JP2006064421A - 半導体検査方法および半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。
【選択図】図11
Description
パターンの位置情報と信号強度を抽出し、パターンの立体モデルを生成し、抽出した位置情報と信号強度から被検査パターンの三次元的な特徴量を算出し、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、この立体モデルおよびこの立体モデルの任意の断面およびウエハ面内分布を表示する手段と、算出したパターンの特徴量が設定された許容値から外れた観察対象の位置および線幅等の情報を表示する手段を設けた。
次に、観察したパターンの立体モデルの種類を選択する。立体モデルの種類として、例えば、図9(a)に示すような直方体、図9(b)に示すようなノッチ形状、図9(c)に示すような逆テーパー形状、図9(d)に示すような埋設電極構造等を選択できる。本実施例では、立体モデルの種類として、図9(b)に示すようなノッチ形状を選択する(41)。測長する範囲(X0,Y0)、測長する間隔dyを入力する(42)と、例えば、図8(b)に示したように、Y=Y1での信号強度のプロファイルが図8(c)のように演算装置19に抽出される(43)。
I2 = I T2 / T + C・・・(数2)
ここで、定数I, A, B, Cはモンテカルロシミュレーションまたは実験的に予め求めておくことができる。
T2'=T2 tanθ・・・(数4)
このようにして、Y=Y1におけるL1, L2, T1, T2が求められたら、さらに、Y=Y1+dyおけるプロファイルを抽出する(43)。
また、本手法は半導体のゲートパターンに限らず、配線形状、磁気ヘッド、MEMSの検査や立体形状評価に応用することが可能である。
I1=(I0 - C) / H0×H1 + C・・・・(数5)
と求められる。
また、本手法はゲートパターンに限らず、ホールパターン、配線パターン、Cuダマシン構造のような溝構造、磁気ヘッド、MEMS等の検査や立体形状評価に適用することができる。
θ=90°のときのピーク幅wをw0とする。ラインパターンの高さHについては、膜厚を外部サーバ21から、あるいは記憶媒体を通じて取得することもできる。w0については、シミュレーションあるいは実測によって予め求めておくことができる。従って、走査像からwを測定することにより、演算部19でテーパー角θを算出することができる。
ここで、ラインパターンの高さHについては、膜厚Hを外部サーバ20あるいは記憶媒体を通じて取得することもできる。高さHにおける一定値αについては、シミュレーションあるいは実測によって予め求めておくことができる。LlowおよびLhighについては、上記のようにラインパターンエッジ部の信号強度のプロファイルから測長することができる。従って、走査像からLlow、Lhighを測長することにより、演算部19でテーパー角θを算出することができるようになった。
このように、本手法によって低加速SEMだけでは測定不可能である逆テーパー形状も含めて、テーパー角を精密に測定することが可能となった。
Claims (10)
- 収束された電子ビームをウエハ上で走査して得られる走査像の測長開始点および終点間の寸法測定を行なう測長機能を備えた半導体検査装置において、
試料の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分にまで到達し得るエネルギーを持つ電子ビームを照射する手段と、
当該電子ビームの照射により発生する二次信号に基づいて走査像を発生する手段と、
得られた信号から被検査パターンの位置情報と信号強度を検出する手段と、
被検査パターンの立体モデルを生成する手段と、
検出した位置情報と信号強度から被検査パターンの形状の特徴量を算出する手段と、
算出したパターンの特徴量から立体構造を構築する手段と、
構築した立体構造の三次元構造を表示する手段を備えることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項1に記載の半導体の検査装置において、
照射する電子ビームのエネルギーを10keV以上200keV以下に制御する手段を備えることを特徴とした半導体検査装置。 - 請求項1に記載の半導体検査装置において、
前記算出する特徴量が被検査パターンのテーパー角であることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項1に記載の半導体検査装置において、
算出する特徴量が被検査パターンに埋設されたパターンの幅であることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項1に記載の半導体検査装置において、
算出する特徴量が被検査パターンに埋設されたパターンと被検査パターン表面のエッジ部との距離であることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項1に記載の半導体検査方法において、
算出する特徴量として、被検査パターンの凹部におけるパターンの幅であることを特徴とした半導体検査装置。 - 請求項1に記載の半導体検査装置において、
算出した特徴量が設定値を超えた場合にアラーム表示を行う手段を有することを特徴とする半導体検査装置。 - 収束された電子ビームをウエハ上で走査して得られる走査像の測長開始点および終点間の寸法測定を行なう半導体検査方法において、
試料の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分にまで到達し得るエネルギーを持つ電子ビームを照射する工程と、
当該電子ビームの照射により発生する二次信号に基づいて走査像を発生する工程と、
得られた信号から被検査パターンの位置情報と信号強度を検出する工程と、
被検査パターンの立体モデルを生成する工程と、
検出した位置情報と信号強度から被検査パターンの形状の特徴量を算出する工程と、
算出したパターンの特徴量から立体構造を構築する工程と、
構築した立体構造の三次元構造を表示する工程とを含むことを特徴とする半導体検査方法。 - 収束された電子ビームをウエハ上で走査して得られる走査像の測長開始点および終点間の寸法測定を行なう測長機能を備えた半導体検査装置において、
試料の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分にまで到達し得る第1のエネルギーを持つ電子ビームを照射する手段と、
前記第1のエネルギーの電子ビームの照射位置と同じ位置に、試料最表面のみに到達し得る第2のエネルギーを持つ電子ビームを照射する手段と、
前記第1のエネルギーの電子ビーム照射により発生した第1の二次信号と、前記第2のエネルギーの電子ビームの照射により発生した第2の二次信号とから、被検査パターンのエッジの位置情報と信号強度を検出する手段と、
被検査パターンの立体モデルを生成する手段と、
検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する手段と、
算出したパターンの特徴量から立体構造を構築する手段と、
構築した立体構造の三次元構造を表示することを特徴とする半導体検査装置。 - 収束された電子ビームをウエハ上で走査して得られる走査像の測長開始点および終点間の寸法測定を行なう測長機能を備えた半導体検査装置において、
試料の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分にまで到達し得るエネルギーを持つ電子ビームを照射する手段と、
前記一次ビームの入射角をチルトするための偏向手段と、
前記二次信号に基づいて走査像を発生する手段と、
得られた信号から被検査パターンの位置情報と信号強度を検出する手段と、
被検査パターンの立体モデルを生成する手段と、
検出した位置情報と信号強度と一次ビームのチルト角度から被検査パターンの形状の特徴量を算出する手段と、
算出したパターンの特徴量から立体構造を構築する手段と、
構築した立体構造の三次元構造を表示することを特徴とする半導体検査装置。
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