JP2006066934A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】能動素子2と、能動素子2に接続される高強誘電体膜9を有する蓄積容量部と、前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【選択図】図11
Description
本発明によるコンデンサは、公知の方法で形成されたトランジスタを構成する素子層または半導体領域(101)上に、公知の方法で形成された下部電極(102)と高強誘電体薄膜(103)が形成されている。この上に、本発明の4層よりなる上部積層電極を形成した。すなわち、ショットキー障壁層(104)、水素拡散バリア層(105)、反応バリア層(106)、および吸着阻止層(107)からなっている。
図3は本発明によるコンデンサの好適な1実施例である。公知な方法で形成されたトランジスタを含む能動素子層(101)の上に、下部電極として直流スパッタ法で白金(102)を100nm形成した。次に、PZTを高周波スパッタ法で50nm堆積後、酸素中で650℃の熱処理を行ない、高誘電体層(103)を形成した。次にショットキー障壁層として白金(301)を50nm形成し、引き続き、拡散バリア層としてタングステン(302)を100nm、反応防止層として窒化チタン(303)を50nm、吸着阻止層として銀(304)を100nm形成し、積層上部電極とした。
図9は、高強誘電体としてBSTを用いたDRAMの例である。Si基板(1001)上に公知な工程によってトランジスタを含む素子層を形成する。即ち、素子領域分離膜(1002)、導電性不純物拡散層(1003)、ポリシリコントランジスタゲート電極(1004)、ポリシリコン配線(1005)、層間絶縁膜(1006)を形成する。次にコンデンサとトランジスタの電気的接続を形成する導電性プラグ(1007)を形成する。この材料は、望ましくはCVD法で形成した窒化チタン/チタンシリサイド積層、または、窒化チタン/ポリシリコン積層である。次に、白金を直流スパッタ法で100nm形成した後に、公知なフォトリソグラフィー法により形成したマスクパターンを用いて白金をアルゴンスパッタ法で加工し、白金下部電極(1008)を形成する。次に、BST膜(1009)を形成する。これは、バリウム、ストロンチウム、チタンのアルコレートまたは錯体を用いて酸素中で熱分解するCVD法が望ましい。さらに望ましくは、バリウムジピバロイルメタネート(Ba(DPM)2)、ストロンチウムジピバロイルメタネート(Sr(DPM)2)、チタンイソプロポキサイド(Ti(i−OC3H7)4)を用いたCVD法が有効である。これら原料を保温容器に収納し、Ba(DPM)2、Sr(DPM)2については、150℃〜250℃、Ti(i−OC3H7)4については30℃〜60℃に加熱して適当な蒸気圧を持たせ、アルゴンバブリングで反応炉に原料を輸送する。同時に反応炉に供給する酸素とともに、400℃〜700℃に加熱した基板上で原料を熱分解、酸化させた。このBST膜の膜厚は、20nmとした。次に、ショットキーバリア層(1010)として、白金をスパッタ法により100nm形成した。この場合、下部電極間の溝のアスペクト比によっては、白金粒子に方向性を持たせるスパッタ法とエッチバック法、または、CVD法によるルテニウムの形成が必要であった。さらに水素拡散防止層および反応バリア層の一部としてイリジウム/酸化イリジウム積層膜(1011)を形成した。ここでは、酸素混合による反応性スパッタ法酸化イリジウムと通常のアルゴンスパッタによる金属イリジウムの積層膜を形成した。つぎに、窒素混合による反応性スパッタ法により、反応バリア層として窒化チタン(1012)を50nm形成した。最後に、水素吸着防止層として、銀(1013)を20nmスパッタ法で形成し、本発明によるコンデンサ用積層上部電極を構成した。なお、図9中に示したように、本発明による上部電極の構造は、各情報ビット毎に分割する必要はなく、複数ビットに渡ってコンデンサを覆う構造にすることが可能であり、また、本図に示したような被覆構造がより効果的であった。この構造により、複雑な積層構造を持つ上部電極であっても、微細加工が例えばトランジスタの制御ゲートのごときその世代の製品を構成する最小加工寸法によることなく、緩い加工精度での適用を実現できる。
Claims (8)
- 能動素子と、
第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた高強誘電体膜とからなるコンデンサと、
前記能動素子と前記コンデンサとの間に形成された、水素拡散バリア層とを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 能動素子と、
前記能動素子上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された開口部と、
前記開口部に形成され、前記能動素子と電気的に接続する、水素拡散バリア層を有するプラグと、
前記水素拡散バリア層上に形成された、高強誘電体膜を有する蓄積容量部とを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 能動素子と、
前記能動素子上に形成された、水素拡散バリア層を一部に構成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された高強誘電体膜を有する蓄積容量部とを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記水素拡散バリア層は、酸化物絶縁体であることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記酸化物絶縁体は、アルミニウム又はセリウムの酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 能動素子と、
前記能動素子に接続される高誘電体膜を有する蓄積容量部と、
前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記絶縁膜は、前記能動素子と前記蓄積容量部との間に形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置。
- 前記絶縁膜は、アルミニウム又はセリウムの酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体記憶装置。
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