JP2005347494A - 半導体装置を製造する方法、および半導体装置 - Google Patents

半導体装置を製造する方法、および半導体装置 Download PDF

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Abstract

【課題】窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】GaN(0001)基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を30キロパスカルにして基板1のクリーニングを行う。その後、摂氏1050度の基板温度を摂氏1050度、炉内圧力を30キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型GaNバッフア層3を基板1に成長する。その後、一旦原料の供給を停止する。次いで、装置内の圧力を30キロパスカルに保持したまま、摂氏1100度の基板温度になるまで加熱する。温度が安定した後に、更に厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッファ層5を基板1上に成長する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体装置を製造する方法、および半導体装置に関する。
文献1(特開平11−330622号公報)には、窒化物半導体装置が記載されている。この窒化物半導体素子では、n型コンタクト層が、研磨面に形成されており、またn型不純物でドープされたn型窒化物半導体から成る。コンタクト層上には、カソード電極が形成される。このn型コンタクト層は、その上に電極を形成するための層として用いられ、またGaN基板の研磨面のダメージを回復することができるので、発光素子では発光開始電圧を低下させて、発光効率に優れた素子を実現できる。窒化物半導体基板上に、GaNバッファ層を摂氏1050度で形成する。このバッファ層は、単一のシリコンドープGaN層であり、そのドーパント濃度は1×1018cm−3である。
文献2(特開2000−223743号公報)には、窒化物半導体発光素子が記載されている。窒化物系半導体発光素子は、GaNからなる基板の上面に、窒化物半導体からなる発光層を形成してなる。基板の上面には、窒化物半導体から成るバッファ層が形成されており、バッファ層は、0.5マイクロメートルの厚さの単一のGaN半導体層であり、またGaN半導体層は1×1018cm−3程度のキャリア濃度を有している。
文献3(特開2001−144326号公報)には、半導体発光素子が記載されている。GaNバッファ層、n型GaNコンタクト層、n型InGaN量子井戸活性層、p型AlGaNクラッド層(または電子ブロック層)、およびp型GaNコンタクト層が、GaN基板上に順次に形成される。バッファ層は、単一のn型GaN層であり、その厚さは20ナノメートルである。n型GaNコンタクト層の厚さは4マイクロメートルである。
文献4(特開2002−190635号公報)には、窒化物半導体レーザ素子が記載されている。半導体レーザ素子は、n型GaN基板と六方晶窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層を備える。バッファ層は、InAlGa1−X−YNを含む材料からなる。バッファ層の厚さは10ナノメートル以上10マイクロメートル以下である。このバッファ層は、第1の温度で窒化ガリウム基板上に成長される単一の半導体である。六方晶窒化物系半導体層は、第1の温度より高い第2の温度でバッファ層上に成長される。
特開平11−330622号公報 特開2000−223743号公報 特開2001−144326号公報 特開2002−190635号公報
文献1では、バッファ層の厚みが2マイクロメートルであり、厚い。成長時間が長く製造コストが上昇する。ドーパント(シリコン)濃度が1×1018cm−3であり、この濃度は高い。この条件では、エピタキシャル層の表面が良好ではない。
文献2では、バッファ層の厚みが0.5マイクロメートル以上であり、厚い。成長時間が長く製造コストが上昇する。ドーパント(シリコン)濃度が1×1018cm−3であり、この濃度は高い。この条件では、エピタキシャル層の表面が良好ではない。
文献3では、サファイア基板上と同様の低温成長のアモルファスバッファ層が用いられている。n型コンタクト層の厚みが4マイクロメートルであり、この膜厚は厚い。成長時間が長いので、製造コストが上昇する。この条件では、エピタキシャル層の表面が良好でなない。
文献4では、結晶品質を上げるためには、2マイクロメートル以上のバッファ層膜厚が必要であり、バッファ層の層厚を2マイクロメートル未満の厚さでは、結晶品質が低下する。第1の温度が摂氏600度であり、この温度は低い。この条件では、エピタキシャル層の表面が良好でなない。
そこで、本発明は、上記の事項を鑑みて為されたものであり、窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置を提供することを目的としている。
本発明の一側面は、半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法に関する。この方法は、窒化物基板の主面上に窒化物半導体バッファ膜を形成する工程を備え、該工程は、(a)第1のガスを供給して第1の窒化物半導体バッファ層を窒化物基板の主面上に第1の圧力で形成する工程と、(b)前記第1の窒化物半導体バッファ層を形成した後に、第2のガスを供給して第2の窒化物半導体バッファ層を前記窒化物基板上に第2の圧力で形成する工程とを含み、前記第2の圧力は前記第1の圧力より大きいことを特徴とする。
この方法によれば、低い圧力で窒化物半導体領域を成長する場合、横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる。故に、窒化物基板の主面が、薄い連続した窒化物半導体膜で覆われる。また、この窒化物半導体膜の表面は、良好な平坦性を有する。この窒化物半導体層上に窒化物半導体領域を高い圧力で成長する場合、良好な結晶品質を有する窒化物半導体膜が成長される。
本発明の方法では、前記第1の圧力は1キロパスカル以上であり、前記第1の圧力は50キロパスカル以下であり、前記第2の圧力は10キロパスカル以上であり、前記第2の圧力は200キロパスカル以下であることができる。このような条件が好適である。
本発明の別の側面は、半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法に関する。この方法は、ガスの圧力を上昇させながら窒化物半導体バッファ領域を窒化物基板の主面上に形成する工程を備える。
この方法では、原料ガスの圧力を第1の圧力から第2の圧力に上昇させながら窒化物半導体バッファ膜が窒化物基板の主面上に形成されるので、低い圧力では、窒化物半導体の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる。故に、窒化物基板の主面が、薄い膜厚の連続した窒化物半導体層で覆われる。また、この窒化物半導体層の表面は、良好な平坦性を有する。圧力が高くなるにつれて、良好な結晶品質を有する窒化物半導体膜が成長される。
本発明の更なる別の側面は、半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法に関する。この方法は、窒化物基板の主面上に窒化物半導体バッファ膜を形成する工程を備え、該工程は、(a)第1の温度で第1の窒化物半導体バッファ層を窒化物基板の主面上に形成する工程と、(b)前記第1の窒化物半導体バッファ層を形成した後に、第2の温度で第2の窒化物半導体バッファ層を前記窒化物基板上に形成する工程とを備え、前記第2の温度は前記第1の温度より高い。
この方法によれば、低い温度で窒化物半導体領域を成長する場合、横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる。故に、窒化物基板の主面が、薄い連続した窒化物半導体膜で覆われる。また、この窒化物半導体膜の表面は、良好な平坦性を有する。この窒化物半導体膜上に窒化物半導体領域を高い温度で成長する場合、良好な結晶品質を有する窒化物半導体膜が成長される。
本発明の方法では、前記第1の温度は摂氏900度以上であり、前記第1の温度は摂氏1200度以下であり、前記第2の温度は摂氏900度以上であり、前記第2の温度は摂氏1200度以下であるようにしてもよい。このような条件が好適である。
本発明に更なる別の側面は、半導体装置のための半導体膜を形成する方法に関する。この方法は、温度を上昇させながら窒化物半導体バッファ膜を窒化物基板の主面上に形成する工程を備える。
この方法によれば、第1の温度から第2の温度に温度を上昇させながら窒化物半導体バッファ領域が窒化物基板の主面上に形成されるので、低い温度では、窒化物半導体領域の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる。故に、窒化物基板の主面が、薄い連続した窒化物半導体膜で覆われる。また、この窒化物半導体膜の表面は、良好な平坦性を有する。温度が高くなるにつれて、良好な結晶品質を有する窒化物半導体膜が成長される。
本発明の方法では、成膜温度の下限は摂氏900度以上であり、成膜温度の上限は摂氏1200度以下である。このような条件が好適である。
本発明の方法では、前記窒化物半導体バッファ膜の膜厚は10ナノメートル以上であり、前記膜厚は0.5マイクロメートル未満であることができる。
この方法によれば、0.5マイクロメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜であっても、基板の主面を連続的に覆うことができ、その膜の表面も平坦である。10ナノメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜では、基板の主面を十分に連続的に覆うことができない。
本発明の方法では、前記窒化物基板は窒化ガリウム基板であり、前記窒化物半導体バッファ膜は窒化ガリウム膜であることができる。
本発明の更なる他の側面によれば、半導体装置は、(a)基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、(b)前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層とを備えており、前記窒化物半導体バッファ層は、10ナノメートル以上0.5マイクロメートル以下の厚さを有しており、前記窒化物半導体バッファ層は、前記基板の表面全体を覆う第1の成長層と、該第1の成長層上に設けられた第2の成長層とを有しており、前記第2の成長層は、前記発光層と前記第1の成長層との間に設けられており、前記第2の成長層の厚さは、前記第1の成長層の厚さ以上である。
この半導体装置によれば、窒化物半導体領域の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる条件で第1の成長層を形成して、連続的な窒化物半導体領域を用いて基板の表面を覆うことができる。また、上記条件とは異なる条件で第2の成長層を形成して、良好な結晶品質の窒化物半導体領域を成長できる。加えて、0.5マイクロメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜であっても、基板の主面を連続的に覆うことができ、その膜の表面も平坦である。10ナノメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜では基板の主面を十分に連続的に覆うことができない。
本発明の更なる他の側面によれば、半導体装置は、(a)基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、(b)前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層とを備えており、前記窒化物半導体バッファ層は、20ナノメートル以上10マイクロメートル以下の厚さを有しており、前記窒化物半導体バッファ層は、前記基板の表面全体を覆う第1の成長層と、該第1の成長層上に設けられた第2の成長層とを有しており、前記第2の成長層は、前記発光層と前記第1の成長層との間に設けられており、前記第2の成長層の厚さは、前記第1の成長層の厚さ以上である。
この半導体装置によれば、窒化物半導体領域の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる条件で第1の成長層を形成して、連続的な窒化物半導体領域を用いて基板の表面を覆うことができる。また、上記条件とは異なる条件で第2の成長層を形成して、良好な結晶品質の窒化物半導体領域を成長できる。更に、バッファ膜の厚さを10マイクロメートル程度まで厚くできる。
本発明の更なる他の側面によれば、半導体装置は、(a)基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、(b)前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層とを備えており、前記窒化物半導体バッファ層は、0.5マイクロメートル以上5マイクロメートル以下の厚さを有しており、前記窒化物半導体バッファ層は、前記基板の表面全体を覆う第1の成長層と、該第1の成長層上に設けられた第2の成長層とを有しており、前記第2の成長層のキャリア濃度は、1×1017cm−3以下であり、前記第2の成長層は、前記発光層と前記第1の成長層との間に設けられており、前記第2の成長層の厚さは、前記第1の成長層の厚さより厚い。
この半導体装置によれば、窒化物半導体領域の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる条件で第1の成長層を形成するので、連続的な窒化物半導体領域が基板の表面を覆うことができる。また、上記条件とは異なる条件で第2の成長層を形成して、良好な結晶品質の窒化物半導体領域を成長できる。加えて、1×1017cm−3以下のキャリア濃度であれば、窒化物半導体の結晶品質が更に良好にできる。
本発明に係る半導体装置では、前記第2の成長層の炭素濃度は、前記第1の成長層の炭素濃度より小さい。
この半導体装置によれば、横方向成長速度が速くするために、炭素を比較的に多く含む窒化物半導体を用いることが好適であり、薄い連続な窒化物半導体膜が得られる。この窒化物半導体膜上に、炭素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を設けることによって、該窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。
本発明に係る半導体装置では、前記第2の成長層の酸素濃度は、前記第1の成長層の酸素濃度より小さい。
この半導体装置によれば、横方向成長速度が速くするために、酸素を比較的に多く含む窒化物半導体を用いることが好適であり、薄い連続な窒化物半導体膜が得られる。この窒化物半導体膜上に、酸素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を設けることによって、該窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。
本発明の更なる他の側面によれば、半導体装置は、(a)基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、(b)前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層とを備えており、前記窒化物半導体バッファ層の炭素濃度のプロファイルは、前記基板から前記発光層に向かう方向に単調に減少している。
この半導体装置によれば、横方向成長速度が速くするために、炭素を比較的に多く含む窒化物半導体を用いることが好適であり、薄い連続な窒化物半導体領域が得られる。この窒化物半導体膜上に、炭素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を設けることによって、該窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。
本発明の更なる他の側面によれば、半導体装置は、(a)基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、(b)前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層とを備えており、前記窒化物半導体バッファ層の酸素濃度のプロファイルは、前記基板から前記発光層に向かう方向に単調に減少している。
この半導体装置によれば、横方向成長速度が速くするために、酸素を比較的に多く含む窒化物半導体を用いることが好適であり、薄い連続な窒化物半導体膜が得られる。この窒化物半導体膜上に、酸素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を設けることによって、該窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
以上説明したように、本発明によれば、窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法が提供される。また、本発明によれば、良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置が提供される。
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明に係る窒化物半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する窒化物半導体装置に係わる実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
(第1の実施の形態)
図1(A)、図1(B)および図1(C)は、第1の実施の形態に係る窒化物半導体素子を形成する方法の工程を示す図面である。図2(A)は、成膜装置の炉内の圧力を示すグラフである。
まず、III族化合物導電性基板を準備する。III族化合物導電性基板は、例えば窒化ガリウム基板といった窒化物基板1であることができる。窒化物基板1にアンモニア(NH)を用いてクリーニングを行う。この前処理の温度は、例えば、摂氏1050度であることができる。次いで、窒化物基板1の主面1a上に窒化物半導体バッファ膜を形成する。
図1(A)に示されるように、第1のガスG1を供給して第1の窒化物半導体バッファ層3を窒化物基板1の主面1a上に第1の圧力P1で形成する。本実施例では、窒化ガリウム基板上に窒化ガリウム(GaN)膜を形成する。窒化ガリウム膜は、例えばn導電型を有する。窒化ガリウム膜は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて成長され、原料ガスとして、トリメチルガリウム、アンモニアおよびシランを用いる。成膜温度は、例えば、摂氏1050度である。成膜圧力は、10キロパスカル(kPa)である。その膜厚は、例えば、約1マイクロメートルである。
窒化物半導体バッファ膜を形成する工程では、第1の圧力P1は1キロパスカル以上であれば、十分な縦方向成長速度が得られる。第1の圧力P1は50キロパスカル以下であれば、十分な横方向成長速度が得られる。
この後に、原料ガスの供給量を減少する。好ましくは、原料ガスを供給を停止する。次いで、第1の窒化物半導体バッファ層3を形成した後に、第2のガスG2を供給して第2の窒化物半導体バッファ層5を窒化物基板1上に第2の圧力P2で形成する。第2の圧力P2は第1の圧力P1より大きい。本実施例では、窒化ガリウム基板上に窒化ガリウム(GaN)膜を形成する。窒化ガリウム膜は、例えばn導電型を有する。窒化ガリウム膜は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて成長され、原料ガスとして、トリメチルガリウム、アンモニアおよびシランを用いる。成膜温度は、例えば、摂氏1050度である。成膜圧力は、30キロパスカル(kPa)である。その膜厚は、例えば、約1マイクロメートルである。
図2(A)では、横軸に沿って原料ガスの供給を示す波形が示されており、成膜Growth1、Growth2において原料ガスが供給されている。
この方法によれば、図2(A)に示されるように、バッファ膜成膜工程では、2つの成膜Growth1、Growth2が行われる。第1の成膜Growth1に先立って、炉内圧力を例えば圧力P1に設定した後、原料ガスの供給を開始し、圧力P1の下で第1の成膜Growth1を行う。低い圧力で窒化物半導体領域を成長する場合、横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる。故に、窒化物基板1の主面1aが、連続した窒化物半導体膜3で覆われる。また、この窒化物半導体膜3の表面は良好な平坦性を有する。3族原料ガスの供給を停止して、第1の成膜Growth1を終了した後、炉内圧力を圧力P2に上昇させる。その後、再び3族原料ガスの供給を開始し、圧力P2の下で第2の成膜Growth2を行う。3族原料ガスの供給を停止して、第2の成膜Growth2を終了する。窒化物半導体層3上に窒化物半導体領域5を高い圧力で成長する場合、良好な結晶品質を有する窒化物半導体膜5が成長される。この結果、バッファ膜では、基板とエピタキシャル層との界面に起因する結晶の乱れ、例えば点欠陥の数が少ない。
窒化物半導体バッファ膜を形成する工程では、第2の圧力P2は10キロパスカル以上であれば、十分良好な結晶品質が得られる。第2の圧力P2は200キロパスカル以下であれば、製造装置を簡単化できる。成膜圧力P1と成膜圧力P2との差は、10キロパスカル以上であることが好ましい。
この後に、III族窒化物半導体層を含む活性領域7をIII族化合物導電性基板上に形成する。活性領域7は、ガリウム元素を含む窒化物半導体層を含んでおり、例えばInGaN半導体層を含むことができる。好適な実施例では、図1(C)に示されるように、活性領域7は、量子井戸構造を有することができる。この活性領域7は、井戸膜7aおよびバリア膜7bを含むことができる。好適な実施例では、井戸膜7aおよびバリア膜7bの各々は、InGaN半導体膜であることができる。井戸膜7aの厚さは、例えば3ナノメートル半導体膜であることができ、バリア膜7bは、例えば15ナノメートル半導体膜であることができる。この量子井戸構造では、これらの井戸膜7aおよびバリア膜7bが交互に3周期の繰り返して形成される。井戸膜7aおよびバリア膜7bの成膜温度は、例えば摂氏800度であることができる。
次いで、図1(C)に示されるように、活性領域7上に、クラッド膜9を形成する。クラッド膜9は、p型導電性を示すIII−V化合物半導体から成り、例えばマグネシウムドーパントを含むAl0.12Ga0.88N半導体膜であることができる。その成膜温度は、例えば摂氏1000度であることができる。その膜厚は、例えば20ナノメートルである。
この後に、図1(C)に示されるように、クラッド9膜上に、コンタクト膜11を形成する。コンタクト膜11は、p型導電性を示すIII−V化合物半導体から成り、例えばマグネシウムドーパントを含むInGaN半導体またはGaN半導体で形成することができる。また、コンタクト膜11の半導体は、クラッド膜9の半導体のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有している。成膜温度は、例えば摂氏1000度であることができる。
この後に、アノード電極のための電極膜をコンタクト膜11上に形成する。カソード電極のための電極膜を基板1の裏面上に形成する。
好適な実施例では、窒化物半導体バッファ膜の総膜厚は10ナノメートル以上である。10ナノメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜では、基板の主面を十分に連続的に覆うことができない。また、膜厚は0.5マイクロメートル未満であることが好ましい。0.5マイクロメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜によれば、基板の主面を連続的に覆うことができ、その膜の表面も平坦である。
上記の説明によれば、図1(B)に示されように、良好な平坦性を示す表面を有するエピタキシャル基板E1が提供される。エピタキシャル基板E1は、窒化物基板1と、窒化物基板1の主面1a上に設けられており第1のガスG1を供給して第1の圧力P1で形成された第1の窒化物半導体バッファ膜3と、第1の窒化物半導体バッファ膜3上に設けられており第2のガスG2を供給して第2の圧力P2(第2の圧力P2は第1の圧力P1より大きい)で形成された第2の窒化物半導体バッファ膜5とを備える。また、エピタキシャル基板E2は、エピタキシャル基板E1上に設けられた量子井戸構造の発光領域を更に備える。
本実施の形態の方法の変形例を説明する。この方法は、原料ガスの圧力を上昇させながら窒化物半導体バッファ領域を窒化物基板の主面上に形成する工程を備える。図2(B)は、成膜装置の炉内の圧力を示すグラフである。図2(B)では、横軸に沿って原料ガスの供給を示す波形が示されており、成膜Growth3において原料ガスが供給されている。
この方法では、炉内の圧力を第3の圧力P3から第4の圧力P4まで上昇させながら窒化物半導体バッファ膜が窒化物基板の主面上に形成される。図2(B)に示されるように、バッファ膜成膜工程では、成膜Growth3が行われる。成膜Growth3に先立って、炉内圧力を例えば圧力P3に設定した後、原料ガスの供給を開始し、圧力P3の下で第3の成膜Growth3が開始される。炉内の圧力が徐々に上昇され、成膜Growth3の終了時において、炉内の圧力が圧力P4になる。低い圧力では、第1の窒化物半導体膜の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる。故に、窒化物基板の主面が、薄い膜厚の連続した窒化物半導体膜で覆われると共に、この窒化物半導体膜の表面は良好な平坦性を有する。圧力が高くなるにつれて、良好な結晶品質を有する窒化物半導体領域が成長される。この結果、バッファ膜では、基板とエピタキシャル層との界面に起因する結晶の乱れ、例えば点欠陥の数が少ない。この方法では、成膜圧力P3の下限は、1キロパスカル以上であり、50キロパスカル以下であり、成膜圧力P4の上限は10キロパスカル以上であり、200キロパスカル以下であることができる。変形例の方法によっても、良好な平坦性を示す表面を有するエピタキシャル基板が提供される。成膜圧力P3と成膜圧力P4との差は、10キロパスカル以上であることが好ましい。
以上説明したように、本実施の形態によれば、窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法が提供される。
(第2の実施の形態)
図3(A)、図3(B)および図3(C)は、第2の実施の形態に係る窒化物半導体素子を形成する方法の工程を示す図面である。
III族化合物導電性基板1を準備する。第1の実施の形態と同様に、アンモニア(NH)を用いて窒化物基板1のサーマルクリーニングを摂氏1050度で行う。次いで、窒化物基板1の主面1a上に窒化物半導体バッファ膜を形成する。
図3(A)に示されるように、第3のガスG3を供給して第1の窒化物半導体バッファ層13を窒化物基板1の主面1a上に第1の温度T1で形成する。本実施例では、窒化ガリウム基板上に窒化ガリウム(GaN)膜を形成する。窒化ガリウム膜は、例えばn導電型を有する。窒化ガリウム膜は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて成長され、原料ガスとして、トリメチルガリウム、アンモニアおよびシランを用いる。成膜温度は、例えば、摂氏1050度である。成膜圧力は、30キロパスカル(kPa)である。その膜厚は、例えば、約1マイクロメートルである。
窒化物半導体バッファ膜を形成する工程では、第1の温度T1は摂氏900度以上であれば十分良好な結晶品質が得られる。第1の温度T1は摂氏1200度以下であれば十分良好な表面平坦性が得られる。成膜温度T1と成膜温度T2との差は、10度以上であることが好ましい。
次いで、第1の窒化物半導体バッファ層13を形成した後に、第4のガスG4を供給して第2の窒化物半導体バッファ層15を窒化物基板1上に第2の温度T2で形成する。第2の温度T2は第1の温度T1より大きい。本実施例では、窒化ガリウム基板上に窒化ガリウム(GaN)膜を形成する。窒化ガリウム膜は、例えばn導電型を有する。窒化ガリウム膜は、例えば、有機金属気相成長装置を用いて成長され、原料ガスとして、トリメチルガリウム、アンモニアおよびシランを用いる。成膜温度は、例えば摂氏1100度である。成膜圧力は、例えば30キロパスカル(kPa)である。その膜厚は、例えば約1マイクロメートルである。
図4(A)は、基板温度を示すグラフである。図4(A)では、横軸に沿って原料ガスの供給を示す波形が示されており、成膜Growth4、Growth5において原料ガスが供給されている。
この方法によれば、図4(A)に示されるように、バッファ膜成膜工程では、2つの成膜Growth4、Growth5が行われる。第1の成膜Growth4に先立って、基板温度は、例えば温度T1に設定されている。第1の成膜Growth4において、原料ガスを供給して成膜を基板温度T1で行う。低い基板温度で窒化物半導体領域13を成長する場合、窒化物半導体層の3次元成長が抑制される。故に、窒化物基板1の主面1aが、薄い連続した窒化物半導体膜13で覆われる。また、この窒化物半導体膜13の表面は、良好な平坦性を有する。第1の成膜Growth4の後に、基板温度が温度T2に変更される。第2の成膜Growth5において、原料ガスが基板温度T2で供給される。第2の成膜Growth5の後に、温度が温度T20に変更される。窒化物半導体膜13上に窒化物半導体領域15を高い温度で成長する場合、良好な結晶品質を有する窒化物半導体膜が成長される。これらの成膜の結果、バッファ膜には、基板とエピタキシャル層との界面に起因する結晶の乱れ、例えば点欠陥の数が少ない。
窒化物半導体バッファ膜を形成する工程では、第2の温度T2は摂氏900度以上であれば十分良好な結晶品質が得られる。第2の温度T2は摂氏1100度以下であれば十分良好な表面平坦性が得られる。
この後に、図3(C)に示されるように、活性領域7、クラッド膜9、コンタクト膜11を形成する。この後に、アノード電極のための電極膜をコンタクト膜11上に形成する。カソード電極のための電極膜を基板の裏面1上に形成する。
上記の説明によれば、図3(B)に示されように、良好な平坦性を示す表面を有するエピタキシャル基板E3が提供される。エピタキシャル基板E3は、窒化物基板1と、窒化物基板1の主面1a上に設けられており第3のガスG3を供給して第1の温度T1で形成された第1の窒化物半導体バッファ膜13と、第1の窒化物半導体バッファ膜3上に設けられており第4のガスG4を供給して第2の温度T2(第2の温度T2は第1の温度T1より大きい)で形成された第2の窒化物半導体バッファ膜25とを備える。また、エピタキシャル基板E4は、エピタキシャル基板E3上に設けられた量子井戸構造の発光領域を更に備える。
以上説明したように、本実施の形態によれば、窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法が提供される。
本実施の形態の方法の変形例を説明する。この方法は、成膜温度を温度T3から温度T4まで上昇させながら窒化物半導体バッファ膜を窒化物基板の主面上に形成する工程を備える。この方法によれば、図4(B)に示されるように温度が変更される。図4(B)では、横軸に沿って原料ガスの供給を示す波形が示されており、成膜Growth6において原料ガスが供給されている。
バッファ膜成膜工程では、図4(B)に示されるように、成膜Growth6xが行われる。成膜Growth6に先立って、例えば温度T30に設定されている。成膜Growth6の開始時において、原料ガスが供給される。成膜Growth6は、基板温度T3で開始される。成膜中に、基板温度が徐々に上昇され、成膜Growth6の終了時の基板温度は、温度が連続的に変更されて温度T4になる。成膜Growth6の後、基板温度は、例えば温度T40にされる。温度を上昇させながら窒化物半導体バッファ領域が窒化物基板の主面上に形成されるので、低い温度では、窒化物半導体領域の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる。故に、窒化物基板の主面が、薄い連続した窒化物半導体膜で覆われる。また、この窒化物半導体膜の表面は、良好な平坦性を有する。温度が高くなるにつれて、良好な結晶品質を有する窒化物半導体膜が成長される。この結果、バッファ膜には、基板とエピタキシャル層との界面に起因する結晶の乱れ、例えば点欠陥の数が少ない。この方法では、成膜温度T3の下限は、摂氏900度以上であり、摂氏1200度以下であり、成膜温度T4の上限は、摂氏950度以上であり、摂氏1200度以下であることができる。変形例の方法によっても、良好な平坦性を示す表面を有するエピタキシャル基板が提供される。成膜温度T3と成膜温度T4との差は10度以上であることが好ましい。
窒化物半導体バッファ膜の総膜厚は10ナノメートル以上であることが好ましい。10ナノメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜では、基板の主面を十分に連続的に覆うことができない。また、膜厚は0.5マイクロメートル未満であることが好ましい。0.5マイクロメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜によれば、基板の主面を連続的に覆うことができ、その膜の表面も平坦である。
変形例の方法によっても、良好な平坦性を示す表面を有するエピタキシャル基板が提供される。
以上説明したように、本実施の形態によれば、窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法が提供される。
引き続いて、バッファ膜の結晶成長のメカニズムを説明する。
GaN半導体の横方向の成長速度が速い条件でバッファ膜の全体を成長する場合、図5(A)、図5(B)、図5(C)および図5(D)に示される模式図に従ってGaN基板上にバッファ膜が成長される。図5(A)に示されるように、GaN基板上に三次元成長核N1が生成される。これらの成長核N1は、図5(B)に示されるように、横方向に成長していく。GaN半導体の横方向の成長速度RL1が、GaN半導体の縦方向の成長速度RV1に比べて速いので、図5(C)に示されるように、GaN基板の表面を覆うGaN半導体層Layer0が形成される。ある程度、GaN基板の表面に沿ってGaN半導体層が成長されると、このGaN半導体層上に次の三次元成長核N2が形成される。このように、半導体層の成長が繰り返される。したがって、図6に示されるように、結果として成長されるバッファ膜の表面モフォロジはあまり良好でなく、試作した発光ダイオードの光出力も小さい。
GaN半導体の横方向の成長速度が遅い条件でバッファ膜の全体を成長する場合、図7(A)、図7(B)および図7(C)に示される模式図に従ってGaN基板上にバッファ膜が成長される。図7(A)に示されるように、GaN基板上に三次元成長核N3が生成される。これらの成長核N3は、図7(B)に示されるように、縦方向に成長していく。GaN半導体の縦方向の成長速度RV2が、GaN半導体の横方向の成長速度RH2に比べて速いので、図7(C)に示されるように、GaN基板の表面を覆うよりは、個々の結晶核が縦方向に成長していく。ある程度、成長核が成長すると、それぞれの成長核が部分的につながる。しかしながら、成長核は主に縦方向に成長しながら、バッファ膜が厚くなっていく。したがって、図8に示されるように、結果として成長されるバッファ膜の表面モフォロジはあまり良好でなく、試作した発光ダイオードの光出力も小さい。
第1および第2の実施の形態で説明された方法でバッファ膜を成長する場合、図9(A)、図9(B)、図9(C)および図9(D)に示される模式図に従ってGaN基板上にバッファ膜が成長される。図9(A)に示されるように、GaN基板上に三次元成長核N4が生成される。これらの成長核N4は、図9(B)に示されるように、横方向に成長していく。GaN半導体の横方向の成長速度RL1が、GaN半導体の縦方向の成長速度RV1に比べて速いので、図9(C)に示されるように、GaN基板の表面を覆うGaN半導体層Layer1が形成される。図9(D)に示されるように、半導体層Layer1上に縦方向に成長していく。GaN半導体の縦方向の成長速度が、GaN半導体の横方向の成長速度に比べて速いので、半導体層Layer2の表面全体にわたって縦方向に成長していく。GaN半導体層Layer2は主に縦方向に成長しながら、バッファ膜が厚くなっていく。したがって、図10に示されるように、結果として成長されるバッファ膜の表面モフォロジは良好になり、試作した発光ダイオードの光出力も大きい。
(第3の実施の形態)
図11(A)は、第3の実施の形態に係る窒化物半導体装置を示す図面である。半導体装置21は、発光層23と、窒化物半導体バッファ層25とを備える。発光層23は、基板27上に設けられており、また窒化物半導体からなる。窒化物半導体バッファ層25は、発光層23と基板27との間に設けられている。窒化物半導体バッファ層25は、10ナノメートル以上0.5マイクロメートル以下の厚さを有している。窒化物半導体バッファ層25は、基板27の表面27aの全体を覆う第1の成長層29と、第1の成長層29上に設けられた第2の成長層31とを有する。第2の成長層31は、発光層23と基板27との間に設けられている。第2の成長層31の厚さは第1の成長層29の厚さ以上である。
この窒化物半導体装置21によれば、窒化物半導体バッファ層25は、第1および第2の成長層29、31を有している。これ故に、窒化物半導体領域の横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる条件で第1の成長層29を形成して、連続的な窒化物半導体領域を用いて基板27の表面27aを覆うことができる。また、上記条件とは異なる条件で第2の成長層31を形成して、良好な結晶品質の窒化物半導体領域を成長できる。このバッファ膜によれば、膜厚が0.5マイクロメートル未満の窒化物半導体膜を用いて、基板とエピタキシャル層との界面に起因する結晶の乱れ、例えば点欠陥等の少ない良好な結晶品質のバッファ膜で基板の主面を連続的に覆うことができる共にその膜の表面も平坦である。10ナノメートル未満の膜厚の窒化物半導体バッファ膜では基板の主面を十分に連続的に覆うことができない。
窒化物半導体素子21は、発光層23上に設けられたクラッド層33と、このクラッド層33上に設けられたコンタクト層35とを備えている。コンタクト層35上には、電極37が設けられている。基板27の裏面27bには、電極39が設けられている。
一実施例の窒化物半導体装置を示せば、
バッファ層:GaN層、
第1の成長層29:GaN層
(横方向の成長速度が縦方向の成長速度に比べて大きくなる条件で成長)
第2の成長層31:GaN層
(縦方向の成長速度が横方向の成長速度に比べて大きくなる条件で成長)
基板27:GaN基板
発光領域(井戸/バリア)23:InGaN/InGaN
クラッド層33:p型Al0.12Ga0.88N層
コンタクト層35:p型GaN層
である。
好適な実施例では、第1の成長層29の厚さは、100ナノメートル以上250ナノメートル以下である。第2の成長層31の厚さは、250ナノメートル以上0.4マイクロメートル以下である。
図11(B)に示されるように、第2の成長層31の炭素濃度は、第1の成長層29の炭素濃度より小さい。発明者らの実験によれば、横方向成長速度が速くするために、炭素を比較的に多く含む窒化物半導体を用いることが好適であり、薄い連続な窒化物半導体膜が得られる。この窒化物半導体膜上に、炭素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を設けることによって、該窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。第1の成長層の炭素濃度の範囲は、例えば、1×1017/cm以上1×1020/cm以下である。第2の成長層の炭素濃度の範囲は、例えば、1×1014/cm以上1×1017/cm以下である。
また、図11(C)に示されるように、第2の成長層31の酸素濃度は、第1の成長層29の酸素濃度より小さい。発明者らの実験によれば、酸素を比較的に多く含む窒化物半導体の結晶成長では、3次元成長が抑制されるので、薄い連続な窒化物半導体膜が得られる。酸素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を該窒化物半導体膜上に設けることによって3次元成長が促進され、この窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。第1の成長層の酸素濃度の範囲は、例えば、1×1017/cm以上1×1020/cm以下である。第2の成長層の酸素濃度の範囲は、例えば、1×1014/cm以上1×1017/cm以下である。
以上説明したように、良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置が提供される。
(第4の実施の形態)
第4の実施の形態の窒化物半導体装置によれば、窒化物半導体バッファ層25の厚さは、20ナノメートル以上であることが好ましい。基板29の表面全体を覆う第1の成長層29と該第1の成長層29上に設けられた第2の成長層31とを用いることによって、窒化物半導体バッファ層を薄くできる。また、第2の成長層31は、半導体結晶を主に縦方向に成長させる条件で形成できるので、10マイクロメートル程度のバッファ層を形成できる。
以上説明したように、良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置が提供される。
(第5の実施の形態)
第5の実施の形態の窒化物半導体装置によれば、第2の成長層のキャリア濃度は、1×1017cm−3以下であることができる。窒化物半導体バッファ層25の厚さは、0.5マイクロメートル以上であることが好ましい。窒化物半導体バッファ層25の厚さは、5マイクロメートル以下であることが好ましい。この範囲であれば、非常に良好な半導体結晶を得ることができる。この程度の膜厚およびキャリア濃度であれば、このバッファ層に起因する抵抗は、窒化物半導体において許容可能である。
以上説明したように、良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置が提供される。
(第6の実施の形態)
図12(A)は、第6の実施の形態に係る窒化物半導体素子を示す図面である。図12(B)は、窒化物半導体素子のバッファ層の炭素プロファイルを示す図面である。
窒化物半導体装置41aは、発光層23と、窒化物半導体バッファ層45aとを備える。窒化物半導体バッファ層45aの炭素濃度のプロファイルは、基板27から発光層23に向かう方向に単調に減少している。この窒化物半導体装置41aによれば、横方向成長速度が速くするために、炭素を比較的に多く含む窒化物半導体を用いることが好適であり、薄い連続な窒化物半導体領域が得られる。この窒化物半導体膜上に、炭素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を設けることによって、該窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。第1の成長層の炭素濃度の範囲は、例えば、1×1017/cm以上1×1020/cm以下である。第2の成長層の炭素濃度の範囲は、例えば、1×1014/cm以上1×1017/cm以下である。
以上説明したように、良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置が提供される。
(第7の実施の形態)
図12(C)は、第7の実施の形態に係る窒化物半導体素子を示す図面である。図12(D)は、窒化物半導体素子のバッファ層の炭素プロファイルを示す図面である。
窒化物半導体装置41bは、発光層23と、窒化物半導体バッファ層45bとを備える。窒化物半導体バッファ層45bの酸素濃度のプロファイルは、基板27から発光層23に向かう方向に単調に減少している。この窒化物半導体装置41bによれば、横方向成長速度が速くするために、酸素を比較的に多く含む窒化物半導体を用いることが好適であり、薄い連続な窒化物半導体領域が得られる。この窒化物半導体膜上に、酸素を比較的に少なく含む窒化物半導体層を設けることによって、該窒化物半導体層の結晶品質は良好になる。第1の成長層の酸素濃度の範囲は、例えば、1×1017/cm以上1×1020/cm以下である。第2の成長層の酸素濃度の範囲は、例えば、1×1014/cm以上1×1017/cm以下である。
以上説明したように、良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置が提供される。
引き続いて、いくつかの実施例を説明する。以下の通り有機金属気相成長装置により青色発光ダイオード構造を作製した。原料にはトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム、アンモニア、シラン、シクロペンタジエニルマグネシウムを用いる。
(実施例1)
GaN(0001)基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を30キロパスカルにして、装置内にアンモニア(NH)と水素(H)を導入する。摂氏1050度の基板温度で10分間クリーニングを行う。その後、摂氏1050度の基板温度で炉内圧力を30キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッフア層を成長する。その後、一旦原料の供給を停止する。次いで、装置内の圧力を30キロパスカルに保持したまま、摂氏1100度の基板温度になるまで加熱する。温度が安定した後に、更に厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッファ層を成長する。次に、基板温度を摂氏800度に下げて、3ナノメートルのInGaN井戸層および15ナノメートルのInGaN障壁層を順に成長して、3周期の多重量子井戸構造領域の発光層を成長する。その後、再び基板温度を摂氏1000度に上昇して、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、アンモニア、シクロペンタジエニルマグネシウムを導入して、厚さ20ナノメートルのMgドープAl0.12GaN0.88N層を成長する。この後、トリメチルガリウム、アンモニア、シクロペンタジエニルマグネシウムを導入して厚さ50ナノメートルのp型GaN層を成長する。エピタキシャル膜の表面を微分干渉顕微鏡で観察したところ、良好な表面平坦性を示している。こうして成長した発光ダイオードのベアチップに連続電流印加を行うと、この青色発光ダイオードは、電流値20ミリアンペアおよび波長450ナノメートルで3ミリワットの光出力を示している。
(実施例2)
GaN(0001)基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を30キロパスカルにしながら、装置内にアンモニア(NH)と水素(H)を導入する。摂氏1050度の基板温度で10分間クリーニングを行う。その後、基板温度を摂氏1050度に保持したまま、炉内圧力を10キロパスカルに下げ、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッファ層を成長する。その後、一旦原料の供給を停止する。次いで、摂氏1050度の基板温度を保持したまま、装置内の圧力を30キロパスカルに上昇した後に、厚さ1マイクロメートルのn型GaNバッファ層を成長する。続いて、第1の実施例と同様に、発光層、AlGaN層、GaN層を成長する。エピタキシャル膜の表面を微分干渉顕微鏡で観察したところ、良好な表面平坦性を示している。こうして成長した発光ダイオードのベアチップに連続電流印加を行うと、この青色発光ダイオードは、電流値20ミリアンペアおよび波長450ナノメートルで3ミリワットの光出力を示している。
(実施例3)
GaN(0001)基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を30キロパスカルにしながら、装置内にアンモニア(NH)と水素(H)を導入する。摂氏1050度の基板温度で10分間クリーニングを行う。その後、基板温度を摂氏1050度に保持したまま、炉内圧力を10キロパスカルに下げ、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ0.4マイクロメートルのn型GaNバッファ層を成長する。続いて、第1の実施例と同様に、発光層、AlGaN層、GaN層を成長する。エピタキシャル膜の表面を微分干渉顕微鏡で観察したところ、良好な表面平坦性を示している。こうして成長した発光ダイオードのベアチップに連続電流印加を行うと、この青色発光ダイオードは、電流値20ミリアンペアおよび波長450ナノメートルで2ミリワットの光出力を示している。
(比較例1)
GaN(0001)基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を30キロパスカルにしながら、装置内にアンモニア(NH)と水素(H)を導入する。摂氏1050度の基板温度で10分間クリーニングを行う。その後、炉内圧力を30キロパスカルに保持したまま、基板温度を摂氏1100度に上昇して、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ2マイクロメートルのn型GaNバッファ層を成長する。続いて、第1の実施例と同様に、発光層、AlGaN層、GaN層を成長する。エピタキシャル膜の表面を微分干渉顕微鏡で観察したところ、一辺100マイクロメートル程度の六角丘状の多数の欠陥が観測される。こうして成長した発光ダイオードのベアチップに連続電流印加を行うと、この青色発光ダイオードは、電流値20ミリアンペアおよび波長450ナノメートルで1ミリワットの光出力を示している。
(比較例2)
GaN(0001)基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を30キロパスカルにしながら、装置内にアンモニア(NH)と水素(H)を導入する。摂氏1050度の基板温度で10分間クリーニングを行う。その後、基板温度を摂氏1050度および炉内圧力を30キロパスカルに保持し、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ0.4マイクロメートルのn型GaNバッファ層を成長する。続いて、第1の実施例と同様に、発光層、AlGaN層、GaN層を成長する。エピタキシャル膜の表面を微分干渉顕微鏡で観察したところ、エピタキシャル膜は不連続であり、多数の穴が観測される。
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。例えば、成膜装置の炉内の圧力および成膜中の温度は、本実施の形態に記載された特定の変化に限定されることない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
図1(A)、図1(B)、図1(C)は、第1の実施の形態に係る窒化物半導体素子を形成する方法の工程を示す図面である。 図2(A)は、成膜装置の炉内の圧力を示すグラフである。図2(B)は、成膜装置の炉内の圧力を示すグラフである。 図3(A)、図3(B)および図3(C)は、第2の実施の形態に係る窒化物半導体素子を形成する方法の工程を示す図面である。 図4(A)は、成膜のための温度を示すグラフである。図4(B)は、成膜のための温度を示すグラフである。 図5(A)、図5(B)、図5(C)および図5(D)は、GaN基板上にバッファ膜が成長するメカニズムを示す図面である。 図6は、表面モフォロジを示す図面である。 図7(A)、図7(B)および図7(C)は、GaN基板上にバッファ膜が成長するメカニズムを示す図面である。 図8は、表面モフォロジを示す図面である。 図9(A)、図9(B)、図9(C)および図9(D)は、2ステップの結晶成長を示す模式図である。 図10は、表面モフォロジを示す図面である。 図11(A)は、第3の実施の形態に係る窒化物半導体装置を示す図面である。図11(B)は、窒化物半導体素子のバッファ層の炭素プロファイルを示す図面である。図11(C)は、窒化物半導体素子のバッファ層の酸素プロファイルを示す図面である。 図12(A)は、第6の実施の形態に係る窒化物半導体素子を示す図面である。図12(B)は、窒化物半導体素子のバッファ層の炭素プロファイルを示す図面である。図12(C)は、第7の実施の形態に係る窒化物半導体素子を示す図面である。図12(D)は、窒化物半導体素子のバッファ層の酸素プロファイルを示す図面である。
符号の説明
1…窒化物基板、G1〜G4…成膜のためのガス、3、13…第1の窒化物半導体バッファ層、5、15…第2の窒化物半導体バッファ層、7…活性領域、9…クラッド膜、11…コンタクト膜、P1〜P4…成膜装置の炉内の圧力、T1〜T4…温度、E1〜E4…エピタキシャル基板、21、41a、41b…半導体装置、23…発光層、25、45a、45b…窒化物半導体バッファ層、29…第1の成長層、31…第2の成長層、33…クラッド層、35…コンタクト層、37、39…電極

Claims (15)

  1. 半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法であって、
    窒化物基板の主面上に窒化物半導体バッファ膜を形成する工程を備え、
    該工程は、
    第1のガスを供給して第1の窒化物半導体バッファ層を窒化物基板の主面上に第1の圧力で形成する工程と、
    前記第1の窒化物半導体バッファ層を形成した後に、第2のガスを供給して第2の窒化物半導体バッファ層を前記窒化物基板上に第2の圧力で形成する工程と
    を含み、
    前記第2の圧力は前記第1の圧力より大きい、ことを特徴とする方法。
  2. 前記第1の圧力は1キロパスカル以上であり、
    前記第1の圧力は50キロパスカル以下であり、
    前記第2の圧力は10キロパスカル以上であり、
    前記第2の圧力は200キロパスカル以下である、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
  3. 半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法であって、
    ガスの圧力を上昇させながら窒化物半導体バッファ領域を窒化物基板の主面上に形成する工程を備える、ことを特徴とする方法。
  4. 半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法であって、
    窒化物基板の主面上に窒化物半導体バッファ膜を形成する工程を備え、
    該工程は、
    第1の温度で第1の窒化物半導体バッファ層を前記窒化物基板の主面上に形成する工程と、
    前記第1の窒化物半導体バッファ層を形成した後に、第2の温度で第2の窒化物半導体バッファ層を前記窒化物基板上に形成する工程と
    を備え、
    前記第2の温度は前記第1の温度より高い、ことを特徴とする方法。
  5. 前記第1の温度は摂氏900度以上であり、
    前記第1の温度は摂氏1200度以下であり、
    前記第2の温度は摂氏900度以上であり、
    前記第2の温度は摂氏1200度以下である、ことを特徴とする請求項4に記載された方法。
  6. 半導体装置のためのバッファ膜を形成する方法であって、
    温度を上昇させながら窒化物半導体バッファ膜を窒化物基板の主面上に形成する工程を備える、ことを特徴とする方法。
  7. 前記窒化物半導体バッファ膜の膜厚は、10ナノメートル以上であり、
    前記膜厚は、0.5マイクロメートル未満である、ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載された方法。
  8. 前記窒化物基板は窒化ガリウム基板であり、
    前記窒化物半導体バッファ膜は窒化ガリウム膜である、ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載された方法。
  9. 基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、
    前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層と
    を備えており、
    前記窒化物半導体バッファ層は、10ナノメートル以上0.5マイクロメートル以下の厚さを有しており、
    前記窒化物半導体バッファ層は、前記基板の表面全体を覆う第1の成長層と、該第1の成長層上に設けられた第2の成長層とを有しており、
    前記第2の成長層は、前記発光層と前記第1の成長層との間に設けられており、
    前記第2の成長層の厚さは、前記第1の成長層の厚さ以上である、ことを特徴とする半導体装置。
  10. 基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、
    前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層と
    を備えており、
    前記窒化物半導体バッファ層は、20ナノメートル以上10マイクロメートル以下の厚さを有しており、
    前記窒化物半導体バッファ層は、前記基板の表面全体を覆う第1の成長層と、該第1の成長層上に設けられた第2の成長層とを有しており、
    前記第2の成長層は、前記発光層と前記第1の成長層との間に設けられており、
    前記第2の成長層の厚さは前記第1の成長層の厚さ以上である、ことを特徴とする半導体装置。
  11. 基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、
    前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層と
    を備えており、
    前記窒化物半導体バッファ層は、0.5マイクロメートル以上5マイクロメートル以下の厚さを有しており、
    前記窒化物半導体バッファ層は、前記基板の表面全体を覆う第1の成長層と、該第1の成長層上に設けられた第2の成長層とを有しており、
    前記第2の成長層のキャリア濃度は、1×1017cm−3以下であり、
    前記第2の成長層は、前記発光層と前記第1の成長層との間に設けられており、
    前記第2の成長層の厚さは、前記第1の成長層の厚さより厚い、ことを特徴とする半導体装置。
  12. 前記第2の成長層の炭素濃度は、前記第1の成長層の炭素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項9から請求項11のいずれか一項に記載された半導体装置。
  13. 前記第2の成長層の酸素濃度は、前記第1の成長層の酸素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項9から請求項12のいずれか一項に記載された半導体装置。
  14. 基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、
    前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層と
    を備えており、
    前記窒化物半導体バッファ層の炭素濃度のプロファイルは、前記基板から前記発光層に向かう方向に単調に減少している、ことを特徴とする半導体装置。
  15. 基板上に設けられており窒化物半導体からなる発光層と、
    前記発光層と前記基板との間に設けられた窒化物半導体バッファ層と
    を備えており、
    前記窒化物半導体バッファ層の酸素濃度のプロファイルは、前記基板から前記発光層に向かう方向に単調に減少している、ことを特徴とする半導体装置。
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