JP2005534595A - 硫酸とフッ化水素酸を含む研磨浴におけるガラス物品研磨の際のヘキサフルオロケイ酸塩の濃度を減少させ制御するプロセス - Google Patents
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Abstract
本発明は、硫酸とフッ化水素酸を含む研磨浴でガラス物体を研磨するときに生ずるヘキサフルオロケイ酸イオンの濃度を減少させ制御する方法に関する。フッ化カリウム、硫酸カリウム、フッ化ナトリウム、硫酸ナトリウム、または硫酸アルミニウムが研磨浴または硫酸洗浄浴に、フッ素イオンの濃度が最適作業範囲よりも低く低下することを避けるような量で加えられる。
Description
本発明は、硫酸とフッ化水素酸を含む研磨浴におけるガラス物品の研磨の際に形成されるヘキサフルオロケイ酸塩の濃度を減少させ制御するプロセスであって、フッ化カリウム、硫酸カリウム、フッ化ナトリウム、硫酸ナトリウム、または硫酸アルミニウムが、フッ素イオンの濃度が最適作用範囲よりも低下するのを回避するような量で、研磨浴または硫酸洗浄浴に加えられることを特徴とするプロセスに関する。
硫酸とフッ化水素酸を含む研磨浴を用いて、化学的手段によってガラス物品を研磨することは公知である。酸研磨の際にガラス成分との反応が起こる結果として、ガラスに含まれる陽イオンの硫酸塩、フッ化物、およびシリコン・フッ化物から実質的に構成される塩の層がガラス表面に形成される。この塩の層は、その後の洗浄プロセスで除去して残りの研磨プロセス妨げないようにしなければならない。
ガラスは、通常、約45−60%の硫酸と2.5−5%のフッ化水素酸を含む酸研磨浴に浸され、次に表面に生ずる塩の層が水浴で、または好ましくは硫酸洗浄浴で、ガラスの粗研磨された(groud)表面または生の表面から洗い落とされる。
例えば、粗研磨された(ground)表面は一般に研磨プロセスの始めには非常に粗いので、研磨浴に浸す時間として、最初は非常に短い時間、例えば、5−15秒、を選ばなければならないが、その後の浸漬操作で塩の層を洗い落とす毎にこの時間を伸ばすことができる。
このように、研磨浴と洗浄浴での多数回の交替処理がガラス物品の完全な研磨作業には必要であり、それがプロセスの効率に影響を及ぼす。このような研磨プロセスの経済効率にとっては、酸、特にフッ化水素酸、の高い消費量、並びに低い除去速度、すなわち、長い研磨時間、および研磨浴の中身を更新または再生するまでの研磨浴の短い使用能力、も重荷になっている。
EP 0 106 301から、研磨浴にフッ化水素酸よりも強い非酸化性の酸、例えば、酒石酸などを加えて、研磨プロセスの効率を高めるやり方が知られている。これは具体的には、研磨浴におけるフッ素イオンおよびオプションとして硫酸イオンの濃度が、対応する酸の解離が抑制されるために、低く抑えられることによって起こる。フッ化水素酸の解離は、HF濃度を維持しながら研磨浴におけるガラスの滞留時間を二倍〜三倍にすることができる程度まで抑制できる。もしも例えば、酒石酸の代わりにシュウ酸を選んでHFイオン濃度をコントロールしようとすると、シュウ酸の解離定数は硫酸の第二ステージの解離定数よりも高いので、HFイオンの濃度だけでなく、硫酸イオンの濃度もコントロールされる。いろいろなガラス成分の研磨におけるシュウ酸の利用の範囲はこれによって制限される。フッ化水素酸よりも強く解離される、例えば、リン酸やその他の酸の利用は、分析検出の難しさとそれに要する時間のために不可能だった。
研磨プロセスで、かなりの量の四フッ化ケイ素(SiF4)がガラス表面の溶解によって生じ、それはまず過剰に存在するフッ化水素酸によってヘキサフルオロケイ酸(H2SiF6)として研磨浴に溶解し、少量がガラスに含まれるアルカリ(カリウム7−13%、ナトリウム3−5%)の同時転換によってとして沈殿する。
過剰な四フッ化ケイ素は、ヘキサフルオロケイ酸を形成することによって研磨浴からフッ化水素酸を除去し、研磨浴と洗浄浴に溶解して、何回化の研磨サイクルの過程でそれらの浴で濃縮される。ヘキサフルオロケイ酸はフッ化水素酸よりも強く解離するのでこれらの浴を長時間使用しているとフッ素イオンの比率が低下してガラス表面の均一な侵食がもはや起こらなくなる。フッ化水素酸の比率はもはや増加できないので、研磨の速度はシフト(shift)の過程でかなり低下する。
近年、亜鉛を含む鉛クリスタル・ガラスが多く生産されるようになってきたため、研磨速度のさらなる著しい減少が観測されている。浴に溶解する亜鉛の比率と共に、ヘキサフルオロケイ酸亜鉛は浴に非常に良く溶解するため、ヘキサフルオロケイ酸イオンの比率も同時に増加する。これはフッ素イオンの比率の減少に、したがって、研磨速度の低下に導く。
ヘキサフルオロケイ酸イオンの濃縮は、特に、研磨浴の体積に対する表面の比率、排気速度、および研磨浴と洗浄浴表面上の圧力低下、に強く依存する。
約8時間の作用時間の後に、従来技術では一般に、塩とヘキサフルオロケイ酸塩の強い濃縮のために研磨作業を中断し、研磨浴の温度でまだ沈澱していないヘキサフルオロケイ酸カリウムおよび/又はナトリウムを、冷却した後に分離しなければならない。
本発明の目的は、したがって、硫酸とフッ化水素酸を含む研磨浴においてガラス物品を研磨するさいのヘキサフルオロケイ酸の濃度を減少させ制御するプロセスであって、高い除去速度を示し、研磨浴の使用可能時間を延長できるプロセスを提供することである。本発明の別の目的は、研磨浴および硫酸洗浄浴の効率を高めると共に、硫酸とフッ化水素酸および特別な洗浄手段の消費をできるだけ低く抑えることである。特に、本発明によるプロセスは亜鉛およびマグネシウムを含むガラスの研磨に適する。
この目的は本発明によって、フッ化カリウムまたはナトリウム、および/又は硫酸カリウムまたはナトリウムを研磨浴および/又は硫酸洗浄浴に加えることにより達成される。これらの塩を加えることによって、研磨プロセスの際に生ずるヘキサフルオロケイ酸およびヘキサフルオロケイ酸亜鉛が沈殿する、または目標に合わせた沈殿によってその濃度が一定に抑えられる。
本発明は、溶解したヘキサフルオロケイ酸が制御されない仕方で濃縮されることと溶解したヘキサフルオロケイ酸亜鉛とが、フッ化水素酸の解離が制御されずに減少する理由であり、最適な濃度範囲にとどまることができず、形成されるフッ化物がもはや溶解できなくなる理由であるという発見に基づいている。これは、プロセスの過程における反応速度の低下によって明らかになる。シフトの間のヘキサフルオロケイ酸の濃縮は制御されない仕方で起こるので、シフトの最後まで、研磨時間を伸ばし続け、バッチ毎にフッ化水素酸を余分に加えることによってしか対抗できない。これまでは、カリウムを含むガラスの方が容易に研磨できること、新しく調製された研磨浴では研磨プロセスは約17分かかるが、フルに使用された研磨浴では45から55分かかることが知られていた。亜鉛がガラスの組成に入り込むまでは、四フッ化ケイ素の蒸発と溶解するヘキサフルオロケイ酸塩の間の平衡は、研磨装置の空間的な設計、浴の体積の表面に対する比、研磨浴および洗浄浴でのガラスの運動、選ばれる温度、および排気の量、したがって、浴表面上の圧力の低下、によって制御することができた。更に、設計方法によって同じ排気性能を維持しながら、バッチ・サイズはほとんど2倍になった。ヘキサフルオロケイ酸の解離は、フッ化水素酸の解離よりも大きいので、ヘキサフルオロケイ酸イオンの濃度が増加するにつれてフッ素イオンの比率が減少して、フッ素イオンによる均一な浸食が、特に研磨された表面の均一な浸食がもはや不可能なまでになる。不溶な塩化合物が生じ、研磨された表面の破壊に導く。亜鉛イオンの比率が増加するために、ヘキサフルオロケイ酸イオンの濃度の増加が酒石酸によるフッ素イオンの制御を、したがって、ガラスの浸食の制御を妨げ、この制御は不可能になる。この産業では、実質的に2つのタイプの研磨機または研磨プラントが用いられている、すなわち、密閉バーレル・プロセスとオープン・ラック・プロセスである。密閉バーレル・マシンでは溶解したヘキサフルオロケイ酸の比率が高くなるので、研磨プロセスを酒石酸で制御することは、ガラス・コンビネーションに亜鉛の比率がない場合でも、不可能であった。
本発明の方法によれば、研磨浴における研磨プロセスで生ずる四フッ化ケイ素と、かなりの量のフッ化水素酸から形成されるヘキサフルオロケイ酸は、金属フッ化物または金属硫酸塩を加えることによって溶液から連続的または周期的に除去される。
原理的には、研磨浴および/又は硫酸洗浄浴にごくわずかしか可溶でない、すなわち、沈澱を生ずる金属塩が本発明のプロセスに適当である。それは、フッ化カリウム、硫酸カリウム、フッ化ナトリウム、硫酸ナトリウムおよび硫酸アルミニウム、などである。異なる金属塩の混合物も使用できる。ヘキサフルオロケイ酸の濃度が充分に減少し、オプションとして用いられる酒石酸の制御作用が損なわれないようにしなければならない。その場合、本発明によるプロセスは、酒石酸が存在してもしなくても実行できる。
研磨プロセスの際に形成されるヘキサフルオロケイ酸は、好ましくはフッ化カリウムまたは硫酸カリウムを加えることによってヘキサフルオロケイ酸カリウムとして沈澱させられる。
2KF+H2SiF6 → K2SiF6+2HF
K2SO4+H2SiF6 → K2SiF6+H2SO4
本発明の利点は、フッ化カリウムまたは硫酸カリウムを用いてヘキサフルオロケイ酸を沈澱させることによって、研磨浴および/又は硫酸洗浄浴の元の状態、すなわち、新しい研磨浴でスタートするときの状態が、恒久的に維持できるということである。その結果、浴の効率が大きく向上する。
K2SO4+H2SiF6 → K2SiF6+H2SO4
本発明の利点は、フッ化カリウムまたは硫酸カリウムを用いてヘキサフルオロケイ酸を沈澱させることによって、研磨浴および/又は硫酸洗浄浴の元の状態、すなわち、新しい研磨浴でスタートするときの状態が、恒久的に維持できるということである。その結果、浴の効率が大きく向上する。
フッ化ナトリウム、硫酸ナトリウムまたは硫酸アルミニウムを用いるヘキサフルオロケイ酸の沈澱はもう少し複雑である。それは、沈澱の前にヘキサフルオロケイ酸イオンが正確に測定されていないと、プロセスに必要なフッ化水素酸の大部分が同時に沈澱してしまうからである。他方、硫酸アルミニウムによる沈澱は、生ずるAl2(SiF6)3がK2SiF6よりもずっと不溶であるという利点がある。研磨プロセスで生ずるナトリウム・イオンまたはカリウム・イオンも、溶解したヘキサフルオロケイ酸によってヘキサフルオロケイ酸ナトリウムまたはヘキサフルオロケイ酸カリウムとして沈澱する。
2NaF+H2SiF6 → Na2SiF6+2HF
本発明の利点は、研磨浴にヘキサフルオロケイ酸が存在しない場合、研磨浴のフッ素の比率は実質的に小さくてもよく、ガラス除去を良くコントロールすることができ、したがって、少ない量でガラスの表面の質は高くなるということである。
本発明の利点は、研磨浴にヘキサフルオロケイ酸が存在しない場合、研磨浴のフッ素の比率は実質的に小さくてもよく、ガラス除去を良くコントロールすることができ、したがって、少ない量でガラスの表面の質は高くなるということである。
本発明によるプロセスの枠組みの中で、研磨浴または硫酸洗浄浴1リットルあたり、一般に、2〜10g、好ましくは2.5〜4.5g、の金属フッ化物、または3〜15g、好ましくは5〜8g、の金属硫酸塩が、150〜500グラスというバッチ・サイズでの研磨浴または硫酸洗浄浴に加えられる。ある好ましい実施の形態によると、研磨浴1リットルあたり、2〜10gの金属フッ化物、または3〜15gの金属硫酸塩、好ましくは2〜5gの金属フッ化物、または5〜8gの金属硫酸塩、特に好ましくは2.5〜4.5gのフッ化カリウムが、45〜65重量%の硫酸および0.8〜3.6重量%のフッ化水素酸を含む研磨浴に加えられる。すでに上述したように、金属フッ化物と金属硫酸塩はまた、同時に用いることができる。好ましい量として示した値は、特定のラック・サイズ、したがって、特定のバッチ・サイズ(150から500個のグラス)に関するものである。このサイズのラックは、例えば、約200個の長い脚のシャンペン・グラスまたは約500個のウイスキー・グラスを保持し、約1000〜1300lという量の酸研磨液を必要とする。他のサイズのラック/バッチへの換算は当業者には周知であろう。
本発明の別の利点は、研磨浴と洗浄浴の間での交替の回数を、低いフッ化水素酸の量で実質的に減らすことができるということである。したがって、一方において、酸の消費量を実質的に減らすことができ、他方においてプロセスの過程全体の時間を大きく短縮できる。プレ・プログラム(3回の特別な交替)の後の交替の回数は6〜8回の交替から1〜4回の交替に減らすことができる。
別の利点は、研磨浴におけるたいていのガラス組成に対してフッ化水素酸の濃度を3−5%から1−3%に減少させることができるということにある。更に、フッ化水素酸の濃度が低くなるために、フッ化水素酸の蒸発がかなり減少し、酸の消費量が更に減少する。
本発明によるプロセスの別の利点は、邪魔になるヘキサフルオロケイ酸イオンが存在しないでフッ化水素酸による浸食をもっと良くコントロールできるために、粗研磨された(ground)表面の研磨(polishing)を速やかに達成できるということ、そして表面の質を良くしながら全体としてのガラスの除去を約5−6%から3−5%に減らすことができるということにある。本発明によるプロセスを用いることによって、最適な研磨結果が効率的に安く達成できる。
上述のような利点によって、酸の全消費量は約20−25%減少し、研磨プロセスは約30−50%短縮される。ヘキサフルオロケイ酸イオンの沈澱が研磨プロセスの差異に行われるとヘキサフルオロケイ酸カリウムが不溶の硫酸鉛と共に形成されるので、これらを一緒に除去し処分しなければならない。
ヘキサフルオロケイ酸は、好ましくは、研磨浴ではフッ化カリウムによって、硫酸洗浄浴では硫酸カリウムによって中和される。これには、フッ化カリウムを用いることによって、研磨プロセスに必要なフッ化水素酸の量の3分の1よりも多くが硫酸に溶解された固体のフッ化カリウムによって導入されるという利点がある。これは、70−75%のフッ化水素酸を用いるときに研磨浴に25−30%の水を硫酸を消費して導入することなしに行われる。同様に、必要な硫酸を硫酸洗浄浴に、硫酸カリウムまたは硫酸アルミニウムによって沈澱と共に導入するという可能性もある。
別の実施の形態によると、金属塩の追加は、研磨プロセスの後で作業容器、沈澱容器、または貯蔵容器における休止段階で行うことができる。作業容器は、研磨プロセスのための反応容器または研磨設備内の硫酸洗浄浴の作業容器である。研磨設備内の作業容器の他に、ほとんど全てのラック浸漬プラントやバーレル・プラントには、研磨用の酸や硫酸洗浄浴のために、浮遊している硫酸鉛やその他の不溶の塩を沈澱させ、冷却後溶解している塩の一部をちんでんさせるために別の沈澱容器が備えられている。研磨作業が完了したときに、沈澱によって研磨浴と硫酸洗浄浴から浮遊している塩が除かれ、透明な溶液が沈澱した塩から分離されるならば、フッ化カリウムによる中和を別の沈澱容器で行うことができ、ヘキサフルオロケイ酸カリウムを非常に純粋な形で取り出してエナメル産業または木材防腐産業に貴重な塩として販売することができる。中和は、浴または沈澱容器における休止段階に行うこともできる。このために、硫酸カリウムまたはフッ化カリウムを加えた後空気を少なくとも10分間吹き込んで反応を停止させなければならない。更に、処分すべき使用済みの酸の比率は、目標に合わせた中和によって大きく減少する。従来、使用されたフッ化水素酸の約50%は、吸収プラントで吸収用の水にヘキサフルオロケイ酸として吸収されている。KFを用いると、ヘキサフルオロケイ酸をフッ化水素酸から分離することができる。循環する水は約15−20%のヘキサフルオロケイ酸と約3−6%のHFを含んでいる。85−90%のヘキサフルオロケイ酸が中和され、可溶なKFが何も存在しなければ、溶液は四フッ化ケイ素を吸収するために再使用できる。その結果、石灰ミルクによって吸収する水を中和するという難しい作業が不要になり、プレスした石灰ケーキを高いフッ素含有量のために特別な廃棄チップにするという金がかかる処分も不要になる。
ある好ましい実施形態によると、ヘキサフルオロケイ酸の除去は、空気、特にフィルターを通した空気を吹き込むことによって加速することができる。空気を吹き込むことにより局所的に発生する低い圧力によって、ヘキサフルオロケイ酸が四フッ化ケイ素とフッ化水素酸に分解され,排気と共に除去される。これは研磨作業の間もその後でも行うことができる。
別の実施形態によると、本発明のプロセスはシュウ酸を加えるという追加のステップを含むことができる。これは、亜鉛またはマグネシウムを含むガラスに特に適している。最近のガラスの組成では、ガラスの溶融を改善するためにいろいろな量の亜鉛が加えられ、鉛汚染を減らすためにマグネシウムが加えられる。研磨作業の間、酸化亜鉛は溶解しやすいフッ化ケイ素を生じ、マグネシウムは不溶なMgF2として析出する。すなわち、亜鉛が濃縮されるにつれて、ヘキサフルオロケイ酸塩が同程度に増加する。したがって、溶解したヘキサフルオロケイ酸亜鉛の比率が増加すると、研磨プロセスにより高い濃度のフッ化水素酸が必要になる。これは、研磨浴と硫酸洗浄浴の両方で、実質的により高い濃度のフッ化水素酸が必要になるということを意味する。その結果、フッ化水素酸の消費量は約20−30%増加し、研磨時間の伸びが50%にまで達する。したがって、たいていの場合、溶融プロセスにおけるプラスの利点は改めて放棄せざるを得なかった。
亜鉛イオンと対応するヘキサフルオロケイ酸イオンは、目標に合わせたシュウ酸カリウムの添加によって一緒に沈澱して除去される。
ZnSiF6+K2C2O4 → K2SiF6+ZnC2O4
あるいはまた、シュウ酸カリウムが利用できない場合、個別に、亜鉛イオンはシュウ酸によって沈澱させ、ヘキサフルオロケイ酸はKFによって沈澱させることもでき、その場合、シュウ酸は亜鉛イオンを沈澱させるためだけに加えられる。過剰なシュウ酸は、フッ化物および硫酸イオンに関して知られている望ましくない制御機能が生ずるので避けなければならない。使用されるシュウ酸の好ましい量は、予備テストで沈澱の限界に達するまで研磨浴に加えることによって決定できる。好ましくは、150〜500グラスというバッチ・サイズでは、研磨浴/バッチの1リットルあたり0.05〜1gのシュウ酸が研磨浴に加えられる。シュウ酸カリウム(K2C2O4)を加えることもできる。
あるいはまた、シュウ酸カリウムが利用できない場合、個別に、亜鉛イオンはシュウ酸によって沈澱させ、ヘキサフルオロケイ酸はKFによって沈澱させることもでき、その場合、シュウ酸は亜鉛イオンを沈澱させるためだけに加えられる。過剰なシュウ酸は、フッ化物および硫酸イオンに関して知られている望ましくない制御機能が生ずるので避けなければならない。使用されるシュウ酸の好ましい量は、予備テストで沈澱の限界に達するまで研磨浴に加えることによって決定できる。好ましくは、150〜500グラスというバッチ・サイズでは、研磨浴/バッチの1リットルあたり0.05〜1gのシュウ酸が研磨浴に加えられる。シュウ酸カリウム(K2C2O4)を加えることもできる。
その結果、任意のレベルで亜鉛またはマグネシウムを含有するガラスを初めて困難なしに酸研磨することが可能になった。これは、溶融プロセスおよび再仕上げ(refinishing)において実質的な利益を可能にする。
本発明によるプロセスは、更に以下の実施例によって説明されるが、それによって制限されるものではない。
実施例1:フッ化カリウムまたは硫酸カリウムによるH2SiF6の沈澱/中和
ガラス・ゴブレットの重量は、平均して300〜400gである。研磨プロセスで、ガラスの除去は平均して5〜6%である。したがって、300gの重量のグラスの場合、ガラスの除去は15〜18g/グラスであり、400gの重量のグラスの場合、それは20〜25g/グラスである。平均負荷がバッチあたり約200グラスとすると、したがって、200グラスのバッチあたり3000〜4800gのガラスが除去される。鉛クリスタル・ガラスにおけるSiO2の比率は、一般に50〜55%である。このことは、バッチあたり約1500〜2640gのSiO2が除去されるということを意味する。除去される1500gのSiO2を溶解するためには、3000gのHFが必要であり、除去される2640gのSiO2を溶解するためには、5280gのHFが必要である。これは、酸消費量で約3.5lないし7lのHF(75%)に対応する。これはまた、3600〜5900gのH2SiF6が研磨浴と洗浄浴を合わせて最初に形成されると言うことを意味する。ガラスは平均して12%のアルカリを、酸化カリウムの形でまたは7〜8%のカリウムと4〜5%のナトリウムの混合物の形で含んでいるので、対応する割合のカリウムまたはナトリウムが放出され、それが放出されたヘキサフルオロケイ酸の一部を沈澱させる。このことは、したがって、約200グラスという平均負荷でバッチあたり3000〜4800gのガラスが除去されるとすると、360〜570gのK2Oも除去され、それがH2SiF6の沈澱に導くということを意味する。研磨反応の際に放出されたカリウムは、例えば、浴に溶解した550〜870gのH2SiF6を沈澱させる。
ガラス・ゴブレットの重量は、平均して300〜400gである。研磨プロセスで、ガラスの除去は平均して5〜6%である。したがって、300gの重量のグラスの場合、ガラスの除去は15〜18g/グラスであり、400gの重量のグラスの場合、それは20〜25g/グラスである。平均負荷がバッチあたり約200グラスとすると、したがって、200グラスのバッチあたり3000〜4800gのガラスが除去される。鉛クリスタル・ガラスにおけるSiO2の比率は、一般に50〜55%である。このことは、バッチあたり約1500〜2640gのSiO2が除去されるということを意味する。除去される1500gのSiO2を溶解するためには、3000gのHFが必要であり、除去される2640gのSiO2を溶解するためには、5280gのHFが必要である。これは、酸消費量で約3.5lないし7lのHF(75%)に対応する。これはまた、3600〜5900gのH2SiF6が研磨浴と洗浄浴を合わせて最初に形成されると言うことを意味する。ガラスは平均して12%のアルカリを、酸化カリウムの形でまたは7〜8%のカリウムと4〜5%のナトリウムの混合物の形で含んでいるので、対応する割合のカリウムまたはナトリウムが放出され、それが放出されたヘキサフルオロケイ酸の一部を沈澱させる。このことは、したがって、約200グラスという平均負荷でバッチあたり3000〜4800gのガラスが除去されるとすると、360〜570gのK2Oも除去され、それがH2SiF6の沈澱に導くということを意味する。研磨反応の際に放出されたカリウムは、例えば、浴に溶解した550〜870gのH2SiF6を沈澱させる。
例えば、約200グラスのバッチでガラスの除去率が5〜6%とすると、研磨浴と洗浄浴を合わせて約3050〜5030gのH2SiF6が形成され、それをフッ化カリウムまたは硫酸カリウムで沈澱させて元の研磨浴または硫酸洗浄浴を再び得ることができる。3050gおよび5030gのH2SiF6をK2SO4で沈澱させるためには、それぞれ、3685gおよび6078gのK2SO4が必要であり、それぞれ、2075gおよび3432gのH2SO4が放出される。3050gおよび5030gのH2SiF6をKFで沈澱させるためには、それぞれ、2457gおよび4052gのKfが必要であり、それぞれ、847gのHFおよび1400gのHFが放出され、これは約1〜2lの70%フッ化水素酸の添加に対応する。
フッ化カリウムによる沈澱の際に、したがって、フッ化水素酸の消費量は1〜2リットル減少する。
約50%の四フッ化ケイ素は排気の吸収プラントへの蒸発によって逃げるので、ヘキサフルオロケイ酸の中和には約1.2〜2kgのKFが必要になる。
実施例2:硫酸アルミニウムによるH2SiF6の沈澱/中和
H2SiF6の沈澱はAl2(SO4)によっても行うことができる。Al2SiF6の溶解度はK2SiF6の溶解度より実質的に低いので、Al2(SiF6)3による沈澱の方が好ましい。しかし、AlF3の溶解度はKFに比べて非常に低いので、Al2(SO4)3によって沈澱させるときには、研磨のために必要な自由HFを同時沈澱させることを避けるために、沈澱させる前にH2SiF6の比率を正確に決定しておかなければならない。KFは、H2SiF6の沈澱にはそれほど効果的ではないが、フッ化物の同時沈澱に関しては問題がない。
H2SiF6の沈澱はAl2(SO4)によっても行うことができる。Al2SiF6の溶解度はK2SiF6の溶解度より実質的に低いので、Al2(SiF6)3による沈澱の方が好ましい。しかし、AlF3の溶解度はKFに比べて非常に低いので、Al2(SO4)3によって沈澱させるときには、研磨のために必要な自由HFを同時沈澱させることを避けるために、沈澱させる前にH2SiF6の比率を正確に決定しておかなければならない。KFは、H2SiF6の沈澱にはそれほど効果的ではないが、フッ化物の同時沈澱に関しては問題がない。
実施例3:シュウ酸による亜鉛の沈澱
酸化亜鉛の比率は、現在、知られているガラス組成では1,0〜2.5%である。研磨作業におけるガラスの除去は、平均して5から6%の間である。ガラスの除去は、したがって、重量が300gのグラスの場合15〜18g/グラスであり、重量が400gのグラスの場合20〜25g/グラスである。バッチあたり約200グラスという平均負荷では、したがって、200グラスのバッチあたり3000〜4800gのガラスが除去される。鉛クリスタル・ガラス中のZnOの比率は一般に1.0から2.5%の間である。このことは、バッチあたり約30〜120gのZnOが除去されるということを意味する。研磨用の酸および硫酸洗浄浴に存在する45gのZnOを114gのZnSiF6として沈澱させるためには、92gのシュウ酸カリウム(K2C2O2)が必要であり、305gのZnSiF6として存在する120gのZnOを沈澱させるためには、245gのシュウ酸カリウムが必要である。シュウ酸カリウムが利用できない場合、45gのZnOの沈澱はまた、約50gのシュウ酸によっても(または、120gのZnOの場合は133gのシュウ酸によって)生ずる。対応する比率のフッ化ケイ素はKFによって別に沈澱させることができる。酸化亜鉛の比率は比較的小さいので、浴を長時間使用した後では、ヘキサフルオロケイ酸イオンの顕著に増加した安定化だけが目立つようになる。適当な量のシュウ酸を加えて亜鉛を規則的に沈澱させることによって、研磨浴と硫酸洗浄浴の両方でH2SiF6の濃度は安定し、研磨速度はもはやガラス中の亜鉛含有量によって減少しない。また、亜鉛の沈澱によって、粗研磨されていない(unground)ガラス表面での膨れの形成による弱さを避けることができる。吸収プラントに蒸発するSiF4とHFは、そこでH2SiF6として吸収され、15−20%という許容される濃度に達した後ポンプで排出でき、H2SiF6をそこでKFによって別に沈澱させて、自由なHFから分離することができる。自由になったHFは、SiF4の吸収に再び使用することができる。
酸化亜鉛の比率は、現在、知られているガラス組成では1,0〜2.5%である。研磨作業におけるガラスの除去は、平均して5から6%の間である。ガラスの除去は、したがって、重量が300gのグラスの場合15〜18g/グラスであり、重量が400gのグラスの場合20〜25g/グラスである。バッチあたり約200グラスという平均負荷では、したがって、200グラスのバッチあたり3000〜4800gのガラスが除去される。鉛クリスタル・ガラス中のZnOの比率は一般に1.0から2.5%の間である。このことは、バッチあたり約30〜120gのZnOが除去されるということを意味する。研磨用の酸および硫酸洗浄浴に存在する45gのZnOを114gのZnSiF6として沈澱させるためには、92gのシュウ酸カリウム(K2C2O2)が必要であり、305gのZnSiF6として存在する120gのZnOを沈澱させるためには、245gのシュウ酸カリウムが必要である。シュウ酸カリウムが利用できない場合、45gのZnOの沈澱はまた、約50gのシュウ酸によっても(または、120gのZnOの場合は133gのシュウ酸によって)生ずる。対応する比率のフッ化ケイ素はKFによって別に沈澱させることができる。酸化亜鉛の比率は比較的小さいので、浴を長時間使用した後では、ヘキサフルオロケイ酸イオンの顕著に増加した安定化だけが目立つようになる。適当な量のシュウ酸を加えて亜鉛を規則的に沈澱させることによって、研磨浴と硫酸洗浄浴の両方でH2SiF6の濃度は安定し、研磨速度はもはやガラス中の亜鉛含有量によって減少しない。また、亜鉛の沈澱によって、粗研磨されていない(unground)ガラス表面での膨れの形成による弱さを避けることができる。吸収プラントに蒸発するSiF4とHFは、そこでH2SiF6として吸収され、15−20%という許容される濃度に達した後ポンプで排出でき、H2SiF6をそこでKFによって別に沈澱させて、自由なHFから分離することができる。自由になったHFは、SiF4の吸収に再び使用することができる。
Claims (9)
- 硫酸とフッ化水素酸を含む研磨浴におけるガラス物品研磨の際のヘキサフルオロケイ酸塩濃度の減少と制御のためのプロセスであって、研磨作業の間および/又は後に、フッ化カリウム、硫酸カリウム、フッ化ナトリウム、硫酸ナトリウム、および/又は硫酸アルミニウムが、フッ素イオンの濃度が最適作用(operating)範囲よりも低く減少することを避けるような量で、研磨浴および/又は硫酸洗浄浴に加えられることを特徴とするプロセス。
- 硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、または硫酸アルミニウムが加えられるとき、研磨浴および/又は硫酸洗浄浴に存在する亜鉛イオンが、大部分、硫酸亜鉛として同時に沈澱させられることを特徴とする請求項1に記載のプロセス。
- フッ化カリウムまたはK2SO4,Na2SO4,またはNaFが研磨浴に加えられることを特徴とする請求項1および2に記載のプロセス。
- 硫酸カリウムおよび/又は硫酸アルミニウムが硫酸洗浄浴に加えられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプロセス。
- 研磨作業の後、金属フッ化物および/又は金属硫酸塩の添加が作業容器、沈澱容器、または貯蔵容器で行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のプロセス。
- 空気、好ましくは濾過された空気が更に研磨浴および/又は硫酸洗浄浴に吹き込まれることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプロセス。
- シュウ酸および/又はシュウ酸カリウムが更に研磨浴に加えられ、好ましくは150〜500グラスのバッチ・サイズで、研磨浴/バッチの1リットルあたり0.05〜1gが加えられることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のプロセス。
- 150〜500グラスのバッチ・サイズで、研磨浴または硫酸洗浄浴の1リットルあたり、2〜10g、好ましくは2.5〜4.5g、の金属フッ化物、または3〜15g、好ましくは5〜8g、の金属硫酸塩が、研磨浴または硫酸洗浄浴に加えられることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のプロセス。
- 45〜65重量%の硫酸と0.8〜3.6重量%のフッ化水素酸を含む研磨浴に研磨浴1リットルあたり2〜10gの金属フッ化物または3〜15gの金属硫酸塩、好ましくは2〜5gの金属フッ化物または5〜8gの金属硫酸塩、特に好ましくは2.5〜4.5gのフッ化カリウムが、加えられることを特徴とする請求項8に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10228116A DE10228116A1 (de) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | Verfahren zum Polieren von Glasgegenständen |
PCT/EP2003/006487 WO2004000747A1 (de) | 2002-06-24 | 2003-06-18 | Verfahren zur verminderung und kontrolle der hexafluorosilicat-konzentration beim polieren von glasgegenständen in einem schwefelsäure und flusssäure enthaltenden polierbad |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005534595A true JP2005534595A (ja) | 2005-11-17 |
Family
ID=29795854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004514796A Pending JP2005534595A (ja) | 2002-06-24 | 2003-06-18 | 硫酸とフッ化水素酸を含む研磨浴におけるガラス物品研磨の際のヘキサフルオロケイ酸塩の濃度を減少させ制御するプロセス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050230355A1 (ja) |
EP (1) | EP1515923A1 (ja) |
JP (1) | JP2005534595A (ja) |
CN (1) | CN1662464A (ja) |
AU (1) | AU2003279390A1 (ja) |
DE (1) | DE10228116A1 (ja) |
WO (1) | WO2004000747A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPWO2017111091A1 (ja) * | 2015-12-24 | 2018-03-29 | パナソニック株式会社 | ガラス用研磨液および研磨方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4324742B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-09-02 | シャープ株式会社 | 研磨ガラス基板の製造方法 |
FR2929609B1 (fr) * | 2008-04-07 | 2010-05-28 | Seppic Sa | Composition de depolissage de verre exempte d'ions ammonium et d'ions bifluorure |
CN103086608A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | 景志杰 | 一种手机屏幕玻璃蒙砂粉 |
US9926225B2 (en) * | 2011-12-30 | 2018-03-27 | Corning Incorporated | Media and methods for etching glass |
CN104045241B (zh) * | 2014-06-16 | 2016-09-14 | 刘存海 | 一种微氟玻璃蚀刻抛光方法 |
US10144850B2 (en) * | 2015-09-25 | 2018-12-04 | Versum Materials Us, Llc | Stop-on silicon containing layer additive |
CN105330165B (zh) * | 2015-10-19 | 2018-04-17 | 上海光和光学制造大丰有限公司 | 一种用于加工防眩玻璃的蚀刻液及其制备方法 |
CN105330166B (zh) * | 2015-11-24 | 2018-03-06 | 陈锋 | 一种环保型的玻璃蒙砂液及其制备方法 |
CN107098595B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-11-05 | 通威太阳能(合肥)有限公司 | 一种提高刻蚀药液寿命的工艺 |
CN107737764A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-02-27 | 信利半导体有限公司 | 一种去除玻璃蚀刻残留物的方法 |
CN109777670A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-21 | 惠州市清洋实业有限公司 | 一种清洗液及其制备方法 |
CN114380304B (zh) * | 2022-01-21 | 2023-05-30 | 云南磷化集团有限公司 | 一种对氟硝基苯用原料氟化钾的短流程制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1189681B (de) * | 1963-10-26 | 1965-03-25 | Erich Saelzle Dipl Chem Dr | Verfahren zum Polieren von Gegenstaenden aus Kristall- oder Bleikristallglas |
US3560281A (en) * | 1967-10-02 | 1971-02-02 | Owens Illinois Inc | Process for regenerating an acid bath |
GB1309333A (en) * | 1970-01-19 | 1973-03-07 | Glaverbel | Process for bending glass |
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-
2002
- 2002-06-24 DE DE10228116A patent/DE10228116A1/de not_active Ceased
-
2003
- 2003-06-18 WO PCT/EP2003/006487 patent/WO2004000747A1/de not_active Application Discontinuation
- 2003-06-18 EP EP03740288A patent/EP1515923A1/de not_active Withdrawn
- 2003-06-18 JP JP2004514796A patent/JP2005534595A/ja active Pending
- 2003-06-18 US US10/518,162 patent/US20050230355A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-18 CN CN038147637A patent/CN1662464A/zh active Pending
- 2003-06-18 AU AU2003279390A patent/AU2003279390A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004000747A1 (de) | 2003-12-31 |
AU2003279390A1 (en) | 2004-01-06 |
EP1515923A1 (de) | 2005-03-23 |
CN1662464A (zh) | 2005-08-31 |
DE10228116A1 (de) | 2004-01-29 |
US20050230355A1 (en) | 2005-10-20 |
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