JP2005508763A - 任意の応力から保護されるコンポーネントの気密カプセル封じのための装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、任意の応力から保護されるコンポーネントの気密カプセル封じのための装置に関する。
【解決手段】コンポーネント(5)は基板(15)に固定され、該基板は、もう1つの面で接着ボンディング(16)によって固定される温度調整素子(17)を支える。このアセンブリは、接着ボンディング(13)によって結合された2つの部分(11,12)を有するパッケージ内に配置され、該パッケージは、光リンク(6)及び電気的接続体(18,142)用の通路を有する。それは、パッケージの1つの部分(11)の突起(19)によって支持される。もう1つの部分(12)には、温度調整電子機器を形成する3次元相互接続ブロック(14)がボンドされる。ブロック,パッケージ(11,12)並びにリンク及び接続体の最小の長さ(L)は、鉱物保護層(4’)内にカプセル封じされる。
本発明は、光電子コンポーネント及びMEMSコンポーネントに特に適する。

Description

本発明は、任意の応力から保護されるコンポーネントの気密カプセル封じのための装置に関し、2つの部分から形成され内部容積を定めるパッケージを有するタイプの装置であり、コンポーネントは乾燥雰囲気内に配置されている。
非常に壊れやすいコンポーネントは、機械的及び熱的応力に耐えられず、湿気及び/又は酸化から完全に保護されるべきであるという問題に、多くの出願が直面している。
これらの問題は、光学又は光電子コンポーネントの場合に特に生じ、湿気がコンポーネントの性能並びに、特に光ファイバとの光学入力結合及び出力結合の性能を乱すか又は劣化させる。更に、応力はこの結合を弱め、許容できない損失を引き起こす。最終的に、そのようなコンポーネントは、極めて正確に温度調整されなければならず、それ故電気導体出力及びかなりの関連電子機器が含まれる。
これらの問題は、MEMS(微小電子機械システム)にも生じる。そのようなコンポーネントは、超微細加工技術の利用によって、共通のシリコン基板上に機械素子、センサ、アクチュエータ及び電子機器を統合することによりもたらされる。それらは、湿気と応力に極端に敏感であり、湿気は可動素子を動けなくし、応力は低振幅であっても、研究所又は工場での較正を破壊する(例えば、特に宇宙技術応用のセンサの場合)。
これらの問題は、プラスチック成形又はカプセル封じによって得られる保護システムによって改善され得る。しかしながら、この解決法は、MEMS(可動部分が自由)の場合だけでなく、この技術に伴う応力及び/又は加熱に耐えることができない全てのコンポーネントの場合を完全に除外している。
従って、考えられる1つの解決法はパッケージすることである。このために、少なくともそれらの1つの場合において、結合された中空の部品によって定められる容積内にコンポーネントが配置され、内部容積は乾燥雰囲気(窒素、乾燥した空気など)を含んでいる。主な問題は気密性であって、1つはパッケージの部分自身の構造に関し、もう1つは、外部との光学及び/又は電気的接続体のためのそれらのアセンブリ及び通路に関するものである。パッケージに関しては、金属部品を使用することが可能であるが、プラスチックパッケージよりも高価である。接続体用のアセンブリ及び通路に関しては、単なる接着剤の利用では気密シールを形成出来ない。
繰り返し述べるが、従って、高価であるろう付けの解決法を利用することが必要となる。特に、光ファイバ用の通路を密閉するためには、ガラスファイバがろう付けされなければならず、それは困難でありとても高価なものである。
本発明の目的は、簡単で安価な材料及び構造を利用してこれらの欠点を改善し、優良な気密性を保証することにある。
第1の形態によると、本発明は、任意の応力から保護されるコンポーネントの気密カプセル封じのための装置であって、コンポーネントが乾燥雰囲気内に配置される、少なくとも2つの部分から形成され内部容積を定めるパッケージを有する装置において、前記装置は、
パッケージの2つの部分が、接着ボンディングによって又は前記コンポーネントを支持する基板を介して結合され、パッケージ全体が鉱物保護層によって保護され、該鉱物保護層が、パッケージから出る接続体及び/又はリンクに沿って所定の最小の長さに広がることを特徴とする。
従って、パッケージの材料(プラスチック、セラミック又は金属)の性質が何であろうとも、鉱物層によって気密性が提供される。更に湿気が侵入しうるリンク又は接続体用の通路、特にこれら接続体/リンクのプラスチックシースにおいて、気密性は、パッケージの内部に達する通路を所定の長さ分増やすことによって提供される。前記所定の最小の長さ(L)は、およそ数ミリメートルであることを特徴とする。
本発明の別の利点の側面によると、装置は、前記保護層が、SiOの層であって、xが実質的に1.4から2の間であることを特徴とする。
パッケージに関して、最適な接着を保証するために、xの値は2以下の値から始まり、SiO材料が非常に硬く気密となる最大の気密性のために、多く見積もって2の値に達することが好ましい。
MEMSに適する本発明の1つの実施形態は、前記コンポーネントが、接続導体を有する基板に取り付けられたMEMSであり、前記パッケージは、前記基板の両側に互いに向き合って配置され且つそれに接着ボンドされた2つの部分から形成され、前記保護層が、前記2つの部分に広がり、且つ、前記最小の長さにわたって前記接続導体と基板とに沿って広がることを特徴とする上記に述べられたタイプの装置を提供する。
光学又は光電子コンポーネントに適する本発明の別の実施形態は、前記コンポーネントが、平面基板の第1の面に固定された光学又は光電子コンポーネントであり、コンポーネントに面する基板のもう一方の面には、電子温度調整回路によって給電される温度調整素子が位置し、前記パッケージの第1部分は、前記基板を支持する少なくとも1つの内部突起を有することを特徴とする装置を提供する。
更に、温度調整回路が、3次元相互接続ブロックで構成されるならば、これは、パッケージの1つの部分に接着ボンディングによって固定され、且つ、アセンブリを保護する層にカプセル封じされるか、又は、代わりに、接着ボンディングによって他の部分と結合されるために、それ自体がパッケージの1つの部分を構成する。
以下の説明及び添付の図面により、本発明がより明確に理解され、利点が明らかになるであろう。
既に上記で述べられたように、本発明の基本原理は、接着ボンディングによって結合された少なくとも2つの部分のパッケージを使用し、パッケージと接続体の最小の長さとに広がる鉱物保護層によって気密性を保証することである。
図1は、MEMSに適した本発明の第1実施形態を示している。このコンポーネント1は、接続導体20を支える基板2に取り付けられる。コンポーネント1及び基板の対面部分は、パッケージによって定められた容積内に密閉され、該パッケージは、キャビティを構成する2つの部分3,3’で形成され、基板の両側に互いに向き合って配置され且つ適切な接着剤31によって基板に接着ボンドされる。パッケージの部分3,3’は、この利用のための従来の材料(プラスチック,セラミック,金属など)で形成されてもよい。キャビティの内部容積は、乾燥雰囲気(窒素,乾燥した空気など)で満たされる。以下で再び述べるが、本発明によると、アセンブリの気密性は、鉱物保護層4によって提供され、該層は、湿気又は他の汚染物質の浸入を避けるため、所定の最小の長さにわたって基板2及び導体20とに広がっている。
これは限定するものではないが、層4は、例えば、酸化物又は窒化物、特にシリコン酸化物又はシリコン窒化物から構成される。選択された材料にとって、覆われた部分への優れた接着性及び必要な気密性及び抵抗特性を示せば充分である。
好ましくは、シリコン酸化物SiOの層が使用され、インデックスxは1.4から2の間を変化する。この材料は、xがおよそ1.4である柔らかいプラスチック状態から、x=2の非常に硬い状態まで変化する。
そのような層はPECVD(プラズマ促進化学蒸着)によって蒸着されてもよい。好ましくは、パッケージに関して、最適な接着を保証するために、xの値は2以下から、気密性及び最大の強度を提供するために、最大2の値である。しかしながら、優れた気密性、優れた接着性及びある程度の柔軟性を保証する単一の中間値を選択することも可能である。
好ましくは、保護層の厚さは、0.1から5ミクロンの間である。好ましい値はおよそ0.5ミクロンである。
図2は、光ファイバリンクに挿入される光電子コンポーネントの原理を示す図である。コンポーネント5は、ファイバ6に結合される受入面50及び放出面51を有し、該ファイバは、ポリマで被覆されているか又はされていなく、所定の位置に保持されてフェルール7又はVタイプガラスブロック8によって終端される。リンク及び保持手段は、気密性ではない種々の接着剤70,71,80によって提供されるので、湿気を通すことによって光学的品質及び結合を低下させる。コンポーネント5のボディーもまた、湿気(又は酸化)から保護されなければならない。
図3は、このタイプのコンポーネント用の、本発明に従うカプセル封じ装置の第1実施形態を断面で示している。図3において、コンポーネント5は、例えば平面基板の片面に接着ボンディングされることによって基板15に取り付けられる。基板のもう一方の面は、ボンディング16によって固定され、温度を調整する加熱又は冷却熱素子17を支える。一般に、この調整は極めて正確でなければならず、それ故かなりの大きさの電子温度調整回路を必要とする。コンポーネント5/基板15/熱素子17のアセンブリは、パッケージの内部容積内に配置され、該パッケージは、例えば接着ボンディング13によって結合された2つの部分11,12から構成されている。アセンブリ5,15,17は、例えばパッケージの部分11内の少なくとも1つの内部突起19によって支持される。基板15は、機械的な保持を保証するためにこれら突起にボンドされ、容積110の内部に存在する乾燥雰囲気により、外部に関する優れた断熱を維持することができる。
上記で説明されたように、コンポーネント5及び熱素子17は、特に温度を調整するための電子回路と併用される。この電子回路の大きさを制限するために、それは3次元相互接続ブロック14で構成される。そのようなブロックの構造自体は知られており、その説明は例えば仏国特許第2688630号で知ることができる。このように、電子コンポーネント140を組み込んだ極めてコンパクトなブロックで回路が構成される。このブロック14は、例えば接着ボンディング141によってパッケージの部分12に固定される。
パッケージ11,12は、ファイバ6及び熱調整素子17に給電する導電体18用の通路を与えなければならないことは明らかである。更に、ブロック14は一般にフラットケーブル142によって外部と接続される。本発明によると、既に図1に関して述べられたように、パッケージ11,12/3次元ブロック14のアセンブリをカプセル封じする鉱物保護層4’を蒸着することによって気密性が提供される。更に、この保護層は、光ファイバリンク6及び電気的接続体18,142に沿って、所定の最小の長さLにわたって外部まで広がらなければならない。既に述べられたように、これは、ボンドされた結合部及びプラスチックシースが、長手方向の浸透性を有し、浸透性は汚染要素が超えなければならない長さと共に減少するためである。これらの通路における気密性は、追加の通路Lを与えることによって最大化される。
好ましくは、長さLはおよそ数ミリメートルである。
最小の長さを短くする1つの解決法は、パッケージの差し込み口における電気的接続体及びリンクを、短い長さ(例えば1ミリメートル以下)にわたって部分的にむくこと、及び、これらむかれた部分で鉱物層を停止することから成る。鉱物層とガラスファイバ又は鉱物層と金属導体との接続がこれらの差し込み口の完全な気密性を保証する。
図3の装置の別の実施形態が図4に示されている。
この実施形態において、図3のパッケージの部分12はブロック14自体に置き換えられ、該ブロックは、コンポーネント5が配置される内部容積を定めるために、接着ボンディング13によってパッケージの第1部分11に固定される。同じ参照番号は図3と同じ素子を意味する。この実施形態は、パッケージの1つの部分を省略するという利点を有している。
図5は、図4の実施形態から派生する他の実施形態を示している。この実施形態において、ブロック14は、パッケージの内部に向かって、ブロックの内部面143にほぼ垂直な導電接続ピン144,145を有する。コンポーネント5及び温度調整素子17を支える基板15は、これらのピンに機械的に固定される。従って、突起19は必要ない。更に、これらのピンは、素子17と電子回路14との間に電気的なリンクを提供する。素子17のための給電ワイヤ170は、はんだ付けによって及び/又は基板上の導電トラックによってこれらピンに接続される。
この実施形態の1つの利点は、熱素子17のための給電ワイヤがパッケージを通って外部に通り抜ける必要がなく、従って気密性が強化されなければならない領域の数を減少させることである。
図6は、図5の別の実施形態を示しており、同じ参照番号はすべての図における同じ素子を意味する。この実施形態において、ペルチェ効果冷却素子17’が熱温度調整素子として利用され、該素子は接着ボンディングによって前もって基板15に固定されており、この素子17’のコールド面は、基板及びコンポーネントを向いている。素子17’のホット面上に発生する熱エネルギの外部への優れた熱放散を保証するために、例えば金属のような優れた熱導体でパッケージの部分22が形成され、及び、熱素子17’とパッケージ22との間の熱結合を保証するために、前記ホット面とパッケージの部分22の内部面との間に結合層24が配置される。
勿論、本発明を限定せずに述べられた例示的な実施形態は、特に、環境及び応力からの保護に関して、同じような要件を有するコンポーネントは、本発明の原理を利用してカプセル封じされることができる。
MEMSに適した、本発明に従うカプセル封じ装置の1つの実施形態を示している。 光電子コンポーネントの原理を示す図である。 本発明に従う装置の別の実施形態の断面図である。 パッケージの1つの部分が3次元の相互接続ブロックによって形成される図3の装置の別の実施形態を示している。 コンポーネントの支持が前記ブロックによって提供される別の実施形態である。 図5の装置の別の実施形態である。
符号の説明
1,5,140 コンポーネント
2,15 基板
3,3’,11,12,11’,21,22 パッケージ
4,4’ 保護層
30,31,70,71,80 接着剤
6 ファイバ
7 フェルール
8 V型ガラスブロック
50 受入面
51 放出面
13,16,141 接着ボンディング
14 3次元相互接続ブロック
17,17’ 温度調整素子
18,142 電気的接続体
19 突起
144,145 接続ピン
24 熱接続層
170 給電ワイヤ

Claims (14)

  1. 任意の応力から保護されるコンポーネントの気密カプセル封じのための装置であって、コンポーネントが乾燥雰囲気内に配置される、少なくとも2つの部分から形成され内部容積を定めるパッケージを有する装置において、
    該パッケージの2つの部分(3,3’;11,12;11’,14;21,14;22,14)が、接着ボンディングによって又は前記コンポーネントを支持する基板を介して結合され、パッケージ全体が鉱物保護層によって保護され、該鉱物保護層は、前記パッケージから出る接続体及び/又はリンクに沿って所定の最小の長さに広がることを特徴とする装置。
  2. 前記所定の最小の長さ(L)は、およそ数ミリメートルであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記保護層(4;4’)は、SiOの層であって、xが実質的に1.4から2の間であることを特徴とする請求項1又は2に記載の装置。
  4. 前記パッケージに関して、前記xの値は、最適な接着を保証するために決定された2以下である第1の値から、最大限の気密性を保証するために最大2の値まで変化することを特徴とする請求項3に記載の装置。
  5. 前記保護層の厚さは、実質的に0.1から5ミクロンの間であることを特徴とする請求項3又は4に記載の装置。
  6. 前記厚さは、およそ0.5ミクロンであることを特徴とする請求項5に記載の装置。
  7. 前記コンポーネントは、接続導体(20)を有する基板(2)に取り付けられたMEMS(1)であり、前記パッケージは、前記基板の両側に互いに向き合って配置され且つそれに接着ボンドされた(31)2つの部分(3,3’)から形成され、前記保護層(4)は、前記2つの部分に広がり、且つ、前記最小の長さにわたって前記接続導体(20)と前記基板とに沿って広がることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の装置。
  8. 前記コンポーネントは、平面基板(15)の第1の面に固定された光学又は電気光学コンポーネントであり、前記コンポーネントに面する基板のもう一方の面には、電子温度調整回路(14)によって給電される温度調整素子(17)が位置し、前記パッケージの第1部分(11)は、前記基板(15)を支持する少なくとも1つの内部突起(19)を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の装置。
  9. 前記温度調整回路は、前記パッケージのもう1つの部分(12)に固定された3次元相互接続ブロック(14)で構成され、前記保護層(4’)は、前記パッケージ及び前記ブロックと、前記最小の長さ(L)にわたって、光学接続体(6)並びに前記温度調整素子用の電気的接続体(18)及び前記電子温度調整回路用の電気的接続体(142)とをカプセル封じすることを特徴とする請求項8に記載の装置。
  10. 前記基板(15)への前記コンポーネント(5)の固定と、前記突起(19)への該基板の固定と、前記パッケージの第2部分(12)への前記ブロック(14)の固定とが、接着ボンディング(16,141)によってもたらされることを特徴とする請求項9に記載の装置。
  11. 前記温度調整回路は、3次元相互接続ブロック(14)で構成され、該ブロック(14)は前記パッケージの第2部分を構成し、且つ、前記コンポーネントを含む前記内部容積を定めるために前記パッケージの前記第1部分(11)に接着ボンディング(13)によって固定され、前記保護層(4’)は、前記第1部分(11)と、前記ブロック(14)と、前記最小の長さ(L)にわたって光学接続体(6)並びに前記温度調整素子用の電気的接続体(18)及び前記電子温度調整回路用の電気的接続体(142)とをカプセル封じすることを特徴とする請求項8に記載の装置。
  12. 前記コンポーネントは、平面基板(15)の第1の面に固定された光学又は光電子コンポーネント(5)であり、前記コンポーネントに面する前記基板のもう一方の面は、電子温度調整回路(14)によって給電される電子調整素子(17,17’)を支え、前記温度調整回路は、3次元相互ブロック(14)で構成され、該ブロック(14)は、前記パッケージの第2部分を構成し、且つ、前記コンポーネントを含む前記内部容積を定めるために前記パッケージの前記第1部分(21,22)に接着ボンディング(13)によって固定され、前記保護層(4’)は、前記第1部分(21,22)と、前記ブロック(14)と、前記最小の長さにわたって前記光学接続体(6)及び前記電子調整回路のための電気的接続体(142)とをカプセル封じし、前記基板及びコンポーネントに固定され且つ前記温度調整素子(17,17’)を前記電子温度調整回路に接続するために、前記ブロック(14)は、パッケージの内部に向かって、前記ブロックの内部面(143)にほぼ垂直な接続ピン(144,145)を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の装置。
  13. 前記温度調整素子は、ペルチェ効果冷却素子(17’)であり、前記パッケージの前記第1部分(22)は優れた熱導体である材料で形成され、前気冷却素子のウォーム面と前記パッケージの前記第1部分の内部面との間に、熱接続層(24)が熱を放散するために挿入されることを特徴とする請求項12に記載の装置。
  14. 前記パッケージから出る接続体及び/又はリンクは、前記パッケージの差し込み口において所定の長さ分むかれ、前記鉱物保護層は、前記所定の最小の長さを減らすために、前記接続体及び/又はリンクのむかれた部分にまでしか広がらないことを特徴とする請求項1から6及び8から13のいずれか1項に記載の装置。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7642628B2 (en) * 2005-01-11 2010-01-05 Rosemount Inc. MEMS packaging with improved reaction to temperature changes
FR2884049B1 (fr) * 2005-04-01 2007-06-22 3D Plus Sa Sa Module electronique de faible epaisseur comprenant un empilement de boitiers electroniques a billes de connexion
FR2894070B1 (fr) * 2005-11-30 2008-04-11 3D Plus Sa Sa Module electronique 3d
FR2895568B1 (fr) * 2005-12-23 2008-02-08 3D Plus Sa Sa Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
US7667333B2 (en) * 2006-01-27 2010-02-23 Infineon Technologies Ag Stack of semiconductor chips
FR2905198B1 (fr) * 2006-08-22 2008-10-17 3D Plus Sa Sa Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
FR2911995B1 (fr) * 2007-01-30 2009-03-06 3D Plus Sa Sa Procede d'interconnexion de tranches electroniques
US7847387B2 (en) * 2007-11-16 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Electrical device and method
FR2940521B1 (fr) 2008-12-19 2011-11-11 3D Plus Procede de fabrication collective de modules electroniques pour montage en surface
FR2961305B1 (fr) 2010-06-14 2012-06-22 Eurocopter France Dispositif de mesure inertielle ameliore et aeronef comportant un tel dispositif
US10431509B2 (en) 2014-10-31 2019-10-01 General Electric Company Non-magnetic package and method of manufacture
TWI646641B (zh) * 2016-08-24 2019-01-01 同欣電子工業股份有限公司 Waterproof package module and waterproof packaging process
FR3061404B1 (fr) 2016-12-27 2022-09-23 Packaging Sip Procede de fabrication collective de modules electroniques hermetiques

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS498174A (ja) * 1972-05-10 1974-01-24
JPS5342558A (en) * 1976-09-29 1978-04-18 Mitsubishi Electric Corp Production of semicondcutor device
JPS6294979A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Seiko Epson Corp 透明プラスチツク封止イメ−ジ・センサ−
JPS62256457A (ja) * 1986-04-29 1987-11-09 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH05183000A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置
JPH07230020A (ja) * 1994-02-16 1995-08-29 Hitachi Cable Ltd 光モジュール
JPH07294769A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> プレーナ光波回路保護部材
JPH08181564A (ja) * 1994-12-21 1996-07-12 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH08316516A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Daido Hoxan Inc ガラス封止型太陽電池モジュール
JPH09211266A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Hitachi Ltd 半導体装置及び光通信モジュール
JPH11330315A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000147285A (ja) * 1998-11-09 2000-05-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路モジュール
JP2000147290A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路モジュール
JP2000292642A (ja) * 1999-04-02 2000-10-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光部品モジュール

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2456388A1 (fr) * 1979-05-10 1980-12-05 Thomson Brandt Microboitier de circuit electronique, et circuit hybride comportant un tel microboitier
FR2485262A1 (fr) * 1980-06-19 1981-12-24 Thomson Csf Boitier d'encapsulation resistant a de fortes pressions externes
JPS5788770A (en) * 1980-11-21 1982-06-02 Hitachi Ltd Photo semiconductor device
FR2538618B1 (fr) * 1982-12-28 1986-03-07 Inf Milit Spatiale Aeronaut Boitier pour composant electronique comportant un element fixant l'humidite
DE3307465A1 (de) * 1983-03-03 1984-09-06 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Vorrichtung zum haltern eines wandlers und eines vor dem wandler endenden lichtwellenleiters
JPS6148944A (ja) * 1984-08-16 1986-03-10 Matsushita Electronics Corp 半導体装置
US4639626A (en) * 1985-04-26 1987-01-27 Magnetics Research International Corporation Permanent magnet variable reluctance generator
FR2591801B1 (fr) * 1985-12-17 1988-10-14 Inf Milit Spatiale Aeronaut Boitier d'encapsulation d'un circuit electronique
US4752109A (en) * 1986-09-02 1988-06-21 Amp Incorporated Optoelectronics package for a semiconductor laser
IT1221258B (it) * 1988-06-22 1990-06-27 Sgs Thomson Microelectronics Contenitore plastico a cavita' per dispositivi semiconduttore
JPH03206691A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Nec Corp 混成集積回路
FR2666190B1 (fr) * 1990-08-24 1996-07-12 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques.
US5847448A (en) * 1990-12-11 1998-12-08 Thomson-Csf Method and device for interconnecting integrated circuits in three dimensions
FR2674680B1 (fr) * 1991-03-26 1993-12-03 Thomson Csf Procede de realisation de connexions coaxiales pour composant electronique, et boitier de composant comportant de telles connexions.
FR2688629A1 (fr) * 1992-03-10 1993-09-17 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices.
FR2688630B1 (fr) * 1992-03-13 2001-08-10 Thomson Csf Procede et dispositif d'interconnexion en trois dimensions de boitiers de composants electroniques.
FR2691836B1 (fr) * 1992-05-27 1997-04-30 Ela Medical Sa Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs comportant au moins une puce et dispositif correspondant.
FR2696871B1 (fr) * 1992-10-13 1994-11-18 Thomson Csf Procédé d'interconnexion 3D de boîtiers de composants électroniques, et composants 3D en résultant.
US5557066A (en) * 1993-04-30 1996-09-17 Lsi Logic Corporation Molding compounds having a controlled thermal coefficient of expansion, and their uses in packaging electronic devices
FR2709020B1 (fr) * 1993-08-13 1995-09-08 Thomson Csf Procédé d'interconnexion de pastilles semi-conductrices en trois dimensions, et composant en résultant.
FR2719967B1 (fr) * 1994-05-10 1996-06-07 Thomson Csf Interconnexion en trois dimensions de boîtiers de composants électroniques utilisant des circuits imprimés.
US5524339A (en) * 1994-09-19 1996-06-11 Martin Marietta Corporation Method for protecting gallium arsenide mmic air bridge structures
US5793104A (en) * 1996-02-29 1998-08-11 Lsi Logic Corporation Apparatus for forming electrical connections between a semiconductor die and a semiconductor package
US6177726B1 (en) * 1999-02-11 2001-01-23 Philips Electronics North America Corporation SiO2 wire bond insulation in semiconductor assemblies
FR2805082B1 (fr) * 2000-02-11 2003-01-31 3D Plus Sa Procede d'interconnexion en trois dimensions et dispositif electronique obtenu par ce procede
JP2002076313A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Canon Inc 固体撮像装置
JP2002111083A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュール及びその製造方法
US6548895B1 (en) * 2001-02-21 2003-04-15 Sandia Corporation Packaging of electro-microfluidic devices

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS498174A (ja) * 1972-05-10 1974-01-24
JPS5342558A (en) * 1976-09-29 1978-04-18 Mitsubishi Electric Corp Production of semicondcutor device
JPS6294979A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Seiko Epson Corp 透明プラスチツク封止イメ−ジ・センサ−
JPS62256457A (ja) * 1986-04-29 1987-11-09 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH05183000A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置
JPH07230020A (ja) * 1994-02-16 1995-08-29 Hitachi Cable Ltd 光モジュール
JPH07294769A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> プレーナ光波回路保護部材
JPH08181564A (ja) * 1994-12-21 1996-07-12 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH08316516A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Daido Hoxan Inc ガラス封止型太陽電池モジュール
JPH09211266A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Hitachi Ltd 半導体装置及び光通信モジュール
JPH11330315A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000147285A (ja) * 1998-11-09 2000-05-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路モジュール
JP2000147290A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路モジュール
JP2000292642A (ja) * 1999-04-02 2000-10-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光部品モジュール

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