RU2005100043A - Способ обработки хлорида, или бромида, или йодида редкоземельного металла в углеродсодержащем тигле - Google Patents
Способ обработки хлорида, или бромида, или йодида редкоземельного металла в углеродсодержащем тигле Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005100043A RU2005100043A RU2005100043/15A RU2005100043A RU2005100043A RU 2005100043 A RU2005100043 A RU 2005100043A RU 2005100043/15 A RU2005100043/15 A RU 2005100043/15A RU 2005100043 A RU2005100043 A RU 2005100043A RU 2005100043 A RU2005100043 A RU 2005100043A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- rare earth
- composition
- carbon
- crucible
- cultivation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Claims (23)
1. Способ обработки композиции, содержащей по меньшей мере 80 мас.% галогенида редкоземельного элемента формулы AeLnfX(3f+e), в которой Ln означает один или несколько редкоземельных элементов, X означает один или несколько атомов галогена, выбранных из Cl, Br и I, и A означает один или несколько щелочных металлов, выбранных из K, Li, Na, Rb и Cs, e и f имеют значения, такие что e, который может быть нулем, меньше или равен 2f, f больше или равен 1, путем контактирования с непрозрачным материалом, отличающийся тем, что указанный материал содержит по меньшей мере 20 мас.% углерода, поверхность указанного материала, которая находится в контакте с указанной композицией, содержит по меньшей мере 20 мас.% углерода, при этом указанная композиция контактирует с указанным материалом в расплавленном состоянии при температуре выше 500°C.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал образует часть тигля.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что материал содержит графит или аморфный углерод.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что материал содержит графитовую основу и облицовку, предназначенную для контактирования с композицией, содержащей галогенид редкоземельного элемента.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что облицовка сделана из пиролитического углерода.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что облицовка сделана из карбида кремния.
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что материал полностью сделан из графита или аморфного углерода.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что контакт происходит при температуре от 500 до 1000°C.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что композиция содержит по меньшей мере 10 мас.% редкоземельного элемента.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что композиция содержит по меньшей мере 20% масс. редкоземельного элемента.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку осуществляют при парциальном давлении кислорода/воды менее 10 миллибар.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработка происходит в условиях роста из композиции монокристалла, содержащего галогенид редкоземельного элемента.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что выращивание осуществляют со скоростью роста менее 5 мм/ч.
14. Способ по любому из п.12 или 13, отличающийся тем, что выращивание является выращиванием по типу Бриджемана.
15. Способ по любому из п.12 или 13, отличающийся тем, что выращивание является выращиванием по типу Кирополоса или Чохральского.
16. Способ по любому из пп.12 и 13, отличающийся тем, что монокристалл имеет формулу AeLnfX(3f+e), в которой Ln означает один или несколько редкоземельных элементов, X означает один или несколько атомов галогена, выбранных из Cl, Br и I, и A означает один или несколько щелочных металлов, выбранных из K, Li, Na, Rb и Cs, e и f имеют значения, такие что e, который может быть нулем, меньше или равно 2f, f больше или равно 1.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что монокристалл имеет формулу ALn2X7, в которой Ln означает один или несколько редкоземельных элементов и X означает один или несколько атомов галогена, выбранных из Cl, Br и I, A означает Rb или Cs.
18. Способ по п.16, отличающийся тем, что композиция содержит LaCl3 и/или LaBr3 и/или GdBr3 и/или LaxGd(1-x)Br3 при x в пределах от 0 до 1.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что композиция также содержит CeCl3 и/или CeBr3.
20. Способ по п.1, отличающийся тем, что непрозрачный материал нагревают графитовыми элементами.
21. Способ по п.1, применяемый в использовании одного и того же тигля по меньшей мере пять раз, при этом тигель каждый раз возвращают в условия температуры окружающей среды.
22. Способ по п.21, применяемый с использованием одного и того же тигля по меньшей мере десять раз, при этом тигель каждый раз возвращают в условия температуры окружающей среды.
23. Кристаллическое вещество, полученное на основе способа по одному из пп.1-22.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0207187A FR2840926B1 (fr) | 2002-06-12 | 2002-06-12 | Utilisation d'un creuset comprenant du carbone pour la croissance de cristaux comprenant un halogenure de terre rare |
| FR0207187 | 2002-06-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005100043A true RU2005100043A (ru) | 2005-06-10 |
| RU2324021C2 RU2324021C2 (ru) | 2008-05-10 |
Family
ID=29595156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005100043/15A RU2324021C2 (ru) | 2002-06-12 | 2003-06-11 | Способ обработки хлорида или бромида, или йодида редкоземельного металла в углеродсодержащем тигле |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7332028B2 (ru) |
| EP (1) | EP1516078B1 (ru) |
| JP (1) | JP4584710B2 (ru) |
| CN (1) | CN1311106C (ru) |
| AT (1) | ATE350518T1 (ru) |
| AU (1) | AU2003255657B2 (ru) |
| CA (1) | CA2489234A1 (ru) |
| DE (1) | DE60310932T2 (ru) |
| FR (1) | FR2840926B1 (ru) |
| IL (2) | IL165345A0 (ru) |
| PL (1) | PL206640B1 (ru) |
| RU (1) | RU2324021C2 (ru) |
| UA (1) | UA81766C2 (ru) |
| WO (1) | WO2003106741A2 (ru) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1014401C2 (nl) * | 2000-02-17 | 2001-09-04 | Stichting Tech Wetenschapp | Ceriumhoudend anorganisch scintillatormateriaal. |
| FR2847594B1 (fr) * | 2002-11-27 | 2004-12-24 | Saint Gobain Cristaux Detecteu | Preparation de blocs d'halogenure de terre rare |
| FR2855830B1 (fr) * | 2003-06-05 | 2005-07-08 | Stichting Tech Wetenschapp | Cristaux scintillateurs du type iodure de terre rare |
| US7173247B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-02-06 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Lu1-xI3:Cex—a scintillator for gamma ray spectroscopy and time-of-flight PET |
| US7329874B2 (en) * | 2003-09-24 | 2008-02-12 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Lu1-xI3:Cex-a scintillator for gamma-ray spectroscopy and time-of-flight pet |
| US7084403B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-08-01 | General Electric Company | Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture |
| FR2869115B1 (fr) * | 2004-04-14 | 2006-05-26 | Saint Gobain Cristaux Detecteu | Materiau scintillateur a base de terre rare a bruit de fond nucleaire reduit |
| US20060018566A1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-01-26 | Coleman Christopher R | System and method for adding spatial frequency into an image |
| US7202477B2 (en) * | 2005-03-04 | 2007-04-10 | General Electric Company | Scintillator compositions of cerium halides, and related articles and processes |
| WO2007031583A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Stichting Voor De Technische Wetenschappen | High light yield fast scintillator |
| US7541589B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-06-02 | General Electric Company | Scintillator compositions based on lanthanide halides, and related methods and articles |
| US7767975B2 (en) * | 2007-12-04 | 2010-08-03 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Ionizing radiation detector |
| US20090146065A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | General Electric Company | Scintillator materials based on lanthanide silicates or lanthanide phosphates, and related methods and articles |
| FR2929296B1 (fr) | 2008-03-31 | 2011-01-21 | Saint Gobain Cristaux Detecteurs | Recuit de monocristaux |
| US20100224798A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-09-09 | Stichting Voor De Technische Wetenschappen | Scintillator based on lanthanum iodide and lanthanum bromide |
| US20110085957A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Johann-Christoph Von Saldern | Process for producing scintillation materials of low strain birefringence and high refractive index uniformity |
| FR2954760B1 (fr) | 2009-12-28 | 2013-12-27 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillateur en halogenure de terre rare cristallin a face sensible polie |
| US8912498B2 (en) * | 2010-05-10 | 2014-12-16 | University Of Tennessee Research Foundation | Halide scintillator for radiation detection |
| US20120097092A1 (en) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Meng Zhu | Apparatus for growing single crystals |
| FR2978251B1 (fr) | 2011-07-19 | 2014-04-18 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | Detecteur a scintillateur conique |
| FR3004467B1 (fr) | 2013-04-12 | 2016-05-27 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Fabrication d'une elpasolite stoechiometrique |
| FR3022555B1 (fr) | 2014-06-23 | 2017-12-22 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Materiau luminescent a couche photonique texturee |
| KR20180107216A (ko) | 2016-03-04 | 2018-10-01 | 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 | 모터사이클의 롤 각도를 결정하는 방법 |
| CN107215887B (zh) * | 2017-06-09 | 2018-05-04 | 厦门中烁光电科技有限公司 | 无水溴化铈的制备方法 |
| CN109988577B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-12-25 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料及其应用 |
| EP3737732B1 (fr) | 2018-01-11 | 2022-06-01 | Stichting voor de Technische Wetenschappen | Matériau scintillateur comprenant un halogémure d'alcalino-terreuxcristallin dopé par un activateur et co-dopé par sm2+ |
| CN111186853B (zh) * | 2018-10-26 | 2021-02-09 | 北京梦晖科技有限公司 | 一种稀土卤化物的制备方法 |
| JP7364804B2 (ja) | 2020-04-14 | 2023-10-18 | サン－ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | イオン伝導性材料、イオン伝導性材料を含む電解質、およびその形成方法 |
| JP7265680B6 (ja) | 2020-04-14 | 2024-02-15 | サン－ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 電解質材料および形成方法 |
| CN115428218A (zh) | 2020-08-07 | 2022-12-02 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 电解质材料及其形成方法 |
| FR3114104A1 (fr) | 2020-09-15 | 2022-03-18 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Matériau scintillateur comprenant une pérovskite d’halogénure dopée |
| RU2762083C1 (ru) * | 2021-02-01 | 2021-12-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида |
| JP2023543112A (ja) | 2021-05-17 | 2023-10-13 | サン－ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 電解質材料及び形成する方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3959442A (en) * | 1974-03-07 | 1976-05-25 | Hughes Aircraft Company | Preparing single crystals of Li(Ho,Y,Er,Tm,Dy)F4 in HF atmosphere |
| US4251315A (en) * | 1976-11-19 | 1981-02-17 | Hughes Aircraft Company | Method of growing metal halide and chalcogenide crystals for use as infrared windows |
| JPH03285898A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Nikko Kyodo Co Ltd | フッ化イットリウムリチウム系単結晶の製造方法 |
| US5478498A (en) * | 1993-12-03 | 1995-12-26 | Tosoh Corporation | Disordered fluorite-type photochemical hole burning crystal containing SM2+ as active ions |
| JPH07157395A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-20 | Tosoh Corp | 光化学ホールバーニング結晶及びその製造法 |
| US5911824A (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-15 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method for growing crystal |
| NL1014401C2 (nl) * | 2000-02-17 | 2001-09-04 | Stichting Tech Wetenschapp | Ceriumhoudend anorganisch scintillatormateriaal. |
| FR2847594B1 (fr) * | 2002-11-27 | 2004-12-24 | Saint Gobain Cristaux Detecteu | Preparation de blocs d'halogenure de terre rare |
-
2002
- 2002-06-12 FR FR0207187A patent/FR2840926B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-11 AU AU2003255657A patent/AU2003255657B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-11 DE DE60310932T patent/DE60310932T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-11 PL PL371976A patent/PL206640B1/pl unknown
- 2003-06-11 AT AT03760004T patent/ATE350518T1/de active
- 2003-06-11 WO PCT/FR2003/001735 patent/WO2003106741A2/fr active IP Right Grant
- 2003-06-11 JP JP2004513543A patent/JP4584710B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-11 EP EP03760004A patent/EP1516078B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-11 RU RU2005100043/15A patent/RU2324021C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-06-11 IL IL16534503A patent/IL165345A0/xx active IP Right Grant
- 2003-06-11 CN CNB038136597A patent/CN1311106C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-11 CA CA002489234A patent/CA2489234A1/fr not_active Abandoned
- 2003-06-11 US US10/515,349 patent/US7332028B2/en active Active
- 2003-11-06 UA UAA200500248A patent/UA81766C2/ru unknown
-
2004
- 2004-11-23 IL IL165345A patent/IL165345A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL165345A (en) | 2007-10-31 |
| UA81766C2 (ru) | 2008-02-11 |
| US20050188914A1 (en) | 2005-09-01 |
| IL165345A0 (en) | 2006-01-15 |
| EP1516078B1 (fr) | 2007-01-03 |
| PL371976A1 (en) | 2005-07-11 |
| AU2003255657B2 (en) | 2009-07-02 |
| JP2005529058A (ja) | 2005-09-29 |
| ATE350518T1 (de) | 2007-01-15 |
| JP4584710B2 (ja) | 2010-11-24 |
| PL206640B1 (pl) | 2010-09-30 |
| CA2489234A1 (fr) | 2003-12-24 |
| RU2324021C2 (ru) | 2008-05-10 |
| EP1516078A2 (fr) | 2005-03-23 |
| DE60310932D1 (de) | 2007-02-15 |
| DE60310932T2 (de) | 2007-10-11 |
| FR2840926A1 (fr) | 2003-12-19 |
| FR2840926B1 (fr) | 2005-03-04 |
| AU2003255657A1 (en) | 2003-12-31 |
| US7332028B2 (en) | 2008-02-19 |
| CN1659318A (zh) | 2005-08-24 |
| WO2003106741A3 (fr) | 2004-04-15 |
| CN1311106C (zh) | 2007-04-18 |
| WO2003106741A2 (fr) | 2003-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2005100043A (ru) | Способ обработки хлорида, или бромида, или йодида редкоземельного металла в углеродсодержащем тигле | |
| JP2005529058A5 (ru) | ||
| US7670578B2 (en) | Method for preparing rare-earth halide blocks | |
| Epelbaum et al. | Natural growth habit of bulk AlN crystals | |
| WO2006087982A1 (ja) | 六方晶窒化ホウ素単結晶の製造方法および六方晶窒化ホウ素単結晶 | |
| JPWO2007122866A1 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| US5211801A (en) | Method for manufacturing single-crystal silicon carbide | |
| US6824608B2 (en) | Seed crystal for epitaxial growth of single-crystal calcium fluoride | |
| KR101286337B1 (ko) | 제 13 족 금속 질화물 결정의 제조 방법, 반도체디바이스의 제조 방법, 및 이들 제조 방법에 사용하는용액과 융액 | |
| Sugiura et al. | Low temperature phase diagram of In-Ga-P ternary system | |
| Fukuda et al. | Growth and characterization of twin-free ZnSe single crystals by the vertical Bridgman method | |
| JP4876002B2 (ja) | 窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法 | |
| JPWO2008099720A1 (ja) | 窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法 | |
| JP2003238294A (ja) | ガーネット単結晶基板及びその製造方法 | |
| JPS59137400A (ja) | 低転位密度ｐ型砒化ガリウム単結晶およびその製造方法 | |
| KR20050010513A (ko) | 탄소를 포함하는 도가니에서 염화, 브롬화 또는 요오드화희토류를 조정하는 방법 | |
| GB1427879A (en) | Neadymium ultraphosphates | |
| JPS6230697A (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造法 | |
| SMILTENS | The growth of SiC crystals from vapor by the Bridgman-Stockbarger method[Physical Sciences Research Papers] | |
| CS270084B1 (cs) | Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého | |
| JPS649894A (en) | Method for growing single crystal of superconducting oxide | |
| CS218034B1 (cs) | Způsob přípravy monokrystalů yttritohlinitého perovskitu, dotovaného ionty ceru |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160612 |