JP2006047095A - 成分分離素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成分分離用の泳動溝11が形成された断面凹状体中に、高さの異なるピラー12をそれぞれ一定の間隔で設け、断面凹状体とピラー12を全てSiO2で形成する。
【選択図】 図1−2
Description
2、4、6、8 ピラー形成用マスク
3、5、7、9 SiO2
10 溝形成用マスク
11 泳動溝
12 ピラー
100 溝深さ
101、102、103、104 領域
Claims (5)
- 泳動溝が流路方向に連続的に形成された断面凹状体内にアスペクト比の異なるピラーを2種類以上形成して流路断面中で疎領域、密領域を設け、被分析物を電気泳動させて該被分析物の成分を分離する成分分離素子において、前記ピラー及び前記断面凹状体をSiO2で形成したことを特徴とする成分分離素子。
- 前記断面凹状体と前記ピラーとが一体的に形成されていることを特徴とする請求項1記載の成分分離素子。
- SiO2を堆積した基板上に、ピラー形成用ドライエッチマスク材料を堆積する工程と、該ピラー形成用ドライエッチマスクをピラーの平面形状にパターニングする工程と、該ピラー形成用ドライエッチングマスク上にSiO2を更に堆積する工程と、該SiO2表面に溝加工用ドライエッチマスク材料を堆積する工程と、該溝加工用ドライエッチマスクをパターニングする工程と、該溝加工用マスクをエッチングマスクとして前記ピラー形成用マスクの位置よりも深い位置までSiO2をエッチングする工程とを備えることを特徴とする成分分離素子の製造方法。
- 前記溝加工用ドライエッチマスク材料を堆積する工程の前に、前記ピラー形成用ドライエッチマスクを堆積する工程と、該ピラー形成用ドライエッチマスクをピラーの平面形状にパターニングする工程と、該ピラー形成用ドライエッチングマスク上にSiO2を更に堆積する工程とを所定回数繰り返すことを特徴とする請求項3記載の成分分離素子の製造方法。
- 前記ピラー形成用ドライエッチマスクのパターニング及び前記溝加工用ドライエッチマスクのパターニングは、フォトリソグラフィ法または電子ビーム描画法とドライエッチング法またはウェットエッチング法を組み合わせて行うことを特徴とする請求項3記載の成分分離素子の製造方法。
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