JP2006054452A - リソグラフィ機器及びそれを較正する方法 - Google Patents

リソグラフィ機器及びそれを較正する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006054452A
JP2006054452A JP2005215936A JP2005215936A JP2006054452A JP 2006054452 A JP2006054452 A JP 2006054452A JP 2005215936 A JP2005215936 A JP 2005215936A JP 2005215936 A JP2005215936 A JP 2005215936A JP 2006054452 A JP2006054452 A JP 2006054452A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dimensional
encoder
substrate table
lithographic apparatus
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005215936A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4326508B2 (ja
Inventor
Erik Roelof Loopstra
ロエロフ ロープシュトラ エリック
Leon M Levasier
マーティン ルヴァシール レオン
Rene Oesterholt
オエシュテルホルト レネ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2006054452A publication Critical patent/JP2006054452A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4326508B2 publication Critical patent/JP4326508B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70458Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019Calibration

Abstract

【課題】基板テーブル及びこの基板テーブルの移動を制御する移動制御システムを含むリソグラフィ機器を提供すること。
【解決手段】移動制御システムは、基板テーブルWTの位置を検出するように構築された少なくとも3つの位置検出器P1〜P5を含む。基板テーブルWTの位置及び向きを測定するために、各位置検出器P1〜P5は、1次元又は多次元のタイプの光学式エンコーダを備える。これらの光学式エンコーダは、合わせて少なくとも6つの位置の値を提供するように配置され、3次元の各次元ごとに少なくとも1つの位置の値が提供される。
【選択図】図3a

Description

本発明は、リソグラフィ機器及びそれを較正する方法に関する。
リソグラフィ機器は、基板の目標部分に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ機器は、例えばIC(集積回路)の製造に使用することができる。この状況では、「マスク」又は「レチクル」とも称するリソグラフィ・パターン化装置を使用して、ICの個々の層に対応する回路パターンを生成し得る。このパターンは、放射感受性材料(即ち、レジスト)の層を有する基板(例えばシリコン・ウエハ)上の(例えば、ダイの一部或いは1つ又は複数のダイを含む)目標部分に結像させることができる。
一般に、1枚の基板は、次々に露光される隣接した網目状の目標部分を含む。周知のリソグラフィ機器の例には、目標部分にパターン全体を1回露光することによって各目標部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向(「走査」方向)に投影ビームを通過してパターンを走査し、この方向と平行又は逆平行に基板を同期走査することによって各目標部分が照射されるいわゆるスキャナが含まれる。
本明細書で用いる「パターン化装置」という用語は、基板の目標部分にパターンを生成するために、投影ビームの横断面にパターンを付与するのに使用し得る装置を指すと広く解釈すべきである。投影ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに厳密に対応しないことがあることに留意されたい。一般に、投影ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成中のIC(集積回路)などのデバイス内の特定の機能層に対応する。
パターン化装置は、透過型又は反射型とすることができる。パターン化手段の実施例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、及びプログラム可能なLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知のものであり、その例には、バイナリ型、交互配置位相シフト型、及びハーフトーン位相シフト型などのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型マスク・タイプが含まれる。プログラム可能なミラー・アレイの実施例では、入射する放射ビームが異なる方向に反射されるように、それぞれ個々に傾けることができるマトリックス配置の小ミラーを利用する。このようにして、反射ビームがパターン化される。
リソグラフィ機器は一般に、移動制御システムを使用する。この移動制御システムは、少なくともある面内で、即ち、少なくとも2次元で基板テーブルの位置を検出する位置検出器と、この位置検出器から提供される出力信号に応じてアクチュエータを駆動するように構築されたコントローラとを備える。このように、位置検出器によって基板テーブルの位置が検出され、コントローラの適切な動作によってこの検出位置と所望の位置の差が小さくなるので、この移動制御システムにより、基板テーブルが(ある許容差の範囲内で)正しい位置にくることが保障される。このように、位置検出器及びコントローラは、フィード・フォワード及び/又はフィード・バック用の制御システムの一部を形成する。
現在のリソグラフィ機器では、(ウエハ・テーブル又はウエハ・ステージと呼ぶこともある)基板テーブルの所望の精度は、ナノメートル・オーダである。したがって、現況技術によれば、位置検出器はこのような高精度を実現することが求められる。さらに、位置検出器に関する要件は、位置検出器が動作することが求められる範囲が約0.5mの移動範囲に及ぶという点でも高いものである。というのは、現況技術によるリソグラフィ機器内の基板テーブルは、2次元で、即ち、約0.5m×0.5mにわたる面内で移動し得るからである。これらの要件を実現するために、現況技術によれば、位置検出器は、1つ又は複数の干渉計、好ましくは、第1の次元用の干渉計と、第1の次元に直交する第2の次元用の干渉計とを備える。しかし、干渉計の欠点は、それが高価な位置検出器であるということである。
全体的な現況技術において周知の別のタイプの位置検出器は、光学式エンコーダである。エンコーダは、光源、グレーティング、及び検出器からなる。光源及び検出器に対してグレーティングを移動させることによって、例えば反射又は透過が変化するために、検出器が受け取る光パターンに変化が生じる。このようにグレーティングは、光源から検出器への光路内にあり、グレーティングの移動によって、検出器が受け取るパターンが変化する。この変化から、光源及び検出器に対するグレーティングの変位を計算することができる。この変位と、開始位置を求めることから、位置を計算し得る。当業者には理解されるように、上記は、インクリメンタル・エンコーダについての説明であり、当業者には、アブソリュート・エンコーダも存在することが知られている。
ある特定のタイプの光学式エンコーダが、同時係属の米国特許公開出願第2002/0041380号に記載されている。これを参照により本明細書に組み込む。この光学式エンコーダは、光ビームを生成するように構築された光ビーム生成器と、第1グレーティングと、第1グレーティングに対して移動可能な第2グレーティングと、この光ビームが第1及び第2のグレーティングで回折する回折ビームを検出するように配置された検出器とを備える回折型エンコーダである。これらのグレーティングの一方は、基板テーブルに機械的に連結され、これらのグレーティングの他方は、リソグラフィ機器の基準ベースに機械的に連結される。基板テーブルが移動すると、第1グレーティングが第2グレーティングに対して移動し、動作中に、回折ビームが変化する。
周知のリソグラフィ機器は、基板テーブルの移動を制御する移動制御システムを備える。基板テーブルは、この移動制御システムの制御下で、少なくとも2方向に移動可能である。基板テーブルの移動は、投影システムに対する基板テーブルの移動として理解されたい。即ち、基板テーブルが移動すると、パターン化された放射ビームが基板に対して移動する。
本明細書で実施し、且つおおまかに説明する本発明の原理により、照明システムを有するリソグラフィ機器内の放射センサを較正する較正機器が提供される。一実施例では、この機器は、基板を保持するように構成された基板ホルダと、放射ビームを調整するように構成された照明器と、この放射ビームに所望のパターンを付与するパターン化装置を支持するように構成された支持構造と、このパターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、基板テーブルの移動を制御するように構成された移動制御システムとを備える。この移動制御システムは、基板テーブルの位置を検出する複数の位置検出器を備える。これら複数の位置検出器の少なくとも3つは、少なくとも6つの位置の値を提供する1次元又は多次元の光学式エンコーダを含む。これらの光学式エンコーダは、3次元座標系内の異なる場所で基板テーブルに結合され、この3次元座標系の各次元ごとに少なくとも1つの位置の値が提供される。移動制御システムは、6つの位置の値の少なくとも3つからなるサブセットから、3次元座標系内での基板テーブルの位置を計算し、6つの位置の値の少なくとも3つからなる別のサブセットから、3次元座標系に関する基板テーブルの向きを計算するように構成される。
本発明の別の態様によれば、請求項のいずれかに記載のリソグラフィ機器内の位置検出器を較正する方法が提供される。この方法は、基準マークの第1マトリックスを含む第1パターンを基板上に生成するステップと、基準マークの第2マトリックスを含む第2パターンを基板上に生成するステップと、この基準マークの第2マトリックスと基準マークの第1マトリックスを比較するステップと、第1マトリックスの基準マークと、対応する第2マトリックスの基準マークのそれぞれの位置偏差を求めるステップと、この位置偏差を較正マトリックス内に記憶するステップとを含む。
本明細書で用いる「投影システム」という用語は、例えば、用いられる露光放射、或いは浸漬液の使用又は真空の使用などの他のファクタに対して適宜、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学系、又はこれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含すると広く解釈すべきである。本明細書で用いる「投影レンズ」という用語は、「投影システム」というより一般的な用語と同義とみなし得る。
次に、添付の概略図面を参照して、単なる例として本発明の実施例を説明する。図面では、対応する参照記号はそれに対応する部分を示す。
図1に、本発明の実施例によるリソグラフィ機器1を概略的に示す。機器1は、
放射(例えば、UV又はEUVの放射)投影ビームPBを提供する照明システム(照明器)ILと、
パターン化装置(例えば、マスク)MAを支持する第1支持構造(例えば、マスク・テーブル/ホルダ)MTであって、要素PLに対してパターン化装置を正確に位置決めする第1位置決め機構PMに結合された第1支持構造MTと、
基板(例えば、レジストを塗布したウエハ)Wを保持する基板テーブル(例えば、ウエハ・テーブル/ホルダ)WTであって、要素PLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め機構PWに結合された基板テーブルWTと、
基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに、パターン化装置MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを結像する投影システム(例えば、反射型投影レンズ)PLとを備える。
ここで示すように、この機器は、(例えば、透過性マスクを使用する)透過タイプのものである。或いは、この機器は、(例えば、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイを使用するか、又は反射性マスクを使用する)反射タイプのものとし得る。
照明システムは、放射を方向づけ、整形し、また制御する屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型その他のタイプの光学コンポーネント、又はこれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含み得る。
支持構造は、パターン化装置を支持し、即ち、パターン化装置の重量を支える。この支持構造は、パターン化装置の向き、リソグラフィ機器の設計、及び、例えばパターン化装置が真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件によって決まるやり方で、パターン化装置を保持する。この支持構造は、機械的、真空、静電気又はその他のクランプ技術を利用して、パターン化装置を保持し得る。この支持構造は、例えばフレーム又はテーブルとすることができ、これらは必要に応じて固定又は移動可能とし得る。この支持構造は、例えば投影システムに対してパターン化装置が所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で用いる「レチクル」又は「マスク」という用語は、「パターン化装置」というより一般的な用語と同義とみなし得る。
リソグラフィ機器は、2つ(2段階)以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスク・テーブル)を有するタイプのものとし得る。このような「多段階」型の機械では、追加のテーブルを並列で使用し得る。即ち、準備ステップを1つ又は複数のテーブル上で実施しながら、1つ又は複数の他のテーブルを使用して露光を行うことができる。
リソグラフィ機器は、比較的高屈折率の液体、例えば水で基板の少なくとも一部を覆って、投影システムと基板の間のスペースを満たし得るタイプのものとすることもできる。浸漬液は、リソグラフィ機器内の他のスペース、例えばマスクと投影システムの間に適用することもできる。投影システムの開口数を大きくする液浸技術は、当技術分野では周知のものである。本明細書で用いる「浸漬」という用語は、液体中に基板などの構造を浸さなければならないという意味ではなく、露光中に、投影システムと基板の間に液体を配置するだけという意味である。
図1を参照すると、照明器ILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源及びリソグラフィ機器は、例えば放射源がエキシマ・レーザのときは別々の要素とし得る。このような場合には、放射源がリソグラフィ機器の一部を形成するとはみなさず、放射ビームは、放射源SOから、例えば適当な方向づけミラー及び/又はビーム・エキスパンダを含むビーム送達システムBDを使用して照明器ILに至る。他の場合には、例えば放射源が水銀ランプのとき、放射源はリソグラフィ機器と一体の部分とし得る。放射源SO及び照明器ILは、必要な場合には、ビーム送達システムBDとともに放射システムと称することがある。
照明器ILは、放射ビームの角度強度分布を調節する調節装置ADを含み得る。一般に、照明器の瞳面内の強度分布の少なくとも(一般に、それぞれ外側σ及び内側σと称する)外側及び/又は内側の半径方向範囲を調節することができる。照明器ILはさらに、統合器IN及びコンデンサCOなど他の様々なコンポーネントを備えることがある。この照明器を使用して放射ビームを調整し、それによってビーム断面において所望の均一性及び強度分布を得ることができる。
放射ビームBは、支持構造(例えば、マスク・テーブルMT)上で保持されたパターン化装置(例えば、マスクMA)に入射し、パターン化装置によってパターン化される。マスクMAを横切った後で、放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSによって基板Wの目標部分Cに結像する。第2位置決め装置PW及び位置検出器IF(現況技術によれば、例えば、干渉計測装置、リニア・エンコーダ、又は容量センサであり、本発明によれば、以下で説明するタイプの光学式エンコーダ)を使用して、基板テーブルWTを正確に移動させて、例えば、放射ビームBの経路内に異なる目標部分Cを位置決めすることができる。
同様に、第1位置決め装置PM及び(図1には明示的に示さない)別の位置検出器を使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクMAを機械的に取り出した後で、或いは走査中に、放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。位置決め装置、位置検出器、及びコントローラは、移動制御システムに含まれる。このコントローラは、所望の位置を表す信号及び実際の位置を表す位置検出器の出力信号に基づいて位置決め装置を駆動するように構築又はプログラムされる。この移動制御システムは、例えば、フィード・フォワード又はフィード・バックの制御ループを形成し得る。一般に、マスク・テーブルMTの移動は、第1位置決め装置PMの一部を形成する(粗い位置決め用の)長ストローク・モジュール及び(精密位置決め用の)短ストローク・モジュールを使用して実現し得る。
同様に、基板テーブルWTの移動は、第2位置決め装置PWの一部を形成する長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現し得る。(スキャナと異なり)ステッパの場合には、マスク・テーブルMTを短ストローク・アクチュエータだけに連結するか、或いは固定とすることができる。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合わせマークM1、M2及び基板位置合わせマークP1、P2を使用して位置合わせし得る。図に示す基板位置合わせマークは、専用の目標部分を占めているが、これらは、目標部分間のスペースに配置し得る(これらは、スクライブ・レーン位置合わせマークとして知られている)。同様に、マスクMAに2つ以上のダイが設けられる状況では、マスク位置合わせマークは、ダイとダイの間に配置し得る。
図に示す機器は、下記の好ましいモードで使用することができる。
ステップ・モード:マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に固定したまま、投影ビームに付与されたパターン全体を目標部分Cに1回で投影する(即ち、1回の静止露光)。次いで、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動させて、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の静止露光で画像形成される目標部分Cのサイズを制限する。
スキャン・モード:マスク・テーブルMTと基板テーブルWTを同期走査しながら、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する(即ち、1回の動的な露光)。マスク・テーブルMTに対する相対的な基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び像の反転特性によって決まる。スキャン・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の動的な露光における目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動長により、目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
他のモード:プログラム可能なパターン化装置を保持するマスク・テーブルMTを本質的に固定し、基板テーブルWTを移動即ち走査しながら、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する。このモードでは一般に、パルス化された放射源を使用し、基板テーブルWTの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化装置を利用するマスクなしリソグラフィに容易に適用し得る。
上記で説明した使用モードの組合せ及び/又は変形、或いは全く異なる使用モードを用いることもできる。
本明細書で用いる方向、次元、及び軸という用語は、まったく同一の座標系に関係することを意図している。さらに、位置の値という用語は、位置検出器の出力信号を意味し、この出力信号は位置を表すと理解されたい。
図2aに、本発明によるリソグラフィ機器の位置検出器の実施例の概略図を示す。図2aには、このような検出器の1次元の図を示す。位置検出器IFは、第1グレーティングg1及び第2グレーティングg2を備える。第1グレーティングg1及び第2グレーティングg2は、互いに平行に位置決めされる。位置検出器IFはさらに、光ビームLBを生成する光源Sを備える。この光ビームが第1グレーティングg1に当たると、DIF1で概略的に示す回折パターンが生成され、それによって回折光ビームDLBが生成される。この回折光ビームにより、再度、第2グレーティングg2上で回折パターンが生成され、この光ビームの入射放射の一部は、(DLB、LBで示す)同じ経路を移動して光源Sに戻る。
回折され、受け取られる放射を検出するために、光源と光センサLSを組み合わせる。光センサLSは、第1グレーティングg1及び第2グレーティングg2上で1回ずつ回折し、この光センサが受け取る放射を検出する。基板テーブルWTが移動すると、第1グレーティングg1は、第2グレーティングg2に対して移動する。図2aに示す実施例では、この移動は、xで示す方向に行われる。
xで示す方向に移動すると、第1グレーティング及び第2グレーティング上で光ビームLBの回折パターンが変化し、そのため、光センサLSが受け取る光が変化する。第1グレーティング及び第2グレーティングが、グレーティングのピッチpに等しい距離だけ相互に移動すると、同じ回折パターンが生じ、そのため光センサは、同じ量の放射を受け取ることになる。このように、これらのグレーティングが相互に移動すると、回折パターンが周期的に変化し、その結果、光センサLSが受け取る放射は、周期的に変化することになる。図2aでは、これらのグレーティングは、1次元位置検出器についての適切な解決策を提供するラインで概略的に示されている。
図2aに関して上記で開示した位置検出器は、1次元エンコーダとして説明し得るが、以下で説明する実施例では、1次元及び2次元のエンコーダを利用する。2次元のエンコーダ又は位置検出器は、図2aを参照して説明した2つの別々の位置検出器を使用して生成することができ、そのため、各位置検出器は、1組の第1及び第2のグレーティングを備える。ただし、別の実施例では、単一の2次元位置検出器を使用し得る。このような2次元位置検出器では、1組の共通のグレーティングを2つの位置検出器として使用し、各検出器は、これらの次元の別々の次元におけるグレーティングの移動を検出する。
実際には、それぞれ光源及び光センサを備える2つ以上の組のエンコーダは、1組の共通のグレーティングを利用する。2つ以上の次元で測定を実施するために、これらのグレーティングは、一方向にのみラインを含むのでなく、その代わりにこれらのグレーティングは、例えば2方向にラインを含むグリッドを備え、好ましくは、第2方向は、第1方向に直交する。
或いは、これらのグレーティングは、いわゆる「市松模様」パターンで構成することもできる。このようなパターンでは、x方向及びy方向の変位を検出するために、2次元位置検出器は、2つの光源S及び2つの光センサLSを備える。光源と光センサの一方の組合せがx方向の変位を検出し、光源と光センサの他方の組合せがy方向の変位を検出する。
他の可能性は、2次元グリッドを使用することである。図2bに、このようなグリッドの3つの可能な配置を概略的に示す。第1配置(A)は、2つの分かれた1次元グレーティング12、14を含む。第2配置(B)は、2つの1次元グレーティング16、18が、2次元グレーティングに組み合わされたものを含む。第3配置(C)に、2次元グリッド構造20を示す。2次元グレーティングを使用するとき、光ビームが垂直に(図2bに示すX方向及びZ方向にともに垂直に)入射すると、2次元回折が得られる。図2bの配置Aでは、各次元ごとに別々のグレーティングを設ける。配置Bに、(図に示すようにX方向及びZ方向に垂直な)法線ベクトル及びX軸を含む第1面と、この法線ベクトル及びZ軸を含む第2面の2つの面内で光ビームが回折し得る2次元グレーティングを示す。配置Cに、回折パターンとして使用し得る2次元グリッド構造20を示す。22で示すのは、代わりの向きの2次元グリッド構造である。このグリッド構造により、法線ベクトルとX軸を含む面1、法線ベクトルとZ軸を含む面2、法線ベクトルと、X軸に対してそれぞれ+45°及び−45°であり、XZ面内に配置されたベクトルとを含む面3及び面4の面内で回折が得られる。これらの異なる配置(A、B、C)は、1次元及び2次元のエンコーダと組み合わせて使用し得る。
2次元グリッドは、干渉計用の反射体ターゲットとしても使用し得る。このような構成では、2次元又は3次元の位置検出器が、同じターゲットによって動作し得る。
この2次元グリッドは、光源の入射波面に対して相対的に異なる高さで、1つ又は2つの反射面を含み得る。エンコーダを使用する場合、第1反射面で反射する光と第2反射面で反射する光の光路長差は一般に、0次反射を減少させるために、1/4波長になるように選択される。この2次元グリッドは、第1及び第2の反射体表面で反射する0次の垂直入射光の干渉が、完全に打ち消し合わず、このシステムを駆動するのに十分な強度のものである場合には、平面ミラー干渉計システムの反射体として働き得る。このグリッドの第1反射面と第2反射面の距離を変え、異なる波長を使用し、また、グリッドの画素区域のサイズを変えることによって、平面ミラー干渉計の干渉計ビームの反射により、ビームに直交するグリッド変位を検出し得るのに十分な信号変調が得られるように組み合わせることができる。このように、物体の位置を測定する干渉計/エンコーダの組合せを実現することができる。このような干渉計/エンコーダの組合せは一般に、1次元又は2次元のグレーティング(又はグリッド)を有する1次元又は2次元のエンコーダと、光センサと、反射体としてグレーティングが適用されるように干渉計ビームが配置された干渉計システムとを含み得る。
図2を参照して説明した位置検出器IFは、回折型エンコーダを備える。光源Sは、光ビーム生成器と称することもあり、光センサLSは、検出器と称することもある。
先に述べた回折型エンコーダの代わりに、或いはそれに加えて、他のタイプのエンコーダも使用し得ることが当業者には理解されよう。さらに、図2で説明した実施例では、位置検出器IFは、インクリメンタル・エンコーダを含むが、アブソリュート・エンコーダを使用することもできる。
以下でより明確になるように、上記で説明した回折型エンコーダの利点は、グレーティングとグレーティングの間隔、即ち、図2ではzで示す方向に沿った距離を、この特定のタイプのエンコーダでは大きな範囲にわたって変化させることができ、したがって、一般に約0.5m×0.5mの面内で移動し得る基板テーブルとともに使用するのに特に適することである。そのため、これらのグレーティングは、短い間隔で相互に位置決めすることもできるし、数十cm、さらには0.5m離して位置決めすることもできる。
基板又はウエハ用のテーブルWTが変位する範囲は極めて大きいので、回折型位置検出器は、以下で図3a、図3bを参照して説明するように、様々なタイプの1次元及び2次元のエンコーダの形で使用し得る。ウエハ・テーブルWTは、x座標及びy座標によって定義される面内で移動可能であると仮定すると、いずれの方向の基板テーブルの移動の検出にも回折型エンコーダを適用し得る。回折型エンコーダは、図2のx方向がxの次元に対応し、zで示す方向が、例えばウエハ・テーブルWTのx−y移動面に直交する方向に対応する構成で適用し得る。
別の実施例では、図2では示すz方向がx軸又はy軸に対応する構成で、回折型エンコーダを適用することが可能である。この場合、zで示す方向の変位は、ウエハ・テーブルWTの移動範囲と同じ大きさになり得る。この状況では、グレーティングg1とg2の間隔の変化をあまり許容しないという回折型エンコーダの特徴が特に有利になる。
2次元グリッドを反射ターゲットとして使用する平面ミラー干渉計と組み合わせた1つ又は2つの回折型エンコーダを備える2次元又は3次元の位置測定ユニットを得るために、様々な実施例が可能である。図2cに、XY面内で6自由度の測定構成を概略的に示す。この実施例では、位置検出器P1、P2、及びP3は、基板ステージの側面に連結され、ターゲットは、このステージの周囲で基準フレームに連結される。位置検出器(又はセンサ)P1及びP2は、基板テーブルの側面1上に配置し、位置検出器(又はセンサ)P3は、側面2上に配置し得る。図に示すように、位置検出器P1により、x、y、及びzの次元で基板テーブルの位置を測定し、位置検出器P2により、z及びyの次元で基板テーブルの位置を測定し、位置検出器P3により、xの次元で基板テーブルの位置を測定し得る。したがって、センサP1のターゲットは、X及びZの次元で位置を測定し得る2次元グリッドとすることができ、Y方向の位置測定を実施するために、前記グリッドは、先に述べたように反射体として構成する。センサp2のターゲットは、例えば、基板テーブルのZ位置を測定するように構成され、且つ、センサp2に光ビームを反射してY位置を測定するようにさらに構成されたエンコーダ・グリッドとし得る。センサp3は、例えば、平面ミラー干渉計を含み得る。したがって、センサp3のターゲットは、(先に述べた)エンコーダ・グリッド又は反射平面ミラーとし得る。図に示す配置では、センサと協働するグリッド及びセンサは、実質的に同じXY面内に配置し得る。或いは、これらのセンサは、基準フレームに連結し、組み合わせたエンコーダ/干渉計用のグリッド・プレートは、基板ステージに連結し得る。
図2dに、3つの2次元測定ヘッドP1、P2、P3を備える6自由度の垂直構成の可能な実施例を概略的に示す。前記測定ヘッドは、例えば、この測定ヘッド構成の上面Tに隣接して配置された基準フレームに連結し得る2次元反射グリッドと協働するように配置し得る。これらの測定ヘッド及びグリッドは、図2dに示すように、各読取りヘッドが、Z方向及び追加の方向(X又はY)に関する位置情報を提供し得るように配置される。このように、この2次元グリッドは、これらの測定ヘッドが反射光ビームを受け取って、Z位置に関する位置情報を提供し得る反射面として働く。追加の方向(X又はY)に関する位置情報も得ることができる。
位置検出器の精度をさらに向上させるために、位置検出器のグレーティングは、低熱膨張材料、好ましくはガラス又はセラミックを含む材料でできているプレートを含み得る。さらに、これらのグレーティングは、温度安定化ユニットを備える流体循環システムに連結されたチャネルを含み得る。この温度安定化ユニットは、流体循環システム内の流体の温度に働きかけることによって、グレーティングの温度を安定化する。このようにして、グレーティングの温度を安定化することができる。即ち、流体循環システム内の流体によってグレーティングを加熱又は冷却することができる。
次に、図3a及び図3bを参照して、本発明による複数の位置検出器を備えるリソグラフィ機器の有利な構成を説明する。図3a及び図3bを参照して説明する実施例は、上記で説明した回折型エンコーダを使用し得るが、他のタイプのエンコーダを使用することもできる。
図3aに、基板又はウエハ用のテーブルWTの上面図を示す。この実施例のウエハ・テーブルWTは、好ましくは上記で説明したエンコーダ・タイプの5つの位置検出器p1〜p5を含む。ウエハ・テーブルWTは、座標系のx軸にほぼ平行な第1側面を含み、これを図3aでは側面1で示す。ウエハ・テーブルWTはさらに、座標系のy軸にほぼ平行な第2側面を含み、これを図3aでは側面2で示す。ウエハ・テーブルWTはさらに、第1側面の反対側の、したがってこの場合もx軸にほぼ平行な第3側面を含み、これを図3aでは側面3で示す。
第1位置検出器p1及び第2位置検出器p2は、第1側面の中央の両側に結合される。第1位置検出器p1は、2次元エンコーダを備え、xの次元及びzの次元でウエハ・テーブルWTの位置を測定する(それによって、x及びzの次元についての位置の値を提供する)ように配置される。ここで、zの次元は、x及びyの次元に直交する。第2位置検出器p2は、1次元エンコーダとして構成され、zの次元の位置を測定するように配置される。
(図3a、図3bには示さない)移動制御システムは、第1位置検出器p1の出力信号から、xの次元のウエハ・テーブルWTの位置を、第1及び第2の位置検出器p1、p2の出力信号から、y軸の周りのウエハ・テーブルWTの回転を求めるようにプログラムされる。
同様に、第3位置検出器p3及び第4位置検出器p4は、図3では側面2で示す第2側面の中央の両側に連結される。第3エンコーダp3は、yの次元及びzの次元の2次元エンコーダとして構成され、第4エンコーダp4は、zの次元の1次元エンコーダである。
移動制御システムは、第3位置検出器p3の出力信号からyの次元の位置を、第3及び第4の位置検出器p3、p4の組合せ出力信号からx軸に関するウエハ・テーブルWTの回転を求める。
第5位置検出器p5は、図3では側面3で示す第3側面に機械的に連結され、xの次元のウエハ・テーブルWTの位置を測定するように配置される。移動制御システムは、第1及び第5の位置検出器p1、p5の出力信号から、z軸に関するウエハ・テーブルWTの回転を導出するようにプログラムされる。図3aを参照して説明した構成の代わりに、第2側面の反対側のウエハ・テーブルWTの側面にp3及びp4を配置する、p3とp4の場所を交換するなど、図3aの構成の変形が可能である。
このように、位置検出器p1〜p5は、全部で7つの出力信号、即ち、位置の値を提供する。即ち、(それぞれ2次元エンコーダである)p1及びp3はそれぞれ、2つの位置の値を提供し、(それぞれ1次元エンコーダである)p2、p4、及びp5はそれぞれ、1つの位置の値を提供し、移動制御システムは、これらの位置の値によって位置及び向きを計算する。
第1及び第2の位置検出器は、また第3及び第4の位置検出器も同様に、共通のグレーティングを利用し得る。そのため、第1及び第2の位置検出器は、2つ1組のグレーティングを共有し、第3及び第4の位置検出器は、2つ1組のグレーティングを共有する。
実際の実施例では、x及びyの次元(即ち、基板の表面に沿った面内)のウエハ・テーブルWTの移動範囲は、x及びyの次元に直交する方向(即ち、zの次元)の移動範囲よりも大きいか、或いはかなり大きい。そのため、2つの位置検出器(例えば、p1及びp2、又はp3及びp4)が共有するグレーティングの寸法は、それぞれx軸(p1、p2)及びy軸(p3、p4)に沿って大きくなるが、z軸に沿う寸法は、z軸に沿う移動範囲がより小さいので、より小さくてよい。
さらに、実際の実施例では、(例えば、較正マトリックスを利用して)x方向及びy方向にエンコーダを較正することになる。これは、z方向には移動範囲がより小さく、エンコーダ本来の較正精度で十分であるからであり、そのためほとんどの場合、精度を向上させるための較正は不要である。
精度を向上させるには、位置検出器p1とp2の対及びp3とp4の対をできるだけ離間して配置することになる。一方、これらの位置検出器間のスペースを大きくすると、これらの対の位置検出器の(したがって、ウエハ・テーブルWTの)使用可能な移動範囲が小さくなるのを避けるために、これらの対の位置検出器に関連するグレーティングのx(p1、p2)又はy(p3、p4)の方向の長さを長くすることが必要になる。そのため、実際には、これらの要件の間で妥協点を見つけることが必要とされることがある。
さらに、位置検出器p2を割愛することが可能であるが、その結果、ウエハ・テーブルWTがその最も右側の位置に近づくと精度が悪くなる。これは、最も右側の位置では、p3のグレーティング並びにp4のグレーティングの間隔が広くなるので、p3及びp4の精度が悪くなるからである。
図3bに、ウエハ・テーブルWTと、本発明の別の実施例による複数の光学式位置検出器の上面図を示す。図3bでは、移動可能なウエハ・テーブルWTを、その中央位置(即ち、第1、第2、及び第3の次元のいずれかの移動範囲に関して中央)にあるように示す。この実施例では、第1位置検出器p10は、ウエハ・テーブルWTの第1側面Side1に連結される。第1側面Side1は、第1の次元にほぼ平行である。
第1位置検出器p10は、第1(x)及び第3(z)の次元の位置の値を提供するように配置された2次元エンコーダを備える。第1位置検出器p10のグレーティングg10は、第1側面Side1の長さに沿って延びる。グレーティングg10は、ウエハ・テーブルWTの移動に追従するようにウエハ・テーブルWTに機械的に結合される。好ましくは、(ともに図3bには詳細に示さない)第1位置検出器p10、又は少なくともその光源は、ウエハ・テーブルWTがその中央位置にあるときに、グリッドg10の中央に向かって光ビームを方向づけるように位置決めされる。したがって、x軸に沿う方向の移動範囲を大きくすることができる。即ち、この移動は、第1側面Side1の長さにほぼ等しくすることができ、光源及び光検出器は、全移動範囲にわたってグレーティングg10に動作可能に接触する。
好ましくは、位置検出器p10は、上記で説明した回折型エンコーダを備え、そのため、ウエハ・テーブルWTの移動に追従しない、即ち、ウエハ・テーブルWTに関して静止した(図示しない)第2グレーティングを含み得る。
図3bにはさらに、第1側面にほぼ直交する第2側面Side2のところに第2位置検出器p11を示す。第2位置検出器p11は、グリッドg11を備える2次元エンコーダとして構成され、第2(y)及び第3(z)の次元の位置信号を提供する。
また、図3bには、第3側面Side3のところに第3位置検出器p12を示す。第3位置検出器p12は、グリッドg12を備える2次元エンコーダとして構成され、第1(x)及び第3(z)の次元の位置信号を提供する。第1エンコーダg10を参照して上記で概略を述べたのと同じことが、第2及び第3のエンコーダにも当てはまる。
(図3bには詳細に示さない)移動制御システムは、第1、第2、及び第3の位置検出器p10、p11、p12によって提供される位置の値から、3次元座標系の3つの次元すべてにおけるウエハ・テーブルWTの位置、並びに3つの次元すべてに関する基板テーブルWTの向き、即ち、回転位置を計算するように構成される。
好ましくは、第2側面にほぼ平行な第4側面Side4のところにさらなる第4位置検出器p13を設ける。第4位置検出器は、グリッドg13を備える2次元エンコーダとして構成され、第3(z)の次元の位置信号を提供する。第4エンコーダは、(図面でわかるように)ウエハ・テーブルWTがその最も右側の位置に近いときに特に有用である。というのは、その位置で、一方では第2位置検出器p11の光源及び検出器と、他方では第2位置検出器p11のグリッドg11との間隔が、その最大値又はそれに近くなり、それによって、第2位置検出器p11の精度が悪くなるからである。
このような位置では、一方では第4位置検出器p13の光源及び検出器と、他方では第4位置検出器p13のグリッドg13との間隔が、その最小値又はそれに近くなる。したがって、第4位置検出器p13の精度は、ウエハ・テーブルWTの最も右側の位置又はその近くで悪くならない。別の影響は、ウエハ・テーブルWTがその最も右側の位置に向かって移動するほど、(p11が位置を測定する実際のポイントが、図面の面内で右に移動するので)p1、p2、及びp3の位置信号が提供する位置が、三角形を形成する3点ではなく、1本のラインにより整列した状態になり、それによって、p10、p11、及びp12のz位置信号から多次元情報を求める移動制御システムの能力が低減することである。そのため、この移動制御システムでは、基板テーブルの最も右側の位置の近くで、第4エンコーダp13の位置信号に比較的大きな重みを与え、p11が提供するz位置信号により小さな重みを与えることが好ましい。
図3a及び図3bに示す構成により、位置検出器の数が最も少ない状態で、すべての自由度における、即ち、x、y、及びzの次元におけるウエハ・テーブルWTの位置と、x、y、及びzの軸の周りの向き、即ち、x、y、及びzの軸に関する回転位置とを測定することができる。さらに、図2を参照して上記で説明したように、本発明によるリソグラフィ機器で使用するエンコーダにより、(図2ではxで示す)測定方向の変位の範囲を大きくし得るだけでなく、この測定方向に直交する(図2ではzで示す)方向の変位の範囲を大きくすることができる。
図3a及び図3bに示すウエハ・テーブルWTは、実際の実施例では、x方向に約0.5m、y方向に0.5mの移動範囲を有する。少なくとも位置検出器p1〜p4について、この移動範囲では、これら個々の検出器のグレーティング相互の距離の可能な範囲(即ち、図2による距離zの変動)が約0.5mになる。上記で説明した回折型エンコーダは、グレーティング間の距離のこのような大きな範囲にわたって正確に動作し得るので、図3a及び図3bを参照して説明した構成は、上記移動範囲にわたって正確に動作することができ、そのため、このタイプの光学式エンコーダの特定の利点の恩恵を受ける。
図3a及び図3bに示す実施例により、本発明の態様のいくつかの実施例が提供されるが、多くの変形が可能である。移動制御システムは、専用のハードウエアを備えることもできるし、且つ/又は、マイクロ・コントローラ、マイクロ・プロセッサなどの適切にプログラムされたプログラム可能な装置を備えることもできる。
座標系は、任意の直交又は非直交の座標系を含み得る。座標系は「物理的に存在」しないので、座標系の次元(即ち、各軸の方向)は、本明細書で規定される要件を満足するように自由に選択し得る。
本発明の別の実施例では、リソグラフィ機器は、x−y面内に2次元エンコーダを備える。x方向及びy方向の移動範囲が大きいので、このようなエンコーダのグレーティングは大きくなり、実際の実施例では、基板の表面のサイズにほぼ等しくなる。このようなグレーティングがパターン化された放射ビームの妨げになるのは望ましくないので、この実施例のエンコーダは、基板テーブルの基板区域に隣接して配置され、したがって、基板テーブルのサイズは事実上ほぼ倍になる。
上記実施例のいずれにおいても、それぞれのエンコーダの精度をさらに向上させるために、これらのエンコーダを較正することができる。較正値(例えば、位置補正用の値又は係数)は、(ラインに沿って位置較正を行う)1次元、又は(面内又は多次元空間で較正を行う)多次元の較正マトリックス内に記憶し得る。較正により、実際に精度が向上する。というのは、エンコーダにおける比較的大きな誤差源は、絶対誤差である傾向があり、温度安定性などの他の誤差は、先に述べたように低熱膨張材料を使用するなど、他の手段によって概ね抑制し得るからである。
次に、図4を参照して、本発明によるリソグラフィ機器内の位置検出器を較正する方法を説明する。タスク100では、基準リソグラフィ機器によって、基準マークの第1マトリックスを含む第1パターンを基板上に生成する。次いで、タスク101では、較正すべき位置検出器を備えるリソグラフィ機器によって、基準マークの第2マトリックスを含む第2パターンを同じ基板上に生成する。
タスク102では、この基準マークの第2マトリックスと基準マークの第1マトリックスを比較する。このステップで、基準マークの第1マトリックスと第2マトリックスが完全に一致することが検出される場合には、この手順のこのステップで完全な一致が得られており、即ち、補正は不要であるが、通常は、第1マトリックスの基準マークと、対応する第2マトリックスの基準マークの位置の偏差が求められる。これについては、タスク103を参照されたい。次いで、この位置の偏差を較正マトリックス内に記憶する(タスク104)。位置の偏差が観察されない場合には、較正マトリックス内に値ゼロを記憶する。通常は、基準マークからなる第1及び第2のマトリックスの個々の基準マークについて、タスク102〜104を繰り返すが、複数の基準マークについて並列にこれらのステップを実施することも可能である。
本発明による方法では、様々なリソグラフィ機器間で一致する量を大きくすることが可能である。基準リソグラフィ機器は絶対項の形で較正し得るが、基準リソグラフィ機器が、極めて正確な特定の絶対較正値を取得しないことも可能であり、本発明による方法により、較正すべき位置検出器を備えたリソグラフィ機器と基準リソグラフィ機器の間での一致が大きくなる。リソグラフィでは、ほとんどの場合、様々なリソグラフィ機器間で一致が得られることは、各機器自体の絶対精度よりも重要性が高い。
本発明による方法は、単一のリソグラフィ機器によって、即ち、第2リソグラフィ機器が第1リソグラフィ機器である場合に適用することもできる。この場合、第2パターンは、基板をほぼ90°又は180°だけ回転させることによって生成される。この第2パターンは、同じウエハ上で同じ基準マークのマトリックスによって生成される。ほぼ90°回転させることによって、いわゆるxからyへの較正、又はyからxへの較正が得られる。ほぼ180°回転させることによって、本発明による較正方法による位置誤差の平均化を実現し得る。
また、単一のリソグラフィ機器を利用するとき、即ち、第2リソグラフィ機器が第1リソグラフィ機器であるときには、第1パターンの生成後、第2パターンの生成前に、実質的に1つ又は複数の基準マークの距離にわたって基板又はウエハを並進移動させる、いわゆるフィッシュボーン技法を利用し得る。このやり方では、第2パターンは、第1パターンに対して、理想的な場合には1つの基準マークの距離だけ移動する。
第2マトリックスの適切な基準マークと第1マトリックスの適切な基準マークを比較することによって、これら2つのマトリックスの基準マーク間の位置偏差を取得することができる。この位置偏差を較正マトリックス内に記憶する。上記で説明した較正方法の実施例と異なり、フィッシュボーン技法では通常、パターンは基板の表面積に比べて小さい。
本明細書で先に述べた実施例では、例えば100×100の基準マークのマトリックスを適用し、フィッシュボーン技法では、例えば3×3の基準マーク又は4×4の基準マークのマトリックスを使用する。そのため、上記で説明したフィッシュボーン較正ステップでは、基板の表面の小さな部分しか覆わない。したがって、それぞれ前のパターンに対して実質的に1つ又は複数の基準マークの距離にわたって並進移動した別のパターンがリソグラフィ機器によって基板上に生成される。
このようにして、あるパターンの基準マークと前のパターンの基準マークを比較し、これらの基準マーク間の位置偏差を求め、較正マトリックス内の適切な位置に記憶する、段階的な較正を実施し得る。フィッシュボーン技法では、あるパターンと前のパターンの基準マークが重なり合うことが必要とされ、そのため実際には、例えば3×3又は4×4の基準マークのマトリックスを適用するときには、実質的に1つ、2つ、又は3つの基準マークの距離にわたる並進移動が行われることが当業者には明らかであろう。
上記で説明した変形形態とは別に、基板テーブルの位置を検出する干渉計型位置検出器及び上記で説明したエンコーダを備える位置検出器をリソグラフィ機器内に装着することによって、リソグラフィ機器の位置検出器を較正することも可能である。こうすると、干渉計によってこのエンコーダを較正することができる。また、較正の別の変形形態として、上記で説明した方法のいずれかによって位置検出器について求められた較正マトリックスを、別のリソグラフィ機器内の第2位置検出器の較正開始値として使用することが可能である。この形態は有利なことがわかっており、これにより、特に同じ生産バッチで生産されるときには、実際に位置検出器間の一致が明らかに大きくなるので、良好な開始ポイントが得られる。
本明細書では、ICの製造にリソグラフィ機器を使用することを具体的に参照することがあるが、本明細書で説明するリソグラフィ機器は、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導/検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、LCD(液晶ディスプレイ)、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用が可能であることを理解されたい。このような代替応用例の状況では、本明細書で用いる「ウエハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれより一般的な用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなし得ることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、例えば、トラック(一般に、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、計測ツール、及び/又は検査ツール内で露光前又は露光後に処理することができる。該当する場合には、上記その他の基板処理ツールに本明細書の開示を適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために2回以上処理することがある。そのため、本明細書で用いる基板という用語は、複数の処理済み層をすでに含む基板を指すこともある。
上記では、光リソグラフィの状況で本発明の実施例を利用することを具体的に参照したが、本発明は、例えばインプリント・リソグラフィなどの他の応用例で利用することができ、状況が許せば、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリント・リソグラフィでは、パターン化装置内のトポグラフィが、基板上で生成されるパターンを画定する。パターン化装置のトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層に押し付けることができ、その後、電磁放射、熱、圧力、又はこれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。パターン化装置をレジストから取り出し、それによって、レジストが硬化した後でレジスト中にパターンが残る。
本明細書で用いる「放射」及び「ビーム」という用語は、(例えば、365、248、193、157、又は126nmの、又はこれらに近い波長を有する)UV(紫外)放射、及び(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)EUV(極紫外)放射、並びにイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか1つ又はこれらの組合せを指すことがある。
以上、本発明の特定の実施例を説明してきたが、上記で説明した以外の形でも本発明を実施し得ることを理解されたい。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述する機械可読の命令からなる1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、或いは、このようなコンピュータ・プログラムを記憶したデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク)の形態をとり得る。
以上、本発明の特定の実施例を説明してきたが、上記で説明した以外の形でも本発明を実施し得ることを理解されたい。この説明は、本発明を限定するためのものではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定義される。
本発明の実施例によるリソグラフィ機器を示す図である。 本発明によるリソグラフィ機器の光学式エンコーダの実施例を極めて概略的に示す図である。 3つの可能な2次元グレーティングを概略的に示す図である。 干渉計/エンコーダの組合せを備える第1の6自由度測定構成を概略的に示す図である。 干渉計/エンコーダの組合せを備える第2の6自由度測定構成を概略的に示す図である。 基板テーブルと本発明の実施例による複数の位置検出器の構成を示す図である。 基板テーブルと本発明の実施例による複数の位置検出器の構成を示す図である。 リソグラフィ機器の位置検出器を較正する方法の実施例を示す図である。
符号の説明
1 リソグラフィ機器、側面
12 1次元グレーティング
14 1次元グレーティング
16 1次元グレーティング
18 1次元グレーティング
20 2次元グリッド構造
22 代替2次元グリッド構造
AD 調節装置
B 放射ビーム
BD ビーム送達システム
C 目標部分
CO コンデンサ
DIF1 回折パターン
DLB 回折光ビーム
g1 第1グレーティング
g2 第2グレーティング
g10 グレーティング、グリッド、第1エンコーダ
g11 グリッド
g12 グリッド
g13 グリッド
IF 位置検出器
IN 統合器
IL 照明システム、照明器
LB 光ビーム
LS 光センサ
MA パターン化装置、マスク
MT 第1支持構造、マスク・テーブル/ホルダ
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
p グレーティングのピッチ
PB 投影ビーム
PL 投影システム、投影レンズ
PM 第1位置決め機構
PS 投影システム
PW 第2位置決め機構
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
p1 位置検出器、センサ、2次元測定ヘッド
p2 位置検出器、センサ、2次元測定ヘッド
p3 位置検出器、センサ、2次元測定ヘッド、第3エンコーダ
p4 位置検出器、第4エンコーダ
p5 位置検出器
p10 第1位置検出器
p11 第2位置検出器
p12 第3位置検出器
p13 第4位置検出器、第4エンコーダ
S 光源
SO 放射源
T 測定ヘッド構成の上面
W 基板、ウエハ
WT 基板テーブル、ウエハ・テーブル/ホルダ

Claims (19)

  1. リソグラフィ機器であって、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    放射ビームを調整するように構成された照明器と、
    前記放射ビームに所望のパターンを付与するパターン化装置を支持するように構成された支持構造と、
    前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投影する投影システムと、
    前記基板テーブルの移動を制御するように構成された移動制御システムとを備え、
    前記移動制御システムは、前記基板テーブルの位置を検出する複数の位置検出器を備え、前記位置検出器の少なくとも3つはそれぞれ、少なくとも6つの位置の値を提供する1次元又は多次元の光学式エンコーダを含み、前記光学式エンコーダは、3次元座標系内の異なる場所で前記基板テーブルに結合され、
    前記3次元座標系の各次元ごとに少なくとも1つの位置の値が提供され、
    前記移動制御システムは、前記6つの位置の値の少なくとも3つからなるサブセットから、前記3次元座標系内での前記基板テーブルの前記位置を計算し、前記6つの位置の値の少なくとも3つからなる別のサブセットから、前記3次元座標系に関する前記基板テーブルの向きを計算するように構成される、リソグラフィ機器。
  2. 前記移動制御システムは、前記位置検出器を較正する較正マトリックスを含む、請求項1に記載のリソグラフィ機器。
  3. 前記位置検出器は、
    前記3次元座標系の第1及び第3の次元における前記基板テーブルの位置を測定するように構成された第1の2次元エンコーダを備え、前記第1エンコーダは、前記基板テーブルの、前記第1の次元にほぼ平行な第1側面に機械的に結合され、前記位置検出器はさらに、
    前記3次元座標系の前記第3の次元の位置を測定するように構成された第2の1次元エンコーダを備え、前記第2エンコーダは、前記基板テーブルの前記第1側面に機械的に結合され、
    前記第1及び第2のエンコーダは、前記第1側面の中央に関して前記第1側面の両側の部分に結合され、
    前記移動制御システムは、前記第1エンコーダの位置の値から前記第1の次元の位置を求め、前記第1及び第2のエンコーダの位置の値から、前記第2の次元の周りの前記基板テーブルの回転を求める、請求項1に記載のリソグラフィ機器。
  4. 前記位置検出器はさらに、
    前記3次元座標系の第2及び前記第3の次元における前記基板テーブルの位置を測定するように構成された第3の2次元エンコーダを備え、前記第3エンコーダは、前記基板テーブルの、前記第2の次元にほぼ平行な第2側面に機械的に結合され、前記位置検出器はさらに、
    前記3次元座標系の前記第3の次元の位置を測定するように構成された第4の1次元エンコーダを備え、前記第4エンコーダは、前記基板テーブルの前記第2側面に機械的に結合され、
    前記第3及び第4のエンコーダは、前記第2側面の中央に関して前記第2側面の両側の部分に結合され、
    前記移動制御システムは、前記第3エンコーダの位置の値から前記第2の次元の位置を求め、前記第3及び第4のエンコーダの位置の値から、前記第1の次元の周りの前記基板テーブルの回転を求める、請求項3に記載のリソグラフィ機器。
  5. 前記第1の次元における前記基板テーブルの位置を測定するように構成された第5の1次元エンコーダをさらに備え、前記第5エンコーダは、前記基板テーブルの第3側面の端部に機械的に結合され、前記第3側面は、前記第1の次元にほぼ平行で、前記基板テーブルの前記第1側面の反対側にあり、前記移動制御システムは、前記第1及び第5のエンコーダの位置の値から、前記第3の次元の周りの前記基板テーブルの回転を求める、請求項3に記載のリソグラフィ機器。
  6. 前記光学式エンコーダは、
    前記3次元座標系の第1及び第3の次元の位置の値を提供するように構成された第1の2次元光学式エンコーダを含み、前記第1光学式エンコーダは、前記基板テーブルの、第1の次元にほぼ平行な第1側面に結合され、前記光学式エンコーダはさらに、
    前記3次元座標系の第2及び前記第3の次元の位置の値を提供するように構成された第2の2次元光学式エンコーダを含み、前記第2光学式エンコーダは、前記基板テーブルの、前記第2の次元にほぼ平行な第2側面に結合され、前記光学式エンコーダはさらに、
    前記基板テーブルの第3側面に機械的に結合された第3の2次元光学式エンコーダを含み、前記第3側面は、前記第1の次元にほぼ平行で、前記第1の次元の反対側である、請求項1に記載のリソグラフィ機器。
  7. 前記第3の次元の位置の値を提供するように構成された第4の1次元光学式エンコーダをさらに備え、前記第4光学式エンコーダは、前記基板テーブルの第4側面に結合され、前記第4側面は、前記第2の次元にほぼ平行で、前記第2側面の反対側である、請求項6に記載のリソグラフィ機器。
  8. 前記光学式エンコーダは回折型エンコーダを含み、前記回折型エンコーダは、
    光ビームを生成するように構築された光ビーム生成器と、
    第1グレーティングと、
    前記第1グレーティングに対して移動可能な第2グレーティングと、前記光ビームが前記第1及び第2のグレーティングで回折する回折ビームを検出するように配置された検出器とを備え、前記グレーティングの一方は、前記基板テーブルに機械的に連結され、前記グレーティングの他方は、前記リソグラフィ機器の基準ベースに機械的に結合され、
    前記基板テーブルが移動すると、前記第1グレーティングが前記第2グレーティングに対して移動し、動作中に、前記回折ビームが変化する、請求項1に記載のリソグラフィ機器。
  9. 前記グレーティングは、低熱膨張材料製のプレートを含む、請求項8に記載のリソグラフィ機器。
  10. 前記グレーティングは、温度安定化ユニットを備える流体循環システムに結合されたチャネルを含み、前記温度安定化ユニットは、前記流体循環システム内の流体の温度に働きかけることによって、前記グレーティングの温度を安定化する、請求項8に記載のリソグラフィ機器。
  11. 前記位置検出器の少なくとも1つは、2次元光学式エンコーダを備え、前記2次元光学式エンコーダは、
    前記基板テーブルの移動に追従するために、前記基板テーブルに機械的に結合されたグレーティングと、
    それぞれ前記グレーティングと協働して、異なる次元に沿った前記グレーティングの移動を検出する2つの光検出器とを備える、請求項1に記載のリソグラフィ機器。
  12. 前記グレーティングは、低熱膨張材料製のプレートを含む、請求項11に記載のリソグラフィ機器。
  13. 前記グレーティングは、温度安定化ユニットを備える流体循環システムに結合されたチャネルを含み、前記温度安定化ユニットは、前記流体循環システム内の流体の温度に働きかけることによって、前記グレーティングの温度を安定化する、請求項11に記載のリソグラフィ機器。
  14. 位置検出器を較正する方法であって、
    基準マークの第1マトリックスを含む第1パターンを基板上に生成するステップと、
    基準マークの第2マトリックスを含む第2パターンを前記基板上に生成するステップと、
    基準マークの前記第2マトリックスと基準マークの前記第1マトリックスを比較するステップと、
    前記第1マトリックスの基準マークと、対応する前記第2マトリックスの基準マークのそれぞれの位置偏差を求めるステップと、
    前記位置偏差を較正マトリックス内に記憶するステップとを含む、方法。
  15. 前記第2パターンを生成する前に、前記基板をほぼ90°又は180°だけ回転させる、請求項14に記載の方法。
  16. 前記第2パターンを生成する前に、実質的に1つ又は複数の基準マークの距離にわたって前記基板を並進移動させる、請求項14に記載の方法。
  17. リソグラフィ機器であって、
    基板を支持するように構成された基板テーブルと、
    放射ビームを調整するように構成された照明器と、
    前記放射ビームに所望のパターンを付与するパターン化装置を支持するように構成された支持構造と、
    前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投影する投影システムと、
    前記基板ステージ又は前記支持構造の移動を制御するように構成された移動制御システムとを備え、前記移動制御システムは、前記基板テーブル又は前記支持構造の位置を検出する複数の位置検出器を備え、前記位置検出器の少なくとも1つは、1次元又は2次元のエンコーダ・グリッド、光センサ、及び干渉計を備える干渉計/エンコーダの組合せであり、前記1次元又は2次元のエンコーダ・グリッドは、前記干渉計の反射ターゲットとして協働するように構築され配置される、リソグラフィ機器。
  18. 前記干渉計及び前記光センサは、前記基板テーブル又は前記支持構造に装着され、前記1次元又は2次元のエンコーダ・グリッドは、基準フレーム上に配置される、請求項17に記載のリソグラフィ機器。
  19. 前記複数の位置検出器は、少なくとも3つの干渉計/エンコーダの組合せを含み、前記干渉計/エンコーダの組合せはそれぞれ、1次元又は2次元のエンコーダ・グリッド、光センサ、及び干渉計を備え、前記1次元又は2次元のエンコーダ・グリッドは、前記干渉計の反射ターゲットとして協働するように構築され配置され、前記光センサは、前記基板テーブル又は前記支持構造に装着され、前記1次元又は2次元のエンコーダ・グリッドは、前記基準フレームに対する相対的な前記基板テーブル又は前記支持構造の前記位置を6自由度で求めることができるように、基準フレームに装着される、請求項17に記載のリソグラフィ機器。
JP2005215936A 2004-07-27 2005-07-26 リソグラフィ機器及びそれを較正する方法 Active JP4326508B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/899,295 US7256871B2 (en) 2004-07-27 2004-07-27 Lithographic apparatus and method for calibrating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006054452A true JP2006054452A (ja) 2006-02-23
JP4326508B2 JP4326508B2 (ja) 2009-09-09

Family

ID=35311589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005215936A Active JP4326508B2 (ja) 2004-07-27 2005-07-26 リソグラフィ機器及びそれを較正する方法

Country Status (8)

Country Link
US (7) US7256871B2 (ja)
EP (2) EP2204696A3 (ja)
JP (1) JP4326508B2 (ja)
KR (1) KR100632877B1 (ja)
CN (2) CN101702078A (ja)
DE (1) DE602005019500D1 (ja)
SG (3) SG119326A1 (ja)
TW (1) TWI278019B (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992770A (ja) * 1982-11-17 1984-05-29 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
WO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008070182A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Mitsutoyo Corp 位置検出用治具、位置検出装置、そのシステム、および、その方法
JP2008219005A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の較正方法
JP2009027141A (ja) * 2007-05-08 2009-02-05 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびセンサのキャリブレーション方法
JP2009164304A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 較正方法、移動体駆動方法及び装置、露光方法及び装置、パターン形成方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2009170908A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Asml Netherlands Bv ゼロレベルを規定するように構成されたエンコーダを有するリソグラフィ装置
JP2009188405A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびキャリブレーション方法
JP2009231835A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Asml Netherlands Bv エンコーダタイプの測定システム、リソグラフィ装置、およびエンコーダタイプの測定システムのグリッドもしくは回折格子上またはグリッドもしくは回折格子内のエラーを検出するための方法
JP2009271062A (ja) * 2008-04-18 2009-11-19 Asml Netherlands Bv ステージシステムキャリブレーション方法、ステージシステム、およびそのようなステージシステムを備えるリソグラフィ装置
JP2009302532A (ja) * 2008-06-02 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JPWO2008029757A1 (ja) * 2006-09-01 2010-01-21 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法
JPWO2008026742A1 (ja) * 2006-08-31 2010-01-21 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2010272863A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010541231A (ja) * 2007-09-28 2010-12-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学装置の位置測定装置の較正
JP2011146737A (ja) * 2007-05-24 2011-07-28 Asml Netherlands Bv エンコーダ型位置センサシステムを有するリソグラフィ装置
US8264669B2 (en) 2007-07-24 2012-09-11 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
JP2013236104A (ja) * 2006-02-21 2013-11-21 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2013239721A (ja) * 2008-09-22 2013-11-28 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2013251567A (ja) * 2007-12-28 2013-12-12 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2014068039A (ja) * 2006-08-31 2014-04-17 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2014078754A (ja) * 2006-08-31 2014-05-01 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8760615B2 (en) 2007-05-24 2014-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having encoder type position sensor system
JP2015523603A (ja) * 2012-07-10 2015-08-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィクラスタシステム、測定装置、およびリソグラフィ装置の位置決めデバイスを較正するための方法
JP2016014881A (ja) * 2007-07-18 2016-01-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2016028306A (ja) * 2009-07-31 2016-02-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 位置決めシステム、リソグラフィ装置及び方法
JP2016136267A (ja) * 2006-09-01 2016-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
KR101265450B1 (ko) * 2003-06-19 2013-05-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7256871B2 (en) * 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
US7408617B2 (en) * 2005-06-24 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method
US7362446B2 (en) * 2005-09-15 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit
US7557903B2 (en) * 2005-12-08 2009-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7480050B2 (en) * 2006-02-09 2009-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic system, sensor, and method of measuring properties of a substrate
JP5115859B2 (ja) 2006-02-21 2013-01-09 株式会社ニコン パターン形成装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5195417B2 (ja) * 2006-02-21 2013-05-08 株式会社ニコン パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7602489B2 (en) * 2006-02-22 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7889314B2 (en) * 2006-03-23 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Calibration methods, lithographic apparatus and patterning device for such lithographic apparatus
US20070281149A1 (en) * 2006-06-06 2007-12-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2008038752A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-03 Nikon Corporation système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
US7714981B2 (en) * 2006-10-30 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
KR101546976B1 (ko) * 2007-07-24 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 위치 계측 시스템, 노광 장치, 위치 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 공구 및 계측 방법
KR20100057758A (ko) * 2007-08-24 2010-06-01 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 그리고 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치
US8237919B2 (en) * 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) * 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036180A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method.
CN101680746B (zh) * 2007-12-11 2013-11-20 株式会社尼康 移动体装置、曝光装置及图案形成装置、以及器件制造方法
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8115906B2 (en) * 2007-12-14 2012-02-14 Nikon Corporation Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method
CN101796614B (zh) * 2008-02-08 2012-01-18 株式会社尼康 位置测量系统及位置测量方法、移动体装置、移动体驱动方法、曝光装置及曝光方法、图案形成装置、以及组件制造方法
US8274639B2 (en) 2008-04-30 2012-09-25 Nikon Corporation Stage device, pattern formation apparatus, exposure apparatus, stage drive method, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8817236B2 (en) 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8149420B2 (en) * 2008-07-25 2012-04-03 Agilent Technologies, Inc. Interferometer calibration system and method
US8994923B2 (en) * 2008-09-22 2015-03-31 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8902402B2 (en) * 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8760629B2 (en) * 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
DE102009019140B4 (de) * 2009-04-29 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Kalibrieren einer Positionsmessvorrichtung und Verfahren zum Vermessen einer Maske
EP2264409B1 (en) * 2009-06-19 2015-10-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
NL2005545A (en) * 2009-11-17 2011-05-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2006078A (en) * 2010-02-19 2011-08-22 Asml Netherlands Bv Calibration of lithographic apparatus.
EP2365390A3 (en) 2010-03-12 2017-10-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
NL2006743A (en) * 2010-06-09 2011-12-12 Asml Netherlands Bv Position sensor and lithographic apparatus.
JP5566203B2 (ja) * 2010-06-21 2014-08-06 Dmg森精機株式会社 変位検出装置
NL2006913A (en) * 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
CN102095379B (zh) * 2010-08-27 2012-11-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 绝对式光栅尺
NL2007818A (en) 2010-12-20 2012-06-21 Asml Netherlands Bv Method of updating calibration data and a device manufacturing method.
WO2013073538A1 (ja) * 2011-11-17 2013-05-23 株式会社ニコン エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
USRE49241E1 (en) * 2012-03-08 2022-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithography system and method for processing a target, such as a wafer
WO2014053296A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 Asml Netherlands B.V. A method for calibration of an encoder scale and a lithographic apparatus
WO2014060149A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-24 Asml Netherlands B.V. Sensor system for lithography
NL2011683A (en) * 2012-12-13 2014-06-16 Asml Netherlands Bv Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product.
CN107278279B (zh) 2015-02-23 2020-07-03 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法
EP4300194A3 (en) 2015-02-23 2024-04-10 Nikon Corporation Measurement device, lithography system and exposure apparatus, and control method, overlay measurement method and device manufacturing method
KR20230107706A (ko) * 2015-02-23 2023-07-17 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법
WO2016167339A1 (ja) * 2015-04-17 2016-10-20 株式会社ニコン 露光システム
CN108139689B (zh) 2015-09-30 2021-06-15 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法
CN106647175B (zh) * 2015-10-30 2018-08-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种运动体的测量和初始化装置
CN106225685B (zh) * 2016-08-26 2018-11-30 清华大学 一种硅片台大行程三自由度位移测量系统
DE102018103869B3 (de) 2018-02-21 2019-05-09 Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg Maßelement für eine optische Messvorrichtung
JP2019158848A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 富士電機株式会社 絶対位置情報検出装置、及び、絶対位置情報検出装置の制御方法
CN111427237B (zh) * 2019-01-10 2021-07-23 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 大面积纳米光刻系统及其方法
CN110360973B (zh) * 2019-08-28 2021-02-05 合肥工业大学 一种面向微型工件测量的自动引导方法
US11874144B2 (en) * 2020-07-28 2024-01-16 Li Lin Displacement measurement system
CN113247298B (zh) * 2021-06-30 2021-11-19 成都飞机工业(集团)有限责任公司 一种多数控定位器物理空间任意轴线的坐标变换方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000039305A (ja) * 1998-05-21 2000-02-08 Canon Inc 位置決め装置およびこれを用いた露光装置、デバイス製造方法ならびに位置計測方法
JP2000049066A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2002151405A (ja) * 2000-08-24 2002-05-24 Asm Lithography Bv リトグラフィー投影装置
JP2002353121A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
US6686991B1 (en) * 2000-11-06 2004-02-03 Nikon Corporation Wafer stage assembly, servo control system, and method for operating the same
EP1400855A2 (en) * 2002-09-20 2004-03-24 ASML Netherlands B.V. Device inspection
JP2004509329A (ja) * 2000-09-14 2004-03-25 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 位置測定装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US41380A (en) * 1864-01-26 Improved method of securing tubes in steam-boilers
US3957378A (en) * 1974-11-25 1976-05-18 The Bendix Corporation Two-axis moire fringe displacement transducer
US4203064A (en) * 1977-04-05 1980-05-13 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method for automatically controlling the position of small objects
US4215938A (en) * 1978-09-28 1980-08-05 Farrand Industries, Inc. Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer
US5124927A (en) * 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
BE1007876A4 (nl) * 1993-12-17 1995-11-07 Philips Electronics Nv Stralingsbron-eenheid voor het opwekken van een bundel met twee polarisatierichtingen en twee frequenties.
US5596413A (en) * 1995-08-17 1997-01-21 Lucent Technologies Inc. Sub-micron through-the-lens positioning utilizing out of phase segmented gratings
SG102627A1 (en) * 1996-11-28 2004-03-26 Nikon Corp Lithographic device
US6144118A (en) * 1998-09-18 2000-11-07 General Scanning, Inc. High-speed precision positioning apparatus
TW490598B (en) * 1999-11-30 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
DE10011733A1 (de) * 2000-03-10 2001-09-13 Biotronik Mess & Therapieg Signalauswerteverfahren zur Detektion von QRS-Komplexen in Elektrokardiogramm-Signalen
US6704090B2 (en) * 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
EP1182509B1 (en) 2000-08-24 2009-04-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, calibration method thereof and device manufacturing method
TW497013B (en) * 2000-09-07 2002-08-01 Asm Lithography Bv Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method
US6863791B1 (en) 2000-09-11 2005-03-08 Spectrumedix Llc Method for in-situ calibration of electrophoretic analysis systems
US7157038B2 (en) * 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
EP1345082A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-17 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6858354B1 (en) * 2002-09-26 2005-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to prevent side lobe on seal ring
TWI236562B (en) * 2002-11-21 2005-07-21 Hitachi Int Electric Inc A method of detecting a pattern and an apparatus thereof
US7102729B2 (en) * 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
US7256871B2 (en) * 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000039305A (ja) * 1998-05-21 2000-02-08 Canon Inc 位置決め装置およびこれを用いた露光装置、デバイス製造方法ならびに位置計測方法
JP2000049066A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2002151405A (ja) * 2000-08-24 2002-05-24 Asm Lithography Bv リトグラフィー投影装置
JP2004509329A (ja) * 2000-09-14 2004-03-25 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 位置測定装置
US6686991B1 (en) * 2000-11-06 2004-02-03 Nikon Corporation Wafer stage assembly, servo control system, and method for operating the same
JP2002353121A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
EP1400855A2 (en) * 2002-09-20 2004-03-24 ASML Netherlands B.V. Device inspection

Cited By (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992770A (ja) * 1982-11-17 1984-05-29 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
US10203613B2 (en) 2006-01-19 2019-02-12 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2014150285A (ja) * 2006-01-19 2014-08-21 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2015109461A (ja) * 2006-01-19 2015-06-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JPWO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2009-06-11 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7839485B2 (en) 2006-01-19 2010-11-23 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2012178570A (ja) * 2006-01-19 2012-09-13 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US10185227B2 (en) 2006-01-19 2019-01-22 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10185228B2 (en) 2006-01-19 2019-01-22 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2015166882A (ja) * 2006-01-19 2015-09-24 株式会社ニコン 液浸露光装置及び液浸露光方法、並びにデバイス製造方法
US10133195B2 (en) 2006-01-19 2018-11-20 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011014915A (ja) * 2006-01-19 2011-01-20 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2013236104A (ja) * 2006-02-21 2013-11-21 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9958792B2 (en) 2006-08-31 2018-05-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP2016106254A (ja) * 2006-08-31 2016-06-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JPWO2008026742A1 (ja) * 2006-08-31 2010-01-21 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US9983486B2 (en) 2006-08-31 2018-05-29 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP2014068039A (ja) * 2006-08-31 2014-04-17 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US10073359B2 (en) 2006-08-31 2018-09-11 Nikon Corporation Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method
JP2018041090A (ja) * 2006-08-31 2018-03-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US10101673B2 (en) 2006-08-31 2018-10-16 Nikon Corporation Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method
JP2017010043A (ja) * 2006-08-31 2017-01-12 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2012138621A (ja) * 2006-08-31 2012-07-19 Nikon Corp 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2012147026A (ja) * 2006-08-31 2012-08-02 Nikon Corp 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
KR101645909B1 (ko) 2006-08-31 2016-08-12 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2016128929A (ja) * 2006-08-31 2016-07-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US10067428B2 (en) 2006-08-31 2018-09-04 Nikon Corporation Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method
US10162274B2 (en) 2006-08-31 2018-12-25 Nikon Corporation Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method
TWI649631B (zh) * 2006-08-31 2019-02-01 尼康股份有限公司 Exposure method and device, and component manufacturing method
KR20150092342A (ko) * 2006-08-31 2015-08-12 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP5035245B2 (ja) * 2006-08-31 2012-09-26 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2015111696A (ja) * 2006-08-31 2015-06-18 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US10338482B2 (en) 2006-08-31 2019-07-02 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10353302B2 (en) 2006-08-31 2019-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10353301B2 (en) 2006-08-31 2019-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
KR101409011B1 (ko) 2006-08-31 2014-06-18 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101400615B1 (ko) 2006-08-31 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2014078754A (ja) * 2006-08-31 2014-05-01 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US9740114B2 (en) 2006-09-01 2017-08-22 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US9625834B2 (en) 2006-09-01 2017-04-18 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
JP2016136267A (ja) * 2006-09-01 2016-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9874822B2 (en) 2006-09-01 2018-01-23 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP2012169655A (ja) * 2006-09-01 2012-09-06 Nikon Corp 移動体駆動方法
US9377698B2 (en) 2006-09-01 2016-06-28 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
KR101323530B1 (ko) 2006-09-01 2013-10-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법
US9760021B2 (en) 2006-09-01 2017-09-12 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US10289010B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10289012B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
JP5035247B2 (ja) * 2006-09-01 2012-09-26 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法
US10197924B2 (en) 2006-09-01 2019-02-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
JPWO2008029757A1 (ja) * 2006-09-01 2010-01-21 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法
US9846374B2 (en) 2006-09-01 2017-12-19 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US9971253B2 (en) 2006-09-01 2018-05-15 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
JP2017010042A (ja) * 2006-09-01 2017-01-12 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2008070182A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Mitsutoyo Corp 位置検出用治具、位置検出装置、そのシステム、および、その方法
JP2008219005A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の較正方法
JP2009027141A (ja) * 2007-05-08 2009-02-05 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびセンサのキャリブレーション方法
US7999912B2 (en) 2007-05-08 2011-08-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and sensor calibration method
US8836913B2 (en) 2007-05-24 2014-09-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an encoder type position sensor system
JP2011146737A (ja) * 2007-05-24 2011-07-28 Asml Netherlands Bv エンコーダ型位置センサシステムを有するリソグラフィ装置
JP2012069979A (ja) * 2007-05-24 2012-04-05 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
US8687166B2 (en) 2007-05-24 2014-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an encoder position sensor system
US8760615B2 (en) 2007-05-24 2014-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having encoder type position sensor system
JP2016014881A (ja) * 2007-07-18 2016-01-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US9612539B2 (en) 2007-07-24 2017-04-04 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
US8264669B2 (en) 2007-07-24 2012-09-11 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
JP2010541231A (ja) * 2007-09-28 2010-12-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学装置の位置測定装置の較正
JP2013251567A (ja) * 2007-12-28 2013-12-12 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2014140071A (ja) * 2007-12-28 2014-07-31 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009164304A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 較正方法、移動体駆動方法及び装置、露光方法及び装置、パターン形成方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2009170908A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Asml Netherlands Bv ゼロレベルを規定するように構成されたエンコーダを有するリソグラフィ装置
US8248583B2 (en) 2008-02-08 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and calibration method
JP2009188405A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびキャリブレーション方法
JP2009231835A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Asml Netherlands Bv エンコーダタイプの測定システム、リソグラフィ装置、およびエンコーダタイプの測定システムのグリッドもしくは回折格子上またはグリッドもしくは回折格子内のエラーを検出するための方法
JP2009271062A (ja) * 2008-04-18 2009-11-19 Asml Netherlands Bv ステージシステムキャリブレーション方法、ステージシステム、およびそのようなステージシステムを備えるリソグラフィ装置
JP2009302532A (ja) * 2008-06-02 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009302531A (ja) * 2008-06-02 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8264671B2 (en) 2008-06-02 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010034516A (ja) * 2008-06-02 2010-02-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8446564B2 (en) 2008-06-02 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8477289B2 (en) 2008-06-02 2013-07-02 Asml Netherlands B.V. Position measurement using natural frequency vibration of a pattern
JP2013239721A (ja) * 2008-09-22 2013-11-28 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2010272863A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2016028306A (ja) * 2009-07-31 2016-02-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 位置決めシステム、リソグラフィ装置及び方法
JP2015523603A (ja) * 2012-07-10 2015-08-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィクラスタシステム、測定装置、およびリソグラフィ装置の位置決めデバイスを較正するための方法
US9395633B2 (en) 2012-07-10 2016-07-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic cluster system, method for calibrating a positioning device of a lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR100632877B1 (ko) 2006-10-13
US7528965B2 (en) 2009-05-05
DE602005019500D1 (de) 2010-04-08
SG163509A1 (en) 2010-08-30
CN1728002A (zh) 2006-02-01
EP2204696A2 (en) 2010-07-07
CN101702078A (zh) 2010-05-05
SG119326A1 (en) 2006-02-28
US20060023194A1 (en) 2006-02-02
EP1621933A2 (en) 2006-02-01
US20100220335A1 (en) 2010-09-02
JP4326508B2 (ja) 2009-09-09
US8368902B2 (en) 2013-02-05
SG139762A1 (en) 2008-02-29
US7859686B2 (en) 2010-12-28
US20110075154A1 (en) 2011-03-31
US7256871B2 (en) 2007-08-14
KR20060048801A (ko) 2006-05-18
EP1621933A3 (en) 2006-06-28
EP2204696A3 (en) 2010-10-06
US20070256471A1 (en) 2007-11-08
TW200619858A (en) 2006-06-16
CN100580563C (zh) 2010-01-13
US20080074681A1 (en) 2008-03-27
US7880901B2 (en) 2011-02-01
TWI278019B (en) 2007-04-01
EP1621933B1 (en) 2010-02-24
US20060023178A1 (en) 2006-02-02
US7292312B2 (en) 2007-11-06
US7408655B2 (en) 2008-08-05
US20090207422A1 (en) 2009-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4326508B2 (ja) リソグラフィ機器及びそれを較正する方法
JP4820354B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4452262B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR100592569B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 이것에 의해제조된 디바이스
KR101323565B1 (ko) 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법
JP4563923B2 (ja) 位置合わせ方式最適化方法
KR101210975B1 (ko) 스테이지 시스템 캘리브레이션 방법, 스테이지 시스템 및 이러한 스테이지 시스템을 포함한 리소그래피 장치
US8330941B2 (en) Calibration method for a lithographic apparatus
JP6014768B2 (ja) エンコーダスケールの較正方法及びリソグラフィ装置
KR20090097809A (ko) 기판 표면에 관한 높이 데이터를 측정하고 획득하는 리소그래피 장치 및 방법
JP6770641B2 (ja) 高さセンサ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造するための方法
JP4550846B2 (ja) キャリブレーション方法、リソグラフィ装置、およびそのようなリソグラフィ装置のためのパターニングデバイス
JP4555276B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5861858B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4418782B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、較正方法およびコンピュータ・プログラム製品
JP5145379B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080516

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080815

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081009

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090528

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090609

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4326508

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250