JP2005521261A5 - - Google Patents

Claims (36)

1. 非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップと、
   前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップと、
   前記少なくとも１つのグレーティング構造の前記測定に基づいて、前記少なくとも１つの製品構造の前記測定されたクリティカルディメンションを修正するステップと、を含む、
   方法。
2. 非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップと、
   前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップと、
   前記少なくとも１つのグレーティング構造の測定に基づいて、補正係数を決定するステップと、を含んでおり、
   前記非破壊光波測定ツールは、前記少なくとも１つの製品構造の前記クリティカルディメンションを決定する際に、前記少なくとも測定されたクリティカルディメンションに前記補正係数を使用する、
   方法。
3. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップは、
   前記少なくとも１つの製品構造を照らすステップと、
   前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つの製品構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項１または２記載の方法。
4. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
   前記製品構造は、シャロー・トレンチ分離領域、ゲート電極構造および電気配線のうちの少なくとも１つからなる、請求項１または２記載の方法。
5. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
   前記非破壊光波測定ツールは、光源および検知器からなる、請求項１または２記載の方法。
6. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップにおいて、
   前記複数のグレーティング構造の各々は、異なるクリティカルディメンションを有しており、
   前記複数のグレーティング構造の１つ目は、第１サイズのクリティカルディメンションを有しており、
   前記複数のグレーティング構造の少なくとも１つは、前記第１サイズよりも大きい第２サイズのクリティカルディメンションを有しており、
   前記複数のグレーティング構造の残りは、前記第１サイズよりも小さいクリティカルディメンションを有する、請求項１または２記載の方法。
7. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップにおいて、
   前記グレーティング構造の前記クリティカルディメンションは、一定の増加量分だけ互いに異なる、請求項１または２記載の方法。
8. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップは、
   前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する５つのグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップを含む、請求項１または２記載の方法。
9. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップは、
   前記少なくとも１つのグレーティング構造を照らすステップと、
   前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つのグレーティング構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項１または２記載の方法。
10. 非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップであって、前記グレーティング構造のそれぞれの前記クリティカルディメンションは、前記グレーティング構造を含む構造のクリティカルディメンションによって定義されるステップと、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造の前記測定に基づいて、前記少なくとも１つの製品構造の前記測定されたクリティカルディメンションを修正するステップと、を含む、
    方法。
11. 非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップであって、前記グレーティング構造のそれぞれの前記クリティカルディメンションは、前記グレーティング構造を含む構造のクリティカルディメンションによって定義されるステップと、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造の測定に基づいて、補正係数を決定するステップと、を含んでおり、
    前記非破壊光波測定ツールは、前記少なくとも１つの製品構造の前記クリティカルディメンションを決定する際に、前記少なくとも測定されたクリティカルディメンションに前記補正係数を使用する、
    方法。
12. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップは、
    前記少なくとも１つの製品構造を照らすステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つの製品構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項１０または１１記載の方法。
13. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
    前記製品構造は、シャロー・トレンチ分離領域、ゲート電極構造および電気配線のうちの少なくとも１つからなる、請求項１０または１１記載の方法。
14. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
    前記非破壊光波測定ツールは、光源および検知器からなる、請求項１０または１１記載の方法。
15. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップにおいて、
    前記複数のグレーティング構造の各々は、異なるクリティカルディメンションを有しており、
    前記複数のグレーティング構造の１つ目は、第１サイズのクリティカルディメンションを有しており、
    前記複数のグレーティング構造の少なくとも１つは、前記第１サイズよりも大きい第２サイズのクリティカルディメンションを有しており、
    前記複数のグレーティング構造の残りは、前記第１サイズよりも小さいクリティカルディメンションを有する、請求項１０または１１記載の方法。
16. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップにおいて、
    前記グレーティング構造の前記クリティカルディメンションは、一定の増加量分だけ互いに異なる、請求項１０または１１記載の方法。
17. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップは、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する５つのグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップを含む、請求項１０または１１記載の方法。
18. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップは、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造を照らすステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つのグレーティング構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項１０または１１記載の方法。
19. 非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップであって、
    前記グレーティング構造のそれぞれの前記クリティカルディメンションは、前記グレーティング構造を含む構造のクリティカルディメンションによって定義され、一定の増加量分だけ互いに異なっており、
    前記複数のグレーティング構造の１つ目は、前記少なくとも１つの製品構造についての公称値のクリティカルディメンションである第１サイズのクリティカルディメンションを有しており、前記複数のグレーティング構造の少なくとも１つは、前記第１サイズよりも大きい第２サイズのクリティカルディメンションを有しており、前記複数のグレーティング構造の残りは、前記第１サイズよりも小さいクリティカルディメンションを有するステップと、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造の前記測定に基づいて、前記少なくとも１つの製品構造の前記測定されたクリティカルディメンションを修正するステップと、を含む、
    方法。
20. 非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップであって、
    前記グレーティング構造のそれぞれの前記クリティカルディメンションは、前記グレーティング構造を含む構造のクリティカルディメンションによって定義され、一定の増加量分だけ互いに異なっており、
    前記複数のグレーティング構造の１つ目は、前記少なくとも１つの製品構造についての公称値のクリティカルディメンションである第１サイズのクリティカルディメンションを有しており、前記複数のグレーティング構造の少なくとも１つは、前記第１サイズよりも大きい第２サイズのクリティカルディメンションを有しており、前記複数のグレーティング構造の残りは、前記第１サイズよりも小さいクリティカルディメンションを有するステップと、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造の測定に基づいて、補正係数を決定するステップと、を含んでおり、
    前記非破壊光波測定ツールは、前記少なくとも１つの製品構造の前記クリティカルディメンションを決定する際に、前記少なくとも測定されたクリティカルディメンションに前記補正係数を使用する、
    方法。
21. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップは、
    前記少なくとも１つの製品構造を照らすステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つの製品構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項１９または２０記載の方法。
22. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
    前記製品構造は、シャロー・トレンチ分離領域、ゲート電極構造および電気配線のうちの少なくとも１つからなる、請求項１９または２０記載の方法。
23. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
    前記非破壊光波測定ツールは、光源および検知器からなる、請求項１９または２０記載の方法。
24. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップは、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する５つのグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップを含む、請求項１９または２０記載の方法。
25. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップは、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造を照らすステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つのグレーティング構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項１９または２０記載の方法。
26. ウェーハ上に複数の製品構造を形成するステップと、
    前記ウェーハ上にそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造を形成するステップであって、この複数のグレーティング構造の各々は、ターゲット・クリティカルディメンションをその各々が有する複数の構造を有しており、これによってそのグレーティング構造のクリティカルディメンションが定義されるステップと、
    非破壊光波測定ツールを使用して、前記複数の製品構造のうちの少なくとも１つのクリティカルディメンションを測定するステップと、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造の少なくとも１つの構造の測定されたクリティカルディメンションを決定すべく、前記非破壊光波測定ツールを使用して、複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップと、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造上の少なくとも１つの構造の測定されたクリティカルディメンションと、前記少なくとも１つのグレーティング構造上の前記構造のターゲット・クリティカルディメンションとの比較に基づいて、少なくとも１つの製品構造の測定されたクリティカルディメンションを修正するステップと、を含む、
    方法。
27. ウェーハ上に複数の製品構造を形成するステップと、
    前記ウェーハ上にそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造を形成するステップであって、この複数のグレーティング構造の各々は、ターゲット・クリティカルディメンションをその各々が有する複数の構造を有しており、これによってそのグレーティング構造のクリティカルディメンションが定義されるステップと、
    前記製品構造の少なくとも１つおよび前記複数のグレーティング構造の少なくとも１つを使用して、非破壊光波測定ツールを使用して、ウェーハ上に形成された少なくとも１つの製品構造のクリティカルディメンションを測定するステップと、前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記ウェーハ上に形成されたそれぞれ異なるクリティカルディメンションを有する複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップと、前記少なくとも１つのグレーティング構造の測定に基づいて、補正係数を決定するステップと、を含んでおり、前記非破壊光波測定ツールは、前記少なくとも１つの製品構造の前記クリティカルディメンションを決定する際に、前記少なくとも測定されたクリティカルディメンションに前記補正係数を使用する方法、を実行するステップと、を含んでおり、
    前記補正係数は、前記少なくとも１つのグレーティング構造上の前記少なくとも１つの構造の前記測定されたクリティカルディメンションと、前記少なくとも１つのグレーティング構造上の前記構造の前記ターゲット・クリティカルディメンションの間の比較に基づいて決定される、
    方法。
28. 前記ウェーハ上に複数の製品構造を形成するステップにおいて、
    前記複数の製品構造は、シャロー・トレンチ分離領域、ゲート電極構造、電気配線のうちの少なくとも１つからなる、請求項２６または２７記載の方法。
29. 前記複数のグレーティング構造の各々は、シャロー・トレンチ分離領域、ゲート電極構造、電気配線のうちの少なくとも１つからなる、請求項２６または２７記載の方法。
30. 前記複数のグレーティング構造は、一定の増加量分だけ互いに異なる、異なるクリティカルディメンションを有する、請求項２６または２７記載の方法。
31. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記複数の製品構造のうちの少なくとも１つのクリティカルディメンションを測定するステップは、
    前記少なくとも１つの製品構造を照らすステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つの製品構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項２６または２７記載の方法。
32. 前記少なくとも１つのグレーティング構造の少なくとも１つの構造の測定されたクリティカルディメンションを決定すべく、前記非破壊光波測定ツールを使用して、複数のグレーティング構造のうちの少なくとも１つを測定するステップは、
    前記少なくとも１つのグレーティング構造を照らすステップと、
    前記非破壊光波測定ツールを使用して前記少なくとも１つのグレーティング構造に反射した光を測定するステップと、を含む、請求項２６または２７記載の方法。
33. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記複数の製品構造のうちの少なくとも１つのクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
    前記製品構造は、シャロー・トレンチ分離領域、ゲート電極構造および電気配線のうちの少なくとも１つからなる、請求項２６または２７記載の方法。
34. 前記非破壊光波測定ツールを使用して、前記複数の製品構造のうちの少なくとも１つのクリティカルディメンションを測定するステップにおいて、
    前記複数の製品構造は、シャロー・トレンチ分離領域、ゲート電極構造、電気配線のうちの少なくとも１つからなる、請求項２６または２７記載の方法。
35. 前記複数のグレーティング構造の１つ目は、第１サイズのクリティカルディメンションを有しており、
    前記複数のグレーティング構造の少なくとも１つは、前記第１サイズよりも大きい第２サイズのクリティカルディメンションを有しており、
    前記複数のグレーティング構造の残りは、前記第１サイズよりも小さいクリティカルディメンションを有する、請求項２６または２７記載の方法。
36. 前記ウェーハ上に複数のグレーティング構造を形成するステップは、前記ウェーハ上に少なくとも５つのグレーティング構造を形成するステップを含む、請求項２６または２７記載の方法。