吸着されて搬送されるので、遊んでしまう吸着ノズル１０がなくなり、搬送効率が高くなる。さらに、移載機構を不要とし、従来装置へ処理部２を追加するだけで実現できるので、第１の実施形態と同様の作用効果も得られる。

［他の実施形態］
本発明は、上記のような実施形態に限定されるものではなく、各部材の具体的構造、配置、大きさ、形状、数、材質、種類等は適宜変更可能である。すなわち、第１の実施形態では、間欠搬送１サイクルのピッチ毎に配置される処理機構は２個であったが、３個以上であってもよい。例えば、処理機構を３個、４個と増やし、供給機構による保持機構への供給頻度を、３回に１回（隣接する保持機構３つのうち、１つが電子部品を保持）、３回に２回（隣接する保持機構３つのうち、２つが電子部品を保持）、４回に１回（隣接する保持機構４つのうち、１つが電子部品を保持）、４回に２回（隣接する保持機構４つのうち、２つが電子部品を保持）、４回に３回（隣接する保持機構４つのうち、３つが電子部品を保持）と任意の組み合わせを設定することにより、工程処理に長時間を要する場合に対応することができる。

また、第２の実施形態においては処理機構は４個であったが、２個、３個、５個以上であってもよい。このように処理機構の数に応じて、一括同時処理される電子部品の数は決定されるが、上述のように、１個の処理時間が大きい電子部品である程、さらに、処理機構の数が多い程、インデックスタイムの短縮効果は大きくなる。

以上の通り、本発明における処理機構の数、電子部品を保持する保持機構の割合、処理機構に対して電子部品を同時に受け渡す保持機構の数、処理機構から電子部品を同時に受け取る保持機構の数、保持機構による電子部品の受け渡しの頻度、保持機構による電子部品の受け取りの頻度は、自由に設定可能である。例えば、図９（１）〜（１２）は、３つの処理機構２１，２２，２３を備え、隣接する保持機構３つのうち１つが電子部品を保持した状態で搬送し、各処理機構２１，２２，２３に対して、９回の停止回数のうち１回の割合で電子部品の受け渡し及び受け取りを行う場合の一例である。図１０（１）〜（１０）は、４つの処理機構２１，２２，２３，２４を備え、隣接する保持機構４つのうち２つが電子部品を保持した状態で搬送し、各処理機構２１，２２，２３，２４に対して、４回の停止回数のうち１回の割合で電子部品の受け渡し及び受け取りを行う場合の一例である。もちろん、これらは一例に過ぎず、本発明がこれらの例に限定されるものではない。

また、保持機構は吸着ノズルには限定されず、例えば、機械的保持、静電吸着、ベルヌーイチャックなど、既知のいかなる方法を用いてもよい。駆動機構による保持部の移動制御方式、移動経路（直線か曲線かを問わない）についても、特定のものには限定されない。移動タイミングの制御は、上記の実施形態のように行うこともできるし、機械的に実現することもできる。

また、処理部が行う処理は、電気的な特性を測定するものには限定されず、例えば、特性分類、マーキング、外観検査等、半導体素子に対する所定の処理を行うものが広く含まれる。さらに、本発明の処理対象は、半導体素子に限らず、公知のあらゆる素子、部材、電子・電気部品、機械部品等に適用可能である。

本発明は、電子部品の生産性の向上に寄与するとともに、低コストで工程処理装置を製造できるので、電子部品の低コスト化が可能となる。

本発明の第１の実施形態を示す工程図である。 本発明の第１の実施形態を示す工程図である。 図１の実施形態における処理手順を示すフローチャートである。 図１の実施形態における処理ダイアグラムである。 本発明の第２の実施形態を示す工程図である。 図５の実施形態におけるタイミングチャートである。 従来例の処理ダイアグラムである。 図５の実施形態における処理ダイアグラムである。 本発明の他の一つの実施形態を示す工程図である。 本発明の他の一つの実施形態を示す工程図である。

符号の説明

１…搬送部
２…処理部
１０…吸着ノズル
２１，２２，２３，２４…処理機構

Claims (7)

1. 電子部品に工程処理を施す処理機構と、電子部品を保持して進行及び停止するサイクルを繰り返しながら搬送するとともに、前記処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行う保持機構とを有する電子部品の工程処理装置において、
   前記保持機構及び前記処理機構は、電子部品の搬送方向に複数設けられ、
   前記保持機構の複数の停止回数のうちの１回の割合で、前記保持機構に電子部品を供給する供給部を備え、
   前記保持機構が停止する毎に、複数の処理機構のそれぞれに対応する位置に来る複数の保持機構は、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品を受け渡す保持機構と、複数の停止回数のうちの１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取る保持機構とを含むことを特徴とする電子部品の工程処理装置。
2. 電子部品に工程処理を施す処理機構と、電子部品を保持して進行及び停止するサイクルを繰り返しながら搬送するとともに、前記処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行う保持機構とを有する電子部品の工程処理装置において、
   前記保持機構及び前記処理機構は、電子部品の搬送方向に複数設けられ、
   複数の保持機構につき１つの割合で電子部品を保持するとともに、停止時に複数の処理機構のそれぞれに対向する位置に来る複数の保持機構は、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品を受け渡す保持機構と、複数の停止回数のうち１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取る保持機構とを含むことを特徴とする電子部品の工程処理装置。
3. 電子部品を保持する複数の保持機構が、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送し、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構が、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行い、電子部品を受け渡された処理機構が工程処理を施す電子部品の工程処理方法において、
   電子部品を供給する供給部が、前記保持機構の複数の停止回数のうちの１回の割合で、前記保持機構に電子部品を供給し、
   前記保持機構の停止時に、電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に来る複数の保持機構のうち、いずれかの保持機構が、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品を受け渡し、他のいずれかの保持機構が、複数の停止回数のうちの１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取ることを特徴とする電子部品の工程処理方法。
4. 電子部品を保持する複数の保持機構に、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送させる制御と、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構に、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行わせる制御と、電子部品を受け渡された処理機構に工程処理をさせる制御とを、コンピュータに実行させる電子部品の工程処理用プログラムにおいて、
   電子部品を供給する供給部に、前記保持機構の複数の停止回数のうちの１回の割合で、前記保持機構に電子部品を供給させる制御と、
   前記保持機構の停止時に、電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に来る複数の保持機構のうち、いずれかの保持機構に、複数の停止回数のうちの１回の割合で、電子部品を搭載していない処理機構に電子部品の受け渡しをさせる制御と、
   他のいずれかの保持機構に、複数の停止回数のうちの１回の割合で、処理を終了した電子部品を処理機構から受け取らせる制御とを、前記コンピュータに実行させることを特徴とする電子部品の工程処理用プログラム。
5. 電子部品に工程処理を施す処理部と、電子部品を保持して進行及び停止するサイクルを繰り返しながら搬送するとともに、前記処理部に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行なう保持機構とを有する電子部品の工程処理装置において、
   前記保持機構は、電子部品の搬送方向に複数設けられ、
   前記処理部は、電子部品の搬送方向に配設された複数の処理機構を備え、
   前記複数の処理機構は、それぞれに対向する位置に進行した保持機構から電子部品を一括して同時に受け渡された場合に、受け渡された電子部品を一括して同時処理するように設定されていることを特徴とする電子部品の工程処理装置。
6. 電子部品を保持する複数の保持機構が、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送し、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構が、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行い、電子部品を受け渡された処理機構が工程処理を施す電子部品の工程処理方法において、
   電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に進行した保持機構が、全ての処理機構への電子部品の一括同時受け渡しを行い、
   全ての処理機構が、受け渡された電子部品に対して一括同時処理を行い、
   全ての処理機構のそれぞれに対向する保持機構が、処理を終了した電子部品の一括同時受け取りを行い、
   保持機構が、処理機構の数よりも１少ない回数だけ、前記サイクルを繰り返す空送りを行い、
   前記一括受け渡し、前記一括同時処理、前記一括同時受け取り、前記空送りを繰り返すことを特徴とする電子部品の工程処理方法。
7. 電子部品を保持する複数の保持機構に、進行及び停止するサイクルを繰り返しながら電子部品を搬送させる制御と、電子部品に工程処理を施す処理機構に対応する位置に停止した保持機構に、処理機構に対する電子部品の受け渡し及び受け取りを行わせる制御と、電子部品を受け渡された処理機構に工程処理をさせる制御とを、コンピュータに実行させる電子部品の工程処理用プログラムにおいて、
   電子部品の搬送方向に複数設けられた処理機構のそれぞれに対向する位置に進行した保持機構に、全ての処理機構への電子部品の一括同時受け渡しを行わせる制御と、
   全ての処理機構に、受け渡された電子部品の一括同時処理を行わせる制御と、
   全ての処理機構のそれぞれに対向する保持機構に、処理を終了した電子部品の一括同時受け取りを行わせる制御と、
   保持機構が、処理機構の数よりも１少ない回数だけ、前記サイクルを繰り返す空送りを行わせる制御と、
   前記一括受け渡し、前記一括同時処理、前記一括同時受け取り、前記空送りを行わせる制御を繰り返すことを特徴とする電子部品の工程処理用プログラム。

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