JP2005529058A5 - - Google Patents
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Claims (23)
- 下式
Ａ e Ｌｎ f Ｘ (3f+e)
（上式中、Ｌｎは１種以上の希土類を表し、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩより選ばれる１種以上のハロゲン原子を表し、ＡはＫ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ及びＣｓより選ばれる１種以上のアルカリ金属を表し、ｅは０であってもよく、２ｆ以下であり、ｆは１以上である）
を有する希土類ハロゲン化物を少なくとも80wt％含む組成物を不透明材料によって処理する方法であり、前記材料が少なくとも20wt％の炭素を含み、前記組成物と接触する前記材料の表面が少なくとも20wt％の炭素を含み、500℃を超える温度において溶融状態で前記組成物が前記材料と接触することを特徴とする方法。 - 前記材料がるつぼの一部を形成することを特徴とする、請求項１記載の方法。
- 前記材料がグラファイト又は非晶質炭素を含むことを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
- 前記材料が、希土類ハロゲン化物を含む組成物と接触させるためのグラファイト基材及びライニングを含むことを特徴とする、請求項３記載の方法。
- 前記ライニングが熱分解炭素より形成されていることを特徴とする、請求項４記載の方法。
- 前記ライニングが炭化珪素より形成されていることを特徴とする、請求項４記載の方法。
- 前記材料がグラファイト又は非晶質炭素のみから形成されていることを特徴とする、請求項３記載の方法。
- 前記接触が500℃〜1000℃において行われることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
- 前記組成物が少なくとも10wt％の希土類元素を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
- 前記組成物が少なくとも20wt％の希土類元素を含むことを特徴とする、請求項９記載の方法。
- 前記処理を10ミリバール未満の酸素／水分圧下において行うことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
- 前記組成物から希土類ハロゲン化物を含む単結晶を成長させることを含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
- 単結晶の成長を５mm/h未満の速度で行う、請求項１２記載の方法。
- 前記成長がブリッジマンタイプであることを特徴とする、請求項１２又は１３記載の方法。
- 前記成長がキロプロスタイプまたはチョクラスキタイプであることを特徴とする、請求項１２又は１３記載の方法。
- 単結晶が下式を有することを特徴とする、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
ＡeＬｎfＸ(3f+e)
（上式中、Ｌｎは１種以上の希土類元素を表し、
ＸはＣｌ、ＢｒもしくはＩより選ばれる１種以上のハロゲン原子を表し、
ＡはＫ、Ｌｉ、Ｎａ、ＲｂもしくはＣｓより選ばれる１種以上のアルカリ金属を表し、
ｅ及びｆは、ｅは０であってもよく、２ｆ以下であり、ｆは１以上であるような値を表す） - 単結晶が下式を有することを特徴とする、請求項１６記載の方法。
ＡＬｎ2Ｘ7
（上式中、Ｌｎは１種以上の希土類元素を表し、
ＸはＣｌ、ＢｒもしくはＩより選ばれる１種以上のハロゲン原子を表し、
ＡはＲｂもしくはＣｓを表す） - 前記組成物がＬａＣｌ3及び／又はＬａＢｒ3及び／又はＧｄＢｒ3及び／又はＬａxＧｄ(1-x)Ｂｒ3（ｘは０〜１である）を含むことを特徴とする、請求項１６記載の方法。
- 前記組成物がＣｅＣｌ3及び／又はＣｅＢｒ3をも含むことを特徴とする、請求項１８記載の方法。
- 前記不透明材料がグラファイトエレメントによって加熱されることを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
- 同じるつぼが少なくとも５回用いられ、各回ごとにるつぼが室温に戻される、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
- 同じるつぼが少なくとも１０回用いられ、各回ごとにるつぼが室温に戻される、請求項２１記載の方法。
- 請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法により製造される結晶質材料。
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