JP2005529229A

JP2005529229A - 発光物質およびこの物質を使用する発光ダイオード

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Publication number: JP2005529229A
Application number: JP2004539001A
Authority: JP
Inventors: テーヒンツェンフーベルトゥス; リーユアン−キアン
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2002-09-24
Filing date: 2003-09-23
Publication date: 2005-09-29
Anticipated expiration: 2023-09-23
Also published as: WO2004029177A8; EP1413619A1; CN1311055C; EP1438364A1; ATE335799T1; EP1438364B1; US7485243B2; JP3906224B2; CN1596292A; WO2004029177A1; DE60307411D1; US20060033081A1; DE60307411T2; TW200422375A; TWI287566B

Abstract

Ｅｕドープされた酸化物ホスト格子からなるＵＶ−青色励起発光物質が一般的組成物ＭＡＬ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘを備え、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｂａのグループからのアルカリ希土金属の少なくとも１つである。

Description

本発明は、スペクトル領域のＵＶ／青部分で励起可能な発光物質に関するものであり、より詳細には、もっぱらそれに係るものではないが、光源、有利には発光ダイオード（ＬＥＤ）に対する蛍光体に関する。この蛍光体は、希土類付活酸窒化ケイ素のクラスに属する。

背景技術
白色ＬＥＤに関しては、青色発光ダイオードと黄色発光物質との組合せにより実現されている。このような組合せは貧弱な演色性を有するが、赤緑青システム（ＲＧＢ）を使用することにより格段に改善することができる。このようなシステムは例えば赤エミッタおよび青エミッタと、例えばＳｒＡｌ_２Ｏ_４：ＥｕまたはＢａＡｌ_２Ｏ_４：Ｅｕの緑発光アルミン酸塩蛍光体との組合せを使用する。ただしＥｕの代わりにＭｎを添加することもできる。その発光マキシムは約５２０ｎｍ前後である。ＵＳ−Ａ６２７８１３５参照。しかしこれらアルミン酸塩の励起バンドおよび発光バンドの位置は最適ではない。これらは３３０から４００ｎｍの範囲の短波長ＵＶにより励起しなければならない。

新たな興味深い発光材料は、Ｅｕ^２＋のドープされたαサイアロン材料である。これらはＭ_ｔＳｉ_{１２−（ｍ＋ｎ）}Ａｌ_{（ｍ＋ｎ）}ＯｎＮ_{（１６−ｎ）}の構造を有する。ただしＭはＣａまたはＹまたは希土類金属である。値ｔはｍ／ｖａｌ＋として与えられ、ここでｖａｌ＋はイオンＭの原子価の電荷である。例えばＭ＝Ｓｒ^２＋のｖａｌ＋値は２である。従って構造全体の電荷は完全に補償されている。さらなる詳細については例えば“Luminescence properties of Tb, Ce, or Eu-Doped α-Sialon Materials”,J. van Krevel et al., J. Sol. St. Chem., April 2002, p.19-24,および“Preparation and Luminescence Spectra Ca and rare Earth co-doped α-SiALON Ceramics“, R.-J. Xie et al. in J.A. Ceram. Soc. 2002, p.1229-1234 May 2002,およびさらにUS-Pub 2002/004392を参照されたい。これらはすべてαサイアロンタイプのＣａサイアロンを取り扱っている。サイアロンの他のタイプは現在のところまだ知られていない。

発明の開示
本発明の課題は、請求項１の上位概念による新たな発光物質を提供することである。本発明のさらなる目的は、ＵＶ／青放射により効率的に励起され、微調整された蛍光体を提供することである。本発明のさらなる課題は、少なくとも１つのＬＥＤを光源として有する照明装置で使用するための蛍光体を提供することであり、このＬＥＤは３６０から４７０ｎｍの範囲の一次放射を発生し、この一次放射は部分的にまたは完全に、長波長放射に蛍光体により変換される。この蛍光体はＬＥＤからの一次放射に曝される。さらなる課題は、白色光を放射し、とりわけ高い演色性を有する照明装置を提供することである。さらなる課題は、ＬＥＤデバイスのように高効率な照明デバイスを提供することであり、このデバイスは３６０から４７０ｎｍの範囲で良好に吸収し、容易に製造できるようにする。

この課題は請求項１および１０の特徴部分の構成によって解決される。とりわけ有利な構成は従属請求項に記載されている。

変換は少なくとも酸窒化蛍光体によって達成される。この蛍光体はＥｕ付活アルミン酸塩またはＥｕ，Ｍｎ共付活アルミン酸塩のクラスから発生する。より詳細には、従来技術の欠点は、窒素をＭＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）に取り込むことにより克服される。その結果、酸窒化蛍光体が生じ、通常は有利にはトリジマイト構造を維持する。しかし他の構造も除外されない。より詳細には（ＡｌＯ）^＋は部分的に（ＳｉＮ）^＋により置換され、一般的合成物：ＭＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：（ＥｕまたはＥｕ，Ｍｎ）が形成される。値ｘはｘ≧０．００２に設定され、多くの場合ｘ＝１．５である。窒化物Ｓｉ_３Ｎ_４から誘導された前記の従来技術によるαサイアロンタイプ構造とは反対に、ここでの構造はＳｉＯ_２変態、とりわけ有利にはトリジマイト構造から導出され、より酸化物様である。

反対に、αサイアロン物質はいわゆる窒化物構造を示す。言い替えると、これらはＳｉ_３Ｎ_４をベースとし、ここでＳｉ−Ｎは部分的にＡｌ−Ｏおよび／またはＡｌ−Ｎにより置換される。これら種々異なる構造により種々異なる発光特性が生じる。なぜなら可能なアクティベータがαサイアロンとトリジマイトとで強く異なって、周囲イオンと局所的に相互作用する位置にあるからである。

Ｍの主成分としてのＣａの場合、有利な値は０．００１≦ｘ≦０．１である。Ｍの主成分としてのＢａまたはＳｒの場合、有利な値は０．１≦ｘ≦０．７である。窒素の取り込みにより、共有結合と配位子場開裂の程度が増大する。その結果このことは、励起と放射帯を酸化物ラチスと比較して長波長方向にシフトする。得られた蛍光体は高い化学的かつ熱的安定性を示す。すべての関連プロパティの拡張した微調整がカチオンＭの使用によって得られる。このカチオンＭは前記Ｍ金属の複数（とりわけＳｒとＢａ）を結合すること、さらにＺｎをカチオンＭの一部として含むこと（有利には１０〜４０mol-％）、および／またはＳｉの少なくとも一部をＧｅにより置換すること（有利には５〜２５mol-％）、および／またはＡｌをＧａにより置換すること（有利には５〜２５mol-％）により達成される。有利には、金属Ｍは主として緑発光のためのＢａおよび／またはＳｒであり、主として青発光のためのＣａである。カチオンＭにドープされるＥｕの量はＭの０．１から２５％の間、有利にはＭの２から１５％の間である。さらに関連プロパティを微調整するためＭｎによりドープすることはＥｕドーピングのほとんど５０％の有利な量で可能である。

低エネルギー励起バンドゆえに、これらの材料によってＵＶ−青色放射を青−緑色光に変換することができるので、これらをたとえば白色光源（一例としてランプ）において適用することができ、殊にこの光源は１次青色放射ＬＥＤをベースとし（一般には４３０〜４７０ｎｍ付近の発光を伴うＧａＮまたはＩｎＧａＮをベースとし）これに赤色発光蛍光体が組み合わせられる。適切な赤色発光蛍光体はＥｕドーピングされた窒化珪素材料たとえばＭ_２Ｓｉ_５Ｎ_８（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）であり、これについてはたとえばWO 01/40403を参照されたい。有色光源のための用途も可能である。

図面の簡単な説明
次に、複数の実施形態を参照しながら本発明について詳しく説明する。
図１には、白色光源として用いられる半導体コンポーネント（ＬＥＤ）が注型樹脂を用いた形式（図１ａ）と注型樹脂を用いてない形式（図１ｂ）とで描かれている。
図２には、本発明による蛍光体を用いた照明装置が示されている。
図３には、本発明による蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
図４から図８には、本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。
図９には、ユニットセルの容積とｘの値との関係が示されている。

本発明を実施するための最良の形態
例示のため、白色ＬＥＤにおいてＩｎＧａＮチップとともに使用することに関して、WO 01/40403で用いたのと類似の構造について説明する。図１ａには、白色光のためのこのような光源の構造が具体的に描かれている。光源は４００ｎｍのピーク発光波長をもつＩｎＧａＮタイプの半導体コンポーネント（チップ１）をベースとしており、これには第１および第２の電気接続部２および３が設けられていて、これは凹部９の領域で不透明なベースハウジング８中に埋め込まれている。これらの接続部のうち一方の接続部３は、ボンディングワイヤ４を介してチップ１と接続されている。凹部９は壁７を有しており、この壁はチップ１の青色１次放射のための反射器として用いられる。凹部９は注封材料５によって充填されており、これには主成分（有利には重量の少なくとも８０％）としてシリコーン注型樹脂（またはエポキシ注型樹脂）が含まれており、さらに（有利には重量の１５％よりも僅かに）蛍光色素６を有している。さらに僅かな量としてたとえばメチルエーテルとアエロシルも含まれる。蛍光色素は３つの色素の混合物であり、これは本発明による緑色蛍光体とともに青色光、緑色光および赤色光を発光する。

図１ｂには半導体コンポーネント１０を備えた光源の１つの実施形態が示されており、これによれば白色光への変換は個々のチップにじかに取り付けられた蛍光体変換層１６によって行われる。基板１１最上部の上にコンタクト層１２、ミラー１３、ＬＥＤチップ１４、フィルタ１５ならびに蛍光体層１６が設けられており、この蛍光体層１６はＬＥＤの１次放射により励起され、これを可視の長波放射に変換する。この構造ユニットはプラスチックレンズ１７により取り囲まれている。ここでは２つのオーミックコンタクトのうち上部コンタクト１８だけが示されている。ＬＥＤの１次ＵＶ放射は約４００ｎｍであり、２次放射はＭ_{（１−ｃ）}Ａｌ２_−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：Ｄ_ｃ、ただしＤはＥｕまたはＥｕ，Ｍｎである本発明による第１の蛍光体により発光される。特に有利にはＢａＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：（１０％）Ｅｎ^２＋を使用し、約５２５ｎｍで（または一般式ではｃ＝０．１およびＤ＝Ｅｕで）、オレンジレッドを発する窒化珪酸塩を用いた第２の蛍光体により発せられる。

図２には照明装置２０が示されている。これは共通支持体２１を有しており、これには立方体の外部ケーシング２２が接着されている。このケーシングの上側には共通カバー２３が設けられている。立方体ハウジングは複数のカットアウト部分を有しており、その中に個々の半導体コンポーネント２４が収容されている。それらの半導体コンポーネントは約４５０〜４７０ｎｍのピーク発光をもつ青色発光ダイオードである。白色光への変換は変換層２５により行われ、それらの変換層は青色放射を受ける可能性のある面すべてに配置されている。それらの面にはハウジング側壁、カバーおよび支持体の内面が含まれる。変換層２５は、本発明による蛍光体を使用し赤色スペクトル領域と緑色スペクトル領域で発光する蛍光体から成り、１次放射の青色非吸収部分と混合されて白色光が生成される。

本発明による新たな蛍光体を製造するための市販の出発材料としてＥｕ_２Ｏ_３（純度９９．９９％）、ＢａＣＯ_３（純度＞９９．０％）、ＳｒＣＯ_３（純度＞９９．０％）、ＣａＣＯ_３（純度＞９９．０％）、Ａｌ_２Ｏ_３（純度９９．９％）、ＳｉＯ_２およびＳｉ_３Ｎ_４を使用した。原材料をイソプロパノールにおいてプラネタリボールミルにより４〜５時間、適切な量で均質に湿式混合した。混合後、混合物を加熱炉で乾燥させ、めのう乳鉢で粉砕した。ついでその粉末を、水平管加熱路における還元性の窒素／水素雰囲気のもとでモリブデンのるつぼ内において１１００〜１４００°Ｃで焼成した。焼成後、Ｘ線回折（銅Ｋアルファ線）により特性を決定した。

すべてのサンプルは、とりわけ４３５から４４５ｎｍの青色（Ｍ＝Ｃａの場合）、または緑色（Ｍ＝ＳｒまたはＢａに対して）、とりわけＢａの場合は４９５から５３０ｎｍ、Ｓｒの場合は５１５から５７５ｎｍにおいて発光最大値を有するＵＶ−青色励起により効率的に発光した。発光スペクトルおよび励起スペクトルの典型的な２つの例が図３と図４に示されている。図３は、ＳｒＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：Ｅｕ（値ｘにより変化する）の発光スペクトルと励起スペクトルを示す。図４は、ＢａＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘ：Ｅｕ（ｘの値により変化する）の発光／励起スペクトルを示す。

窒素の量を変化することにより、発光は４９５〜５７５ｎｍの範囲でシフトすることができる。とりわけＳｒはシフトに対して鋭敏である（図３）。一方、励起バンドの先端は４００ｎｍから４３０ないし４６５ｎｍに、有利には４４０ｎｍにシフトすることができる。図４のＭ＝Ｂａを参照のこと。観察されるいっそう高い波長へのシフトは、Ｅｕ５ｄバンドの重心がいっそう低いエネルギーのところになり、さらにＥｕ５ｄバンドの配位子場開裂がいっそう強くなることに起因する。

カチオンＭに対する添加物としてＺｎを有利には３０％よりも多くはならないよう混入させ、さらにＡｌを少なくとも部分的に有利には２５％よりも多くはならないようＧａと置き換えることにより、および／またはＳｉをＧｅにより少なくとも部分的に有利には２５％よりも多くはならないよう置き換えることにより不過程な微調整を達成することができる。

表１

以下に、ＭＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：（１０％）Ｅｕ^２＋（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）に対する合成手順を示す。可能な出発材料は表１に示されている。

すべての酸窒化物蛍光体はトリジマイトも含めて、以下の反応式（気相は無視する）に従い合成することができる：
(1-y)ＭＣＯ_３＋(2-x)/２Ａｌ_２Ｏ_３＋ｘ/4 Ｓｉ_３Ｎ_４＋x/4 ＳｉＯ_２＋y/2 Ｅｕ_２Ｏ_３ →
Ｍ_１−ｙＥｕ_ｙＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ
ただしＭ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの単独または組合せであり、例えばｙ＝０．１である。

例えばＢａ_．９Ｅｕ_０．１Ａｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘの組成物が次の表２に示されている。

表２（単位：グラム）

蛍光体の発光プロパティを示す詳細な実験結果は正確なＳｉＯ_２含有量にほとんど依存していなかった。しかしＳｉＯ_２含有量を適切な量に低減すると（例えば計算されたＳｉＯ_２量の1/60まで低減することができる）、相純度と効率が格段に向上する。

水平管加熱炉において少量のＨ_２（１０％）を伴うＮ_２の還元性雰囲気のもとで、粉末混合物がＭｏるつぼ内において１１００〜１４００°Ｃで数時間焼成される。

さらにＳｉＯ_２還元の役目を明瞭にする試料の励起スペクトルと発光スペクトルが図５から図８に示されている。

図５の実施例：Ｂａ_０．９Ｅｕ_０．１Ａｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ、ただしｘ＝０．３であり、ＳｉＯ_２還元なし。蛍光体は、λexc＝４４０ｎｍにより放射スペクトルに対して励起され、励起スペクトルに対してはλmon＝５３０ｎｍでモニタされた。その主相はＢａＡｌ_２Ｏ_４構造を有する。

図６の実施例：Ｂａ_０．９Ｅｕ_０．１Ａｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ、ただしｘ＝０．３であり、ＳｉＯ_２量は計算されたＳｉＯ_２量の１／４に低減された（λexc＝４４０ｎｍ、λmon＝５３０ｎｍ）。その主相はＢａＡｌ_２Ｏ_４構造を有する。

Ｓｉ3Ｎ4が次の反応式［１］により（ＳｉＮ）^＋のソースとして使用された：
ＭＣＯ_３＋(2-x)/2 Ａｌ_２Ｏ_３＋x/4 Ｓｉ_３Ｎ_４＋x/4 ＳｉＯ_２ →
ＭＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ｛＋ＣＯ2↑｝（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）
ＢａからＣａへ原子半径が低減すると、（ＳｉＮ）^＋による（ＡｌＯ）^＋の置き換えがこの反応によればいっそう困難になることが判明した。結晶格子パラメータ結果は、トリジマイト構造を有するＢａＡｌ_２Ｏ_４へのＮの最大溶解度が約ｘ≒０．６であったことを示す。図９は、ユニットセル容積とトリジマイト構造を有するＢａＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘのｘ値との関係を示す。予想どおり、Ａｌ−Ｏ間隔と比較して小さなＳｉ−Ｎ間隔から、ユニットセル容積はｘの上昇と共に減少する。これは図９に示されている。ｘ値が０．６より大きいと、ユニットセル容積はほとんど一定であり、二次相が観察される。

良好な結果は、ｘが約０．６までのＢａアルミン酸塩により、ＳｉＯ_２量をドープすることなく達成される。

同様に良好な結果は、Ｓｒアルミン酸塩により見られる。（量ｙとして表現される）ＳｉＯ_２含有量の低減により、ＭＡＬ_２−ｘＳｉ_ｘ−ｙＯ_{４−ｘ−２ｙ}Ｎ_ｘ：Ｅｕ、ただし有利にはｙ≦０．２５ｘ、タイプの非化学量論的アルミン酸塩が得られる。最良の性能はＳｉＯ_２補正と、０．５までのｘにより達成される。同じことがＣａアルミン酸塩に対しても真であるが、０．０５より小さいｘの値が有利である。

ＭＡＬ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：１０％Ｅｕ^２＋の発光プロパティを以下より詳細に論議する。図８は、ＭＡＬ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：Ｅｕ^２＋（Ｍ＝Ｓｒ，Ｃａ）の励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す。ＳｉＯ2の含有量は低減されていない。より詳細には図８ａはＳｒＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：Ｅｕ^２＋（１０％）の励起スペクトルと発光スペクトルを示し、図８ｂはＣａＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：Ｅｕ^２＋（１０％）の励起スペクトルと発光スペクトルをそれぞれ種々異なるｘにより示す。

ユニットセル容積とＭＡＬ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘのｘ値との関係に相応して、発光バンドはカチオンに依存して多かれ少なかれ長波長の方向にシフトする。Ｂａの場合、シフトは典型的には４９５ｎｍから５３０ｎｍであり、Ｓｒの場合シフトは典型的には５２５ｎｍから５７５ｎｍであり、Ｃａの場合シフトは典型的には４４０ｎｍから４４５ｎｍである。ＢａＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：（１０％）Ｅｕ^２＋に対しては、発光バンドは約４９７ｎｍから５２７ｎｍに、組み込まれた窒素の含有量ｘの上昇と共にシフトする。励起バンドの位置も相応に３８５ｎｍから４２５ｎｍにシフトする。

ＭＡＬ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：（１０％）Ｅｕ^２＋（ただしＭはＳｒまたはＣａの少なくとも１つ）については、（ＳｉＮ）^＋の量は実質的に発光波長および励起波長を増大させない。なぜなら結晶格子パラメータにシフトがほとんど観察されないからである。Ｅｕの発光バンドの最大シフトは、Ｍ＝Ｃａの場合に窒素組み込みが少ないという事実から１０ｎｍ以下である。従って少量の（ＳｉＮ）^＋の組み込みはＥｕ^２＋イオンの局所座標に僅かな影響しか及ぼさない。この議論は、通常の理論量のＳｉＯ_２の添加により理解される。

しかし驚くべきことには、理論量以下のＳｉＯ_２を使用するのがいくつかの場合で有利である。式（１）において低減されたＳｉＯ_２のＮ組み込みと発光プロパティへの作用は、ＳｒＡｌ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘ：Ｅｕ^２＋（１０％）の場合に最も顕著である。その理由は未だ十分に解明されていない。式（１）で使用すべきＳｉＯ2の量が約係数６０だけ低下されれば、増大された（ＳｉＮ）^＋の量がシフトされたトリジマイト構造を有するＳｒＡｌ_２Ｏ_４結晶格子に組み込まれることが発見された。最大溶解度はｘ≒０．５（表１）である。Ｎ組み込みの結果、Ｅｕ発光バンドは５７５ｎｍまでの長波長にシフトする（図３）。４３０ｎｍでの明瞭な励起ショルダーが図３に示すように、窒素の最大溶解度（ｘ＝０．３...０，５）で発生する。

トリジマイトから誘導された構造の代わりに、ＳｒＳｉＡｌ_２Ｏ_３Ｎ_２の構造から誘導された構造も可能である。この化合物はSchnickにより１９９８年に発見された。これはＬｎＳｉ_３Ｎ_５（ただしＬｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ）タイプのケイ酸窒化物と同位体である。

図１には、白色光源として用いられる半導体コンポーネント（ＬＥＤ）が注型樹脂を用いた形式（図１ａ）と注型樹脂を用いてない形式（図１ｂ）とで描かれている。

図２には、本発明による蛍光体を用いた照明装置が示されている。

図３には、本発明による蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。

本発明による別の蛍光体の発光スペクトルと反射スペクトルが示されている。

図９には、ユニットセルの容積とｘの値との関係が示されている。

Claims

発光物質、有利にはＬＥＤ適用のための蛍光体であって、該蛍光体は３６０から４７０ｎｍの範囲のＵＶ−青色で励起される形式の発光物質において、
Ｅｕドープされたホスト格子が一般的組成物ＭＡＬ_２−ｘＳｉ_ｘＯ_４−ｘＮ_ｘを備え、ただしＭはＣａ，Ｓｒ，Ｂａのグループからのアルカリ希土金属の少なくとも１つであり、ｘ≧０．００２かつｘ≦１．５、有利には０．７以下であり、Ｅｕの割合はＭの０．１から２５％である、ことを特徴とするＵＶ−青色励起発光物質。
ホスト格子はトリジマイト構造から誘導される、請求項１記載のＵＶ−青色励起発光物質。
Ｍは緑色発光を達成するためのストロンチウムおよび/またはバリウムである、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
Ｍは青色発光を達成するためのカルシウムである、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
Ｍは前記物質の少なくとも２つの混合物である、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
Ｍは有利には４０mol-％までのＺｎを付加的に含む、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
Ａｌは完全にまたは部分的にＧａにより置き換えられる、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
Ｓｉは完全にまたは部分的に、有利には２５％以上がＧｅにより置き換えられる、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
ホスト格子にはさらにＭｎがドープされており、共ドープされたＭｎの量は有利にはＥｕドープの５０％までである、請求項１記載のＵＶ−青色励起物質。
請求項１から９までのいずれか１つに記載のＵＶ−青色励起発光物質を有する光源（２０）。
一次放射光は青色であり、請求項１から９までのいずれか１項記載のＵＶ−青色励起発光物質は他の蛍光体、とりわけ赤色発光蛍光体と一次放射光を長波長の二次放射光に変換するために結合されており、これにより白色光を発する、請求項１０記載の光源。
一次放射光はＵＶであり、請求項１から９までのいずれか１項記載のＵＶ−青色励起発光物質は他の蛍光体、とりわけ赤色および青色発光蛍光体と一次放射光を長は称の二次放射光に変換するために結合されており、これにより白色光を発する、請求項１０記載の光源。
光源は少なくとも１つのＬＥＤを備える照明デバイスである、請求項１０記載の光源。