JP2005509180A - 短波長像形成用の溶媒およびフォトレジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
結果として、約250nm以下の、更には約193nmの波長などの約200nm以下の露光放射線を包含する短波長放射線により光像形成することができるフォトレジストに対する関心が高まった。このような短い露光波長の使用によって、更に小さい形状構成の形成が可能になる。従って、248nmあるいは193nmの露光時に良好に解像された像を生じるフォトレジストは、回路を更に高密度化し、デバイス性能を増進するための更に小寸法の回路パターンに対する一定の業界の需要に答える極めて小さい(例えば、サブ0.25μm)形状構成の形成を可能とする。
1)ヘプタノン、好ましくは2−ヘプタノンとエチルラクテートを含んでなる溶媒ブレンドであって、このヘプタノンとエチルラクテートが一緒になって好ましくはレジスト組成物の全溶媒の少なくとも60、70、80、90あるいは95容積パーセントを構成し、好ましくはこのヘプタノンがこのエチルラクテートよりも大きい容積であり、好ましくはこのヘプタノン:エチルラクテートの容積対容積比が2:1以上であるもの;
2)ヘプタノン、好ましくは2−ヘプタノンとプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる溶媒ブレンドであって、このヘプタノンとプロピレングリコールメチルエーテルアセテートが一緒になって好ましくはレジスト組成物の全溶媒の少なくとも60、70、80、90あるいは95容積パーセントを構成し、好ましくはこのヘプタノンがこのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートよりも大きい容積であり、好ましくはこのヘプタノン:プロピレングリコールメチルエーテルアセテートの容積対容積比が2:1以上であるもの;
3)シクロヘキサノンとエチルラクテートを含んでなる溶媒ブレンドであって、このシクロヘキサノンとエチルラクテートが一緒になって好ましくはレジスト組成物の全溶媒の少なくとも60、70、80、90あるいは95容積パーセントを構成し、好ましくはこのシクロヘキサノンがこのエチルラクテートよりも大きい容積であり、好ましくはこのシクロヘキサノン:エチルラクテートの容積対容積比が2:1以上であるもの;
4)シクロヘキサノンとプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる溶媒ブレンドであって、このシクロヘキサノンとプロピレングリコールメチルエーテルアセテートが一緒になって好ましくはレジスト組成物の全溶媒の少なくとも60、70、80、90あるいは95容積パーセントを構成し、好ましくはこのシクロヘキサノンがこのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートよりも大きい容積であり、好ましくはこのシクロヘキサノン:プロピレングリコールメチルエーテルアセテートの容積対容積比が2:1以上であるもの;
5)2−ヘプタノンと3−ヘプタノンの両方を含んでなる溶媒ブレンドであって、この2−ヘプタノンと3−ヘプタノンが好ましくはレジスト組成物の全溶媒の少なくとも約40、50、60、70、80、90あるいは95容積パーセントを構成するもの;
6)ヘプタノン、好ましくは2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、および少なくとも1つの追加の溶媒、例えばケトン、またはエチルラクテートまたはプロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのカルボニルあるいは非カルボニル溶媒を含んでなる溶媒ブレンド;
7)水と、たとえばヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどの1つ以上のカルボニルおよび/または非カルボニル溶媒などの1つ以上の追加の溶媒を含んでなる溶媒ブレンドであって、好ましくは、水が少量で、例えばレジスト組成物のすべての溶媒の約5容積%以下で、更に好ましくは約4、3、2、1、0.5あるいは0.25容積パーセント以下で存在するもの;および
8)ハロゲン化溶媒、特にHFE溶媒(3Mから入手できるヒドロフルオロエーテル)などのフッ素化溶媒と、たとえばヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどの1つ以上のカルボニルおよび/または非カルボニル溶媒などの1つ以上の追加の溶媒を含んでなる溶媒ブレンド。
好適には、本発明のレジストの含フッ素樹脂成分は、少なくとも1つのエチレン性不飽和化合物から誘導される繰り返し単位を含有する。好ましくは、この不飽和基は、ノルボルネン、シクロヘキセン、アダマンテンなどの脂環式基である。この脂環式不飽和化合物は、好ましくは1つ以上のフッ素の置換基、ペルフルオロアルキル、特にC1−12ペルフルオロアルキル、またはペルフルオロアルコキシ、特にC1−12ペルフルオロアルコキシを有する。好ましくは、重合反応を過度に阻害しないように、このようなフッ素置換基は少なくとも1つの飽和炭素によりこの不飽和炭素から離隔される。テトラフルオロエチレン(TEE)化合物とヘキサフルオロイソプロパノール化合物およびこれらの誘導体などのフッ素化オレフィン化合物も好ましい。本発明の含フッ素ポリマーを合成するための例示の好ましい不飽和化合物は、式(A)〜(J)の次のものを包含する。
mは1ないし、このモノマーの価数により許容される最大の整数であり;そしてmは典型的にはl、2、3、4または5であり;そしてnは0、1または2である。化合物(A)〜(J)の一部は、一般に、参照によりここに組み込まれるWO00/17712に記述されている。
Yは水素、酸素と基Zを連結する化学結合、(−CH2−)p(ここで、pは1または2である)、−CH2O−、またはCHRO−(ここで、RはC1−16アルキル、好ましくはC1−4アルキルであり)であり;そして
Zはアルキルであり、好ましくは1〜約20個の炭素を有し、トリ(C1−16)アルキルメチル;ジ(C1−16)アルキルカルボキシルアリールメチル;ベンジル;フェンキル;トリ(C1−16アルキル)炭素環式アリール;C1−16アルキルカルボニルオキシ;ホルミル基;2〜約20個の炭素原子を有するようなアセテート基;テトラヒドロピラニル;またはテトラヒドロフラニルを包含するアルキルであり;
そして好ましくはXは−OCH2−であり;好ましくはYは結合または−CH2O−であり;そして好ましくはZはt−ブチル、メチルまたはフェンキルである。
Xは(−CH2−)p(ここで、pは0または1である);−OCH2−;−CH2OCH2−;または−CH2O−であり;
Yは結合、水素、−CH2O−、または−CHRO−(ここで、RはC1−16アルキル、好ましくはC1−4アルキルである)であり;そして好ましくはXは−OCH2−であり;そして好ましくはYは結合または−CH2O−である。
YとZは上記に定義されているのと同一であり、すなわちYは水素、酸素と基Zを連結する化学結合、(−CH2−)p(ここで、pは1または2である)、−CH2O−、またはCHRO−(ここで、RはC1−16アルキル、好ましくはC1−4アルキルであり)であり;そして
Zはアルキルであり、好ましくは1〜約20個の炭素を有し、トリ(C1−16)アルキルメチル;ジ(C1−16)アルキルカルボキシルアリールメチル;ベンジル;フェンキル;トリ(C1−16アルキル)炭素環式アリール;C1−16アルキルカルボニルオキシ;ホルミル基;2〜約20個の炭素原子を有するようなアセテート基;テトラヒドロピラニル;またはテトラヒドロフラニルを包含するアルキルであり;
そして、好ましくはXは−OCH2−であり;好ましくはYは結合または−CH2O−であり;そして好ましくはZはt−ブチル、メチルまたはフェンキルである。上記の構造においては、このノルボルニル環から延びる線はポリマー主鎖、またはそれへの結合を示す。
Xは上記に定義されているのと同一であり、Xは(−CH2−)p(ここで、pは0、1または2であり、好ましくは1または2である);−OCH2−または−CH2O−である。
(1)(P)と(Q)の単位からなり、(P):(Q’)がほぼ50:50;60:40;70:30;80:20;90:10;40:60;30:70;20:80;または10:90のそれぞれのモル比で存在する樹脂;
(2)(P)、(Q)および(R)の単位からなり、(P)がこのポリマーの全単位基準で約10〜60モルパーセント、好ましくはこのポリマーの全単位基準で20〜50または30〜40モルパーセントで存在し;(Q)がこのポリマーの全単位基準で約1〜50モルパーセント、好ましくはこのポリマーの全単位基準で5〜50または10〜40モルパーセントで存在し;そして(R)がこのポリマーの全単位基準で約20〜60モルパーセント、好ましくはこのポリマーの全単位基準で好ましくは20〜60または30〜50または60モルパーセントで存在する樹脂;そして
(3)(P)および/または(Q)、(R)および(S)の単位からなり、(P)と(Q)がこのポリマーの全単位基準で約0〜60モルパーセントで、好ましくはこのポリマーの全単位基準で10〜50または20〜40モルパーセントで各々独立に存在する樹脂を包含するが、但し、(P)と(Q)の少なくとも1つはこのポリマー中に存在し、(R)はこのポリマーの全単位基準で約50〜60モルパーセント、好ましくはこのポリマーの全単位基準で10〜60または10〜30、40または50モルパーセントで存在し;そして(S)はこのポリマーの全単位基準で約10〜60モルパーセント、好ましくはこのポリマーの全単位基準で10または20〜50または60モルパーセントで存在するものとする。
種々の光活性成分が本発明のレジストで使用されてもよい。フォト酸発生剤(PAG)が一般に好ましい。本発明のレジストでの使用に特に好ましいPAGは、ヨードニウムとスルホニウム化合物を包含するオニウム塩化合物;およびイミドスルホナート化合物、N−スルホニルオキシイミド化合物などの非イオン性PAG;ジアゾスルホニル化合物とα,α−メチレンジスルホンを包含する他のスルホンPAGとジスルホンヒドラジン、ニトロベンジル化合物、ハロゲン化、特にフッ素化された非イオン性PAGを包含する。好ましいPAGは芳香族置換基を持たない。
Xは、カルボキシレートあるいはスルホナート対アニオンなどの対アニオン、好ましくは任意に置換されたアルキル、好ましくはC1−20アルキル、特に1つ以上の電子吸引基、例えばFまたは他のハロ、ニトロ、シアノなどにより置換されたC1−10アルキルなどの1つ以上の部位により置換されたスルホネート(−SO3−)またはカルボキシレート(−COO”)であり、ペルフルオロアルキル、特にC1−10ペルフルオロアルキルが好ましく;フェニルまたはナフチルなどの任意に置換された炭素環式アリール;1〜3個の分離したあるいは縮合した環と1〜3個のヘテロ原子(N、OまたはS)を環構成員として有する基などの任意に置換されたヘテロ芳香族またはヘテロ脂環式基である。
R1、R2、R3およびR4は、各々独立に水素またはRに対して定義されている基であり、あるいはR2とR3が一緒になって、および/またはR1とR4が一緒になって環、好ましくは例えば4〜約8個の環構成員を有する脂環式環を形成し;そして
nは1、2、3または4、好ましくは1または2である。
Yは非水素置換基であり、好適には、上記の式IIのRに対して定義されているのと同一である。
R3とR4は同一であるか、あるいは異なり、かつ水素または上記の式IのR1に対して定義されているものなどの非水素置換基であってもよく、好ましくはR3とR4の少なくとも1つは水素以外であり、更に好ましくはR3とR4の両方は水素以外である。
R3とR4は同一であるか、あるいは異なり、かつ水素または上記の式IのR1に対して定義されているものなどの非水素置換基であってもよく、好ましくはR3とR4の少なくとも1つは水素以外であり、更に好ましくはR3とR4の両方は水素以外である。
上述のように、好適には、本発明のレジストは塩基性添加物を含んでもよい。この塩基性添加物は、比較的少量(例えば、この光活性成分の0.1〜1、2または約3重量パーセント)で使用可能であり、リソグラフィー性能、特に現像レジストレリーフ像の分解能を著しく増進することができる。特に、適切な塩基性化合物の本発明のレジストへの添加は、露光段階に続くマスクされた領域のなかへの望ましくないフォト酸の拡散を有効に抑制することができる。
本発明のレジストの好ましい溶解抑制剤化合物はポリマー性であり、および/またはフッ素置換基を包含する。上述のように、好ましい溶解抑制剤化合物は、フォト酸レイビル基、例えば、フォト酸レイビルエステルあるいはアセタール部位を含有するものを包含する。更に低い分子量の材料、例えば、5,000未満の、更に好ましくは約4,000、3,000、2,000、1,000または500未満のMwを有するポリマーまたはオリゴマーも一般に好ましい。フッ素化ポリマーあるいはオリゴマーは特に好ましい溶解抑制剤化合物である。
本発明のレジストで使用される界面活性剤とレベリング剤は、例えば、ケイ素含有化合物とアンモニウム化合物などのイオン性塩を包含する。ケイ素含有化合物は一般に好ましい界面活性剤である。例示の好ましい界面活性剤とレベリング剤は、Silwet7604(Union Carbideから入手できるシロキサンコポリマー);FC−430(3Mから入手できるイミドスルホナート);R08(フルオロアルコールを含有する混合物);Modaflow(アクリレート材料)を包含する。好適には、界面活性剤とレベリング剤を溶解抑制剤化合物に対して上記に開示したような量で使用してもよい。
上述のように、本発明のレジストは、堆積されたレジスト層の望ましくないクレーズ発生またはクラック発生を抑制または防止し、並びにこのレジスト層の下地材料への接着を増進することができる1つ以上の可塑剤材料も含有してもよい。好ましい可塑剤は、例えば、1つ以上のヘテロ原子(特にSまたはO)を有する材料であり、好ましくは約20〜1000の、更に典型的には約20〜約50、60、70、80、90、100、150、200、250、300、400または500の分子量を有する材料、例えば、ビス(2−ブトキシエチル)アジペート;ビス(2−ブトキシエチル)セバケート;ビス−(2−ブトキシエチル)フタレート;2−ブトキシエチルオレエート;ジイソデシルアジペート;ジイソデシルグルタレートなどのアジペート、セバケートおよびフタレート;およびポリ(エチレングリコール)アクリレート、ポリ(エチレングリコール)ビス(2−エチルヘキサノエート)、ポリ(エチレングリコール)ジベンゾエート、ポリ(エチレングリコール)ジオレエート、ポリ(エチレングリコール)モノオレエート、トリ(エチレングリコール)ビス(2−エチルヘキサノエート)などのポリ(エチレングリコール)を包含する。
次の成分を混和することにより本発明のレジストを製造するが、ここで、量は固体(溶媒を除くすべての成分)の重量パーセントとして表わされ、そしてこのレジストは90パーセント流体配合物として配合される。
Claims (66)
- フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が少なくとも2つの明確に区別できる溶媒の混合物を含んでなり、前記明確に区別できる溶媒の1つはケトン部位を含有せず、メチルエチルケトンとクロロベンゼンからなる溶媒成分は除外されるフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる請求項1のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる請求項1または2のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる請求項1から3のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる請求項1から4のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも2つの溶媒を含んでなる請求項1から5のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノン;エチル−n−アミル−ケトン;メチルエチルケトン;エチレングリコールエチルエーテル;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート;アミルアセテート;メチルイソ−アミルケトン;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;メチルアミルアセテート;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;エチル−n−ブチルケトン;イソ−ブチルイソブチレート;2−メチル−1−ペンタノール(ヘキサノール);エチレングリコールプロピルエーテル;プロピレングリコールt−ブチルエーテル;メチルカプロエート;エチルカプロエート(エチルヘキサノエート);クメン(イソプロピルベンゼン);キシレン;アニソール;エチレングリコールエチルエーテルアセテート;1−トリデカノール;シクロヘキサノール;メシチレン;ヘキシルアセテート;ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライム);ジイソブチルケトン;ジ−n−プロピルカーボネート;ジアセトンアルコール;エチレングリコールブチルエーテル;およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる2つ以上の明確に区別できる溶媒を含んでなる請求項1から6のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストが少なくとも3つの明確に区別できる溶媒を含んでなる請求項1から7のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- フッ素化樹脂、光活性成分および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が3−ヘプタノン;エチル−n−アミル−ケトン;エチレングリコールエチルエーテル;アミルアセテート;メチルイソ−アミルケトン;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;メチルアミルアセテート;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;エチル−n−ブチルケトン;イソ−ブチルイソブチレート;2−メチル−l−ペンタノール(ヘキサノール);エチレングリコールプロピルエーテル;プロピレングリコールt−ブチルエーテル、メチルカプロエート;エチルカプロエート(エチルヘキサノエート);クメン(イソプロピルベンゼン);キシレン;アニソール;エチレングリコールエチルエーテルアセテート;1−トリデカノール;シクロヘキサノール;メシチレン;ヘキシルアセテート;ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライム);ジイソブチルケトン;ジ−n−プロピルカーボネート;ジアセトンアルコール;エチレングリコールブチルエーテル;およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
- フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が少なくとも3つの明確に区別できる溶媒の混合物を含んでなるフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる請求項10のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる請求項10または11のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる請求項10から12のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる請求項10から13のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも2つの溶媒を含んでなる請求項10から14のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノン;エチル−n−アミル−ケトン;エチレングリコールエチルエーテル;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート;アミルアセテート;メチルイソ−アミルケトン;メチルエチルケトン;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;メチルアミルアセテート;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;エチル−n−ブチルケトン;イソ−ブチルイソブチレート;2−メチル−l−ペンタノール(ヘキサノール);エチレングリコールプロピルエーテル;プロピレングリコールt−ブチルエーテル;メチルカプロエート;エチルカプロエート(エチルヘキサノエート);クメン(イソプロピルベンゼン);キシレン;アニソール;エチレングリコールエチルエーテルアセテート;1−トリデカノール;シクロヘキサノール;メシチレン;ヘキシルアセテート;ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライム);ジイソブチルケトン;ジ−n−プロピルカーボネート;ジアセトンアルコール;エチレングリコールブチルエーテル;およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる3つ以上の明確に区別できる溶媒を含んでなる請求項10のフォトレジスト組成物。
- フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がハロゲン化溶媒を含んでなり、クロロベンゼンとメチルエチルケトンからなる溶媒成分は除外されるフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物がフッ素化溶媒を含んでなる請求項17のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物がフルオロエーテル溶媒を含んでなる請求項17のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる請求項17から19のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる請求項17から20のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる請求項17から21のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる請求項17から22のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも2つの溶媒を含んでなる請求項17から23のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分が少なくとも3つの明確に区別できる溶媒を含んでなる請求項17から24のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノン;エチル−n−アミル−ケトン;エチレングリコールエチルエーテル;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート;アミルアセテート;メチルイソ−アミルケトン;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;メチルアミルアセテート;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;エチル−n−ブチルケトン;イソ−ブチルイソブチレート;2−メチル−l−ペンタノール(ヘキサノール);エチレングリコールプロピルエーテル;プロピレングリコールt−ブチルエーテル;メチルカプロエート;エチルカプロエート(エチルヘキサノエート);クメン(イソプロピルベンゼン);キシレン;アニソール;エチレングリコールエチルエーテルアセテート;1−トリデカノール;シクロヘキサノール;メシチレン;ヘキシルアセテート;ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライム);ジイソブチルケトン;ジ−n−プロピルカーボネート;ジアセトンアルコール;エチレングリコールブチルエーテル;およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる1つ以上の溶媒を含んでなる請求項17から25のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が水を含んでなるフォトレジスト組成物。
- 水が前記組成物の全溶媒の約3パーセント以下を構成する請求項27のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる請求項27または28のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる請求項27から29のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる請求項27から30のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる請求項26から31のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも2つの溶媒を含んでなる請求項27から32のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 溶媒成分が少なくとも3つの明確に区別できる溶媒を含んでなる請求項27から33のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノン;エチル−n−アミル−ケトン;メチルエチルケトン;エチレングリコールエチルエーテル;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート;アミルアセテート;メチルイソ−アミルケトン;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;メチルアミルアセテート;エチレングリコールメチルエーテルアセテート;エチル−n−ブチルケトン;イソ−ブチルイソブチレート;2−メチル−1−ペンタノール(ヘキサノール);エチレングリコールプロピルエーテル;プロピレングリコールt−ブチルエーテル;メチルカプロエート;エチルカプロエート(エチルヘキサノエート);クメン(イソプロピルベンゼン);キシレン;アニソール;エチレングリコールエチルエーテルアセテート;1−トリデカノール;シクロヘキサノール;メシチレン;ヘキシルアセテート;ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライム);ジイソブチルケトン;ジ−n−プロピルカーボネート;ジアセトンアルコール;エチレングリコールブチルエーテル;およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる1つ以上の溶媒を含んでなる請求項27から34のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなるフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる請求項36のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる請求項36または37のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる請求項36から38のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がフッ素化溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
- フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも2つの溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分が少なくとも3つの明確に区別できる溶媒を含んでなる請求項41のフォトレジスト組成物。
- 前記溶媒成分が少なくとも4つの溶媒を含んでなる請求項41のフォトレジスト組成物。
- 前記光活性成分が1つ以上のヨードニウム化合物を含んでなる請求項1から43のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記光活性成分が1つ以上のスルホニウム化合物を含んでなる請求項1から44のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記光活性成分がイミドスルホナート、N−スルホニルオキシイミド、ジアゾスルホニル、α,α−メチレンジスルホン、ジスルホンヒドラジン、ニトロベンジル、およびジスルホニルアミンである請求項1から45のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストが塩基性添加物、溶解抑制剤化合物、界面活性剤、および可塑剤の群から選ばれる1つ以上の材料を更に含んでなる請求項1から46のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フッ素化樹脂が、これらの式が下記に定義されているような式(A)〜(S)の構造に対応する1つ以上の重合単位を含んでなる請求項1から47のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記樹脂が下記式:
Yは水素、酸素と基Zを連結する化学結合、(−CH2−)p(ここで、pは1または2である)、−CH2O−、またはCHRO−(ここで、RはC1−16アルキルである)であり;そして
Zはアルキル;ジ(C1−16)アルキルカルボキシルアリールメチル;ベンジル;フェンキル;トリ(C1−16アルキル)炭素環式アリール;C1−16アルキルカルボニルオキシ;ホルミル基;アセテート基;テトラヒドロピラニル;またはテトラヒドロフラニルである)
の基を含んでなる請求項1から48のいずれか1項のフォトレジスト組成物。 - 前記フッ素化樹脂がこれらの式が上記に定義されているような式(P)、(Q)、(R)および/または(S)の構造に対応する1つ以上の重合単位を含んでなる請求項1から49のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストがDBU;DBN;N,N−ビス−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン;N,N−ビス−(2−ヒドロキシエチル)−2,5−ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン;N−トリイソプロパノールアミン;ジブチルアミン;トリブチルアミン;任意に置換されたピペリジン;および他の任意に置換されたピペラジンである塩基性添加物を含んでなる請求項1から50のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストがヒドロキシ−アルキル二級および三級アミンを含んでなる請求項1から51のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストが高分子アミンを含んでなる請求項1から52のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストがフッ素化溶解抑制剤を含んでなる請求項1から53のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記溶解抑制剤がステロイドである請求項54のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストが高分子溶解抑制剤を含んでなる請求項1から55のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジストが可塑剤材料を含んでなる請求項1から56のいずれか1項のフォトレジスト組成物。
- 前記可塑剤が1つ以上の酸素あるいは硫黄原子を含んでなる請求項57のフォトレジスト組成物。
- 前記可塑剤がアジペート、セバケート、フタレートまたはポリ(エチレングリコール)である請求項57または58のフォトレジスト組成物。
- 請求項1から59のいずれか1項のフォトレジスト組成物のコーティング層を基板に塗布し;
前記フォトレジストコーティング層を活性化放射線で露光し、そして前記露光されたレジスト層を現像する
ことを含んでなるフォトレジストレリーフ像を形成する方法。 - 前記フォトレジストコーティング層が約200nm未満の波長を有する放射線に露光される請求項60の方法。
- 前記フォトレジストコーティング層が約170nm未満の波長を有する放射線に露光される請求項60の方法。
- 前記フォトレジストコーティング層が約157nmの波長を有する放射線に露光される請求項60の方法。
- 請求項1から59のいずれか1項のフォトレジスト組成物のコーティング層をその上に有する基板を含んでなる製造物品。
- 前記基板がマイクロエレクトロニクスウエハー基板である請求項64の物品。
- 前記基板がオプトエレクトロニクスデバイス基板である請求項64の物品。
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