JP2005535119A - 半導体デバイス製造過程におけるパターンの変形とフォトマスクの汚染の抑制方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかしながら、窒素をドーピングすると、新たな問題が生じ、この問題は、デバイスの寸法が小さくなるにつれて一層深刻なものとなる。その一つとして、アモルファスカーボン層からの窒素によってフォトレジストマスクが汚染されてしまうという問題が挙げられる。この汚染は、SiONデポジションの際にランダムに生じる、SiON層のピンホールによって引き起こされる。このピンホールはSiONの層内に、部分的に穴を開けるか、あるいはSiON層を完全に貫通している。そのため、アモルファスカーボンにドーピングした窒素がフォトマスク中に拡散してしまう。汚染されたフォトマスクは現行の技術を用いても取り除くことは難しいため、フォトマスクとしての質が下がってしまう。この汚染の問題は、SiONの層が薄くなればなるほど深刻化する。
本発明の好適な一形態によれば、ハードマスクは、ドーピングされたアモルファスカーボンとドーピングされていないアモルファスカーボンとが交互に形成されるようになっている。ドーピングされていないアモルファスカーボン層は、ドーピングされたアモルファスカーボン層内の圧縮力の効力を抑制して剥離を防ぐバッファ層として作用する。このスタックには、トップキャッピング剤層が設けられている。このキャッピング材層の下方には、好適には、フォトレジストによる汚染を抑制するように、ドーピングされていないアモルファスカーボンが設けられる。
図3aの構造は、MOSFETのドレイン及びソース領域を形成するフィールド酸化膜4を有する、半導体基板2を有している。例えば二酸化ケイ素のようなゲート絶縁層6と、例えばドーピングされたポリシリコンのようなゲート導電層8とが、基板上に形成されており、MOSFETのゲートラインとゲート絶縁層を形成するようパターニングされることになる。ゲート導電層8上には、下層のポリシリコンと接触して形成されたアモルファスカーボン部が形成されている。このアモルファスカーボンの部位は、ポリシリコンに対するエッチング選択性を高めるよう窒素などのドーパントを含んだ、ドーピングされたアモルファスカーボンからなる層22と、エッチング選択性を向上させるためのドーパントを持たないドーピングされていないアモルファスカーボンからなる層20と、のそれぞれ別個の層を含んでいる。ハードマスクスタックであるアモルファスカーボン上には、SiON、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素などからなるキャッピング層12が形成されている。また、ゲートラインのパターンを決定するフォトレジストマスク14が、キャッピング層12の上に設けられている。ハードマスクスタック全体の高さは、約500Å程度が望ましい。
さらに、図3a、図3bの構成に代えて、ドーピングされていない層とドーピングされている層が多数重なった構造を用いることもできる。この場合、これらの層の順番を変えてもよく、例えばドーピングされた層を下層のポリシリコン上に形成されるようにしてもよい。また、他の実施形態として、キャッピング層に過酸化ケイ素や過窒化ケイ素を用いることもできる。また、さらなる実施形態として、このようなハードマスクスタックは、金属配線の層など他のエッチングされる物質上に形成されてもよいし、接点やインターコネクトなどの、他のタイプのパターン構造を形成するために用いてもよい。
次に、ハードマスクスタックの上にフォトレジストマスクを形成する(34)。フォトレジストマスクのマスクはフォトレジストトリミングプロセスによってトリミング。そして、フォトレジストマスクを最初のエッチマスクとして、ハードマスクスタックの下層物質(36)をパターニングしてハードマスクを形成するよう、エッチングする。
更に、上層のパターニングや、ハードマスクの除去等のプロセスを実行することも可能である。
図5の構造は、MOSFETのドレイン及びソース領域を形成する酸化された領域4を有する、半導体基板2を含んでいる。例えば二酸化ケイ素のようなゲート絶縁層6と、例えばドーピングされたポリシリコンのようなゲート導電層8が、基板上に形成されている。ゲート導電層8は、MOSFETのゲートラインを形成するようパターニングされる。ハードマスクスタック上には、ゲート導電層8が形成されており、このゲート導電層8は、アモルファスカーボンからなる層40と、SiON、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素などからなるキャッピング材層42と、が交互に形成されたものとなっている。アモルファスカーボンは、ドーピングされていても、されていなくてもどちらでもよい。ゲートのパターンを形成するフォトレジストマスク14が、キャッピング材層上に設けられている。ハードマスクスタック全体の高さは、約500Å程度が望ましい。キャッピング材層の高さは、20〜50Åが望ましい。
灰化によるハードマスクの除去を可能とするように、アモルファスカーボンの層をハードマスクスタックの最下層として形成し、また、ドーピングされていないアモルファスカーボンの層をハードマスクスタックの最上層としてフォトマスクの汚染を抑制することが望ましい。しかし、他の実施形態では、最下層がキャッピング層であったり、最上層がドーピングされているアモルファスカーボンの層であったり、ハードマスクスタックを構成するいくつかのキャッピング材層が異なる物質からできていてもよい。またさらに、このようなハードマスクスタックは、金属配線の層など他のエッチングされる物質上に形成されてもよいし、接点やインターコネクトなどの、他のタイプのパターン構造を形成するために用いてもよい。
更に、このような下層にある材料のパターニングや、ハードマスクスタックの除去等のプロセスを実行することも可能である。
以上、本発明を好適実施形態を用いて説明したが、当業者であれば、実装、動作条件及び構成において種々の変形が可能であり、これらは、添付したクレームによってのみ限定される本発明の趣旨及び範囲内のものであることが理解されよう。
Claims (10)
- 上層材(8)を含む基板を用意するステップを有し、
前記上層材(8)上にハードマスクスタックを形成するステップを有し、前記ハードマスクスタックは、前記上層材(8)に接っするよう形成されたアモルファスカーボン部と、このアモルファスカーボン部上に形成されたキャッピング層とを備え、前記アモルファスカーボン部は、ドーピングされてエッチング選択性を強めるようにドーパントを含んだアモルファスカーボン層(22)と、実質的に前記ドーパントを含まないドーピングされていないアモルファスカーボン層(20)と、が交互に形成された層を有するものであり、
前記ハードマスクスタック上フォトマスク(14)を形成し、
前記フォトレジストマスク(14)を初期エッチマスクとして用いて、前記上層材をパターニングするために、前記ハードマスクスタックをエッチングする、
半導体デバイスの製造方法。 - 前記ハードマスクスタックを用いて前記上層(8)をパターニングし、
前記ハードマスクスタックを灰化によって除去する、
請求項1記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記フォトレジストマスクの形成では、
前記キャッピング層上にフォトマスクのパターンを形成し、
前記フォトマスクのパターンをトリミングする、
請求項1記載の半導体デバイスの製造方法。 - 上層材(8)を含む基板と、
前記上層材(8)上に形成されたハードマスクスタックと、を有し、前記ハードマスクスタックは、前記上層材に接っするよう形成されたアモルファスカーボン部と、前記アモルファスカーボン部上に形成されたキャッピング層と、を有し、前記アモルファスカーボン部は、ドーピングされてエッチング選択性を強めるようにドーパントを含んだアモルファスカーボン層(22)と、実質的に前記ドーパントを含まないドーピングされていないアモルファスカーボン層(20)と、が交互に形成された層を有するものである、
半導体デバイスの製造時に形成される構造。 - 前記ハードマスクの前記アモルファスカーボン部は、
前記上層材(8)上に形成されたドーピングされていないアモルファスカーボン(20)最下層と、
前記キャッピング層12に接して形成されたドーピングされていないアモルファスカーボン層(20)最上層と、
前記ドーピングされていないアモルファスカーボンの最上層(20)と最下層最下層との間の少なくとも一つのドーピングされたアモルファスカーボン(22)層と、を有する、
請求項4記載の構造。 - 上層材(8)を含む基板を用意するステップを有し、
前記上層材(8)上にハードマスクスタクを形成するステップを有し、前記ハードマスクスタックは、キャッピング材(42)とアモルファスカーボン(40)とが交互に形成された層を有し、この交互に形成された層は、キャッピング上層(42)とキャッピング下層(42)と、を少なくとも有し、かつ、前記キャッピング上層材(42)と前記キャッピング下層材(42)との間に形成された少なくとも一つのアモルファスカーボン層(40)を有するものであり、
前記ハードマスクスタック上にフォトレジストマスク(14)を形成するステップを有し、
前記上層材(8)のパターニングのためのハードマスクを形成するように、前記フォトレジストマスク(14)を初期エッチマスクとして用いて、前記ハードマスクスタックをエッチングするステップを有する、
半導体デバイスの製造方法。 - 前記ハードマスクスタックは、更に、前記上層材(8)上に形成されたアモルファスカーボン下層(40)を有し、前記キャッピング下層材(42)は、前記アモルファスカーボン下層(40)上に形成されており、
前記ハードマスクを用いて前記上層材(8)をパターニングし、
前記上層材(8)から、灰化プロセスによって前記ハードマスクを除去する、請求項6記載の方法。 - 前記アモルファスカーボン下層(40)は、前記上層(8)に対するエッチング選択性を強めるためのドーパントを含む、請求項6記載の方法。
- 上層材(8)を含む基板と、
前記上層材上に形成されたハードマスクスタックと、を有し、前記ハードマスクスタックは、キャッピング材(42)とアモルファスカーボン(40)とが交互に形成された層を有し、この交互に形成された層は、キャッピング上層(42)とキャッピング下層(42)と、を少なくとも有し、かつ、前記キャッピング上層材(42)と前記キャッピング下層材(42)との間に形成された少なくとも一つのアモルファスカーボン層(40)を有するものである、
半導体デバイスの製造時に形成される構造。 - 前記ハードマスクは、
前記上層材(8)上に形成されたアモルファスカーボン下層(40)を有し、前記キャッピング下層材(42)は、前記アモルファスカーボン下層(40)上に形成されており、
前記アモルファスカーボン下層(40)は、前記上層材(8)に対するエッチング選択性を向上させるようにドーパントを含む、請求項9記載の構造。
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