JP2005529058A - 炭素含有るつぼ中において希土類塩化物、臭化物もしくは沃化物を処理する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
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Korczakら、J. Crystal Growth Vol.61 (1983), No.3, (XP-002233142)
(上式中、Lnは1種以上の希土類元素を表し、XはCl、BrもしくはIより選ばれる1種以上のハロゲン原子を表し、AはK、Li、Na、RbもしくはCs等の1種以上のアルカリ金属を表し、e及びfは、eは0であってもよく、2f以下であり、fは1以上であるような値を表す)
を有する。
AL2X7(式中、Lnは1種以上の希土類元素を表し、XはCl、BrもしくはIより選ばれる1種以上のハロゲン原子を表し、AはRb及びCs等のアルカリ金属を表す)
0.1〜50wt%のCeCl3でドープされたLaCl3
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたLnBr3
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたLaBr3
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたGdBr3
0.1〜50wt%のCeX3でドープされたLaxLn(1-x)X3(xは0〜1であり、LnはLaとは異なる希土類元素であり、Xは上記のハロゲンである)
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたLaxGd(1-x)Br3(xは0〜1である)
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたLaxLu(1-x)Br3(xは0〜1である)
Ln'xLn"(1-x)X'3(1-y)X"3y(式中、Ln'及びLn"はLnタイプとは異なる2種の希土類元素であり、X'及びX"はXタイプとは異なる2種のハロゲンであり、特にCl及びBrであり、xは0〜1であり、yは0〜1である)
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたRbGd2Br7
0.1〜50wt%のCeCl3でドープされたRbLn2Cl7
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたRbLn2Br7
0.1〜50wt%のCeCl3でドープされたCsLn2Cl7
0.1〜50wt%のCeBr3でドープされたCsLn2Br7
0.1〜50wt%のCeCl3でドープされたK2LaCl5
グラファイト基材と熱分解炭素コーティングを含む材料
グラファイト基材と炭化珪素コーティングを含む材料
すべてグラファイトからなる(コーティングを含まない)材料
50gのCeCl3を、約500μmの平均粒度を有する粉末の形態の500gの無水LaCl3に加えた。この混合物をグラファイト炉(グラファイト加熱エレメント)に入れた。系を高真空下(1×10-4ミリバール未満)で300℃まで加熱し、次いで窒素流を加えた。生成物はグラファイトるつぼ中で溶融した。1〜3mm/hの引き出し速度においてブリッジマン成長を行った。得られた結晶は透明であり(黒色の斑点はない)、るつぼに付着しなかった。
15gのNH4Brを、約500μmの平均粒度を有する粉末の形態の500gの無水LaBr3に加えた。この混合物をグラファイト炉(グラファイト加熱エレメント)に入れた。系を真空において170℃まで加熱し、次いで窒素流を加えた。生成物はグラファイトるつぼ中で溶融した。1〜3mm/hの引き出し速度においてブリッジマン成長を行った。得られた結晶は透明であり(黒色の斑点はない)、るつぼに付着しなかった。
50gの粉末形態の無水LaCl3を、シールした炉内に入れたシリカるつぼに入れた。系を真空パージし、次いで窒素流を加えた。内容物が完全に溶融するまで温度を高めた(約900℃)。冷却後、LaCl3結晶及びシリカるつぼは互いに結合し、全体が破壊した。
40gの粉末形態の無水LaCl3を、シールした炉内に入れた白金るつぼに入れた。系を真空パージし、次いで窒素流を加えた。内容物が完全に溶融するまで温度を高めた(約900℃)。冷却後、LaCl3結晶及びシリカるつぼは互いに結合した。破壊することなく結晶を取り出すことができなかった。
約800ppmの酸素を含む1000gのBaF2をグラファイト炉に入れた。内容物が溶融するまで系を高真空下において1360℃にした。生成物はグラファイトるつぼ中で溶融した。ブリッジマン成長を行った。得られた結晶は透明であるが、黒い斑点及び気泡を含んでいた。結晶の底には多くの黒色の斑点が観察された。この結晶はわずかにるつぼに付着し、これはグラファイトと接触している結晶の表面に黒い斑点が存在している結果である。この結晶の透過度は紫外線下において大きく低下した。
55gの無水CeCl3を、粉末の形態の504gの無水LaCl3に加えた。この混合物をグラファイト炉に入れた。系を高真空下(1×10-4ミリバール未満)で300℃まで加熱し、次いで窒素流を加えた。生成物は熱分解炭素コーティングでコートされたグラファイト製のるつぼ中で溶融した。ブリッジマン成長を行った。得られた結晶は透明であり、黒色の斑点はなく、るつぼに付着しなかった。622keVのγ線(137Cs)で励起されると、放出される光強度はTI:NaI結晶(対照シンチレーター結晶)の118%であった。これは、原子価IIIのセリウム(シンチレーション用の活性イオン)を安定化する観点から、ハロゲン化ランタンの結晶特性が優れていることを示している。
0.5wt%のCeBr3を、911gの無水LaBr3に加えた。この混合物をグラファイト炉に入れた。系を高真空下で600℃まで加熱し、次いで窒素流を加えた。生成物は熱分解炭素コーティングでコートされたグラファイト製のるつぼ中で約820℃において溶融した。ブリッジマン成長を行った。得られた結晶には黒色の斑点はなく、るつぼに付着しなかった。
0.5wt%のCeBr3を、743gの無水LaBr3(例7と同じバッチからのもの)に加えた。この混合物をグラファイト炉に入れた。系を高真空下で820℃まで加熱した。生成物は透明なシリカるつぼ内で約820℃において溶融した。ブリッジマン成長を行った。得られた結晶は中心に多くの黒色の斑点を含んでいた。るつぼとの界面は破壊した。
粉末形態の50gの無水LaCl3を、熱分解BNでコートしたグラファイト製のるつぼに入れ、シールした炉に入れた。真空にし、窒素流を加えた。完全に溶融するまで温度を高めた(約900℃)。結晶はるつぼに付着しなかった。冷却後、ブロックには黒色の斑点はなく、るつぼから容易に取り出すことができた。
粉末形態の50gの無水LaBr3を、熱分解BNでコートしたグラファイト製のるつぼに入れ、シールした炉に入れた。真空にし、窒素流を加えた。完全に溶融するまで温度を高めた(約900℃)。冷却後、ブロックには黒色の斑点はなく、るつぼから容易に取り出すことができた。この結晶はるつぼに付着しなかった。
1000ppmの沃化タリウムでドープされた100kgのNaIを、熱分解炭素コーティングでコートされたグラファイト製のるつぼに入れた。次いでこのるつぼをブリッジマン炉(この炉では通常白金るつぼが用いられる)に入れ、標準NaIブリッジマン成長サイクルを行った。決勝を現場でアニールした。得られた結晶は冷却するとるつぼから容易に取り出すことができた。結晶化の最後は灰色であり、微量の炭素を含んでいた。この結晶は曇っており、2インチコンポーネントにおけるエネルギー分析では622keVにおいて8.5%より高かった。これは標準NaI結晶には不十分であった。この結晶のシンチレーション特性(γ光子あたりの光収率及びエネルギー解像度)は同じ原料から白金るつぼを用いて得られた結晶と比較して実質的に低下した。
155gの無水CeCl3を粉末形態の1504gの無水LaCl3に加えた。この混合物をグラファイト炉に入れた。系を真空下(1.0ミリバール未満の圧力)において300℃に加熱し、窒素流にした。生成物をグラファイトるつぼ内で溶融した。キロプロス成長を行った(溶融槽にLaCl3シードをディップすることにより)。得られた結晶は透明であり、黒色の斑点はなかった。溶融槽の残留物はるつぼに付着せず、るつぼを容易にきれいにすることができた。
Claims (22)
- 希土類塩化物、臭化物もしくは沃化物タイプの希土類ハロゲン化物を含む組成物を不透明材料によって処理する方法であり、前記材料が少なくとも20wt%の炭素を含み、500℃を超える温度において溶融状態で前記組成物が前記材料と接触することを特徴とする方法。
- 前記材料がるつぼの一部を形成することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記材料がグラファイト又は非晶質炭素を含むことを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
- 前記材料が、希土類ハロゲン化物を含む組成物と接触させるためのグラファイト基材及びコーティングを含むことを特徴とする、請求項3記載の方法。
- 前記コーティングが熱分解炭素より形成されていることを特徴とする、請求項4記載の方法。
- 前記コーティングが窒化硼素より形成されていることを特徴とする、請求項4記載の方法。
- 前記コーティングが炭化珪素より形成されていることを特徴とする、請求項4記載の方法。
- 前記材料がグラファイト又は非晶質炭素のみから形成されていることを特徴とする、請求項3記載の方法。
- 前記接触が500℃〜1000℃において行われることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記組成物が少なくとも10wt%の希土類元素を含むことを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記組成物が少なくとも20wt%の希土類元素を含むことを特徴とする、請求項10記載の方法。
- 前記組成物から希土類ハロゲン化物を含む単結晶を成長させることを含むことを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 単結晶の成長を5mm/h未満の速度で行う、請求項12記載の方法。
- 前記成長がブリッジマンタイプであることを特徴とする、請求項12又は13記載の方法。
- 単結晶が下式を有することを特徴とする、請求項12〜14のいずれか1項に記載の方法。
AeLnfX(3f+e)
(上式中、Lnは1種以上の希土類元素を表し、
XはCl、BrもしくはIより選ばれる1種以上のハロゲン原子を表し、
AはK、Li、Na、RbもしくはCsより選ばれる1種以上のアルカリ金属を表し、
e及びfは、eは0であってもよく、2f以下であり、fは1以上であるような値を表す) - 単結晶が下式を有することを特徴とする、請求項15記載の方法。
ALn2X7
(上式中、Lnは1種以上の希土類元素を表し、
XはCl、BrもしくはIより選ばれる1種以上のハロゲン原子を表し、
AはRbもしくはCsを表す) - 前記組成物がLaCl3及び/又はLaBr3及び/又はGdBr3及び/又はLaxGd(1-x)Br3(xは0〜1である)を含むことを特徴とする、請求項15記載の方法。
- 前記組成物がCeCl3及び/又はCeBr3をも含むことを特徴とする、請求項17記載の方法。
- 前記不透明材料がグラファイトエレメントによって加熱されることを特徴とする、請求項1〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 同じるつぼが少なくとも5回用いられ、各回ごとにるつぼが室温に戻される、請求項1〜19のいずれか1項に記載の方法。
- 同じるつぼが少なくとも10回用いられ、各回ごとにるつぼが室温に戻される、請求項20記載の方法。
- 請求項1〜21のいずれか1項に記載の方法により製造される結晶質材料。
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