CS270084B1 - Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého - Google Patents

Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého Download PDF

Info

Publication number
CS270084B1
CS270084B1 CS886282A CS628288A CS270084B1 CS 270084 B1 CS270084 B1 CS 270084B1 CS 886282 A CS886282 A CS 886282A CS 628288 A CS628288 A CS 628288A CS 270084 B1 CS270084 B1 CS 270084B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
fluoride
lanthanum
weight
preparation
mixture
Prior art date
Application number
CS886282A
Other languages
English (en)
Other versions
CS628288A1 (en
Inventor
Josef Ing Jindra
Milan Kodousek
Ivan Ing Boucek
Original Assignee
Josef Ing Jindra
Milan Kodousek
Boucek Ivan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Josef Ing Jindra, Milan Kodousek, Boucek Ivan filed Critical Josef Ing Jindra
Priority to CS886282A priority Critical patent/CS270084B1/cs
Publication of CS628288A1 publication Critical patent/CS628288A1/cs
Publication of CS270084B1 publication Critical patent/CS270084B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Předmětem řeSení je výchozí směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého, pomocí které se dosahuje snížení pnutí v krystalech, snížení jejich praskavosti a tím zvýšení výtěžnosti. Základní složkou směsi je fluorid lanthanitý (96,5 až 99,89 % hmot.), který je doplněn aktivátorem/y fluoridem či oxidem europitým a případně též fluoridem či oxidem dysprosia, (celkem 0,01 až 0,5 % hmot.), desoxidátorem fluoridem olovnatým (0 až 2 % hmot) a stabilizačním přídavkem 0,1 až 1 % hmot. oxidu lanthanitého. Tato vsázka je pak v grafitovém kelímku v pěstovací peci roztavena a metodou sestupného kelímku je pěstován krystal.

Description

Řešení se týká směsi pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého a řeší problém zvýšení výtěžnosti jejich přípravy.
Dotované monokrystaly fluoridu lanthanitého mají zvláštní význam jakožto čidla v potenciometrických analytických metodách (M.S.Frants USA pat. 3 431 182/66 resp. M.S. Frant, j.W.Rosss Science 154, 1553 (1966)). Jako dotující příměs k LaFj je nejčastěji používán fluorid europitý EuFj, který je v redukčních podmínkách přípravy krystalů v mřížce částečně redukován na EuFj a tím se zlepěuje elektrická vodivost čidla, což má velký praktický význam. V podstatě stejný efekt však vykazují i jiné aktivátory z řady vzácných zemin (DyFj, SmFj, NdFj, PrFj aj.). Vztahy mezi složením, krystalografickou orientací a funkčními vlastnostmi takto aktivovaných krystalů nejsou dosud dostatečně prozkoumány (J.Veselý, K.štulíks Anal. Chern. Acts 73, 157 (1974)). Zřejmě značný vliv má i způsob přípravy monokrystalů, které se připravují většinou z vlastní taveniny metodou sestupného kelímku (metoda Stockbargerova) pod vakuem v grafitovém kelímku, jehož povrch hraje důležitou roli při parciální redukci trojmocného stavu vzácné zeminy na dvojmocný. Pro. mnohonásobnou přípravu těchto krystalů je vhodná např. grafitová kelímková sestava popsaná v autorském osvědčení č. 1265/73.
K pěstování dotovaných krystalů LaFj je zpravidla základním prvkem vsázky fluorid lanthanitý (zpravidla čistší než jakost p. a.), ke kterému jsou přidány v různých množstvích dotační příměsi, případně i fluorid olovnatý PbF2 jako desoxidátor, který při roztavování reaguje s přítomným povrchově vázaným kyslíkem a vodou vysublimuje jako PbO. Růst ve velkém teplotním gradientu při metodě Stockbargeově obecně vede ke vzniku termického pnutí v krystalu, a v důsledku toho k praskání krystalů, které je většinou tím výraznější, čím kvalitnější krystalový materiál vzniká. Růst při menší teplotním gradientu vede ke koncentračnímu podchlazování, nepravidelnému dendritickému růstu, vzniku bublin a jiných nehomogenit, které v podstatě znemožňují použití krystalu jako funkčního elementu. Podmínky pro kvalitní růst se dále zhoršují v případě dotovaných krystalů. Rozdílnost iontových poloměrů příměsí a základní látky vede, zvláště při snaze dosáhnout vysoké chemické jakosti a strukturní dokonalosti krystalů vysokým teplotním gradientem, k deformacím struktury, dalšímu pnutí v poměrně složité hexagonální mřížce, k nestabilitě systému a tím k praskání krystalů, což značně snižuje efektivnost přípravy. Tyto jevy jsou při pěstování krystalů LaFj zvláště výrazné. Krystaly jsou křehké a snadno praskají při náhlých změnách teplot i o 50 °C.
Tuto potíž podstatným způsobem odstraňuje postup přípravy krystalů spočívající ve zvláštním složení vsázky, a to tak, ?e vsázka pro pěstování je složena z fluoridu lanthanitého (96,5 až 99,89 % hmot.), z 0,01 až 0,5 % hmot, aktivátoru na bázi fluoridů nebo oxidů prvků vzácných zemin, (jmenovitě europia a případně též dysprosia), dále 0 až 2 % hmot, desoxidátoru fluoridu olovnatého PbF2 a přídavku 0,1 až 1 % hmot, oxidu lanthanitého La20j. Vsázka je v pěstovacím kelímku v peci pod vakuem roztavena a způsobem Stockbargerovým je provedena krystalizace.
Účinek.La20j se projevuje ve stabilizaci systému při růstu, resp. stabilizaci krystalové mřížky dotovaného krystalu, a v unifikaci výsledné krystalografické jakosti; zásadním způsobem se snižuje-pnutí a podstatně omezuje praskání krystalů při pěstování a při následném zpracování na elementy. Jejich funkční způsobilost se přitom nemění.
Konkrétní sestavení směsí pro pěstování a odpovídající výsledky demonstrují příklady 1 až 4. Fluorid lanthanitý, používaný v níže uváděných směsích, měl čistotu alespoň odpovídající jakosti p. a. a byl přetaven ve vakuu 1.10 Pa - 1.10 Pa s přídavkem 5 % hmot. PbF2. Ostatní součástí výchozí směsi měly čistotu odpovídající alespoň jakosti p. a., oxid lanthanitý byl žíhán po 2 hodiny při 1 000 °C na vzduchu. Příklad 1 : ' ' . Směs·. 99,215 % hmot, fluoridu lénthanitého, ..
0,7 X hmot, fluoridu olovnatého, 0,07 % hmot, oxidu europitého, 0,015 % hmot, oxidu dysprositého.
CS 270 084 81
Tato vsázka byla pod vakuem roztavena v pěstovací peci (1 550 °C) v grafitovém mnohootvorovém kelímku a Stockbargerovou metodou sestupného kelímku vypěstovány krystaly, z nichž 70 až 80 % popraskalo při pěstování a zpracování.
Příklad 2 . .
Vsázka i postup zpracování stejný jako v příkladu 1, pouze ve složení vsázky použit navíc přídavek 0,15 % hmot. La20j: 99,065 % hmot, fluorid lanthanitý, 0,7 % hmot, fluorid olovnatý, 0,07 % hmot, oxid europitý, 0,015 % hmot, oxid dysprositý, 0,15 % hmot, oxid lanthanitý.
Rozpraskalo pouze 15 % hmoty krystalů při pěstování a následném zpracování.
Příklad 3 '
Směs: 99,11 % hmot, fluorid lanthanitý, 0,8 % hmot, fluorid olovnatý, 0,09 % hmot, oxid europitý, byla zpracována podle příkladu 1 a bylo zjištěno, že během krystalizace a v následném procesu zpracování rozpraskalo 79 % krystalové hmoty. Stejný výsledek byl získán, když byl použit místo oxidu europitého fluorid europitý.
Příklad 4
Vsázka i postup zpracování stejné jako v přikladu 3, pouze ve složení vsázky užito přídavku 0,15 % hmot. La20j: 98,96 % hmot, fluorid lanthanitý, 0,8 % hmot, fluorid olovnatý, 0,09 % hmot, oxid lanthanitý, 0,15 % hmot, oxid lanthanitý. Při pěstování a následném zpracováni rozprasklo pouze 15 % hmoty krystalů. Stejný výsledek byl získán když byl použit namísto oxidu europitého fluorid europitý.

Claims (1)

  1. Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého, vyznačující se tím, že se skládá z
    96,5 až 99,89 Sí hmot, fluoridu lanthanitého, 0,1 až 1 % hmot, oxidu lanthanitého, 0 až 2 % hmot, fluoridu olovnatého, 0,01 až 0,5 % hmot, fluoridu či oxidu europitého a případně i fluoridu či oxidu dysprositého·
CS886282A 1988-09-21 1988-09-21 Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého CS270084B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS886282A CS270084B1 (cs) 1988-09-21 1988-09-21 Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS886282A CS270084B1 (cs) 1988-09-21 1988-09-21 Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS628288A1 CS628288A1 (en) 1989-10-13
CS270084B1 true CS270084B1 (cs) 1990-06-13

Family

ID=5409514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS886282A CS270084B1 (cs) 1988-09-21 1988-09-21 Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS270084B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS628288A1 (en) 1989-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005100043A (ru) Способ обработки хлорида, или бромида, или йодида редкоземельного металла в углеродсодержащем тигле
US3768983A (en) Single crystal beryllium oxide growth from calcium oxide-beryllium oxide melts
Wanklyn The flux growth of crystals of some fluorides (AlF3, CrF3, NiF2, KNiF3, CoF2 and KCoF3)
Piekarczyk et al. The Czochralski growth of BaLaGa3O7 single crystals
US5211801A (en) Method for manufacturing single-crystal silicon carbide
Armington et al. Strengthening of halides for infrared windows
Saini et al. Arsenides of the transition metals: VII. The palladium–arsenic system
Anis The growth of single crystals of GaSe
Otani et al. Preparation of WB2− x single crystals by the floating zone method
US6824608B2 (en) Seed crystal for epitaxial growth of single-crystal calcium fluoride
CS270084B1 (cs) Směs pro přípravu dotovaných monokrystalů fluoridu lanthanitého
Chani et al. Growth of mixed crystals of the KTiOPO4 (KTP) family
Hemmat et al. Closed System Vapor Growth of Bulk CdS Crystals from the Elemental Constituents
JPH0234597A (ja) 水平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法
Walker Melt growth of rare-earth binary and complex halides
Maślankiewicz et al. Bridgman‐Stockbarger growth and X‐ray photoelectron spectroscopy study of LiY1‐xEuxF4 crystals
Dunn et al. On the thermal etching of silicon iron
US3043671A (en) Zinc oxide crystal growth method
Steininger Growth of CdSe single crystals by temperature gradient solution zoning in excess Se
Badurski et al. Growth and phase transitions in single crystals of (KxNa1-x) NbO3
CN1155741C (zh) 氟铝酸锂系列晶体的软坩埚下降生长方法
RU1412383C (ru) Способ выращивани монокристаллов иодистого цези
JP2000007499A (ja) ランガサイト単結晶育成方法
RU1816813C (ru) Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца
Kiyama et al. Preparation of single crystal of thalliated sodium iodide