JP2006024694A - 基板研磨方法および基板研磨装置 - Google Patents
基板研磨方法および基板研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006024694A JP2006024694A JP2004200651A JP2004200651A JP2006024694A JP 2006024694 A JP2006024694 A JP 2006024694A JP 2004200651 A JP2004200651 A JP 2004200651A JP 2004200651 A JP2004200651 A JP 2004200651A JP 2006024694 A JP2006024694 A JP 2006024694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- polishing
- film thickness
- film
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】基板研磨装置では、膜厚測定部にて基板の表面に形成された膜の厚さを測定して第1膜厚が取得され(ステップS12)、研磨部にて基板が所定の初期研磨時間だけ研磨される(ステップS13)。初期研磨時間の研磨が終了すると、基板の膜の第2膜厚が取得され(ステップS14)、第1膜厚、第2膜厚および初期研磨時間から研磨レートが導かれる(ステップS15)。研磨レートは補正係数を用いて補正され(ステップS16)、第2膜厚と目標膜厚との差と、補正後の研磨レートとに基づいて追加研磨時間が求められる(ステップS17)。そして、追加研磨時間だけ基板がさらに研磨される(ステップS18)。これにより、基板の表面に形成された膜を目標膜厚まで精度よく研磨することができる。
【選択図】図3
Description
3 膜厚測定部
4 全体制御部
5 研磨部
9 基板
S12〜S21 ステップ
Claims (5)
- 基板を研磨する基板研磨方法であって、
基板の表面に形成された膜の厚さを測定して第1の膜厚を取得する第1測定工程と、
前記基板を所定の時間だけ研磨する第1研磨工程と、
前記第1研磨工程後の前記膜の第2の膜厚を取得する第2測定工程と、
前記第1の膜厚、前記第2の膜厚および前記所定の時間から導かれる研磨レートと、前記第2の膜厚と目標膜厚との差とに基づいて追加研磨時間を求める工程と、
前記基板を前記追加研磨時間だけさらに研磨する第2研磨工程と、
を備えることを特徴とする基板研磨方法。 - 請求項1に記載の基板研磨方法であって、
前記追加研磨時間を求める工程において、前記研磨レートが補正係数を用いて補正されることを特徴とする基板研磨方法。 - 請求項2に記載の基板研磨方法であって、
前記第2研磨工程後の前記膜の第3の膜厚を取得する第3測定工程と、
前記第2の膜厚、前記第3の膜厚および前記目標膜厚に基づいて前記補正係数を修正する工程と、
もう1つの基板に対して、前記第1測定工程から前記修正する工程までを繰り返す工程と、
をさらに備えることを特徴とする基板研磨方法。 - 請求項3に記載の基板研磨方法であって、
前記補正係数を修正する工程において、前記第2の膜厚と前記第3の膜厚との差を前記第2の膜厚と前記目標膜厚との差にて除算して得た値を前記補正係数に乗じることにより前記補正係数が修正されることを特徴とする基板研磨方法。 - 基板を研磨する基板研磨装置であって、
基板を研磨する研磨部と、
基板の表面に形成された膜の厚さを測定して膜厚を取得する膜厚測定部と、
研磨前の基板の表面に形成された膜の第1の膜厚、前記研磨部にて所定の時間だけ研磨した後の前記膜の第2の膜厚および前記所定の時間から導かれる研磨レートと、前記第2の膜厚と目標膜厚との差とに基づいて求められる追加研磨時間だけ、前記研磨部にて前記基板をさらに研磨させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004200651A JP4408244B2 (ja) | 2004-07-07 | 2004-07-07 | 基板研磨方法および基板研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004200651A JP4408244B2 (ja) | 2004-07-07 | 2004-07-07 | 基板研磨方法および基板研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006024694A true JP2006024694A (ja) | 2006-01-26 |
JP4408244B2 JP4408244B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=35797763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004200651A Expired - Fee Related JP4408244B2 (ja) | 2004-07-07 | 2004-07-07 | 基板研磨方法および基板研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4408244B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047574A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および製造システム |
JP2010042454A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
JP2015053349A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
KR20150066685A (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 방법 및 장치 |
CN110071041A (zh) * | 2018-01-22 | 2019-07-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 浅沟槽隔离结构的制备方法、化学机械研磨方法及系统 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10294300A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨方法及び装置 |
JPH11186204A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Nec Corp | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
JPH11267968A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 |
JP2001332713A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 光電変換装置の製造方法 |
JP2004079728A (ja) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体集積回路の生産方法 |
JP2004311549A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | Cmp研磨方法、cmp装置、半導体装置及びその製造方法 |
JP2005052906A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Seiko Epson Corp | 研磨装置、研磨方法、研磨時間算出方法および半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-07-07 JP JP2004200651A patent/JP4408244B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10294300A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨方法及び装置 |
JPH11186204A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Nec Corp | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
JPH11267968A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨盤 |
JP2001332713A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 光電変換装置の製造方法 |
JP2004079728A (ja) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体集積回路の生産方法 |
JP2004311549A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | Cmp研磨方法、cmp装置、半導体装置及びその製造方法 |
JP2005052906A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Seiko Epson Corp | 研磨装置、研磨方法、研磨時間算出方法および半導体装置の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047574A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および製造システム |
JP2010042454A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
JP2015053349A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
KR20150066685A (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 방법 및 장치 |
KR102203419B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2021-01-15 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 방법 및 장치 |
CN110071041A (zh) * | 2018-01-22 | 2019-07-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 浅沟槽隔离结构的制备方法、化学机械研磨方法及系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4408244B2 (ja) | 2010-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100465929B1 (ko) | 연마상황 모니터링 방법, 연마상황 모니터링 장치,연마장치, 프로세스 웨이퍼, 반도체 디바이스 제조방법 및반도체 디바이스 | |
JP5654753B2 (ja) | スペクトルを使用した研磨終了点の決定 | |
KR100386793B1 (ko) | 박막의 막두께 계측 방법 및 그 장치 및 이를 이용한 박막디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치 | |
WO2015163164A1 (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
JP3932836B2 (ja) | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2004006692A (ja) | 化学機械的研磨装置およびその制御方法 | |
JP6017538B2 (ja) | 環境の影響の変動を伴う基準スペクトルの構築 | |
JP4460659B2 (ja) | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置 | |
JP5790644B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2011520264A (ja) | 複数のスペクトルを使用する化学機械研磨での終点検出 | |
TW201501862A (zh) | 研磨裝置及研磨狀態監視方法 | |
JP2000326220A (ja) | 異なる波長の光線を用いた終点検出 | |
JP2004012302A (ja) | 膜厚分布計測方法及びその装置 | |
JP2009283716A (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP2013219248A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
WO2002047141A1 (fr) | Procede de surveillance d'un polissage et dispositif associe, dispositif de polissage, procede de production de dispositif a semi-conducteur, et dispositif a semi-conducteur | |
JP4408244B2 (ja) | 基板研磨方法および基板研磨装置 | |
JP2005311246A (ja) | 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法 | |
JP3910032B2 (ja) | 基板現像装置 | |
TWI257642B (en) | Method and system for optimizing parameter value in exposure apparatus, and exposure apparatus and method | |
JP2001021317A (ja) | 測定方法及び測定装置及び研磨方法及び研磨装置 | |
JP2006201162A (ja) | 光学測定システムの波長較正のための方法 | |
JP2003168667A (ja) | ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置 | |
JP2003168666A (ja) | 膜層状態測定方法、膜層状態測定装置、研磨装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP3926207B2 (ja) | エッチング量の測定方法および測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |