JP2005532760A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 光受信機回路であって、
   光を電力に変換する光変換器回路と、
   前記電力の固有値を検知するセンサ回路と、
   可変減衰をし、前記減衰は前記光受信機回路の一定の出力信号レベルを得るために前記センサ回路から出力される前記電力の前記固有値により制御される、減衰器回路と、
   を備えることを特徴とする、光受信機回路。
2. 前記光変換器回路はフォトダイオードを有することを特徴とする、請求項１に記載の光受信機回路。
3. 前記センサ回路は、前記光変換器回路に接続される抵抗器回路を有し、前記光変換器回路に出力される前記電力の前記固有値として制御電圧Ｖ_{ＣＯＮＴＲ}を得ることを特徴とする、請求項１に記載の光受信機回路。
4. 前記減衰器回路は、選択的にアクティブ状態に切り換え可能な複数のカスケード形減衰器段を有するステップ減衰器回路であることを特徴とする、請求項１に記載の光受信機回路。
5. 前記センサ回路は、前記制御電圧Ｖ_{ＣＯＮＴＲ}を前記減衰器回路の前記減衰器段を制御するデジタル信号へと変換するＡ／Ｄ変換器を有することを特徴とする、請求項４に記載の光受信機回路。
6. 前記減衰器段はそれぞれ異なる減衰値を有することを特徴とする、請求項４に記載の光受信機回路。
7. 前記減衰器段は、抵抗器と、前記抵抗器と直列の半導体スイッチを有する減衰器段であることを特徴とする、請求項１および４乃至６のいずれかに記載の光受信機回路。
8. 前記減衰器段は、２つの抵抗器と、前記抵抗器と直列の半導体スイッチを有する減衰器段であって、前記抵抗器の１つは他の半導体スイッチにブリッジされていることを特徴とする、請求項１および４乃至６のいずれかに記載の光受信機回路。
9. 前記減衰器段の各入力端を分けるためにコンデンサが備えられ、前記減衰器段の前記入力端を前記光受信機回路の出力に結合する入力コンデンサと、前記減衰器回路の出力を前記出力回路に結合する出力コンデンサとがさらに備えられていることを特徴とする、請求項８または９に記載の光受信機回路。
10. 前記半導体スイッチは、ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする、請求項７乃至９のいずれかに記載の光受信機回路。