JP2006049528A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 液状樹脂を滴下して半導体チップを封止する際、液状樹脂の滴下量がばらついて増加した場合でも、液状樹脂が封止範囲の外側に溢れ出すことを防止する能力が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 プリント配線基板2上に、液状樹脂7の封止範囲を規制する樹脂止め用配線8が半導体チップの周囲にリング状に設けられ、樹脂止め用配線8は、プリント配線基板2上の導体層5と、この導体層5の上面に形成された金属めっき層6とで構成され、樹脂止め用配線8の断面は、金属めっき層6の幅寸法Waに対して、導体層5の幅寸法Wbが狭く形成されており、導体層5が金属めっき層6の外周縁6aから内周側に向かってえぐれている。
【選択図】 図2
【解決手段】 プリント配線基板2上に、液状樹脂7の封止範囲を規制する樹脂止め用配線8が半導体チップの周囲にリング状に設けられ、樹脂止め用配線8は、プリント配線基板2上の導体層5と、この導体層5の上面に形成された金属めっき層6とで構成され、樹脂止め用配線8の断面は、金属めっき層6の幅寸法Waに対して、導体層5の幅寸法Wbが狭く形成されており、導体層5が金属めっき層6の外周縁6aから内周側に向かってえぐれている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、プリント配線基板上に半導体チップを実装する形態において、液状樹脂を滴下することによって封止される半導体装置とその製造方法に関する。
半導体部品の高密度化や半導体パッケージの薄型化などを実現するための手段として、半導体チップを直接プリント配線基板に実装するチップ・オン・ボード(以下COB)工法が知られている。上記COB実装された半導体チップは、液状樹脂を滴下することにより封止され機械的または電気的に保護される。
しかし液状樹脂を半導体チップ上に滴下して封止するにあたり、液状樹脂が広がり過ぎると、半導体チップの露出や、不必要な個所へ樹脂が流出するなどの問題が生じていた。従来、上記問題を解決する手段として、図6に示すように、半導体チップ30の周囲に、液状樹脂31の封止範囲32(広がり領域)を規制するための平面視リング状の樹脂止め用配線33が設けられ、樹脂止め用配線33の外周上端面における液状樹脂31の表面張力を利用して、液状樹脂31が封止範囲32の外側へ溢れ出るのを阻止しつつ、半導体チップ30を被覆する方法が知られている。
上記樹脂止め用配線33は、プリント配線基板のプリント配線と同一材料(一般的にはCu)を用いることができ、図7に示すような工法で作製される。
図7(a)に示すように、プリント配線基板34の半導体チップ実装側の面には、予め導体層35が形成されている。そして、図7(b)に示すように、配線として必要個所にレジストコート36を施し、その後、図7(c)に示すように、エッチングすることで導体層35の不要個所35aを除去し、さらに、図7(d)に示すように、残った導体層35上のレジストコート36を除去する。その後、図7(e)に示すように、残った導体層35の表面に耐食・表面保護を目的として金属メッキを施す。これにより、導体層35の上面と内外両側面とに金属めっき層37が形成され、導体層35と金属めっき層37とで構成されたリング状の樹脂止め用配線33が形成される。
図7(a)に示すように、プリント配線基板34の半導体チップ実装側の面には、予め導体層35が形成されている。そして、図7(b)に示すように、配線として必要個所にレジストコート36を施し、その後、図7(c)に示すように、エッチングすることで導体層35の不要個所35aを除去し、さらに、図7(d)に示すように、残った導体層35上のレジストコート36を除去する。その後、図7(e)に示すように、残った導体層35の表面に耐食・表面保護を目的として金属メッキを施す。これにより、導体層35の上面と内外両側面とに金属めっき層37が形成され、導体層35と金属めっき層37とで構成されたリング状の樹脂止め用配線33が形成される。
上記のような樹脂止め用配線33を用いて、滴下された液状樹脂31の封止範囲32を規制する半導体パッケージとして、例えば下記の特許文献1がある。
しかしながら図7に示した工法によって樹脂止め用配線33が形成されるため、図6に示すように、樹脂止め用配線33の金属めっき層37の外周上端面37aは丸みを帯びた形状になる。これにより、液状樹脂31の表面張力Fa、および、金属めっき層37と液状樹脂31との界面に作用する表面張力Fb、および、金属めっき層37と空気との界面に作用する表面張力Fc、および接触角αはそれぞれ、図8の矢印のように示される。したがって、液状樹脂31の滴下量のばらつき等によって、液状樹脂31の滴下量が増加し、樹脂止め用配線33で堰き止められる液状樹脂31の量が図8に示した状態よりも増加すると、液状樹脂31が、表面張力の限度を越えてしまい、樹脂止め用配線33から外側へ溢れ出してしまうといった問題があった。
特開平10−32373号公報
しかしながら図7に示した工法によって樹脂止め用配線33が形成されるため、図6に示すように、樹脂止め用配線33の金属めっき層37の外周上端面37aは丸みを帯びた形状になる。これにより、液状樹脂31の表面張力Fa、および、金属めっき層37と液状樹脂31との界面に作用する表面張力Fb、および、金属めっき層37と空気との界面に作用する表面張力Fc、および接触角αはそれぞれ、図8の矢印のように示される。したがって、液状樹脂31の滴下量のばらつき等によって、液状樹脂31の滴下量が増加し、樹脂止め用配線33で堰き止められる液状樹脂31の量が図8に示した状態よりも増加すると、液状樹脂31が、表面張力の限度を越えてしまい、樹脂止め用配線33から外側へ溢れ出してしまうといった問題があった。
本発明は、液状樹脂を滴下して半導体チップを封止する際、液状樹脂の滴下量がばらついて増加した場合でも、液状樹脂が封止範囲の外側に溢れ出すことを防止する能力が優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本第1発明は、プリント配線を形成したプリント配線基板上に半導体チップが搭載され、
液状樹脂を半導体チップ上に滴下して封止された半導体装置であって、
上記プリント配線基板上に、液状樹脂の封止範囲を規制する樹脂止め用部材が上記半導体チップの周囲に設けられ、
上記樹脂止め用部材の断面は、上辺部の幅寸法に対して、上辺部よりも下方部分の幅寸法が狭く形成されており、上辺部よりも下方部分が上辺部の外周縁から内周側に向かってえぐれているものである。
液状樹脂を半導体チップ上に滴下して封止された半導体装置であって、
上記プリント配線基板上に、液状樹脂の封止範囲を規制する樹脂止め用部材が上記半導体チップの周囲に設けられ、
上記樹脂止め用部材の断面は、上辺部の幅寸法に対して、上辺部よりも下方部分の幅寸法が狭く形成されており、上辺部よりも下方部分が上辺部の外周縁から内周側に向かってえぐれているものである。
これによると、液状樹脂を滴下し、液状樹脂が樹脂止め用部材まで広がると、液状樹脂と樹脂止め用部材との間で表面張力が働いて、液状樹脂の広がりが止まる。この際、樹脂止め用部材の上辺部よりも下方部分が上辺部の外周縁から内周側に向かってえぐれているため、液状樹脂の表面張力が従来に比べて樹脂止め用部材の外向きに作用し、これにより、従来よりも多量の液状樹脂を樹脂止め用部材で堰き止めることができる。したがって、液状樹脂の滴下量のばらつきが大きく、滴下量が増加した場合でも、液状樹脂が樹脂止め用部材を越えて封止範囲の外側へ溢れ出すことを防止する能力が従来よりも向上する。
本第2発明は、樹脂止め用部材はプリント配線と同一材料かつ同一工程で形成されるものである。
本第3発明は、樹脂止め用部材は、金属レジスト法によって、プリント配線基板上に形成された導体層と、この導体層の上面に形成された金属めっき層とで構成され、
上記金属めっき層には、導体層の材質よりイオン化傾向の低い材質が用いられているものである。
本第3発明は、樹脂止め用部材は、金属レジスト法によって、プリント配線基板上に形成された導体層と、この導体層の上面に形成された金属めっき層とで構成され、
上記金属めっき層には、導体層の材質よりイオン化傾向の低い材質が用いられているものである。
これによると、上辺部よりも下方部分が上辺部の外周縁から内周側に向かってえぐれた形状の樹脂止め用部材を形成することができるため、従来よりも多量の液状樹脂を樹脂止め用部材で堰き止めることができ、液状樹脂の滴下量がばらついて増加した場合でも、液状樹脂が樹脂止め用部材を越えて封止範囲の外側へ溢れ出すことを防止する能力が従来よりも向上する。
本第4発明は、半導体チップとプリント配線とは金属ワイヤー又は金属バンプで電気的に接合されているものである。
これによると、金属ワイヤー又は金属バンプの2種類の電気的接合方法を選択でき、接合方法が1種類に制約されない。
これによると、金属ワイヤー又は金属バンプの2種類の電気的接合方法を選択でき、接合方法が1種類に制約されない。
本第5発明は、上記第1発明に記載の半導体装置の製造方法であって、半導体チップをプリント配線基板の搭載部に固着させるダイボンド工程と、
半導体チップの入出力用の各接続端子とプリント配線基板のプリント配線とを金属ワイヤーで電気的に接続させるワイヤーボンド工程と、
半導体チップと金属ワイヤーとプリント配線とを液状樹脂で封止する封止工程とからなるものである。
半導体チップの入出力用の各接続端子とプリント配線基板のプリント配線とを金属ワイヤーで電気的に接続させるワイヤーボンド工程と、
半導体チップと金属ワイヤーとプリント配線とを液状樹脂で封止する封止工程とからなるものである。
本第6発明は、上記第1発明に記載の半導体装置の製造方法であって、半導体チップをプリント配線基板の搭載部に固着させるダイボンド工程と、
半導体チップの入出力用の各接続端子とプリント配線基板のプリント配線とを金属バンプで電気的に接続させるフリップチップ工程と、
半導体チップと金属バンプとプリント配線とを液状樹脂で封止する封止工程とからなるものである。
半導体チップの入出力用の各接続端子とプリント配線基板のプリント配線とを金属バンプで電気的に接続させるフリップチップ工程と、
半導体チップと金属バンプとプリント配線とを液状樹脂で封止する封止工程とからなるものである。
本発明によれば、液状樹脂の滴下量がばらついて増加した場合でも、液状樹脂が樹脂止め用部材を越えて封止範囲の外側へ溢れ出すことを防止する能力が従来よりも向上する。
以下に、本発明における第1の実施の形態を図1〜図3に基づいて説明する。
図1(a)は本発明における半導体装置の主要部分を表す平面図であり、半導体チップ1がプリント配線基板2の所定の位置に固着剤(図示せず)により固定されている。半導体チップ1は電気信号の入出力用接続端子1aを複数有しており、また、プリント配線基板2には、外部接続用配線3(プリント配線の一例)が複数設けられている。上記各入出力用接続端子1aと各外部接続用配線3とは金属ワイヤー4を介して電気的に接続されている。尚、上記外部接続用配線3は、プリント配線基板2上に形成された導体層5と、この導体層5の上面に形成された金属めっき層6とで構成されており、スルーホール3aを介してプリント配線基板2の他の層もしくは裏面側(すなわち半導体チップ実装面とは反対側の面)に接続されている。上記半導体チップ1と外部接続用配線3と金属ワイヤー4とは液状樹脂7によって封止されている。
図1(a)は本発明における半導体装置の主要部分を表す平面図であり、半導体チップ1がプリント配線基板2の所定の位置に固着剤(図示せず)により固定されている。半導体チップ1は電気信号の入出力用接続端子1aを複数有しており、また、プリント配線基板2には、外部接続用配線3(プリント配線の一例)が複数設けられている。上記各入出力用接続端子1aと各外部接続用配線3とは金属ワイヤー4を介して電気的に接続されている。尚、上記外部接続用配線3は、プリント配線基板2上に形成された導体層5と、この導体層5の上面に形成された金属めっき層6とで構成されており、スルーホール3aを介してプリント配線基板2の他の層もしくは裏面側(すなわち半導体チップ実装面とは反対側の面)に接続されている。上記半導体チップ1と外部接続用配線3と金属ワイヤー4とは液状樹脂7によって封止されている。
プリント配線基板2上には、上記液状樹脂7の封止範囲14を規制する樹脂止め用配線8(樹脂止め用部材の一例)が設けられている。この樹脂止め用配線8は、半導体チップ1の周囲を取り囲むように、平面視において円形のリング状に形成されている。また、上記樹脂止め用配線8は、上記外部接続用配線3と同様に、導体層5と、この導体層5の上面に形成された金属めっき層6とで構成されている。上記金属めっき層6には、導体層5の材質よりイオン化傾向の低い材質が用いられている。尚、上記外部接続用配線3と樹脂止め用配線8とは、プリント配線基板2の作製時に前もって形成され、同一材質且つ同一工程で形成されている。
図2に示すように、上記樹脂止め用配線8の断面は、上辺部に相当する金属めっき層6の幅寸法Waに対して、上辺部より下方部分に相当する導体層5の幅寸法Wbが狭くなる(Wa>Wb)ように形成されており、上記導体層5が金属めっき層6の外周縁6aから内周側に向かってえぐれている。これにより、金属めっき層6の外周面と導体層5の外周面との間には、幅方向の段差9が形成され、樹脂止め用配線8の上端外周縁6aが外側へ突出した形状となり、導体層5の外周面の上部には、上端外周縁6aから連続する傾斜面12が形成されている。尚、図2(b)に示すように、上記樹脂止め用配線8の上端面に対する傾斜面12の傾斜角度θは鋭角である。また、樹脂止め用配線8の上端内周縁6bも、上端外周縁6aと同様な形状を有する。
次に、樹脂止め用配線8の形成方法を図3に示す。
図3(a)に示すように、プリント配線基板2上には、予め導体層5が形成されている。次に、図3(b)に示すように、導体層5のうち不必要個所にレジストコート10を施した後、図3(c)に示すように、必要個所のみに金属めっき層6を形成する。さらに、図3(d)に示すように、レジストコート10を除去する。そして、最後に図3(e)に示すように、エッチング処理を施すことで導体層5の不要個所5aを除去する。この際、上記金属めっき層6には、導体層5の材質よりイオン化傾向の低い材質が用いられているため、導体層5は金属メッキ層6より深く削られ、これにより、導体層5がえぐられて、金属めっき層6の外周面と導体層5の外周面との間および金属めっき層6の内周面と導体層5の内周面との間にそれぞれ段差9が形成される。尚、一般的には、導体層5の材質にCuが用いられ、金属メッキ層6の材質にNiが用いられている。また、必要に応じて、金属めっき層6の表面にAuなどのめっき(図示せず)が施される。
図3(a)に示すように、プリント配線基板2上には、予め導体層5が形成されている。次に、図3(b)に示すように、導体層5のうち不必要個所にレジストコート10を施した後、図3(c)に示すように、必要個所のみに金属めっき層6を形成する。さらに、図3(d)に示すように、レジストコート10を除去する。そして、最後に図3(e)に示すように、エッチング処理を施すことで導体層5の不要個所5aを除去する。この際、上記金属めっき層6には、導体層5の材質よりイオン化傾向の低い材質が用いられているため、導体層5は金属メッキ層6より深く削られ、これにより、導体層5がえぐられて、金属めっき層6の外周面と導体層5の外周面との間および金属めっき層6の内周面と導体層5の内周面との間にそれぞれ段差9が形成される。尚、一般的には、導体層5の材質にCuが用いられ、金属メッキ層6の材質にNiが用いられている。また、必要に応じて、金属めっき層6の表面にAuなどのめっき(図示せず)が施される。
次に、半導体装置の製造方法を説明する。
先ず、ダイボンド工程において、半導体チップ1をプリント配線基板2の搭載部に固着させる。次に、ワイヤーボンド工程において、半導体チップ1の各入出力用接続端子1aとプリント配線基板2の各外部接続用配線3とを金属ワイヤー4で電気的に接続する。その後、封止工程において、液状樹脂7を半導体チップ1上に滴下して、半導体チップ1と外部接続用配線3と金属ワイヤー4とを液状樹脂7によって封止する。
先ず、ダイボンド工程において、半導体チップ1をプリント配線基板2の搭載部に固着させる。次に、ワイヤーボンド工程において、半導体チップ1の各入出力用接続端子1aとプリント配線基板2の各外部接続用配線3とを金属ワイヤー4で電気的に接続する。その後、封止工程において、液状樹脂7を半導体チップ1上に滴下して、半導体チップ1と外部接続用配線3と金属ワイヤー4とを液状樹脂7によって封止する。
上記封止工程の際、図2に示すように、液状樹脂7が樹脂止め用配線8まで広がると、液状樹脂7と樹脂止め用配線8との間で表面張力が働いて、液状樹脂7の広がりが止まる。この際、樹脂止め用配線8の導体層5が金属めっき層6の外周縁6aから内周側に向かってえぐれているため、液状樹脂7の表面張力Fa、および、金属めっき層6と液状樹脂7との界面に作用する表面張力Fb、および、金属めっき層6と空気との界面に作用する表面張力Fc、および接触角αはそれぞれ、図2(c)の矢印のように示される。図2(c)のように、液状樹脂7の表面張力Faが従来(図8参照)に比べて樹脂止め用配線8の外向きに作用し、これによって、従来よりも多量の液状樹脂7を樹脂止め用配線8で堰き止めることができる。したがって、液状樹脂7の滴下量のばらつきが大きく、滴下量が増加した場合でも、液状樹脂7が樹脂止め用配線8を越えて封止範囲14の外側へ溢れ出すことを防止する能力が従来よりも向上する。
上記封止工程後、高温雰囲気中で液状樹脂7を硬化させることで、半導体チップ1と外部接続用配線3と金属ワイヤー4との保護が完全なものとなる。その後、必要に応じてプリント配線基板2の分割やマーキングなどの工程を経て半導体装置が形成される。
上記第1の実施の形態では、半導体装置を製造する際、ワイヤーボンド工程を実施しているが、ワイヤーボンド工程の代わりに、半導体チップ1の各入出力用接続端子1aとプリント配線基板2の各外部接続用配線3とを金属バンプ(図示せず)を用いて電気的に接続するフリップチップ工程を実施してもよい。或いは、金属バンプ以外に、ACFなどの導電シート(図示せず)などを用いてもよい。このように入出力用接続端子1aと外部接続用配線3との接続方法が1種類に制約されないため、上記接続方法を任意に選択できる。
上記第1の実施の形態では、図1(a)に示すように、樹脂止め用配線8を平面視において円形のリング状に形成しているが、円形に限定されるものではなく、例えば、第2の実施の形態として、図4に示すように、樹脂止め用配線8を平面視において四角形の枠状に形成してもよい。
上記第1の実施の形態では、図2に示すように、導体層5の外周面の上部に、上端外周縁6aから連続する傾斜面12を形成したが、第3の実施の形態として、図5に示すように、上記傾斜面12を形成せず、上端外周縁6aに対して導体層5の外周面の上部を直交させてもよい。
本発明における半導体装置は、液状樹脂の粘度や滴下量のばらつきによる影響を極力廃して、封止範囲の規制を容易に行うことができるため、COBパッケージなど液状樹脂を滴下して半導体チップを被覆する工法において有用である。
1 半導体チップ
1a 入出力用接続端子
2 プリント配線基板
3 外部接続用配線(プリント配線)
4 金属ワイヤー4
5 導体層
6 金属めっき層
6a 外周縁
7 液状樹脂
8 樹脂止め用配線(樹脂止め用部材)
14 封止範囲
Wa,Wb 幅寸法
1a 入出力用接続端子
2 プリント配線基板
3 外部接続用配線(プリント配線)
4 金属ワイヤー4
5 導体層
6 金属めっき層
6a 外周縁
7 液状樹脂
8 樹脂止め用配線(樹脂止め用部材)
14 封止範囲
Wa,Wb 幅寸法
Claims (6)
- プリント配線を形成したプリント配線基板上に半導体チップが搭載され、
液状樹脂を半導体チップ上に滴下して封止された半導体装置であって、
上記プリント配線基板上に、液状樹脂の封止範囲を規制する樹脂止め用部材が上記半導体チップの周囲に設けられ、
上記樹脂止め用部材の断面は、上辺部の幅寸法に対して、上辺部よりも下方部分の幅寸法が狭く形成されており、上辺部よりも下方部分が上辺部の外周縁から内周側に向かってえぐれていることを特徴とする半導体装置。 - 樹脂止め用部材はプリント配線と同一材料かつ同一工程で形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 樹脂止め用部材は、金属レジスト法によって、プリント配線基板上に形成された導体層と、この導体層の上面に形成された金属めっき層とで構成され、
上記金属めっき層には、導体層の材質よりイオン化傾向の低い材質が用いられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体装置。 - 半導体チップとプリント配線とは金属ワイヤー又は金属バンプで電気的に接合されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
半導体チップをプリント配線基板の搭載部に固着させるダイボンド工程と、
半導体チップの入出力用の各接続端子とプリント配線基板のプリント配線とを金属ワイヤーで電気的に接続させるワイヤーボンド工程と、
半導体チップと金属ワイヤーとプリント配線とを液状樹脂で封止する封止工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
半導体チップをプリント配線基板の搭載部に固着させるダイボンド工程と、
半導体チップの入出力用の各接続端子とプリント配線基板のプリント配線とを金属バンプで電気的に接続させるフリップチップ工程と、
半導体チップと金属バンプとプリント配線とを液状樹脂で封止する封止工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2014072414A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
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2004
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