CN100407391C - 用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具的方法以及结构 - Google Patents
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Abstract
一种用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具(74)的方法以及结构，于一实施例中，该方法包含利用散射测量工具(74)测量形成于晶片(31)上至少一产品特征的临界尺寸(critical dimension)，利用散射测量工具(74)测量形成于晶片(31)上多个光栅结构(60)的至少一光栅(grating)结构，该多个光栅结构(60)的每一光栅结构(60)均具有不同的临界尺寸，且依据至少一光栅结构(60)的测量结果修正所测量出的至少一产品特征的临界尺寸。于另一实施例中，该方法包含于晶片(31)上形成多个产品特征，于该晶片(31)上形成多个光栅结构(60)，该多个光栅结构(60)中的每一个光栅结构(60)包含多个特征(38A)，其中每一个特征具有目标临界尺寸藉以定义该光栅结构(60)的临界尺寸，该些光栅结构(60)的每一个光栅结构(60)具有不同的临界尺寸，利用散射测量工具(74)测量该些产品特征中至少一者的临界尺寸，利用散射测量工具(74)测量该些光栅结构(60)的至少之一以确定该至少一光栅结构(60)的至少一特征所被测量出的临界尺寸，以及依据该至少一光栅结构(60)上的至少一特征(38A)所被测量出的临界尺寸与该至少一光栅结构(60)上的特征(38A)的目标临界尺寸间的比较结果修正该至少一产品特征所被测量出的临界尺寸。
Description
技术领域
本发明大致上有关于半导体制造技术，更具体而言，有关于一种用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具的方法以及结构。
背景技术
现今半导体工业所不断追求的便是增加如微处理器、存储装置等等集成电路装置的运作速度。此种追求会因为消费者对于逐渐增加运作速度的计算机与电子装置的需求而加剧。对于速度的需求已导致如晶体管等半导体装置持续的缩小。亦即，典型的场效应晶体管(FET)中的许多构件，如信道长度、接面深度、栅极绝缘厚度等等均被缩小。举例而言，在所有构件都相同的情况下晶体管的信道长度愈小则晶体管的运作速度愈快。因此，不断的追求典型的晶体管的构件的尺寸大小的缩小以增加该晶体管以及结合该晶体管的集成电路装置的整体运作速度。
如第1图所示，现有的场效晶体管10形成于包含有硅掺杂的半导体基材或晶片11的表面11A上。于形成集成电路装置的程序中，如第1图中所示的晶体管10的数百万个晶体管形成于半导体基材上。该基材11可掺杂有如N型或P型等掺杂材料。晶体管10具有形成于栅极绝缘层16上掺杂多晶硅的栅电极14。该栅电极14与栅极绝缘层16藉由介电质侧壁间隔20与该晶体管10的掺杂的源极/漏极区域22相分离。该晶体管10的源极/漏极区域22藉由执行一或多个离子植入程序以植入掺杂原子至该基材11中而予以形成，该掺杂原子在NMOS装置中可为砷或磷，在PMOS装置中则则可为硼。该晶体管10可包括与如其它晶体管等的相邻半导体装置电性电性绝缘的浅沟道绝缘区域18。此外，尽管未显示于第1图中，典型的集成电路装置还包括设置于该基材上的多个绝缘材料层中的多个导电互连，如导电线路以及导电接点或通孔。该些导电互连提供形成该基材上多个晶体管间电性讯号的传导。
于制造集成电路装置的过程中，如栅电极、导电线路、绝缘材料层中的开孔等不同的特征均形成为控制非常精确的尺寸。该些尺寸有时被称的为特征的临界尺寸(critical dimension；CD)。由于该些现代半导体装置中的特征尺寸缩小，因此尽可能的精确形成该特征对于现代半导体制程而言非常重要。当该晶体管10运作时，该栅电极14具有临界尺寸12，亦即该栅电极14的宽度，大约相应于该装置的信道长度13。目前该栅电极14可与以图案化至大约180纳米的宽度12，在未来将可缩小至120纳米。由于当该晶体管10运作时，该栅电极14的宽度12大约相应于该晶体管10的信道长度13，因此即使于制程中该栅电极14的临界尺寸12的微小变化对于装置效能均有不利的影响。再者，在给定的晶片层(level)中，如栅电极等特征可以不同变化的临界尺寸予以形成。此外，位于给定层的栅电极及/或浅沟道绝缘结构会具有不同的临界尺寸。
在了解到形成特征至非常精确的尺寸是重要的情况下，半导体制造者通常会测量该产生出的特征的临界尺寸，以确保制造程序制造出具有在预定可接受范围的尺寸的特征。利用散射测量法的测量工具可用以确定多种的尺寸。然而，当具有不同临界尺寸的特征必须被测量时，测量该些结构时所取得的测量数据的精确性，以及该测量工具在整体测量程序中可予以精确的校准是非常重要的。
本发明有关于一种方法以及装置可解决或至少减少前述该些问题中的部分或全部。
发明内容
本发明大体上关于一种用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具的方法以及结构，于一实施例中，该方法包含利用散射测量工具测量形成于晶片上至少一产品特征的临界尺寸，利用散射测量工具测量形成于晶片上多个光栅结构的至少一光栅(grating)结构，该多个光栅结构的每一光栅结构均具有不同的临界尺寸，且依据至少一光栅结构的测量结果修正所测量出的至少一产品特征的临界尺寸。
于另一实施例中，该方法包含于晶片上形成多个产品特征，于该晶片上形成多个光栅结构，该多个光栅结构中的每一个光栅结构包含多个特征，其中每一个特征具有目标临界尺寸藉以定义该光栅结构的临界尺寸，该些光栅结构的每一个光栅结构具有不同的临界尺寸，利用散射测量工具测量该些产品特征中至少一者的临界尺寸，利用散射测量工具测量该些光栅结构的至少一者以确定该至少一光栅结构的至少一特征所被测量出的临界尺寸，以及依据该至少一光栅结构上的至少一特征所被测量出的临界尺寸与该至少一光栅结构上的特征的目标临界尺寸间的比较结果修正该至少一产品特征所被测量出的临界尺寸。
附图说明
通过前述伴随以下图式的说明可轻易的了解本发明的内容，其中相同的组件符号表示相同的组件，该些图式包括：
第1图为例示的现有晶体管的断面图；
第2图为例示的晶片的平面图，用以显示数个产出芯片与形成于该晶片上的多个光栅结构；
第3图为可用于本发明的例示的光栅结构数组的放大图；以及
第4A-4B图为用以说明可用于本发明的光栅结构的一实施例。
本发明可容许不同的修改、可替代的形式、特定的实施例等已通过前述的图式与实施例予以详细揭露。然而必须了解的是上述的实施例并非用以限定本发明于特定的形式，相反的，所有等效修改以及替换均落入本发明内且本发明的精神与范围应如后述的申请专利范围所列。
具体实施方式
本发明的实施例将揭露如下。为求明确，于本说明书中不会将实际实施时的所有特征全部揭露。当然，须注意的是于任何实际实施例的发展中，为达到研发者的特定目的多数的实施特性必须予以决定，例如为屈就与系统相关或与商业相关的限制等，如此将会从一种实施方式改变到另外一种实施方式。此外，须注意者，此种研发式复杂且耗时的，但本领域普通技术人员而言却是例行公事。与参考符号相关的文字运用用以显示与该参考符号相连接的术语的可替换实施例或例示。
本发明将伴随着所附图式说明于下。尽管于该些图式中所示的半导体装置的不同区域与结构具有非常精确的形状结构或轮廓，然本领域普通技术人员应了解到该些区域与结构实际上并非如同图标般的精确。此外，于图中所示的不同特征与掺杂区域的相对尺寸在与所制造的装置上的该些特征或区域的尺寸比较后可予以放大或缩小。然而，所附的该些图式将一并的用以描述与阐释本发明例式的实施例。此处的用字遣辞应被了解并解释为具有本领域普通技术人员所能够理解的用字遣辞的意义。未特别定义的术语或用语，亦即不同于本领域普通技术人员所现有与惯用的意义，将通过本文中一致的术语或用语予以解释。因此当术语或用语具有特定的意义，亦即不同于本领域普通技术人员所理解者时，如此的特别定义将会通过直接且明确提供针对该术语或用语定义的定义方式明确提出于说明书中。
大体上，本发明有关于一种用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具的方法以及结构。经过本说明书的详细说明本领域普通技术人员可轻易的了解到，本发明的方法可取得形成于集成电路装置中部筒特征的许多测量数据，如栅电极结构的临界尺寸、浅沟道绝缘区域的宽度、导电线路的宽度等等。因此，于半导体装置上所测量出的特定特征并不能用以限制本发明的范围除非该限制明确的界定于申请专利范围中。
如第2图所示，晶片31上形成有多个产出芯片42。该芯片42定义出该晶片31的区域，以于该区域形成如微处理器、特殊应用集成电路(ASIC)、存储装置等的生产集成电路装置。每一晶片31的芯片42尺寸、形状以及数量取决于结构中的装置类型。举例而言，一个8英寸晶片31上可形成有数百个芯片42。该些芯片42通过切割道(scribeline)42A相分离。于该制程完成后，该晶片31将沿着该切割道42A予以切割，而包括形成于其中的集成电路装置的产出芯片42将被封装与销售。
于集成电路装置制程中，许多特征会形成于该晶片31上。该些特征可包括，但并不限于浅沟道绝缘结构(STIs)、栅电极结构、导电金属或多晶硅线路等等。此外，该些特征可形成于完整集成电路装置的不同层中。举例而言，浅沟道绝缘与栅电极结构形成于最低层，亦即装置层，而该导电金属线路则形成于该晶片31上多层中。再者，于每一层中，形成于该层中的特征可具有不同的临界尺寸，例如该栅电极结构的临界尺寸会改变，而该浅沟道绝缘结构可具有不同于形成在相同层的栅电极结构的临界尺寸等等。举例而言，于该装置层中，浅沟道绝缘结构可形成有大约250纳米的宽度，而形成于该层中的栅电极结构则可具有大约180纳米的临界尺寸。此外，相似类型的结构，如给定层中的导电线路会因为如实体标绘空间限制或设计选择等参数的改变而有不同的标称宽度。
本发明大体上有关于一种用以校准用于测量该些不同特征的特征尺寸的散射测量工具的方法以及结构。于一般的描述中，该方法涉及包含有形成于该晶片31上的多个光栅结构60A-E的数组61的使用。为便于参照，该光栅结构60A-E可个别及/或共同的以符号60为代表。同样的于经过本说明书完整的说明后本领域普通技术人员可了解到，该光栅结构60的尺寸、形状、数量、位置与方向可依据本发明所揭露的说明书内文以及所测量的特征而改变。此外，尽管例示的光栅结构60A-E通过线性数组予以显示，然而该些光栅结构60A-E可以不同的方法予以定向，或以随机方法四处分散于该晶片31的表面。该光栅结构60可形成于该晶片31的切割道42A中。最后，超过一个的数组61可形成于该装置给定的层中，该多个数组61可用于用以测量具有不同标称特征尺寸的散射测量工具的校准。举例而言，该些数组中的第一个数组可用以校准用以测量第一标称范围，如220至280纳米间，的散射测量工具，而该些数组中的第二个数组可用以校准用以测量介于110至70纳米范围内的散射测量工具。
第3图显示包含有例示的光栅结构60A-E的数组61。该光栅结构60A-E中的每一个光栅结构包含多个特征38。该光栅结构60A-E中的每一个光栅结构的特征38具有不同的临界尺寸。如前所述，该光栅结构60A-E的尺寸、形状以及结构可依据利用该散射测量工具所测量出的特征予以改变。该光栅结构60可包括任何类型的特征，如金属线路、浅沟道绝缘结构、栅电极结构等等。为本领于技术人员所熟知的是当该多个的特征以100纳米的标称临界尺寸形成于该晶片32上时，该光栅结构60A-E可包含具有临界尺寸的特征，该特征藉由已知数量，亦即固定补偿，改变该标称值。举例而言，于第3图中所示的一实施例，当如栅电极结构等特征的标称临界尺寸为100纳米时，该数组61包含五个光栅结构60A-E，其中各光栅结构分别具有临界尺寸110纳米、100纳米、90纳米、80纳米以及70纳米。据此，该光栅结构60A-E中的每一个光栅结构的临界尺寸藉由包含该光栅结构60A-E的特征38的尺寸予已定义。包含该光栅结构60A-E的特征38临界尺寸的特定尺寸以及包含该光栅结构60的特征38临界尺寸中所增加的差异会改变。于第3图中所式的实施例中，该光栅结构60A-E于一光栅结构至次一光栅结构间具有10纳米的尺寸补偿。
于第4A-4B图中所式的一例示的光栅结构60包含多个栅电极结构38A。该栅电极结构38A包含具有配置成角度63(相对于垂直该基材的表面43的线)的厚度65与侧壁62。该栅电极结构38A具有临界尺寸52。该厚度65、侧壁62、栅电极结构38A的间距64以及该栅电极结构38A的临界尺寸52可依据设计选择予以改变。该光栅结构60可形成于一具有例如为约100微米×120微米尺寸的区域中，而该区域中可包含有大约150至200个(依据所选择的间距而定)栅电极结构38A。当然，包含该光栅结构60A-E的特征将依据测量的特征而变化。
该光栅结构60A-E中的每一个光栅结构，或包含该光栅数组60的数组61可形成为个别的测试结构，该测试结构形成于通过该晶片31的切割道42A所定义出的区域中。于做为该光栅数组60的部分的特征形成的同时其它形成于该晶片31上的产出装置的相似特征亦予以形成。亦即，该光栅数组60A-E的特征形成于该标线中，该标线将会用于形成该芯片42中产出的集成电路装置的流程中。可替代的，个别的标线可用以形成包含有该光栅数组60A-E的特征。
典型的，特征38的临界尺寸52包含该不同光栅结构60A-E予以形成，藉此至少该光栅结构60A-E中的部分光栅结构将包含具有临界尺寸的特征38，该临界尺寸可与欲形成于制造的产出装置中的特征的预定或标称的临界尺寸相比较。亦即，该光栅结构60A-E群组提供特征38的临界尺寸的范围可形成于集成电路装置上，至少对于给定的特征类型。
于一实施例中，该数组61包括五个光栅结构60A-E。于本实施例中，该些光栅结构中的第一个，如60A具有高于标称特征尺寸的固定增加量的特征38，第二个光栅结构60B包含大约与标称特征尺寸相同的特征38，而光栅结构60C-D包含依序小于标称特征尺寸的特征38。举例而言，于250纳米的标称特征尺寸，如金属线路，该数组61包含分别具有260纳米、250纳米、240纳米、230纳米以及220纳米的特征尺寸的光栅结构60A-E。当然，用以说明的数组图案可予以变化，如数组61可包含分别具有280纳米、275纳米、250纳米、235纳米以及220纳米的特征尺寸的光栅结构60A-E。因此，该数组61的特定图案或结构，以及于该光栅结构60A-E的每一个光栅结构的特征尺寸中不同的增加量，会依据设计选择而有所改变。
通过本发明的应用，利用散射测量法的测量工具可精确且稳定的被校准以增加通过该测量工具所取得的临界测量数据的精确性。举例而言，由于现代化半导体制程工具的复杂性，形成于晶片上的特征的尺寸，如临界尺寸会改变。当散射测量工具可精确的被校准至已知的标称值时，在测量由该标称值开始改变的特征尺寸时，不期望的错误会导入至测量程序中。亦即，若校准该散射测量工具以测量具有目标值100纳米的临界尺寸，当利用该散射测量工具通过庞大的数量以测量高于或低于该值的临界尺寸时不期望的错误会导入至测量程序中。本发明提供一种结构与多种方法可有效的校准该种测量工具藉以消除或至少减轻该些错误所造成的影响。
举例而言，假设待测量的特征具有100纳米的标称临界尺寸，散射测量工具可测量许多特征以寻找于98-101纳米间变化的临界尺寸。然而，然而部份的特征可能是第一次被测量出来，如93纳米。此时，该散射测量工具可利用前揭的光栅结构60A-E的数组61予以校准。更具体而言，该散射测量工具可用以测量具有最接近测量尺寸的目标特征尺寸的光栅结构60A-E中的一个光栅结构。于此情况下，该散射测量工具可用以测量具有90纳米的已知或目标特征尺寸的光栅结构60C。依据该光栅结构60C的测量结果，可校准该散射测量工具。亦即，若在测量该光栅结构60C(已知的值为90纳米)，而该测试工具数据指示为91纳米时，接着依据所测量的值通过增加的依据该光栅结构60C的测量数据的修正参数测量的特征的测量数据予以校准。亦即，所测量出的93纳米值会适当的予以校准至93纳米÷(91÷90)＝91.98纳米。尽管在形成集成电路装置至现代装置的尺寸知过程中测量结果的误差于绝对项中非常的小，但对于所产生的特征的尺寸或临界尺寸精确判断以及决定用以制造该装置制程的效率有关键的重要性。
可用于本发明的散射测量工具74的种类，如通称为2θ类型系统以及镜头类型散射测量工具。散射测量工具74可利用白光或其它波长或多种波长的合并，端视规格实施的需要典型的，该散射测量工具74会生成具有宽光谱合成的指示光束且其中光的强度变化会较波长的变化为慢。依据规格实施的需要，光的入射角角度亦会变化。通过该散射测量工具74所生成的光学特性记录会依据光强度与波长的比较(于白光情况下，固定角度类型的散射测量工具)或光强度与入射角角度的比较(于利用单一光源的角度分析系统)。此外，该光源73与侦测器75可以同心圆的结构予以设置，通过该光源73从垂直方向，如反射计，照射该光栅结构60A-E。通过多重角度或多重波长可测量出反射光的强度的s-与p-偏振。
一般而言，该散射测量工具74(请参阅第4图)包括光学硬件，如椭圆仪(Ellipsometer)或反射计，以及加载有用以处理光学硬件所收集道的数据的散射测量软件应用程序的数据处理单元。举例而言，该光学硬件可包括由美国加州Fremont市Thermaware公司所贩售的具有分光镜(spectroscopic)的椭圆仪。该数据处理单元可包含由美国德州奥斯丁的美国东京电子公司百分的百投资的子公司Timbre Technologies公司所制造的图表(profile)应用程序服务器并由Technologies公司所发布。
本发明的部分以及相应的细部描述会通过软件术语或计算机内存中数据位运算的算法与符号图标予以表示。该些描述与表示便于本领于技术人员有效率的传达本发明的主旨予其它本领于技术人员。此处所使用的术语「算法」通常用以表示前后一致的步骤顺序并产生所需的结果。该些步骤所要求的物理量的实际操作。通常，尽管不是如此需要，以光学、电子、或磁性讯号的形式表示用以储存、转换、结合、比较以及执行的量。在时间上是比较方便的，主要是为了共通惯用的原因，会将该些讯号称的为位、值、组件、符号、文字、术语、数字等。
然而，必须了解到，该些术语以及相似的术语均与适当的物理量相关联且仅仅便于标示该些量的应用。除非特别的情况或是明显的予以讨论，如「处理」、「计算机化」、「计算」、「确定」或「显示」等术语均用以表示计算机系统或相类似的电子计算装置动作或处理的术语，其将计算机系统缓存器与内存中以物理、电子量所表示的数据执行与转换至该计算机系统内存或缓存器或其它信息储存单元、传送或显示单元以相类似的量所表示的其它数据。
本发明大体上关于一种用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具的方法以及结构，于一实施例中，该方法包含利用散射测量工具测量形成于晶片上至少一产品特征的临界尺寸，利用散射测量工具测量形成于晶片上多个光栅结构的至少一光栅(grating)结构，该多个光栅结构的每一光栅结构均具有不同的临界尺寸，且依据至少一光栅结构的测量结果修正所测量出的至少一产品特征的临界尺寸。
于另一实施例中，该方法包含于晶片上形成多个产品特征，于该晶片上形成多个光栅结构，该多个光栅结构中的每一个光栅结构包含多个特征，其中每一个特征具有目标临界尺寸藉以定义该光栅结构的临界尺寸，该些光栅结构的每一个光栅结构具有不同的临界尺寸，利用散射测量工具测量该些产品特征中至少一者的临界尺寸，利用散射测量工具测量该些光栅结构的至少一者以确定该至少一光栅结构的至少一特征所被测量出的临界尺寸，以及依据该至少一光栅结构上的至少一特征所被测量出的临界尺寸与该至少一光栅结构上的特征的目标临界尺寸间的比较结果修正该至少一产品特征所被测量出的临界尺寸。
通过本发明的应用，于制造集成电路装置的过程中可取得较佳的测量数据。本发明亦有助于在制造集成电路装置的不同程序中确定的效率。一般而言，本发明可增进装置的效能并增加产品的良率。
上述实施例仪为例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。举例而言，前述的流程步骤可以不同的顺序予以执行。此外，任何本领域普通技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与变化。因此，本发明的权利保护范围，应如所附的权利要求书所列。
Claims (13)
1.一种用以校准散射测量工具的方法，包含：
利用散射测量工具(74)测量形成于晶片(31)上至少一产品特征的临界尺寸；
利用该散射测量工具(74)测量形成于该晶片(31)上多个光栅结构(60A-E)的至少一光栅结构(60)，该多个光栅结构(60A-E)中各光栅结构(60A-E)具有不同的临界尺寸，该至少一光栅结构(60)的临界尺寸最接近该至少一产品特征的该测量的临界尺寸；以及
依据该至少一光栅结构(60)的测量结果确定修正参数，其中该校准后的散射测量工具(74)于确定该至少一产品特征的临界尺寸时，该修正参数可用于该至少一产品特征的被测量的临界尺寸。
2.如权利要求1所述的方法，其中形成于该晶片(31)上的该至少一产品特征包含一浅沟道绝缘结构、栅电极结构以及导电线路中的至少其中之一。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中该多个光栅结构(60A-E)的第一个光栅结构具有第一尺寸的临界尺寸，该多个光栅结构(60A-E)的至少一个光栅结构具有第二尺寸的临界尺寸，该第二尺寸大于第一尺寸，以及该多个光栅结构(60A-E)的其它光栅结构具有小于该第一尺寸的临界尺寸。
4.如权利要求1或2所述的方法，其中该光栅结构(60A-E)的临界尺寸通过固定的增量由一尺寸改变至另一尺寸。
5.如权利要求1或2所述的方法，其中利用该散射测量工具(74)测量形成于该晶片(31)上多个光栅结构(60A-E)的至少一光栅结构包含利用该散射测量工具(74)测量形成于该晶片(31)上五个光栅结构(60A-E)的至少一光栅结构(60)，该五个光栅结构(60A-E)中各光栅结构(60A-E)具有不同的临界尺寸。
6.如权利要求1所述的方法，其中该光栅结构(60A-E)中各光栅结构(60A-E)的临界尺寸通过包含该光栅结构(60A-E)的特征(38A)的临界尺寸予以定义。
7.一种半导体制造方法，包含：
于晶片(31)上形成多个产品特征；
于该晶片(31)上形成多个光栅结构(60A-E)，该多个光栅结构(60A-E)中的每一个光栅结构(60A-E)包含多个特征(38A)，其中每一个特征具有目标临界尺寸藉以定义该光栅结构(60A-E)的临界尺寸，该些光栅结构(60A-E)中各光栅结构(60)具有不同的临界尺寸；以及
利用该些产品特征的至少一特征与该多个光栅结构(60A-E)的至少一光栅结构(60)执行如权利要求1所述的方法，该至少一光栅结构(60)的临界尺寸最接近利用散射测量工具(74)测量的该至少一产品特征的临界尺寸；
其中该修正参数依据该至少一光栅结构(60)上的至少一特征(38A)的临界尺寸与该至少一光栅结构(60)上的特征的目标临界尺寸的比较结果予以确定。
8.如权利要求7所述的方法，其中于该晶片(31)上形成的该产品特征包含浅沟道绝缘结构、栅电极结构以及导电线路中的至少其中之一。
9.如权利要求7或8所述的方法，其中该些光栅结构(60A-E)中的每一个光栅结构包含多个浅沟道绝缘结构、栅电极结构以及导电线路中的至少其中之一。
10.如权利要求7或8所述的方法，其中该些光栅结构(60A-E)具有通过固定的增量改变的不同临界尺寸
11.如权利要求7或8所述的方法，其中利用该散射测量工具(74)测量的该至少一产品特征包含至少一浅沟道绝缘结构、栅电极结构以及导电线路。
12.如权利要求7或8所述的方法，其中该多个光栅结构(60A-E)的第一个光栅结构具有第一尺寸的临界尺寸，该多个光栅结构(60A-E)的至少一个光栅结构具有第二尺寸的临界尺寸，该第二尺寸大于第一尺寸，该多个光栅结构(60A-E)的其它光栅结构具有小于该第一尺寸的临界尺寸。
13.如权利要求7或8所述的方法，其中于该晶片(31)上形成多个光栅结构(60A-E)包含于该晶片(31)上形成至少五个光栅结构(60A-E)。
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