JP2010541231A - 光学装置の位置測定装置の較正 - Google Patents

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Abstract

本発明は、光学装置(101)の位置測定装置(107)を構成する方法に関する。測定ステップ(110.2)で、規定可能なスキームに従って少なくとも1つの自由度で光学装置(101)の可動ユニット(106.2)を移動し、少なくとも1つの自由度で可動ユニット(106.2)の位置を検出し、位置測定装置(107)の第1測定装置(107.1)による第1測定で、少なくとも1つの自由度で可動ユニット(106.2)の位置を検出し、可動ユニット(106.2)に接続された基準素子(107.5)を使用して、位置測定装置(107)の第2測定装置(107.3)による第2測定で、少なくとも1つの自由度で可動ユニット(106.2)の位置を検出し、較正ステップ(110.5)で、第1測定および第2測定の結果を使用して第1測定装置(107.1)を較正する。第2測定装置(107.3)としてエンコーダシステムを使用し、基準素子(107.5)にエンコーダシステム(107.3)の基準格子を設ける。

Description

本発明は、光学装置の位置測定装置を較正する方法に関する。本発明は、特に微小電子回路の作製時に使用するマイクロリソグラフィに関連して、同様にそのような微小電子回路の作製時に使用される構成部材の検査(例えば光学マスクの検査)に関連して、またはマイクロリソグラフィの中間製品または最終製品の結果(例えば露光した基板の検査)に関連して使用することができる。従って、本発明はさらに対応した位置測定装置を有する光学装置に関する。
特にマイクロリソグラフィ分野では、できるだけ高精度に構成された構成部材を使用することの他に、とりわけ結像装置の構成部材、すなわち、例えば光学素子(レンズ、ミラーなど)、結像すべきパターンを有するマスク、および露光すべき基板を、対応して高い結像品質を得るためにできるだけ正確に相互に位置決めする必要がある。微視領域で約数ナノメートル以下の高い精度の要求は、とりわけ電子回路の作製時に使用する光学系の解像度を高め、作製すべき電子回路の微小化を促進するという絶え間ない必要性の結果である。
解像度の改善、ひいてはこれに付随した一般に使用される光の波長の減少により、使用する構成部材の位置決め精度に対する要求が高まる。それだけではなく、光学装置全体の結像エラーの最小化に関する要求も高まる。
マイクロリソグラフィで使用する、例えば193nmの領域の作動波長を有するUV領域、特に13nmの領域の作動波長を有するいわゆる極紫外線領域(EUV)の作動波長で、関係する構成部材の位置決めに対する高い要求を満たすためには、個々の構成部材、例えばマスクテーブル、光学素子および基板テーブル(例えばいわゆるウェーハのためのテーブル)の位置を、基準、例えば(位置、配向および幾何学形状に関して、動的および熱的影響に対して安定化させた)基準パターンに関してそれぞれ個々に検出し、次いでこれらの構成部材を能動的に相互に位置決めすることが提案されることが多い。
この場合、複数の問題が生じる。まず、一般に6つまでの自由度で位置決め精度、ひいては使用される測定システムの測定精度をナノメートル以下の領域で達成することが必要である。同様に、使用される測定システムを規則的に較正し、このような光学装置の作動時に(例えば熱の影響などによって)生じる場合のあるドリフト減少を防止する必要がある。その結果、場合によっては数分から数時間にわたる測定システムの構成部材の高い位置安定性を達成するか、または適宜な頻度で較正を行う必要がある。最終的には測定システムの(例えば測定システムの構成部材における目標状態からの偏差により生じる)システムエラーを除去する必要がある。
例えば、可動ユニット(例えば、マイクロリソグラフィ装置の基板テーブルなど)の位置が、平面ミラーを備え、位置測定装置として形成された干渉システムによって決定される場合、平面ミラーの平面偏差(通常は約10nmの範囲)が可動ユニットの測定精度、ひいては位置決め精度に影響を及ぼす。このようなシステムエラーを(概して係数20だけ)低減するために、例えば欧州特許出願公開第1182509号明細書(クワン)によって既知のように、通常は位置測定装置の較正を行う(同明細書の開示内容は引用により本明細書に組み込まれる)。このような較正は、一般にドリフト現象(すなわち、例えば測定に関係する構成部材の相対位置における熱に起因した変化)が生じる恐れのある時間にわたって規則的に繰り返す必要がある。
このような規則的な較正では、一般に2つの異なるアプローチが行われる。まず、位置測定装置に冗長性を設けること、すなわち、位置測定を行うべきそれぞれの自由度について2つ以上の測定装置を設け、これにより得られる冗長な位置情報によってシステムエラーを同定し、除去することが知られている。しかしながら、高価で高精度な手間のかかる測定装置が多数必要となるので、位置測定装置のコストが極めて高くなることが欠点である。
別のアプローチは、例えば米国特許第6757059号明細書(エーベルト等)または米国特許第7160657号明細書(スミス等)により既知のように、いわゆる第2基準素子を使用することである。第2基準素子は、作動時に位置を測定すべき可動なユニットに持続的に、または時間毎に接続される(これらの明細書の開示内容は参照により本明細書に組み込まれる)。位置測定装置を較正する場合、可動ユニットの位置は、作動時に使用する第1測定装置と、これに並行して基準素子を使用して第2測定装置によって検出される。例えば既に引用した米国特許第7160657号により既知のように、可動ユニットに関して正確に規定された位置および配向で位置する基準素子は、一般に十分な数の(基準素子における正確に規定された位置を有する)基準マークを有しており、これらの基準マークは、第2測定装置によって(例えばCCDカメラによって)検出され、これにより、第2測定装置の測定データの対応した処理によって可動ユニットの位置および/または配向を決定する。
これら既知の較正方法の主な欠点は、比較的ゆっくりと作動し、特に高い測定精度が必要となり、従って一般に多数の基準マークを検出すべき場合に、較正に比較的長い時間がかかることである。典型的には、較正のために30分以上を要し、このことは、例えば半導体作製では、マイクロリソグラフィ装置の処理能力ひいては生産性に極めてネガティブに作用する。
欧州特許出願公開第1182509号 米国特許第6757059号 米国特許第7160657号
本発明の基礎をなす課題は、上記欠点を有していないか、または少なくともわずかにしか有しておらず、特に簡単で、できるだけリアルタイムで素早く信頼性の高い位置測定装置の較正を可能とする、光学装置の位置測定装置を較正する方法および適宜な光学装置を提案することである。
本発明は、第2測定装置としてエンコーダシステムを用い、基準素子がエンコーダシステムの基準格子を備えている場合には、場合によっては通常運転時にリアルタイムでも位置測定装置の素早く信頼性の高い較正を達成できるといる認識に基づいている。測定装置にエンコーダシステムを使用することにより、このようなエンコーダシステムは一般に対応して高い処理量を有しており、従って、場合によっては可動ユニットが光学装置の通常運転時に到達する極めて高い速度においても、較正に使用する基準の測定をエンコーダシステムによってリアルタイムで行うことができるという利点が得られる。最終的に、基準測定の速度は、測定およびデータ収集に使用する構成部材の制限によってのみ制限される。
これにより、較正のために光学装置の通常運転を中断する時間を著しく短縮することができ、これにより、一方では、較正間の時間間隔は同じままでも光学装置のより高い処理能力ひいてはより生産性を達成することができる。他方では、較正間の時間間隔を減じることもでき、これにより、ドリフト効果により生じる光学装置のエラーを減じ、ひいては光学装置の精度を高めることもできる。
さらに、このようなエンコーダシステムによって、既知の方法に比べて著しく多数の測定点を検出することができ、ひいては基準測定の枠内で位置決定における高い解像度を達成でき、これにより、較正精度を簡単に、著しく高めることができる。
ナノメートル以下の領域の解像度を有する極めて正確な1次元および多次元のエンコーダシステムを使用することができ、これにより、マイクロリソグラフィで使用される構成部材に関連した高度な較正課題にも対応することができる。例えばこのような(2次元の)エンコーダシステムのための実施例は、米国01983マサチューセッツ州トップスフィールド、オプトラ社(OPTERA,Inc.)から「オプトラ・ナノグリッド平面エンコーダ(Optra Nano Grid Planar Encoder)」の名称で市販されている、0.5nm未満の解像度を達成するエンコーダシステムである。
エンコーダシステムの別の利点は、(例えば露光プロセスによって)適宜な熱的に安定した基板(例えば、熱膨張率が極めて低い基板、例えばゼロデュア、ULEなど)に基準格子を問題なしに取り付けることができることである。特にマイクロリソグラフィの分野で使用されるマスクおよび露光すべき基板(例えばウェーハ)に関連して、関連するマスクまたは関連する基板と同じ寸法で基準素子を構成し、関連したマスクテーブルまたは基板テーブルの所定の場所に較正のための基準素子を固定することが可能である。これにより、通常運転で重要な領域の少なくとも近傍で基準測定が行われ、通常運転時の位置決めのために較正すべき位置決め装置の測定値が使用されるという利点が得られる。
従って、本発明の対象は、測定ステップで、光学装置の可動ユニットを規定可能なスキームに従って少なくとも1つの自由度で移動し、少なくとも1つの自由度で可動ユニットの位置を検出する、光学装置の位置測定装置を較正する方法である。位置測定装置の第1測定装置による第1測定で少なくとも1つの自由度で可動ユニットの位置を検出する。さらに可動ユニットに接続された基準素子を使用して、位置測定装置の第2測定装置による第2測定で少なくとも1つの自由度で可動ユニットの位置を検出する。最後に、較正ステップで、第1測定および第2測定の結果を使用して第1測定装置を較正する。この場合、第2測定装置としてエンコーダシステムを使用し、基準素子は、エンコーダシステムの基準格子を備える。
本発明の別の対象は、駆動ユニットによって移動可能な可動ユニットと、制御装置と、第1測定装置と第2測定装置とを有する位置決め装置とを備える、特にマイクロリソグラフィのための光学装置である。位置決め装置は、測定ステップで、規定可能なスキームに従って駆動ユニットにより移動可能な可動ユニットの位置を少なくとも1つの自由度で検出するように構成されている。第1測定装置は、第1測定で、少なくとも1つの自由度で可動ユニットの位置を表す第1変数を検出し、制御装置に伝達するように構成されており、第2測定装置は、可動ユニットに接続された基準素子を備え、少なくとも1つの自由度で可動ユニットの位置を表す第2変数を、第2測定で基準素子を使用して検出し、制御装置に伝達するように構成されている。制御装置は、較正ステップで、第1測定および第2測定の結果を使用して第1測定装置を較正するように構成されている。第2測定装置はエンコーダシステムを備え、基準素子は、エンコーダシステムの基準格子を備える。
本発明の他の好ましい構成が従属請求項または添付の図面に関連した好ましい実施例の以下の説明に明らかである。
本発明による光学装置の好ましい実施形態を示す概略図である。 図1の光学装置によって実施することができる、本発明による位置測定装置を較正するための方法の好ましい実施形態による結像方法のフローチャートである。
図1および図2を参照して、マイクロリソグラフィ用の結像装置101の形態の本発明による光学装置の好ましい実施形態を以下に説明する。この結像装置101によって、本発明による位置測定装置を較正するための方法の好ましい実施例を実施することができる。
図1は、マイクロリソグラフィ装置101の形態の本発明による光学装置の好ましい実施形態の概略図を示す。このマイクロリソグラフィ装置101は、193nmの所定の作動波長の光で作動する。しかしながら、本発明の別の変化態様で別の波長を使用することもできることは自明である。特に極紫外線領域(EUV)の作動波長は、5nm〜20nmの範囲、典型的には13nmである。
マイクロリソグラフィ装置101は、照明系103と、マスク装置104と、光軸105.1を有する対物レンズ105の形態の投影装置とを有する光学投影系102を備える。マイクロリソグラフィ装置101の通常運転時に、照明系103は適宜な(詳述しない)導光系を介して(詳述しない)投影光束によってマスク装置104のマスク104.1を照明する。マスクテーブル104.2に配置したマスク104.1には投影パターンが位置し、この投影パターンは、投影光束によって、対物レンズ105に配置した光学素子を介して基板106.1、例えばいわゆるウェーハに投影される。ウェーハは、基板装置106の移動可能な基板テーブル106.2の形態の可動ユニットに配置されている。
対物レンズ105は、このために一連の(詳述しない)光学素子を備えており、これらの光学素子は対物レンズ105のハウジングに格納されている。使用する作動波長に応じて、光学素子は任意の光学素子であってよい(レンズ、ミラー、格子など)。
マイクロリソグラフィ装置101の通常運転時に、マイクロリソグラフィ装置101における結像に関係する個々の素子は、十分な質の結像結果が得られるように、相互に所定の位置および配向にもたらされる必要がある。この場合、とりわけ(マイクロリソグラフィ装置101のそれぞれの作動原理に対応して)、基板テーブル106.2は、(正確に規定された位置および配向で)基板テーブルに位置する基板106.1と共に6つの自由度まで位置決めされる。
このために、それぞれの自由度で基板テーブル106.2ひいては基板106.1の位置を表す第1変数を、位置測定装置107の第1測定装置107.1によって検出し、第1測定装置107.1に接続された、位置測定装置107の処理ユニット107.2に伝達する。処理ユニット107.2は、場合によっては第1測定装置107.1の信号を処理し、対応した信号を制御装置108に供給する。制御装置108は、既知のように位置測定装置107によって検出された基板テーブル106.2の実際の位置と、基板テーブル106.2の目標位置との偏差を検出し、基板テーブル106.2の駆動ユニットを対応制御して偏差に抗して作用し、これにより、基板106.1を必要な自由度で所望の位置に移動させる。
第1測定装置107.1は、本実施例では、十分に知られている干渉システムであり、これにより、(有利には熱的に安定化された)支持構造109に固定された測定装置107.1と基板テーブル106.2との間の相対位置における変化を検出することができる。測定装置107.1に対して基板テーブル106.2の絶対位置を決定することができるように、測定装置107.1は十分に公知のように1つ以上の別の位置センサを備え、これらの位置センサによって、測定装置107.1に対して基板テーブル106.2の初期のスタート位置を決定することができる(例えば、機械的ストッパまたは非接触式に作動するセンサ、例えば容量センサなど)。
しかしながら本発明の他の変化態様では、第1測定装置は、測定装置と基板テーブルとの間の位置を決定するための任意の別の装置を備えていてもよい。特にここでもエンコーダシステムを使用することができる。
第1測定装置107.1では、例えば熱に起因するマイクロリソグラフィ装置101の構成部材の膨張によって、第1測定装置の構成部材の相対位置に変化が生じる。このような相対位置変化は、第1測定装置107.1の測定結果にドリフト効果をもたらす。このようなドリフト効果は、基板テーブル106.2の位置決めエラー、ひいては基板106.1の露光時の結像エラーを引き起こす。
このようなドリフト効果をできるだけ小さく抑えるために、マイクロリソグラフィ装置101の作動時に規定可能な間隔をおいて位置測定装置107の較正を行う。このために、位置測定装置107は、エンコーダシステム107.3の形態の第2測定装置を有している。エンコーダシステム107.3は、第1読取りヘッド107.4の形態の第1測定ユニットと、2次元の基準格子を有する対応配置した基準素子107.5とを備える。
第1読取りヘッド107.4は支持構造部109に固定されており、基準素子107.5は基板テーブル106.2に位置している。基準素子107.5は、熱膨張係数がほぼゼロの熱的に極めて安定したガラス材からなる素子(例えばゼロデュア、ULEガラスなど)である。付加的または代替的に、対応した熱安定化装置(例えば能動的または受動的な温度調整装置など)によって基準素子を熱的に安定化させることができる(従って、規定可能な温度に保持することもできる)。
この基準素子107.5には、例えば露光プロセスにより基準格子を取り付けることができる。基準素子107.5は、通常運転時に露光すべき基板106.1の寸法を有しており、較正時には、この場所で正確に規定された位置および配向で基板テーブル106.2に固定されている。
このような2次元のエンコーダシステム107.3の例は、米国01983マサチューセッツ州トップスフィールド、オプトラ社から「オプトラ・ナノグリッド平面エンコーダ」の名称で市販されているエンコーダシステムである。このエンコーダシステムは、位置測定に関して、0.5nm未満の解像度(より正確には0.305nmの解像度)を達成する。しかしながら、本発明の他の変化態様では、他の適切なエンコーダシステムを使用することもできることは自明である。特に、較正に関連した自由度の数に応じて1つ以上の1次元エンコーダシステムを個別に使用するか、または1つ以上の2次元エンコーダシステムと組み合わせて使用することもできる。
エンコーダシステム107.3によって、本実施例では2つの並進的な自由度(x方向およびy方向)で基板テーブル106.2の位置を検出することができる。しかしながら、本発明の他の変化態様では、6つまでの自由度で基板テーブルの位置または配向を検出するために、このようなエンコーダシステムを複数設けてもよい。
次に図1および図2を参照して、マイクロリソグラフィ装置101の作動および本発明による位置測定装置107を較正する方法を説明する。まずステップ110.1で、マイクロリソグラフィ装置101の作動を開始する。
第1測定ステップ110.2で、まず基準素子107.5が所定の位置および配向で基板テーブル106.2に固定される。次いで上記の2つの自由度(x,y)で規定可能なスキームに従って制御装置108によって制御して基板テーブル106.2を基準素子107.5と共に移動する。このために、正確に規定したスタート位置に移動され、このスタート位置で、基板テーブルは支持構造部109に対して正確に規定された相対位置をとる。第1測定装置107.1の上述の付加的な絶対位置センサによって、スタート位置に到達したことを検出することができる。しかしながら、有利には、スタート位置の到達は第2測定装置107.3によって検出される。このために、基準素子107.5は1つ以上の対応した基準マークを有しており、これらの基準マークは第1読取りヘッド107.4により検出される。
スタート位置に到達したことが検出された場合、基板テーブルは所定のスキームに従って移動され、第1測定装置107.1による第1測定で、上記の2つの自由度(x,y)で基板テーブル105.2の位置を検出する。同時に、エンコーダシステム107.3によって、第2測定で基準素子107.5の位置、ひいては同様に基板テーブル105.2の位置を上記2つの自由度(x,y)で検出する。第1測定装置107.1およびエンコーダシステム107.3は、この場合、対応した位置を表すそれぞれ1つの変数を同期的に検出し、対応した信号を処理ユニット107.2に供給する。
有利には、規定可能なスキームに従って、基板テーブル106.2は有効範囲、すなわち、基板106.1の露光時の通常運転状態においても移動する、基板テーブル106.2の移動範囲全体を移動する。エンコーダシステム107.3を使用することにより、リアルタイムで、ひいては基板テーブル106.2が基板106.1の露光時の通常運転状態で得られる速度によってこれを行うことができる。このプロセスは、位置測定装置107においてデータ収集に関係する構成部材の処理速度によってのみ制限される。このようにして収集し、場合によっては適宜に処理したデータは、(即座に、または後の時点で)第1測定および第2測定の結果として制御装置108に伝達される。
第2測定ステップ110.3で、2つの自由度(x,y)の平面で、(詳述しない)操舵装置によって2つの自由度に対して横方向に所定量だけ、まず基準素子107.5を変位する。この場合、エンコーダシステム107.3によって変位量を監視することができる。次いで所定のスキームに従って基板テーブルを新たに移動し、第1測定装置107.1による第3測定で上記の2つの自由度(x,y)で基板テーブル106.2の位置を検出する。同時に第4測定でエンコーダシステム107.3によって2つの自由度(x,y)で基準素子107.5ひいては基板テーブル106.2の位置を検出する。第1測定装置107.1およびエンコーダシステム107.3は、この場合にも、対応位置を表すそれぞれ1つの変数を検出し、対応した信号を処理ユニット107.2に供給する。このようにして収集し、場合によっては適宜に処理したデータは、(即座に、または後の時点で)第3測定および第4測定の結果として制御装置108に伝達される。
第3測定ステップ110.4で、2つの自由度(x,y)の平面で、(詳述しない)操舵装置によって、所定の角度、有利には90°だけ、まず基準素子107.5を回動する。この場合、所定のセンサ装置によって回動量を監視することができる。次いで所定のスキームに従って基板テーブルを新たに移動し、第1測定装置107.1による第5測定で上記の2つの自由度(x,y)で基板テーブル106.2の位置を検出する。同時に第6測定でエンコーダシステム107.3によって2つの自由度(x,y)で基準素子107.5ひいては基板テーブル106.2の位置を検出する。第1測定装置107.1およびエンコーダシステム107.3は、この場合にも、対応位置を表すそれぞれ1つの変数を検出し、対応した信号を処理ユニット107.2に供給する。このようにして収集し、場合によっては適宜に処理したデータは、(即座に、または後の時点で)第5測定および第6測定の結果として制御装置108に伝達される。
第2測定ステップ110.3における基準格子の移動と、第3測定ステップ110.4における基準格子の回動は、エンコーダシステム107.3のシステムエラー、例えば基準格子の(例えば基準格子に固有の、または基板テーブル106.2への固定時に基準格子の変形により生じた)歪みおよび直交性エラーなどを検出し、較正時に対応して考慮できるようにする役割を果たす。
しかしながら、本発明の他の変化態様において基準素子のこのような移動および/または回動は、可能であったとしても、より高い費用をかけてのみ可能であることは自明である。この場合、第2測定装置107.3は、図1に破線輪郭107.6で示したような第2読取りヘッドを備えている。基準素子を移動させる代わりに、第2ステップで第4測定を第1読取りヘッド107.4によってではなく、第2読み取りヘッド107.6によって行ってもよい。
第2読取りヘッド107.6は、第1読取りヘッド107.4に対して正確に規定された位置に配置されている。この場合、有利には、2つの読取りヘッド107.4および107.6は、熱的に安定した、または適宜な手段によって熱的に安定化されたホルダーに配置されており、これにより、両方の読取りヘッド107.4および107.6の相対位置は安定的に保持される。このような保持を容易に達成するために、有利には、ホルダーは、熱膨張係数がほぼゼロの熱的に極めて安定した材料(例えばゼロデュア、ULEガラスなど)により構成されている。
さらに、基準素子107.5の回動は、必ずしも基準素子107.5の変位後に行う必要はないことは自明である。むしろ反対に、まず回動した基準素子で測定を行い、次いで側方に変位した基準素子で測定を行ってもよい。さらに、第2または第3測定ステップは必ずしも行う必要はないことは自明である。むしろこれら両ステップの一方はなくてもよい。
較正ステップ110.5では、次いで制御装置108は、第2、第3および第6測定の結果からエンコーダシステムのシステムエラーを算出し、これらを適宜な補正データセットに記憶する。さらに第1から第6までの測定の結果から、(補正データセットを利用して)第1測定装置107.1の測定値とエンコーダシステム107.3の測定値との偏差を算出し、そこから既知のように、測定装置107.1についての較正値を算出し、この較正値を較正データセットに記憶し、測定装置107.1の較正のために使用する。
ステップ110.6では、マイクロリソグラフィ装置101の通常運転を行うべきかどうかをチェックする。そうであった場合、通常運転を行い、通常運転と並行して連続的に繰り返されるステップ110.6で通常運転を中断すべきであることが検出されるまでこれを行う。
この場合、さらなる較正を行うべきかどうかをステップ110.7でチェックする。さらなる較正を行うべきでない場合、方法プロセスはステップ110.8で終了する。そうでない場合、ステップ110.2に戻る。しかしながら、本発明の別の変化態様では、新たな較正のために3つの測定ステップ110.2〜110.4を全て行う必要がないことは自明である。むしろ、測定ステップ110.2〜110.4の2つまたは1つの測定ステップのみを(新たに基板テーブル106.2に固定した基準素子107.5)によって繰り返してもよい。場合によっては、ステップ110.3(第2測定ステップ110.3および第3測定ステップ110.4の繰返し)にのみ戻ることもでき、場合によっては、基準素子107.5の変位も不要となる。同様にステップ110.4(第3測定ステップ110.4の繰返し)にのみ戻ることもでき、場合によっては、基準素子107.5の回動も不要となる。
測定ステップの一部の繰返しは、先行する較正により算出された補正データセットまたは較正データセットからのエンコーダシステム107.3のシステムエラーを新たな較正ステップ110.5における較正のために使用し、基板テーブル106.2への基準素子107.5の新たな固定によってシステムエラーのさしたる変化が予想されない場合に選択することができる。
さらに、本発明の別の実施態様では、第1較正時および/またはこれに続く(個々の、または全ての)較正時に、精度を高めるために第3測定ステップ110.4をN回実施することが可能である。繰返しの回数Nは、任意に規定することができる。
このために、測定ステップ110.4の後に点検ステップ110.9で点検を行うことができ、N回目の繰り返しが得られる。この場合、較正ステップ110.5は飛ばされる。そうでない場合、第3測定ステップ110.4に戻り、基準素子107.5の新たな回動を行う。これにより、例えば、基準素子107.5による測定を複数の回動位置(例えば、0°、90°、180°270°)で行うことが可能である。
既に上述したように、エンコーダシステム107.3によって、この実施例では2つの並進的な自由度(x方向およびy方向)で基板テーブル106.2の位置を検出することができる。本発明の他の実施形態では、6つまでの自由度で基板テーブルの位置および配向を検出するために複数のこのようなエンコーダシステムを設けてもよい。この場合、エンコーダシステムが基準素子107.5を分割できることは自明である。特に、例えば第1読取りヘッド107.4に(対物レンズ105に関して)向かい合って配置した第3読取りヘッド107.7によって、1つ以上の測定ステップ110.2〜110.4で(基準素子107.5を使用して)並行した測定を行うことができ、これにより、後の較正精度が高められる。この解決方法のさらなる利点は、基板テーブル106.2の移動範囲全体にわたって測定が可能なことである。
本発明による方法によってリアルタイムで可能な素早いデータ検出によって、既知の較正方法に比べて較正時間の明らかな低減を達成することができる。上述の本発明による較正方法では、約5分の較正時間に低減することが可能である。後続の較正時の測定ステップの一部のみを繰り返すことによって較正時間をさらに低減することができる。従って、マイクロリソグラフィ装置101の精度を高めるためにより短い間隔で較正を行うことができるか、または(較正間のマイクロリソグラフィ装置101の安定性が十分な場合には)較正間隔は等しいままでマイクロリソグラフィ装置101の処理能力ひいては生産性を高めることがきる。
本発明の別の利点は、第2の測定装置107.3が基板テーブル106.2の有効範囲の近傍に配置されており、第2測定装置107.3の測定範囲が基板テーブル106.2の有効範囲によって実質的に重なっていることである。これにより、有利には、較正のために、基板テーブル106.2の重要な作動範囲の近傍の領域を使用することが可能である。基板テーブル106.2の正確な位置決めは、マイクロリソグラフィ装置101の通常運転時に、較正すべき第1の測定装置107.1の測定によって行うべきである。
従って、基準測定は少なくとも通常運転で重要な領域の近傍で行い、通常運転時のこの領域の位置決めのために、較正すべき位置測定装置の測定値が使用される。しかしながら、本発明の他の実施態様では、基準素子を基板テーブルの別の場所に配置することもでき、従って、エンコーダシステムの測定範囲と通常運転時に重要な(較正すべき第1測定装置の測定値によって位置決めされた)範囲とは単に重畳するか、または、場合によっては全く接触しない。
以上には、光学装置の可動素子をマイクロリソグラフィ装置の基板テーブルとした実施例に基づいて本発明を説明した。しかしながら、本発明はマイクロリソグラフィ装置の別の可動な構成部材(例えば、同様に可動な、マイクロリソグラフィ装置のマスクテーブル)に関連しても、他の光学装置に関連しても使用することもできることは自明である。特に、例えば、マスクおよび/または露光される基板(例えばウェーハなど)に関連して本発明を使用することも可能である。なぜなら、ここでも同様に、検査すべきマスクまたは基板を有する可動な構成部材は、対応した高い精度で位置決めされるべきだからである。
さらに、本発明をマイクロリソグラフィ分野の実施例に基づき説明したことに注意されたい。しかししながら、本発明は、任意の他の用途または結像方法のためにも同様に使用でいることは自明である。

Claims (25)

  1. 光学装置(101)の位置測定装置(107)を較正する方法であって、
    測定ステップ(110.2)で、前記光学装置(101)の可動ユニット(106.2)を規定可能なスキームに従って少なくとも1つの自由度で移動し、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記位置測定装置(107)の第1測定装置(107.1)による第1測定で少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記可動ユニット(106.2)に接続された基準素子(107.5)を使用して、前記位置測定装置(107)の第2測定装置(107.3)による第2測定で少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    較正ステップ(110.5)で、前記第1測定および前記第2測定の結果を使用して前記第1測定装置(107.1)を較正する方法において、
    前記第2測定装置(107.3)としてエンコーダシステムを使用し、
    前記基準素子(107.5)に、前記エンコーダシステム(107.3)の基準格子を設けることを特徴とする方法。
  2. 請求項1に記載の方法において、
    前記エンコーダシステム(107.3)として、2次元のエンコーダシステムを用い、前記基準格子として、2次元の基準格子を用い、かつ/または
    前記エンコーダシステム(107.3)として、解像度を1ナノメートル以下とする高解像度のエンコーダシステムを用いる方法。
  3. 請求項1または2に記載の方法において、
    前記基準素子(107.5)として、熱膨張率が低い素子を用い、かつ/または
    熱安定化装置によって前記基準素子(107.5)を熱的に安定化させる方法。
  4. 請求項1から3までのいずれか一項に記載の方法において、
    前記測定ステップ(110.2)を第1測定ステップとし、
    第2測定ステップ(110.3)で、前記可動ユニット(106.2)を規定可能なスキームに従って少なくとも1つの自由度で移動し、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記第1測定装置(107.1)による第3測定で、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記第2測定装置(107.3)による第4測定で、前記基準素子(107.5)を使用して、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記較正ステップ(110.5)で、第1測定、第2測定、第3測定および第4測定の結果を使用して前記第1測定装置(107.1)を較正する方法。
  5. 請求項4に記載の方法において、
    前記第2測定ステップ(110.3)で、前記第1測定ステップ(110.2)と同じスキームに従って前記可動ユニット(106.2)を移動する方法。
  6. 請求項4または5に記載の方法において、
    前記第1測定ステップ(110.2)で、前記基準素子(107.5)に、前記可動ユニット(106.2)に対して第1位置および第1配向をとらせ、
    前記第2測定ステップ(110.3)の前に、前記基準素子(107.5)に、前記可動ユニット(106.2)に対して規定可能な第2位置および/または規定可能な第2配向をとらせ、
    前記第1位置と前記第2位置とが異なるようにし、かつ/または、第1配向と第2配向とが異なるようにする方法。
  7. 請求項4から6までのいずれか一項に記載の方法において、
    第2測定のために前記第2測定装置(107.3)の第1測定ユニット(107.4)を使用して少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    第4測定のために前記第2測定装置(107.3)の第2測定ユニット(107.6)を使用して少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    少なくとも1つの自由度に沿った方向に対して横方向に、前記第1測定ユニット(107.4)に対して前記第2測定ユニット(107.6)をずらして配置する方法。
  8. 請求項4から7までのいずれか一項に記載の方法において、
    第3測定ステップ(110.4)で、前記可動ユニット(106.2)を規定可能なスキームに従って少なくとも1つの自由度で移動し、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記第1測定装置(107.1)による第5測定で、少なくとも1つの自由度で前記光学装置(101)の前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記第2測定装置(107.3)による第6測定で、前記基準素子(107.5)を使用して少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    前記較正ステップ(110.5)で、第1測定、第2測定、第3測定、第4測定、第5測定および第6測定の結果を使用して前記第1測定装置(107.1)を較正する方法。
  9. 請求項8に記載の方法において、
    前記第3測定ステップ(110.4)で、前記第1測定ステップ(110.2)および/または前記第2測定ステップ(110.3)と同じスキームに従って前記可動ユニット(106.2)を移動する方法。
  10. 請求項8または9に記載の方法において、
    前記第1測定ステップ(110.2)で、前記基準素子(107.5)に、前記可動ユニット(106.2)に対して第1位置および第1配向をとらせ、
    前記第2測定ステップ(110.3)の前に、前記基準素子(107.5)に、前記可動ユニット(106.2)に対して規定可能な第2位置をとらせ、前記第3測定ステップ(110.4)の前に、前記基準素子(107.5)に、前記可動ユニット(106.2)に対して規定可能な第3配向をとらせ、
    前記第1位置と前記第2位置とが相互に異なるようにし、前記第1配向と前記第3配向とが相互に異なるようにするか、または、
    前記第2測定ステップ(110.3)の前に、前記基準素子(107.5)に、前記可動ユニット(106.2)に対して規定可能な第2配向をとらせ、前記第3測定ステップ(110.4)の前に、前記基準素子(107.5)に、前記可動ユニット(106.2)に対して規定可能な第3位置をとらせ、
    前記第1位置と前記第3位置とが相互に異なるようにし、第1配向と第2配向とが相互に異なるようにする方法。
  11. 請求項4から10までのいずれか一項に記載の方法において、
    前記較正ステップ(110.5)を第1較正ステップとし、前記エンコーダシステム(107.3)のシステムエラーを除去するために少なくとも前記第2測定の結果および前記第4測定の結果を評価し、該評価結果を基準データセットに記憶し、
    前記第1較正ステップ(110.5)に続く前記第4測定ステップ(110.2;110.3;110,4)で、規定可能なスキームに従って少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)を移動し、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    第7測定で、前記第1測定装置(107.1)によって、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を検出し、
    第8測定で、前記第2測定装置(107.3)によって、前記基準素子を使用して少なくとも1つの自由度で前記可動ユニットの位置を検出し、
    第2較正ステップ(110.5)で、前記基準データセットならびに前記第7測定および前記第8測定の結果を使用して前記第1測定装置(107.1)を較正する方法。
  12. 請求項1から11までのいずれか一項に記載の方法において、
    前記可動ユニット(106.2)によって、前記光学装置(101)の通常運転時に前記第1測定装置(107.1)によって位置を検出すべき有効範囲を規定し、
    前記第2測定装置(107.3)によって、少なくとも第2測定で前記基準素子(107.5)の測定範囲を検出し、
    少なくとも前記有効範囲の近傍に前記測定範囲を配置する方法。
  13. 請求項1から12までのいずれか一項に記載の方法において、
    前記光学装置(101)によって、前記光学装置(101)の通常運転時に前記可動ユニット(106.2)を移動する作動範囲を規定し、
    前記測定ステップ(110.2)で、少なくとも前記作動範囲の大部分にわたって少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)を移動する方法。
  14. 請求項1から13までのいずれか一項に記載の方法において、
    少なくとも前記第2測定の間に、前記第2測定装置(107.3)によって前記基準素子(107.5)の少なくとも1つの基準マークを検出する方法。
  15. 請求項1から14までのいずれか一項に記載の方法において、
    マイクロリソグラフィ装置(101)のマスクテーブル(104.2)のための位置測定装置を較正するか、前記マイクロリソグラフィ装置(101)の基板テーブル(106.2)のための位置測定装置(107)を較正するか、基板検査装置の基板テーブルのための位置測定装置を較正するか、またはマスク検査装置のマスクテーブルのための位置測定装置を較正するために用いる方法。
  16. 特にマイクロリソグラフィのための光学装置において、
    駆動ユニットによって移動可能な可動ユニット(106.2)と、
    制御装置(108)と、
    位置決め装置(107)とを備え、
    該位置決め装置(107)が、第1測定装置(107.1)と第2測定装置(107.3)とを有し、
    前記位置決め装置(107)が、測定ステップで、規定可能なスキームに従って駆動ユニットにより移動される可動ユニット(106.2)の位置を少なくとも1つの自由度で検出するように構成されており、
    前記第1測定装置(107.1)が、第1測定で、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す第1変数を検出し、前記制御装置(108)に伝達するように構成されており、
    前記第2測定装置(107.3)が、前記可動ユニット(106.2)に接続された基準素子(107.5)を備え、第2測定で、前記基準素子(107.5)を使用して少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す第2変数を検出し、前記制御装置(108)に伝達するように構成されており、
    前記制御装置(108)が、較正ステップで、前記第1測定および前記第2測定の結果を使用して前記第1測定装置(107.1)を較正するように構成されおり、
    前記第2測定装置がエンコーダシステム(107.3)を備え、
    前記基準素子(107.5)が、前記エンコーダシステム(107.3)の基準格子を備えることを特徴とする光学装置。
  17. 請求項16に記載の光学装置において、
    前記エンコーダシステム(107.3)が、2次元の基準格子を有する2次元のエンコーダシステムであり、かつ/または
    前記エンコーダシステム(107.3)が、1ナノメートル以下の解像度を有する高解像度のエンコーダシステムである光学装置。
  18. 請求項16または17に記載の光学装置において、
    前記基準素子(107.5)が、低い熱膨張率を有しており、かつ/または
    前記基準素子(107.5)を熱的に安定化させるように構成された熱安定化装置が設けられている光学装置。
  19. 請求項16から18までのいずれか一項に記載の光学装置において、
    前記測定ステップが第1測定ステップであり、
    前記位置測定装置(107)が、少なくとも第2測定ステップで、駆動ユニットによって規定可能なスキームに従って移動される前記可動ユニット(106.2)の位置を少なくとも1つの自由度で検出するように構成されており、
    前記第1測定装置(107.1)が、第3測定で、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す第1変数を検出し、前記制御装置(108)に伝達するように構成されており、
    前記第2測定装置(107.3)が、第4測定で、前記基準素子(107.5)を使用して少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す第2変数を検出し、前記制御装置(108)に伝達するように構成されており、
    前記制御装置(108)が、較正ステップで、第1測定、第2測定、第3測定および第4測定の結果を使用して前記第1測定装置(107.1)を較正するように構成されている光学装置。
  20. 請求項19に記載の光学装置において、
    前記基準素子(107.5)が、前記第1測定ステップで、前記可動ユニット(106.2)に対して第1位置および第1配向をとり、
    前記第2測定ステップの前に、前記基準素子(107.5)に前記可動ユニット(106.2)に対して規定可能な第2位置および/または第2配向をとらせるように構成した操舵装置が設けられており、
    前記第1位置と前記第2位置とが相互に異なり、前記第1配向と前記第2配向とが相互に異なる光学装置。
  21. 請求項19または20に記載の光学装置において、
    前記第2測定装置(107.3)が、第1測定ユニット(107.4)と第2測定ユニット(107.6)とを備え、
    前記第1測定ユニット(107.4)が、第2測定のために、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す変数を検出するように構成されており、
    前記第2測定ユニット(107.6)が、第4測定のために、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す変数を検出するように構成されており、
    前記第2測定ユニット(107.6)が、第1測定ユニット(107.4)に対して、前記少なくとも1つの自由度に沿った方向に対して横方向にずらして配置されており、
    前記第1測定ユニット(107.4)と前記第2測定ユニット(107.6)とが、特に熱的に安定化された、共通の支持素子(109)に配置されている光学装置。
  22. 請求項20または21に記載の光学装置において、
    較正ステップが第1較正ステップであり、前記制御装置(108)が、エンコーダシステム(107.3)のシステムエラーを除去するために少なくとも前記第2測定の結果および前記第4測定の結果を評価し、評価結果を基準データセットに記憶し、
    前記位置測定装置(107)が、第1較正ステップに続く少なくとも別の測定ステップで、規定可能なスキームに従って少なくとも1つの自由度で移動される前記可動ユニット(106.2)の位置を少なくとも1つの自由度で検出するように構成されており、
    前記第1測定装置(107.1)が、少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す第1変数を第7測定で検出し、前記制御装置(108)に伝達するように構成されており、
    前記第2測定装置(107.3)が、前記基準素子(107.5)を使用して少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)の位置を表す第2変数を第8測定で検出し、前記制御装置(108)に伝達するように構成されており、
    前記制御装置(108)が、第2較正ステップで、前記基準データセットならびに前記第7測定および前記第8測定の結果を使用して前記第1測定装置(107.1)を較正するように構成されている光学装置。
  23. 請求項16から22までのいずれか一項に記載の光学装置において、
    前記可動ユニット(106.2)が前記光学装置(101)の通常運転時に前記第1測定装置(107.1)が位置を検出すべき有効範囲を規定し、前記第2測定装置(107.3)が、少なくとも前記第2測定で前記基準素子(107.5)の測定範囲を検出し、前記測定範囲が、少なくとも前記有効範囲の近傍に配置されており、かつ/または、
    前記光学装置(101)が、前記光学装置(101)の通常運転時に前記可動ユニット(106.2)が移動される作動範囲を規定し、前記駆動ユニットが、前記測定ステップで、少なくとも前記作動範囲の大部分にわたって少なくとも1つの自由度で前記可動ユニット(106.2)を移動するように較正されている光学装置。
  24. 請求項16から23までのいずれか一項に記載の光学装置において、
    前記第2測定装置(107.3)が、前記第2測定時に前記基準素子(107.5)の少なくとも1つの基準マークを検出するように構成されている光学装置。
  25. 請求項16から24までのいずれか一項に記載の光学装置において、
    前記位置測定装置(107)が、前記マイクロリソグラフィ装置(101)の前記マスクテーブル(104.2)のための位置測定装置(107)であるか、マイクロリソグラフィ装置(101)の基板テーブル(106.2)のための位置測定装置であるか、またはマスク検査装置のマスクテーブルのための位置測定装置である光学装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231835A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Asml Netherlands Bv エンコーダタイプの測定システム、リソグラフィ装置、およびエンコーダタイプの測定システムのグリッドもしくは回折格子上またはグリッドもしくは回折格子内のエラーを検出するための方法
JP2015527600A (ja) * 2012-06-15 2015-09-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 位置決めシステム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101923356B1 (ko) 2007-07-18 2018-11-28 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치
US8334983B2 (en) * 2009-05-22 2012-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2005545A (en) 2009-11-17 2011-05-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2542942A1 (en) 2010-03-03 2013-01-09 Micronic Mydata AB Pattern generators comprising a calibration system
WO2016136691A1 (ja) 2015-02-23 2016-09-01 株式会社ニコン 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法
EP3264030B1 (en) * 2015-02-23 2020-07-22 Nikon Corporation Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method
CN107250915B (zh) 2015-02-23 2020-03-13 株式会社尼康 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5199054A (en) * 1990-08-30 1993-03-30 Four Pi Systems Corporation Method and apparatus for high resolution inspection of electronic items
JP2001116869A (ja) * 1999-08-16 2001-04-27 Advantest Corp サンプル検査及び/又は処理装置
JP2002151405A (ja) * 2000-08-24 2002-05-24 Asm Lithography Bv リトグラフィー投影装置
US20050168714A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Asml Netherlands B. V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
US6970255B1 (en) * 2003-04-23 2005-11-29 Nanometrics Incorporated Encoder measurement based on layer thickness
JP2006054452A (ja) * 2004-07-27 2006-02-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ機器及びそれを較正する方法
JP2006295151A (ja) * 2005-03-18 2006-10-26 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光装置の評価方法
JP2006337999A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びfpdチャックz位置測定を利用したデバイス製造方法
JP2007127625A (ja) * 2005-09-15 2007-05-24 Asml Netherlands Bv 位置測定ユニット、測定システム、および該位置測定ユニットを備えたリソグラフィ装置
JP2007165875A (ja) * 2005-12-08 2007-06-28 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798947A (en) 1996-09-25 1998-08-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University Methods, apparatus and computer program products for self-calibrating two-dimensional metrology stages
EP1182509B1 (en) 2000-08-24 2009-04-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, calibration method thereof and device manufacturing method
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US6699627B2 (en) 2000-12-08 2004-03-02 Adlai Smith Reference wafer and process for manufacturing same
US6757059B2 (en) 2001-04-30 2004-06-29 Therma-Wave, Inc. Wafer chuck with integrated reference sample
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102005062618B4 (de) 2005-12-23 2008-05-08 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren mit Bestimmung von Abbildungsfehlern
US7889314B2 (en) 2006-03-23 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Calibration methods, lithographic apparatus and patterning device for such lithographic apparatus
US8547527B2 (en) * 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5199054A (en) * 1990-08-30 1993-03-30 Four Pi Systems Corporation Method and apparatus for high resolution inspection of electronic items
JP2001116869A (ja) * 1999-08-16 2001-04-27 Advantest Corp サンプル検査及び/又は処理装置
JP2002151405A (ja) * 2000-08-24 2002-05-24 Asm Lithography Bv リトグラフィー投影装置
US6970255B1 (en) * 2003-04-23 2005-11-29 Nanometrics Incorporated Encoder measurement based on layer thickness
US20050168714A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Asml Netherlands B. V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
JP2006054452A (ja) * 2004-07-27 2006-02-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ機器及びそれを較正する方法
JP2006295151A (ja) * 2005-03-18 2006-10-26 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光装置の評価方法
JP2006337999A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びfpdチャックz位置測定を利用したデバイス製造方法
JP2007127625A (ja) * 2005-09-15 2007-05-24 Asml Netherlands Bv 位置測定ユニット、測定システム、および該位置測定ユニットを備えたリソグラフィ装置
JP2007165875A (ja) * 2005-12-08 2007-06-28 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231835A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Asml Netherlands Bv エンコーダタイプの測定システム、リソグラフィ装置、およびエンコーダタイプの測定システムのグリッドもしくは回折格子上またはグリッドもしくは回折格子内のエラーを検出するための方法
JP2015527600A (ja) * 2012-06-15 2015-09-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 位置決めシステム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US9383659B2 (en) 2012-06-15 2016-07-05 Asml Netherlands B.V. Positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method

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