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Description

ポリ(イミド)の特殊な用途では、その耐薬品性、選択的ガス透過性、良好な熱酸化安定性、金属との優れた付着性、高い熱性能及び機械的強度のような独特の化学的及び物理的性質が利用される。ポリ(イミド)は、特殊な用途、例えば織物、選択的なガス透過性を有する膜、並びに航空宇宙、航空機、自動車及び関連産業で特に有用である。ある種の物品(特に選択的ガス透過膜)の製造はポリ(イミド)の溶解性及び溶液特性によって左右される。そこで、製造は好ましくは高粘度及び低固形分を有する溶液に基づいて行われる。分子量50000ダルトンまでのポリ(イミド)が現在使用されているが、高分子量(ポリイミド)は概して凝縮(溶融)相で約0.75デシリットル/グラムを超える高い固有粘度を有しているので、分子量の非常に高い(特に100000ダルトン超の)ポリ(イミド)があればさらに望ましい。しかし、こうした非常に高い粘度のため、低分子量ポリ(イミド)用に開発された技術及び設備装置を用いて高分子量(ポリイミド)を合成・単離するのは極めて困難である。
米国特許第3803085号明細書 米国特許第3814869号明細書 米国特許第3847867号明細書 米国特許第3850885号明細書 米国特許第3852242号明細書 米国特許第3855178号明細書 米国特許第3905942号明細書 米国特許第3972902号明細書 米国特許第3983093号明細書 米国特許第3998786号明細書 米国特許第4011198号明細書 米国特許第4064113号明細書 米国特許第4443591号明細書 米国特許第4455410号明細書 米国特許第4550156号明細書 米国特許第5189115号明細書 米国特許第5262516号明細書

Claims (10)

  1. 第一の官能基を有する重量平均分子量50000ダルトン未満の第一のポリ(イミド)前駆体を、第二の官能基を有する重量平均分子量50000ダルトン未満の第二のポリ(イミド)前駆体とカップリングさせて、重量平均分子量が50000ダルトンを超える高分子量ポリ(イミド)を形成することを含んでなる、高分子量ポリ(イミド)の製造方法。
  2. 高分子量ポリ(イミド)の重量平均分子量が60000ダルトンを超える、請求項1記載の方法。
  3. 高分子量ポリ(イミド)が次の式(I)の構造単位を含む、請求項1記載の方法。
    式中、Vは(a)炭素原子数5〜50の置換又は非置換飽和、不飽和又は芳香族単環式もしくは多環式基、(b)炭素原子数1〜30の置換又は非置換線状又は枝分れ飽和又は不飽和アルキル基及び(c)これらの組合せからなる群から選択される四価リンカー(ただし、置換基はエーテル、エポキシド、アミド、エステル又はこれらのいずれか1種以上を含む組合せである)であり、Rは(a)炭素原子数6〜20の芳香族炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、(b)炭素原子数2〜20の直鎖又は枝分れアルキレン基、(c)炭素原子数3〜20のシクロアルキレン基及び(d)次の式(IV)の二価基からなる群から選択される置換又は非置換二価有機基であり、aは分子量が50000ダルトンを超えるポリイミドを与えるのに十分な整数である。
    式中、Qは−O−、−S−、−C(O)−、−SO2−、Cy2y−(ただし、yは1〜10の整数である)及びそのハロゲン化誘導体からなる群から選択される二価残基である。
  4. Vが以下の式(II)の四価芳香族基及びそのハロゲン化誘導体からなる群から選択される、請求項3記載の方法。
    式中、Wは−O−、−S−、−C(O)−、−SO2−、Cy2y、Cy2y−(ただし、yは1〜10の整数である)及び式−O−Z−O−の基からなる群から選択される二価残基であり、−O−又は−O−Z−O−基の二価結合は3,3′位、3,4′位、4,3′位、又は4,4′位にあり、Zは以下の式(III)の二価基からなる群から選択される。
  5. 高分子量ポリ(イミド)が次の式(V)の構造単位を含む、請求項1記載の方法。
    式中、Tは−O−又は式−O−Z−O−の基であり、−O−又は−O−Z−O−基の二価結合は3,3′位、3,4′位、4,3′位、又は4,4′位にあり、Zは以下の式(III)の二価基からなる群から選択される。
  6. 高分子量ポリ(イミド)が次の式(VI)のポリイミド構造単位を含む、請求項1記載の方法。
    式中、Rは(a)炭素原子数6〜20の芳香族炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、(b)炭素原子数2〜20の直鎖又は枝分れアルキレン基、(c)炭素原子数3〜20のシクロアルキレン基、及び(d)次の式(IV)の二価基からなる群から選択される置換又は非置換二価有機基であり、
    (式(IV)中、Qは−O−、−S−、−C(O)−、−SO2−、Cy2y−及びそのハロゲン化誘導体からなる群から選択される二価残基部分であり、yは1〜5の整数である。)、Mは以下の式(VII)の1以上の基である。
  7. 前駆体ポリ(イミド)が、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、4,4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルエーテル二無水物、4,4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、4,4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゾフェノン二無水物、4,4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルホン二無水物、2,2−ビス[4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、4,4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルエーテル二無水物、4,4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、4,4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ベンゾフェノン二無水物、4,4′−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルホン二無水物、4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)−4′−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニル−2,2−プロパン二無水物、4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)−4′−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルエーテル二無水物、4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)−4′−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)−4′−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゾフェノン二無水物、4−(2,3−ジカルボキシフェノキシ)−4′−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルホン二無水物又はこれらの混合物と、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、1,12−ドデカンジアミン、1,18−オクタデカンジアミン、3−メチルヘプタメチレンジアミン、4,4−ジメチルヘプタメチレンジアミン、4−メチルノナメチレンジアミン、5−メチルノナメチレンジアミン、2,5−ジメチルヘキサメチレンジアミン、2,5−ジメチルヘプタメチレンジアミン、2,2−ジメチルプロピレンジアミン、N−メチル−ビス(3−アミノプロピル)アミン、3−メトキシヘキサメチレンジアミン、1,2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、ビス(3−アミノプロピル)スルフィド、1,4−シクロヘキサンジアミン、ビス−(4−アミノシクロヘキシル)メタン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、2,6−ジアミノトルエン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミン、2−メチル−4,6−ジエチル−1,3−フェニレンジアミン、5−メチル−4,6−ジエチル−1,3−フェニレン−ジアミン、ベンジジン、3,3′−ジメチルベンジジン、3,3′−ジメトキシベンジジン、1,5−ジアミノナフタレン、ビス(4−アミノフェニル)メタン、ビス(2−クロロ−4−アミノ−3,5−ジエチルフェニル)メタン、ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,4−ビス(b−アミノ−t−ブチル)トルエン、ビス(p−b−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−b−メチル−o−アミノフェニル)ベンゼン、ビス(p−b−メチル−o−アミノペンチル)ベンゼン、1,3−ジアミノ−4−イソプロピルベンゼン、ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、ビス(4−アミノフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェニル)エーテル、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン又はこれらの混合物との反応で製造されたものである、請求項1記載の方法。
  8. 前駆体ポリ(イミド)が、フッ素化芳香族二無水物、ピロメリト酸二無水物、オキシジフタル酸無水物、ビスフェノール−A二無水物及びこれらの混合物からなる群から選択される芳香族二無水物と、脂肪族ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、γ−アミノプロピルポリジメチルシロキサン、m−フェニレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン又はこれらの混合物からなる群から選択されるジアミンとの反応で製造されたものである、請求項1記載の方法。
  9. (a)第一の官能基がアミンであり、第二の官能基が無水物、カルボン酸又は酸塩化物であるか、(b)第一の官能基がエステルであり、第二の官能基が脂肪族アミンであるか、(c)第一の官能基が電子豊富ジエンであり、第二の官能基がジエノフィルであるか、或いは(d)第一の官能基がシクロブタンを含む芳香環系であり、第二の官能基が三重結合を含む、請求項1記載の方法。
  10. 第一の官能基がアミンであり、第二の官能基が無水物である、請求項1記載の方法。
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