JP2005343115A - レジストパターン作成方法、電鋳作成方法及び型作成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 同一形状の金型を容易に作成できるようにする。
【解決手段】 ガラス基板10に遮光パターンを形成した後、ガラス基板10上にレジスト層20を形成し、次に、透明基板10の裏側から光を照射して露光し、その後、レジスト層20を現像して、透明基板10上にレジストパターンを形成した。このレジストパターンを用いて金型としてのニッケル電鋳を作成した。
【選択図】 図1
【解決手段】 ガラス基板10に遮光パターンを形成した後、ガラス基板10上にレジスト層20を形成し、次に、透明基板10の裏側から光を照射して露光し、その後、レジスト層20を現像して、透明基板10上にレジストパターンを形成した。このレジストパターンを用いて金型としてのニッケル電鋳を作成した。
【選択図】 図1
Description
この発明はレジストパターン作成方法、電鋳作成方法及び型作成方法に関する。
従来、UV光で露光可能な厚膜レジスト層を用いてレジストパターンを形成するLIGA(Lithographie,Galvanoformung,Abformung)ライクプロセスが知られている。
厚膜レジスト層としては、一般にネガタイプのフォトレジスト(以下ネガレジストという)が用いられる。厚膜レジスト層を露光したとき、光の進行にしたがって光エネルギが減少する。そのため、現像によって得られるレジストパターンの先端形状(レジストパターンの凸部の先端部の形状)は広くなる。
このレジストパターンを用いて作成した金型によって樹脂成形した場合、成形品の先端が広くなるため、成形品を離型し難い。
他の従来技術として、ネガレジストを耐熱温度以上に加熱して、レジストパターンの先端形状が次第に狭くなるようにし、このレジストパターンを使用して金型を作成する方法が開示されている(特公平6−88254号公報参照)。
特公平6−88254号公報
特公平6−88254号公報の方法では、型を用いず、上述のようにネガレジストを加熱するだけでレジストパターンの先端が次第に狭くなるようにする。
しかし、レジストパターンの先端形状が次第に狭くなるように温度を制御することは難しく、この方法には同一形状の金型を作り難いという問題がある。
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は同一形状の型を容易に作成できるようにすることである。
上記課題を解決するため請求項1記載の発明は、透明基板に形成するレジストパターンに応じた遮光パターンを形成する第1工程と、この第1工程の後、前記透明基板上にレジスト層を形成する第2工程と、この第2工程の後、前記透明基板の裏側から光を照射して露光する第3工程と、この第3工程の後、前記レジスト層を現像して、前記透明基板上に前記レジストパターンを形成する第4工程とを含むことを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1記載のレジストパターン作成方法において、前記透明基板の材料がガラス又はプラスチックであることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載のレジストパターン作成方法において、前記遮光パターンの材料がニッケル、銅、銀、クロム又は金であることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項1〜3のいずれか1項記載のレジストパターン作成方法を含む電鋳作成方法であって、前記第4工程の後、前記透明基板上にめっき層を形成する第5工程と、前記第5工程の後、前記めっき層を前記透明基板上のレジストパターンから分離する第6工程とを含むことを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項4項記載の電鋳作成方法において、前記めっき層の材料はニッケル又は銅であることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、請求項1〜3のいずれか1項記載のレジストパターン作成方法を含む型作成方法であって、前記第4工程の後、前記レジストパターンを利用して金属製の型を作成する工程を含むことを特徴とする。
請求項7記載の発明は、請求項1〜3のいずれか1項記載のレジストパターン作成方法を含む型作成方法であって、前記第4工程の後、前記レジストパターンを利用して樹脂製の型を作成する工程を含むことを特徴とする。
この発明のレジストパターン作成方法、電鋳作成方法及び型作成方法によれば、同一形状の型を容易に作成できる。
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1(A)〜(J)はこの発明の一実施形態に係るレジストパターン作成方法及び電鋳作成方法を説明するための工程図、図2はニッケルパターンをマスクとしたレジスト層の露光を説明する図である。
(1)レジスト塗布
レジストとしては液状タイプのポジ型レジスト(AZレジスト(商標))が使用される。
レジストとしては液状タイプのポジ型レジスト(AZレジスト(商標))が使用される。
レジストを所定量だけガラス基板(透明基板)10上に滴下し、スピナを所定条件(500rpm)で15秒間回転させ、ガラス基板10上に均一な厚さのレジスト層20を形成する。レジスト層20の厚さは10μmである。なお、ガラス基板10に代えてレジスト露光光を透過するプラスチック基板を用いてもよい。
レジスト層20が形成されたガラス基板10を60℃に加熱されたホットプレート(図示せず)上で10分間ベークした後、90℃に加熱されたホットプレート上で7分間ベークする。
(2)露光
微細パターンのマスク30を用いてレジスト層20を露光する(図1(A,B)参照)。この微細パターンのマスク30は形成しようとするレジストパターンに応じたパターンを有している。露光には350〜400nmのUV光(例えばi線)を使用した密着露光法を用いた。露光エネルギは約400〜500J/cm2である。
微細パターンのマスク30を用いてレジスト層20を露光する(図1(A,B)参照)。この微細パターンのマスク30は形成しようとするレジストパターンに応じたパターンを有している。露光には350〜400nmのUV光(例えばi線)を使用した密着露光法を用いた。露光エネルギは約400〜500J/cm2である。
(3)現像
露光後、ガラス基板10を専用の現像液(AZディベロッパ(商標))に約3分間浸漬して現像(露光した部分を溶解)する。その結果、ポジ型レジストで構成される微細パターンが得られる(図1(C)参照)。
露光後、ガラス基板10を専用の現像液(AZディベロッパ(商標))に約3分間浸漬して現像(露光した部分を溶解)する。その結果、ポジ型レジストで構成される微細パターンが得られる(図1(C)参照)。
(4)蒸着
微細パターンが形成されたガラス基板10上に蒸着によって二ッケル膜(導電膜)40を形成する。ニッケル膜40の厚さは1000Åである(図1(D)参照)。なお、ニッケルに代えて銅、銀、クロム又は金を用いてもよい。
微細パターンが形成されたガラス基板10上に蒸着によって二ッケル膜(導電膜)40を形成する。ニッケル膜40の厚さは1000Åである(図1(D)参照)。なお、ニッケルに代えて銅、銀、クロム又は金を用いてもよい。
(5)レジスト除去
ニッケル膜40を形成したガラス基板10をアセトン溶液に約30秒間浸漬してレジスト層20を除去する。その結果、レジスト層20で覆われていた部分以外のニッケル膜40によってガラス基板10上に微細パターン(遮光パターン)が形成される(図1(E)参照)。
ニッケル膜40を形成したガラス基板10をアセトン溶液に約30秒間浸漬してレジスト層20を除去する。その結果、レジスト層20で覆われていた部分以外のニッケル膜40によってガラス基板10上に微細パターン(遮光パターン)が形成される(図1(E)参照)。
上記(1)〜(5)が請求項1記載の第1工程に対応する。
(6)レジスト塗布
ニッケル膜40の微細パターンが形成されたガラス基板10上にネガ型のエポキシ系レジスト(例えばMCC社製:SU8−50レジスト(商標))を滴下し、スピナを所定条件(800rpm)で60秒間回転させ、ガラス基板10上に均一な厚さのレジスト層50を形成する(図1(F)参照)。レジスト層50の厚さは80μmである。
ニッケル膜40の微細パターンが形成されたガラス基板10上にネガ型のエポキシ系レジスト(例えばMCC社製:SU8−50レジスト(商標))を滴下し、スピナを所定条件(800rpm)で60秒間回転させ、ガラス基板10上に均一な厚さのレジスト層50を形成する(図1(F)参照)。レジスト層50の厚さは80μmである。
レジスト層50が形成されたガラス基板10を60℃に加熱されたホットプレート(図示せず)上で5分間ベークした後、90℃に加熱されたホットプレート上で5分間ベークする。その後、ガラス基板10を空気冷却する。
上記(6)が請求項1記載の第2工程に対応する。
(7)露光
ニッケル膜40の微細パターンをマスクとして用いてレジスト層50を露光する。微細パターンが形成された面の反対側の面から露光光を照射する(図2参照)。露光はガラス基板10側から光Ryを平行に照射することで行われる。光Ryとしては350〜400nmのUV光(例えばi線(365nm))が使用される。露光エネルギは約500J/cm2である。
ニッケル膜40の微細パターンをマスクとして用いてレジスト層50を露光する。微細パターンが形成された面の反対側の面から露光光を照射する(図2参照)。露光はガラス基板10側から光Ryを平行に照射することで行われる。光Ryとしては350〜400nmのUV光(例えばi線(365nm))が使用される。露光エネルギは約500J/cm2である。
ガラス基板10を65℃に加熱されたホットプレート(図示せず)上で3分間ベークした後、90℃に加熱されたホットプレート上で10分間ベークする。その後、ガラス基板10を空気冷却する(図1(G)参照)。
上記(7)が請求項1記載の第3工程に対応する。
(8)現像
露光後、ガラス基板10を専用の現像液(2−アセトキシ−1−メトキシプロパン)に約10分間浸漬して現像(露光されなかった部分を溶解)する。その結果、所望のレジストパターンが形成される(図1(H)参照)。
露光後、ガラス基板10を専用の現像液(2−アセトキシ−1−メトキシプロパン)に約10分間浸漬して現像(露光されなかった部分を溶解)する。その結果、所望のレジストパターンが形成される(図1(H)参照)。
上記(8)が請求項1記載の第4工程に対応する。
この所望のレジストパターンが形成されたガラス基板をそのまま型として使用してもよい。なお、同形状の製品や反転形状の製品を多数製造する場合には次に説明する工程を行うことが好ましい。
(9)電鋳
ガラス基板10に水洗や脱脂等のめっき前処理を行なった後、レジストパターンが形成されたガラス基板10をめっき治具(図示せず)に固定し、スルファミン酸ニッケルを主成分とするニッケルめっき液浴(図示せず)中に入れ、ニッケル電鋳(ニッケルめっき)を行う。電鋳条件であるpH(ペーハー)、温度、電流密度及び時間はそれぞれ4.1、50℃、5A/dm2及び50hrである。その結果、ガラス基板10の表面のニッケル膜40が形成されている部分に厚さ約3mmのめっき層60が形成される(図1(I)参照)。
ガラス基板10に水洗や脱脂等のめっき前処理を行なった後、レジストパターンが形成されたガラス基板10をめっき治具(図示せず)に固定し、スルファミン酸ニッケルを主成分とするニッケルめっき液浴(図示せず)中に入れ、ニッケル電鋳(ニッケルめっき)を行う。電鋳条件であるpH(ペーハー)、温度、電流密度及び時間はそれぞれ4.1、50℃、5A/dm2及び50hrである。その結果、ガラス基板10の表面のニッケル膜40が形成されている部分に厚さ約3mmのめっき層60が形成される(図1(I)参照)。
上記(9)が請求項4記載の第5工程に対応する。
(10)離型
所定の治具(図示せず)を用いてガラス基板10からめっき層60とレジスト層50とを分離した後、めっき層60とレジスト層50とを70℃に加熱された2−メチルピロリドン溶液に30分間浸漬し、レジスト層50をめっき層60から除去する。
所定の治具(図示せず)を用いてガラス基板10からめっき層60とレジスト層50とを分離した後、めっき層60とレジスト層50とを70℃に加熱された2−メチルピロリドン溶液に30分間浸漬し、レジスト層50をめっき層60から除去する。
レジスト層50をめっき層60から除去したとき、金属製の型(電鋳)60aが完成する(図1(J)参照)。
なお、この型で製造される製品は形成されたレジストパターンの反転形状となる。レジストパターンと同形状の製品が得られる型を必要とする場合は、型60aの表面に再度電鋳によりめっき層を成長させ、新たに形成されためっき層を型60aから除去する。型60aから除去されためっき層がレジストパターンと同形状の製品ができる型となる。
上記(10)が請求項4記載の第6工程に対応する。
この実施形態によれば、レジストパターンの先端形状を狭くするために、レジスト層を加熱する方法に代え、光を用いてレジストパターンを形成するようにしたので、同一形状の型を容易に作成することができる。
また、型60aの先端形状は次第に狭くなるので、これを用いて樹脂成形したとき、成形品を容易に離型することができる。
なお、上記実施形態では本願発明のレジストパターン作成方法をニッケルの電鋳を作成する電鋳作成方法に適用したが、このレジストパターン作成方法をニッケル以外の金属製や樹脂製の型を作成する型作成方法に適用することもできることは勿論である。
10 ガラス基板(透明基板)
20,50 レジスト層
30 マスク
40 二ッケル膜(遮光パターン)
60 めっき層
20,50 レジスト層
30 マスク
40 二ッケル膜(遮光パターン)
60 めっき層
Claims (7)
- 透明基板に形成するレジストパターンに応じた遮光パターンを形成する第1工程と、
この第1工程の後、前記透明基板上にレジスト層を形成する第2工程と、
この第2工程の後、前記透明基板の裏側から光を照射して露光する第3工程と、
この第3工程の後、前記レジスト層を現像して、前記透明基板上に前記レジストパターンを形成する第4工程と
を含むことを特徴とするレジストパターン作成方法。 - 前記透明基板の材料がガラス又はプラスチックであることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン作成方法。
- 前記遮光パターンの材料がニッケル、銅、銀、クロム又は金であることを特徴とする請求項1又は2記載のレジストパターン作成方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載のレジストパターン作成方法を含む電鋳作成方法であって、
前記第4工程の後、前記透明基板上にめっき層を形成する第5工程と、
前記第5工程の後、前記めっき層を前記透明基板上のレジストパターンから分離する第6工程と
を含むことを特徴とする電鋳作成方法。 - 前記めっき層の材料はニッケル又は銅であることを特徴とする請求項4項記載の電鋳作成方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載のレジストパターン作成方法を含む型作成方法であって、
前記第4工程の後、前記レジストパターンを利用して金属製の型を作成する工程
を含むことを特徴とする型作成方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載のレジストパターン作成方法を含む型作成方法であって、
前記第4工程の後、前記レジストパターンを利用して樹脂製の型を作成する工程
を含むことを特徴とする型作成方法。
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2004
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