JP2005340593A - Working method of electrode formed so as to be plate type object - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the working method of an electrode formed so as to be a plate type object capable of preventing the generation of burs and the stagnation of cutting waste between electrodes. <P>SOLUTION: The working method of a plurality of electrodes formed so as to be projected from the surface of the plate type object comprises a resin layer coating process for applying a resin layer on the surface of the plate type object by a resin soluble by a solvent, a cutting process for cutting a plurality of electrodes formed so as to be projected from the surface of the plate type object coated by a resin layer together with the resin layer to align the heights of the electrodes, and a resin layer removing process for resolving and removing the resin layer applied on the surface of the plate type object after finishing the cutting process, by a solvent. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体チップ等の板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の高さを揃える加工方法に関する。   The present invention relates to a processing method for aligning the heights of a plurality of electrodes formed on a surface of a plate-like object such as a semiconductor chip.

半導体チップが複数個形成された半導体ウエーハはダイシング装置等によって個々の半導体チップに分割され、この分割された半導体チップは携帯電話やパソコン等の電気機器に広く用いられている。
近年、電気機器の軽量化、小型化を可能にするために、半導体チップの電極に50〜100μmの突起状のバンプを形成し、このバンプを実装基板に形成された電極に直接接合するようにしたフリップチップと称する半導体チップが開発され実用に供されている。また、インターポーザーといわれる基板に複数の半導体チップを併設したり、積層したりして小型化を図る技術も開発され実用化されている。
A semiconductor wafer in which a plurality of semiconductor chips are formed is divided into individual semiconductor chips by a dicing apparatus or the like, and the divided semiconductor chips are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.
In recent years, in order to reduce the weight and size of electrical equipment, a bump having a protrusion of 50 to 100 μm is formed on an electrode of a semiconductor chip, and this bump is directly bonded to an electrode formed on a mounting substrate. A semiconductor chip called a flip chip has been developed and put into practical use. In addition, a technique for reducing the size by mounting a plurality of semiconductor chips on a substrate called an interposer or stacking them has been developed and put into practical use.

しかるに、上述した各技術は半導体チップ等の基板の表面に複数個の突起状のバンプ(電極)を形成し、その突起状の電極を介して基板同士を接合するため、突起状のバンプ(電極)の高さを揃える必要がある。この突起状のバンプ(電極)の高さを揃えるためには、一般的に研削が用いられているが、作業性が悪く長時間を要する。   However, each of the above-described technologies forms a plurality of protruding bumps (electrodes) on the surface of a substrate such as a semiconductor chip and bonds the substrates to each other via the protruding electrodes. ) Must be the same height. Grinding is generally used to align the height of the bumps (electrodes), but the workability is poor and requires a long time.

また、半導体チップ等の基板の表面に複数個の突起状のバンプ(電極)を形成する技術として、金等のワイヤーの先端を加熱溶融してボールを形成した後、半導体チップの電極にそのボールを超音波併用熱圧着し、ボールの頭を破断するスタッドバンプ形成法がある。このスタッドバンプ形成法によって形成されたバンプ(電極)は、熱圧着されたボールの頭を破断する際に針状の髭が発生することから研磨することが困難であり、加熱した板をバンプに押し当ててバンプの高さを揃えるようにしている。(例えば、特許文献1参照。)
特開2001−53097号公報
As a technique for forming a plurality of bumps (electrodes) on the surface of a substrate such as a semiconductor chip, a ball is formed by heating and melting the tip of a wire such as gold, and the ball is then applied to the electrode of the semiconductor chip. There is a method of forming a stud bump in which the head of the ball is broken by thermocompression bonding with ultrasonic waves. Bumps (electrodes) formed by this stud bump formation method are difficult to polish because needle-shaped wrinkles are generated when the head of a thermocompressed ball is broken, and a heated plate is used as a bump. The bumps are pressed to align the height of the bumps. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2001-53097 A

しかるに、加熱した板をバンプに押し当ててバンプの高さを揃えると、バンプの頭が潰れる際に隣接するバンプと短絡するという問題がある。この問題を解消するために上記公報に記載された発明においては、バンプの先端部を除去する余分な工程を設けている。   However, when the heated plate is pressed against the bumps so that the bumps have the same height, there is a problem that the bumps are short-circuited with adjacent bumps when the bump heads are crushed. In order to solve this problem, in the invention described in the above publication, an extra step of removing the tip of the bump is provided.

上述した問題を解消するために本出願人は、板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の先端部を切削によって除去する加工装置を特願2003−110536として提案した。   In order to solve the above-described problems, the present applicant has proposed as a Japanese Patent Application No. 2003-110536 a processing apparatus that removes the tip portions of a plurality of electrodes formed on the surface of a plate-like object by cutting.

而して、バンプ(電極)を切削すると、バンプ(電極)が金等の粘りのある金属によって形成されている場合にはバリが発生し、このバリがバンプ(電極)間を短絡させたり、切削屑がバンプ(電極)間に溜りバンプ(電極)を短絡させるとともに、切削屑が実装基板に脱落して電気特性を悪化させるという新たな問題が生じた。   Thus, when the bumps (electrodes) are cut, burrs are generated when the bumps (electrodes) are formed of a sticky metal such as gold, and the burrs short-circuit between the bumps (electrodes) A new problem arises in that cutting waste accumulates between the bumps (electrodes) and short-circuits the bumps (electrodes), and the cutting waste falls off the mounting substrate and deteriorates electrical characteristics.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、バリを発生させることなく、また、切削屑が電極間に溜まることを防止できる板状物に形成された電極の加工方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof is processing of electrodes formed in a plate-like object that can prevent burrs and prevent cutting waste from accumulating between the electrodes. It is to provide a method.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の加工方法であって、
該板状物の表面に溶剤によって溶解する樹脂により樹脂層を被覆する樹脂層被覆工程と、
該樹脂層が被覆された該板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を該樹脂層とともに切削して電極の高さを揃える切削工程と、
該切削工程終了後に該板状物の表面に被覆された該樹脂層を溶剤によって溶解除去する樹脂層除去工程と、を含む、
ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工方法が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, there is provided a processing method for a plurality of electrodes formed to protrude on the surface of a plate-like object,
A resin layer coating step of coating the resin layer with a resin that dissolves on the surface of the plate-like material with a solvent;
A cutting step of cutting a plurality of electrodes formed projecting on the surface of the plate-like material coated with the resin layer together with the resin layer to align the height of the electrodes;
A resin layer removing step of dissolving and removing the resin layer coated on the surface of the plate-like material with a solvent after the cutting step is completed.
The processing method of the electrode formed in the plate-shaped object characterized by this is provided.

上記樹脂層被覆工程は、板状物の表面に液状の樹脂を塗布し経時的に硬化せしめて樹脂層を形成する。また、上記樹脂層は水溶性樹脂によって形成され、上記樹脂層除去工程は樹脂層を水によって溶解除去することが望ましい。   In the resin layer coating step, a liquid resin is applied to the surface of the plate-like material and cured with time to form a resin layer. The resin layer is preferably made of a water-soluble resin, and the resin layer removing step is preferably performed by dissolving and removing the resin layer with water.

本発明によれば、板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を切削する切削工程においては、樹脂層被覆工程において板状物の表面に被覆された樹脂層とともに切削するのでバリが発生しないとともに、電極間には樹脂層が形成されているので電極間に切削屑が溜まることもない。また、板状物の表面に被覆された樹脂層は樹脂層除去工程において溶剤によって溶解除去されるので、切削工程において切削屑が樹脂層の表面に付着しても樹脂層とともに除去することができる。   According to the present invention, in the cutting process of cutting a plurality of electrodes formed to protrude on the surface of the plate-like object, since the cutting is performed together with the resin layer coated on the surface of the plate-like object in the resin layer coating process, Is not generated, and since a resin layer is formed between the electrodes, cutting waste does not accumulate between the electrodes. Moreover, since the resin layer coated on the surface of the plate-like material is dissolved and removed by the solvent in the resin layer removing step, even if the cutting waste adheres to the surface of the resin layer in the cutting step, it can be removed together with the resin layer. .

以下、本発明による板状物に形成された電極の加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of a method for processing an electrode formed on a plate according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明によって加工される板状の被加工物としての半導体ウエーハ10が示されている。図1に示す半導体ウエーハ10は、表面に複数個の半導体チップ110がマトリックス状に形成されている。半導体ウエーハ10に形成された複数個の半導体チップ110の表面には、それぞれ複数個のスタッドバンプ(電極)120が形成されている。このスタッドバンプ(電極)120は、例えばスタッドバンプ形成法によって形成されている。即ち、図2の(a)に示すように、キャビラリ15に挿通された金ワイヤー121の先端を、電気トーチによる放電により加熱溶融してボール122を形成した後、このボール122を図2の(b)に示すように半導体チップ110に形成された例えばアルミニウム等からなる電極板111に超音波併用熱圧着し、ボール122の頭で破断する。このようにして形成された複数個のスタッドバンプ(電極)120は、図2の(c)に示すように針状の髭123が残った状態となるとともに、その高さにバラツキがある。   FIG. 1 shows a semiconductor wafer 10 as a plate-like workpiece to be processed according to the present invention. A semiconductor wafer 10 shown in FIG. 1 has a plurality of semiconductor chips 110 formed in a matrix on the surface. A plurality of stud bumps (electrodes) 120 are formed on the surfaces of the plurality of semiconductor chips 110 formed on the semiconductor wafer 10. The stud bump (electrode) 120 is formed by, for example, a stud bump forming method. That is, as shown in FIG. 2 (a), the tip of the gold wire 121 inserted through the cavity 15 is heated and melted by discharge with an electric torch to form a ball 122. As shown in b), the electrode plate 111 made of, for example, aluminum or the like formed on the semiconductor chip 110 is thermocompression bonded together with ultrasonic waves, and is broken at the head of the ball 122. The plurality of stud bumps (electrodes) 120 formed in this way are in a state where the needle-like ridges 123 remain as shown in FIG. 2C, and the heights thereof vary.

次に、被加工物の他の実施形態について、図3および図4を参照して説明する。
図3および図4に示す実施形態における被加工物は上述した半導体ウエーハ10が個々に分割された半導体チップ110であり、図3は環状のフレーム16に装着された保護テープ17に複数個の半導体チップ110が貼着され、図4は支持基板(サブストレート)18上に複数個の半導体チップ110が例えば両面接着テープによって貼着されている。なお、半導体チップ110の表面には上述した複数個のスタッドバンプ(電極)120が形成されている。
Next, another embodiment of the workpiece will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
The workpiece in the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 is a semiconductor chip 110 in which the above-described semiconductor wafer 10 is individually divided. FIG. 3 shows a plurality of semiconductors on a protective tape 17 mounted on an annular frame 16. In FIG. 4, a plurality of semiconductor chips 110 are stuck on a support substrate (substrate) 18 by, for example, a double-sided adhesive tape. Note that the plurality of stud bumps (electrodes) 120 described above are formed on the surface of the semiconductor chip 110.

以下、上述した板状の被加工物の表面に突出して形成された複数個の電極の加工方法について説明する。なお、被加工物としては上記図1および図2に示す半導体ウエーハ10として説明する。
先ず、板状物として半導体ウエーハ10の表面に樹脂層を被覆する樹脂層被覆工程を実施する。樹脂層被覆工程は、図示の実施形態においては図5に示すようにスピンコーター1によって実施する。スピンコーター1は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル1aと、該チャックテーブル1aの中心部上方に配置されたノズル1bを具備している。このスピンコーター1のチャックテーブル1a上に半導体ウエーハ10を載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル1a上に半導体ウエーハ10を吸引保持する。このとき、半導体ウエーハ10は、表面を上にして裏面側を載置する。次に、チャックテーブル1aを回転しつつノズル1bから液状の樹脂を半導体ウエーハ10の表面の中央部に滴下することにより、液状の樹脂が遠心力によって外周部まで流動する。このようにして半導体ウエーハ10の表面上を外周部まで流動した樹脂は、経時的に硬化して図6に示すように半導体ウエーハ10の表面を被覆する樹脂層130を形成する。なお、半導体ウエーハの表面を被覆する樹脂としては、溶剤によって溶解除去することができる樹脂が用いられ、特に水によって除去することができるポリエチレングリコール等の水溶性の樹脂が望ましい。
Hereinafter, a method for processing a plurality of electrodes formed to protrude from the surface of the plate-shaped workpiece described above will be described. The workpiece is described as the semiconductor wafer 10 shown in FIGS.
First, a resin layer coating step is performed in which a resin layer is coated on the surface of the semiconductor wafer 10 as a plate-like object. In the illustrated embodiment, the resin layer coating step is performed by a spin coater 1 as shown in FIG. The spin coater 1 includes a chuck table 1a provided with suction holding means, and a nozzle 1b disposed above the center of the chuck table 1a. The semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 1a of the spin coater 1, and a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 10 on the chuck table 1a. At this time, the semiconductor wafer 10 is placed on the back side with the front side facing up. Next, a liquid resin is dropped from the nozzle 1b onto the center of the surface of the semiconductor wafer 10 while rotating the chuck table 1a, so that the liquid resin flows to the outer periphery by centrifugal force. The resin flowing on the surface of the semiconductor wafer 10 to the outer peripheral portion in this way is cured with time to form a resin layer 130 covering the surface of the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. As the resin for covering the surface of the semiconductor wafer, a resin that can be dissolved and removed by a solvent is used, and a water-soluble resin such as polyethylene glycol that can be removed by water is particularly desirable.

上述したように樹脂層被覆工程を実施したならば、樹脂層が被覆された板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を樹脂層とともに切削して電極の高さを揃える切削工程を実施する。この切削工程は、図7に示す加工装置によって実施する。図示の実施形態における加工装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図7において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に切削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。   If the resin layer coating step is carried out as described above, a cutting step of cutting the plurality of electrodes formed on the surface of the plate-like object coated with the resin layer together with the resin layer to make the height of the electrodes uniform. To implement. This cutting process is performed by the processing apparatus shown in FIG. The processing apparatus in the illustrated embodiment includes an apparatus housing denoted as a whole by the number 2. The apparatus housing 2 has a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends elongated and an upright wall 22 that is provided at the rear end portion (upper right end in FIG. 7) of the main portion 21 and extends substantially vertically upward. Yes. A pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction are provided on the front surface of the upright wall 22. The cutting unit 3 is mounted on the pair of guide rails 221 and 221 so as to be movable in the vertical direction.

切削ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には支持部材313が装着され、この支持部材313にスピンドルユニット32が取り付けられる。   The cutting unit 3 includes a moving base 31 and a spindle unit 32 attached to the moving base 31. The movable base 31 is provided with a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of legs 311 and 311 is slidably engaged with the pair of guide rails 221 and 221. Guided grooves 312 and 312 are formed. A support member 313 is mounted on the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22, and the spindle unit 32 is attached to the support member 313. It is done.

スピンドルユニット32は、支持部材313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ323とを具備している。回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状の工具装着部材324が設けられている。なお、工具装着部材324には、切削工具としての切削バイト33が着脱可能に装着される。   The spindle unit 32 includes a spindle housing 321 mounted on a support member 313, a rotating spindle 322 rotatably disposed on the spindle housing 321, and a servo motor as a drive source for rotationally driving the rotating spindle 322. 323. The lower end of the rotary spindle 322 protrudes downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and a disk-shaped tool mounting member 324 is provided at the lower end. A cutting tool 33 as a cutting tool is detachably mounted on the tool mounting member 324.

ここで、切削バイト33の工具装着部材324への着脱構造について、図8を参照して説明する。
工具装着部材324には、外周部の一部に上下方向に貫通する切削工具取り付け穴324aが設けられているとともに、この切削工具取り付け穴324aと対応する外周面から切削工具取り付け穴324aに達する雌ネジ穴324bが設けられている。このように構成された工具装着部材324の切削工具取り付け穴324aに切削バイト33を挿入し、雌ネジ穴324bに締め付けボルト330を螺合して締め付けることにより、切削バイト33は工具装着部材324に着脱可能に装着される。なお、切削バイト33は、図示の実施形態においては超鋼合金等の工具鋼によって棒状に形成されたバイト本体331の先端部にダイヤモンド等で形成された切削刃332を形成したものが用いられている。このように構成された工具装着部材324に装着されている切削バイト33は、上記回転スピンドル322が回転することにより、後述するチャックテーブルの被加工物を保持する保持面と平行な面内で回転せしめられる。
Here, the attachment / detachment structure of the cutting tool 33 to the tool mounting member 324 will be described with reference to FIG.
The tool mounting member 324 is provided with a cutting tool mounting hole 324a penetrating in a vertical direction in a part of the outer peripheral portion, and a female reaching the cutting tool mounting hole 324a from an outer peripheral surface corresponding to the cutting tool mounting hole 324a. A screw hole 324b is provided. The cutting tool 33 is inserted into the tool mounting member 324 by inserting the cutting tool 33 into the cutting tool mounting hole 324a of the tool mounting member 324 thus configured and screwing the tightening bolt 330 into the female screw hole 324b. Removably mounted. In the illustrated embodiment, the cutting tool 33 is formed by forming a cutting blade 332 made of diamond or the like at the tip of a cutting tool body 331 made of a tool steel such as a super steel alloy. Yes. The cutting tool 33 mounted on the tool mounting member 324 thus configured rotates in a plane parallel to the holding surface for holding the workpiece of the chuck table, which will be described later, as the rotary spindle 322 rotates. I'm damned.

次に、上記切削バイト33を装着する工具装着部材の他の実施形態について、図9を参照して説明する。
図9に示す工具装着部材325は、切削ユニットを構成する移動基台31に直接取り付けられている。この工具装着部材325には、上下方向に貫通する切削工具取り付け穴325aが設けられているとともに、この切削工具取り付け穴325aと対応する前端面から切削工具取り付け穴325aに達する雌ネジ穴325bが設けられている。このように構成された工具装着部材325の切削工具取り付け穴325aに切削バイト33を挿入し、雌ネジ穴325bに締め付けボルト330を螺合して締め付けることにより、切削バイト33は工具装着部材325に着脱可能に装着される。
Next, another embodiment of the tool mounting member on which the cutting tool 33 is mounted will be described with reference to FIG.
The tool mounting member 325 shown in FIG. 9 is directly attached to the moving base 31 constituting the cutting unit. The tool mounting member 325 is provided with a cutting tool mounting hole 325a penetrating in the vertical direction, and a female screw hole 325b reaching the cutting tool mounting hole 325a from the front end surface corresponding to the cutting tool mounting hole 325a. It has been. The cutting tool 33 is inserted into the tool mounting member 325 by inserting the cutting tool 33 into the cutting tool mounting hole 325a of the tool mounting member 325 thus configured and screwing the tightening bolt 330 into the female screw hole 325b. Removably mounted.

図7に戻って説明を続けると、図示の実施形態における加工装置は、上記切削ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向)に移動せしめる切削ユニット送り機構4を備えている。この切削ユニット送り機構4は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド41を具備している。この雄ねじロッド41は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材42および43によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材42には雄ねじロッド41を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ44が配設されており、このパルスモータ44の出力軸が雄ねじロッド41に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド41が螺合せしめられている。従って、パルスモータ44が正転すると移動基台31即ち切削ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ44が逆転すると移動基台31即ち切削ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。   Returning to FIG. 7 and continuing the description, the machining apparatus in the illustrated embodiment moves the cutting unit 3 in the vertical direction along the pair of guide rails 221 and 221 (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later). A cutting unit feed mechanism 4 is provided. The cutting unit feed mechanism 4 includes a male screw rod 41 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending substantially vertically. The male screw rod 41 is rotatably supported by bearing members 42 and 43 whose upper end and lower end are attached to the upright wall 22. The upper bearing member 42 is provided with a pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41, and the output shaft of the pulse motor 44 is connected to the male screw rod 41 by transmission. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is also formed on the rear surface of the movable base 31, and a through female screw hole that extends in the vertical direction is formed in the connecting portion, The male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. Accordingly, when the pulse motor 44 is rotated forward, the moving base 31, that is, the cutting unit 3 is lowered or moved forward, and when the pulse motor 44 is rotated reversely, the moving base 31, that is, the cutting unit 3 is raised or moved backward.

図7および図10を参照して説明を続けると、ハウジング2の主部21の後半部上には略矩形状の加工作業部211が形成されており、この加工作業部211にはチャックテーブル機構5が配設されている。チャックテーブル機構5は、支持基台51とこの支持基台51に実質上鉛直に延びる回転中心軸線を中心として回転自在に配設された円板形状のチャックテーブル52とを含んでいる。支持基台51は、上記加工作業部211上に前後方向(直立壁22の前面に垂直な方向)である矢印23aおよび23bで示す方向に延在する一対の案内レール23、23上に摺動自在に載置されており、後述するチャックテーブル移動機構56によって図7に示す被加工物搬入・搬出域24(図10において実線で示す位置)と上記スピンドルユニット32を構成する切削工具33と対向する加工域25(図9において2点鎖線で示す位置)との間で移動せしめられる。   7 and 10, a substantially rectangular machining work portion 211 is formed on the rear half of the main portion 21 of the housing 2, and the machining work portion 211 includes a chuck table mechanism. 5 is disposed. The chuck table mechanism 5 includes a support base 51 and a disk-shaped chuck table 52 disposed on the support base 51 so as to be rotatable about a rotation center axis extending substantially vertically. The support base 51 slides on a pair of guide rails 23 and 23 extending in the direction indicated by the arrows 23a and 23b in the front-rear direction (the direction perpendicular to the front surface of the upright wall 22) on the processing work unit 211. 7. The workpiece loading / unloading area 24 shown in FIG. 7 (position indicated by a solid line in FIG. 10) and the cutting tool 33 constituting the spindle unit 32 are opposed to each other by a chuck table moving mechanism 56 described later. And the machining area 25 (the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 9).

上記チャックテーブル52は、上面に被加工物を載置する載置面52aを有し、上記支持基台51に回転可能に支持されている。このチャックテーブル52は、その下面に装着された回転軸(図示せず)に連結されたサーボモータ53によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル52は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手段に接続されている。従って、チャックテーブル52を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、載置面52a上に載置された被加工物を吸引保持する。なお、図示のチャックテーブル機構5は、チャックテーブル52を挿通する穴を有し上記支持基台51等を覆い支持基台51とともに移動可能に配設されたカバー部材54(図1参照)を備えている。   The chuck table 52 has a mounting surface 52 a on which an object to be processed is mounted, and is rotatably supported by the support base 51. The chuck table 52 is rotated by a servo motor 53 connected to a rotating shaft (not shown) mounted on the lower surface thereof. The chuck table 52 is made of an appropriate porous material such as porous ceramics, and is connected to suction means (not shown). Accordingly, by selectively communicating the chuck table 52 with a suction means (not shown), the workpiece placed on the placement surface 52a is sucked and held. The illustrated chuck table mechanism 5 includes a cover member 54 (see FIG. 1) that has a hole through which the chuck table 52 is inserted, covers the support base 51 and the like, and is movably disposed with the support base 51. ing.

図10を参照して説明を続けると、図示の実施形態における加工装置は、上記チャックテーブル機構5を一対の案内レール23に沿って矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめるチャックテーブル移動機構56を具備している。チャックテーブル移動機構56は、一対の案内レール23、23間に配設され案内レール23、23と平行に延びる雄ねじロッド561と、該雄ねじロッド561を回転駆動するサーボモータ562を具備している。雄ねじロッド561は、上記支持基台51に設けられたネジ穴511と螺合して、その先端部が一対の案内レール23、23を連結して取り付けられた軸受部材563によって回転自在に支持されている。サーボモータ562は、その駆動軸が雄ねじロッド561の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ562が正転すると支持基台51即ちチャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動し、サーボモータ562が逆転すると支持基台51即ちチャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる。矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構5は、図4において実線で示す被加工物搬入・搬出域と2点鎖線で示す加工域に選択的に位置付けられる。また、チャックテーブル機構5は、加工域においては所定範囲に渡って矢印23aおよび23bで示す方向、即ち保持面52aと平行に往復動せしめられる。   When the description continues with reference to FIG. 10, the processing apparatus in the illustrated embodiment includes a chuck table moving mechanism 56 that moves the chuck table mechanism 5 along the pair of guide rails 23 in the directions indicated by the arrows 23 a and 23 b. It has. The chuck table moving mechanism 56 includes a male screw rod 561 disposed between the pair of guide rails 23 and 23 and extending in parallel with the guide rails 23 and 23, and a servo motor 562 that rotationally drives the male screw rod 561. The male screw rod 561 is screwed into a screw hole 511 provided in the support base 51, and the tip end portion thereof is rotatably supported by a bearing member 563 attached by connecting a pair of guide rails 23 and 23. ing. The servo motor 562 has a drive shaft connected to the base end of the male screw rod 561 by transmission. Accordingly, when the servo motor 562 rotates in the forward direction, the support base 51, that is, the chuck table mechanism 5, moves in the direction indicated by the arrow 23a. When the servo motor 562 rotates in the reverse direction, the support base 51, that is, the chuck table mechanism 5, moves in the direction indicated by the arrow 23b. It can be moved. The chuck table mechanism 5 that is moved in the directions indicated by the arrows 23a and 23b is selectively positioned in a workpiece loading / unloading area indicated by a solid line and a machining area indicated by a two-dot chain line in FIG. Further, the chuck table mechanism 5 is reciprocated in the direction indicated by the arrows 23a and 23b over the predetermined range, that is, in parallel with the holding surface 52a in the machining area.

図7に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構5を構成する支持基台51の移動方向両側には、図7に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール23、23や雄ねじロッド561およびサーボモータ562等を覆っている蛇腹手段57および58が付設されている。蛇腹手段57および58はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段57の前端は加工作業部211の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構5のカバー部材54の前端面に固定されている。蛇腹手段58の前端はチャックテーブル機構5のカバー部材54の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段57が伸張されて蛇腹手段58が収縮され、チャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段57が収縮されて蛇腹手段58が伸張せしめられる。   Returning to FIG. 7, the description will be continued. On both sides in the moving direction of the support base 51 constituting the chuck table mechanism 5, the cross-sectional shape is an inverted channel shape as shown in FIG. Bellows means 57 and 58 covering the rails 23 and 23, the male screw rod 561, the servo motor 562 and the like are attached. The bellows means 57 and 58 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 57 is fixed to the front wall of the processing unit 211, and the rear end is fixed to the front end surface of the cover member 54 of the chuck table mechanism 5. The front end of the bellows means 58 is fixed to the rear end surface of the cover member 54 of the chuck table mechanism 5, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23a, the bellows means 57 is expanded and the bellows means 58 is contracted, and when the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23b, the bellows means. 57 is contracted and the bellows means 58 is extended.

上記装置ハウジング2の主部21における前半部上には、第1のカセット載置部6aと、第2のカセット載置部7aと、被加工物仮置き部8aと、洗浄部9aが設けられている。第1のカセット載置部6aには加工前の被加工物を収容する第1のカセット6が載置され、第2のカセット載置部7aには加工後の被加工物を収容する第2のカセット7が載置されるようになっている。上記被加工物仮置き部8aには、第1のカセット載置部6aに載置された第1のカセット6から搬出された加工前の被加工物を仮置きする被加工物仮載置き手段8が配設されている。また、洗浄部9aには、加工後の被加工物を洗浄する洗浄手段9が配設されている。   On the front half of the main portion 21 of the apparatus housing 2, a first cassette mounting portion 6a, a second cassette mounting portion 7a, a workpiece temporary storage portion 8a, and a cleaning portion 9a are provided. ing. A first cassette 6 that accommodates a workpiece before processing is placed on the first cassette placement portion 6a, and a second cassette that accommodates a workpiece after processing is placed on the second cassette placement portion 7a. The cassette 7 is placed. In the workpiece temporary placement portion 8a, the workpiece temporary placement means for temporarily placing the workpiece before processing carried out from the first cassette 6 placed on the first cassette placement portion 6a. 8 is disposed. The cleaning unit 9a is provided with cleaning means 9 for cleaning the processed workpiece.

上記第1のカセット載置部6aと第2のカセット載置部7aとの間には被加工物搬送手段11が配設されており、この被加工物搬送手段11は第1のカセット載置部6aに載置された第1のカセット6内に収納された加工前の被加工物を被加工物仮置き手段8に搬出するとともに洗浄手段9で洗浄された加工後の被加工物を第2のカセット載置部7aに載置された第2のカセット7に搬送する。上記被加工物仮置き部8aと被加工物を被加工物搬入・搬出域24との間には被加工物搬入手段12が配設されており、この被加工物搬入手段12は被加工物仮置き手段8に載置された加工前の被加工物を被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に搬送する。上記被加工物を被加工物搬入・搬出域24と洗浄部9aとの間には被加工物搬出手段13が配設されており、この被加工物搬出手段13は被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル52上に載置されている加工後の被加工物を洗浄手段9に搬送する。   A workpiece conveying means 11 is disposed between the first cassette placing portion 6a and the second cassette placing portion 7a. The workpiece conveying means 11 is a first cassette placing portion. The unprocessed workpiece housed in the first cassette 6 placed on the part 6a is carried out to the workpiece temporary storage means 8 and the processed workpiece cleaned by the cleaning means 9 is used as the first workpiece. It is transported to the second cassette 7 placed on the second cassette placement section 7a. A workpiece loading means 12 is disposed between the workpiece temporary placing portion 8a and the workpiece loading / unloading area 24, and the workpiece loading means 12 is the workpiece loading means 12. The workpiece before processing placed on the temporary placing means 8 is transported onto the chuck table 52 of the chuck table mechanism 5 positioned in the workpiece loading / unloading area 24. A workpiece unloading means 13 is disposed between the workpiece loading / unloading area 24 and the cleaning unit 9a. The workpiece unloading means 13 is a workpiece loading / unloading area. The processed workpiece placed on the chuck table 52 positioned at 24 is conveyed to the cleaning means 9.

以上のように構成された図7に示す加工装置を用いて本発明における切削工程を実施するには、上述した樹脂層被覆工程を実施することによって表面に樹脂層130が被覆された半導体ウエーハ10を第1のカセット6に収納し、この第1のカセット6を装置ハウジング2の第1のカセット載置部6aに載置する。一方、装置ハウジング2の第2のカセット載置部7aには、空の第2のカセット7が載置される。   In order to perform the cutting process according to the present invention using the processing apparatus shown in FIG. 7 configured as described above, the semiconductor wafer 10 whose surface is coated with the resin layer 130 by performing the above-described resin layer coating process. Is stored in the first cassette 6, and the first cassette 6 is placed on the first cassette placement portion 6 a of the apparatus housing 2. On the other hand, an empty second cassette 7 is placed on the second cassette placement portion 7 a of the apparatus housing 2.

第1のカセット6に収容された被加工物としての半導体ウエーハ10は被加工物搬送手段11の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮置き手段8に載置される。被加工物仮置き手段8に載置された半導体ウエーハ10は、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段12の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域24に位置せしめられているチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に載置される。チャックテーブル52上に載置された半導体ウエーハ10は、図示しない吸引手段によってチャックテーブル52上に吸引保持される。   The semiconductor wafer 10 as a workpiece accommodated in the first cassette 6 is conveyed by the vertical movement and the advance / retreat operation of the workpiece conveyance means 11 and placed on the workpiece temporary placement means 8. The semiconductor wafer 10 placed on the workpiece temporary placing means 8 is positioned in the workpiece loading / unloading area 24 by the turning operation of the workpiece loading means 12 after being centered here. It is placed on the chuck table 52 of the chuck table mechanism 5. The semiconductor wafer 10 placed on the chuck table 52 is sucked and held on the chuck table 52 by suction means (not shown).

チャックテーブル52上に半導体ウエーハ10を吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構56(図10参照)を作動してチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に移動し、半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル52を加工域25に位置付ける。このようにして半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル52が加工領域25に位置付けられたならば、半導体ウエーハ10に設けられた半導体チップ110の表面に形成された複数個のスタッドバンプ(電極)120を、表面に被覆された樹脂層130とともに切削する切削工程を実施する。   When the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 52, the chuck table moving mechanism 56 (see FIG. 10) is operated to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23a, and the chuck holding the semiconductor wafer 10 is held. The table 52 is positioned in the machining area 25. When the chuck table 52 holding the semiconductor wafer 10 is positioned in the processing region 25 in this way, a plurality of stud bumps (electrodes) 120 formed on the surface of the semiconductor chip 110 provided on the semiconductor wafer 10 are provided. Then, a cutting process of cutting together with the resin layer 130 coated on the surface is performed.

先ず、上記図7および図8に示す実施形態の切削ユニット3による切削工程について、図11を参照して説明する。
図7および図8に示す実施形態の切削ユニット3の場合には、回転スピンドル322を回転駆動し、切削バイト33が取り付けられた工具装着部材324を図11において矢印で示す方向に例えば6000rpmの回転速度で回転する。そして、切削ユニット3を下降させ切削バイト33を所定の切り込み位置に位置付ける。次に、半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル52を図11において実線で示す位置から右方に所定の送り速度で移動する。なお、送り速度は、例えば切削バイト33の切削刃332の切削幅が20数μmの場合には2mm/秒程度でよい。そして、図11において2点鎖線で示すようにチャックテーブル52に保持された半導体ウエーハ10の中心が工具装着部材324の中心位置まで移動したら、切削ユニット3を上昇させる。この結果、回転スピンドル322の回転に伴って回転する切削工具33の切削刃332によって半導体ウエーハ10に設けられた半導体チップ110の表面に形成された複数個のスタッドバンプ(電極)120の上端部が樹脂層130とともに削り取られ、図13に示すようにその高さが揃えられる。このように、スタッドバンプ(電極)120は樹脂層130とともに切削されるのでバリが発生しないとともに、スタッドバンプ(電極)120間には樹脂層130が形成されているのでスタッドバンプ(電極)120間に切削屑が溜まることもない。なお、上述した切削工程は、切削時に切削液を供給せずに乾式切削で実施する。
First, the cutting process by the cutting unit 3 of the embodiment shown in FIGS. 7 and 8 will be described with reference to FIG.
In the case of the cutting unit 3 according to the embodiment shown in FIGS. 7 and 8, the rotary spindle 322 is driven to rotate, and the tool mounting member 324 to which the cutting tool 33 is attached is rotated in the direction indicated by the arrow in FIG. Rotates at speed. Then, the cutting unit 3 is lowered and the cutting tool 33 is positioned at a predetermined cutting position. Next, the chuck table 52 holding the semiconductor wafer 10 is moved rightward from the position indicated by the solid line in FIG. 11 at a predetermined feed rate. The feed rate may be about 2 mm / second when the cutting width of the cutting blade 332 of the cutting tool 33 is 20 μm or more, for example. When the center of the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 52 moves to the center position of the tool mounting member 324 as shown by a two-dot chain line in FIG. 11, the cutting unit 3 is raised. As a result, the upper ends of a plurality of stud bumps (electrodes) 120 formed on the surface of the semiconductor chip 110 provided on the semiconductor wafer 10 by the cutting blade 332 of the cutting tool 33 that rotates as the rotary spindle 322 rotates. It is scraped off together with the resin layer 130, and its height is made uniform as shown in FIG. As described above, since the stud bump (electrode) 120 is cut together with the resin layer 130, no burrs are generated, and the resin layer 130 is formed between the stud bumps (electrodes) 120. There is no accumulation of cutting waste. In addition, the cutting process mentioned above is implemented by dry cutting, without supplying cutting fluid at the time of cutting.

次に、図9に示す実施形態の切削ユニット3による切削工程について、図12を参照して説明する。
図9に示す実施形態の切削ユニット3の場合には、先ず、切削ユニット3を構成する移動基台31を下降させ、移動基台31に取り付けられた工具装着部材325に装着されている切削バイト33を所定の切り込み位置に位置付ける。次に、半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル52を図12において矢印で示す方向に例えば2000rpmの回転速度で回転しつつ、図12において実線で示す位置から右方に所定の送り速度で移動する。なお、送り速度は、例えば切削バイト33の切削刃332の切削幅が20数μmの場合には0.6mm/秒程度でよい。そして、図12において2点鎖線で示すようにチャックテーブル52の中心が切削バイト33に達する位置まで移動したら、切削ユニット3を上昇させる。この結果、切削工具33の切削刃332によって半導体ウエーハ10に設けられた半導体チップ110の表面に形成された複数個のスタッドバンプ(電極)120の上端部が樹脂層130とともに削り取られ、図13に示すようにその高さが揃えられる。この実施形態においても、スタッドバンプ(電極)120は樹脂層130とともに切削されるのでバリが発生しないとともに、スタッドバンプ(電極)120間には樹脂層130が形成されているのでスタッドバンプ(電極)120間に切削屑が溜まることもない。
Next, the cutting process by the cutting unit 3 of the embodiment shown in FIG. 9 will be described with reference to FIG.
In the case of the cutting unit 3 of the embodiment shown in FIG. 9, first, the moving base 31 constituting the cutting unit 3 is lowered, and the cutting tool mounted on the tool mounting member 325 mounted on the moving base 31. 33 is positioned at a predetermined cutting position. Next, the chuck table 52 holding the semiconductor wafer 10 is rotated to the right from the position indicated by the solid line in FIG. 12 while rotating at a rotational speed of 2000 rpm in the direction indicated by the arrow in FIG. The feed rate may be about 0.6 mm / second when the cutting width of the cutting blade 332 of the cutting tool 33 is 20 μm or more, for example. Then, when the center of the chuck table 52 moves to a position where it reaches the cutting tool 33 as shown by a two-dot chain line in FIG. 12, the cutting unit 3 is raised. As a result, the upper ends of the plurality of stud bumps (electrodes) 120 formed on the surface of the semiconductor chip 110 provided on the semiconductor wafer 10 by the cutting blade 332 of the cutting tool 33 are scraped off together with the resin layer 130, as shown in FIG. Its height is aligned as shown. Also in this embodiment, since the stud bump (electrode) 120 is cut together with the resin layer 130, no burrs are generated, and since the resin layer 130 is formed between the stud bumps (electrodes) 120, the stud bump (electrode). No cutting waste accumulates between 120.

上述したように半導体ウエーハ10に設けられた半導体チップ110の表面に形成された複数個のバンプ(電極)120および樹脂層130の切削工程が終了したら、切削ユニット3を上昇せしめ、チャックテーブル52の回転を停止する。次に、チャックテーブル52を図7において矢印23bで示す方向に移動して被加工物搬入・搬出域24に位置付け、チャックテーブル52上の切削加工された半導体ウエーハ10の吸引保持を解除する。吸引保持が解除された半導体ウエーハ10は被加工物搬出手段13により搬出されて洗浄手段9に搬送される。   As described above, when the cutting process of the plurality of bumps (electrodes) 120 and the resin layer 130 formed on the surface of the semiconductor chip 110 provided on the semiconductor wafer 10 is completed, the cutting unit 3 is raised, Stop rotation. Next, the chuck table 52 is moved in the direction indicated by the arrow 23b in FIG. 7 to be positioned in the workpiece loading / unloading area 24, and the suction holding of the cut semiconductor wafer 10 on the chuck table 52 is released. The semiconductor wafer 10 that has been released from the suction holding state is unloaded by the workpiece unloading means 13 and conveyed to the cleaning means 9.

図示の実施形態においては、洗浄手段9に搬送された半導体ウエーハ10の表面に被覆された樹脂層130を溶剤によって溶解除去する樹脂層除去工程を実施する。
即ち、洗浄手段9に搬送された半導体ウエーハ10に対して溶剤としての洗浄水を噴射する。図示の実施形態においては、半導体ウエーハ10の表面に被覆された樹脂層130は水溶性の樹脂によって形成されているので、洗浄水によって溶解せしめられ洗い流される。この結果、図14に示すように半導体ウエーハの10の表面に被覆された樹脂層130が除去され、バンプ(電極)120が露出した状態となる。このように、半導体ウエーハの10の表面に被覆された樹脂層130は上記切削工程を実施した後に除去されるので、上記切削工程において切削屑が樹脂層130に付着しても切削屑は樹脂層130とともに除去される。
In the illustrated embodiment, a resin layer removing step is performed in which the resin layer 130 coated on the surface of the semiconductor wafer 10 transported to the cleaning means 9 is dissolved and removed with a solvent.
That is, cleaning water as a solvent is sprayed onto the semiconductor wafer 10 conveyed to the cleaning means 9. In the illustrated embodiment, since the resin layer 130 coated on the surface of the semiconductor wafer 10 is formed of a water-soluble resin, it is dissolved and washed away with washing water. As a result, as shown in FIG. 14, the resin layer 130 coated on the surface of the semiconductor wafer 10 is removed, and the bumps (electrodes) 120 are exposed. As described above, since the resin layer 130 coated on the surface of the semiconductor wafer 10 is removed after the cutting process is performed, even if the cutting waste adheres to the resin layer 130 in the cutting process, the cutting waste remains in the resin layer. 130 and removed.

上述したように樹脂層除去工程を実施したならば、樹脂層が除去された半導体ウエーハ10は、被加工物搬送手段11よって第2のカセット7の所定位置に収納される。   If the resin layer removal step is performed as described above, the semiconductor wafer 10 from which the resin layer has been removed is stored in a predetermined position of the second cassette 7 by the workpiece transfer means 11.

板状物からなる被加工物としての半導体ウエーハの平面図。The top view of the semiconductor wafer as a to-be-processed object which consists of a plate-shaped object. 図1に示す半導体ウエーハに設けられた複数個の半導体チップにバンプ(電極)を形成するスタッドバンプ形成法の説明図。FIG. 3 is an explanatory view of a stud bump forming method for forming bumps (electrodes) on a plurality of semiconductor chips provided on the semiconductor wafer shown in FIG. 1. 板状物からなる被加工物としての半導体チップを環状のフレームに支持した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which supported the semiconductor chip as a to-be-processed object which consists of a plate-shaped object in the cyclic | annular flame | frame. 板状物からなる被加工物としての半導体チップを支持基板(サブストレート)に支持した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which supported the semiconductor chip as a to-be-processed object which consists of a plate-shaped object on the support substrate (substrate). 本発明による板状物に形成された電極の加工方法における樹脂層被覆工程の説明図。Explanatory drawing of the resin layer coating | coated process in the processing method of the electrode formed in the plate-shaped object by this invention. 図5に示す樹脂層被覆工程によって樹脂層が形成された板状の被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the semiconductor wafer as a plate-shaped to-be-processed object in which the resin layer was formed by the resin layer coating process shown in FIG. 本発明による板状物に形成された電極の加工方法における切削工程を実施する加工装置の一実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows one Embodiment of the processing apparatus which implements the cutting process in the processing method of the electrode formed in the plate-shaped object by this invention. 図7に示す加工装置に装備される切削ユニットの一実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows one Embodiment of the cutting unit with which the processing apparatus shown in FIG. 7 is equipped. 図7に示す加工装置に装備される切削ユニットの他の実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows other embodiment of the cutting unit with which the processing apparatus shown in FIG. 7 is equipped. 図7に示す加工装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル移動機構を示す斜視図。The perspective view which shows the chuck table mechanism and chuck table moving mechanism with which the processing apparatus shown in FIG. 7 is equipped. 図8に示す切削ユニットを用いて実施する切削工程の説明図。Explanatory drawing of the cutting process implemented using the cutting unit shown in FIG. 図9に示す切削ユニットを用いて実施する切削工程の説明図。Explanatory drawing of the cutting process implemented using the cutting unit shown in FIG. 本発明による板状物に形成された電極の加工方法における切削工程を実施した板状の被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the semiconductor wafer as a plate-shaped to-be-processed object which implemented the cutting process in the processing method of the electrode formed in the plate-shaped object by this invention. 本発明による板状物に形成された電極の加工方法における樹脂層除去工程を実施した板状の被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the semiconductor wafer as a plate-shaped to-be-processed object which implemented the resin layer removal process in the processing method of the electrode formed in the plate-shaped object by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1:スピンコーター
2:装置ハウジング
3:研削ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
324、325:工具装着部材
33:研削バイト
4:研削ユニット送り機構
5:チャックテーブル機構
52:チャックテーブル
56:チャックテーブル移動機構
6:第1のカセット
7:第2のカセット
9:被加工物仮置き手段
9:洗浄手段
11:被加工物搬送手段
12:被加工物搬入手段
13:被加工物搬出手段
10:半導体ウエーハ
110:半導体チップ
111:電極板
120:バンプ(電極)
130:樹脂層
1: Spin coater
2: Device housing 3: Grinding unit 31: Moving base 32: Spindle unit 324, 325: Tool mounting member 33: Grinding tool 4: Grinding unit feed mechanism 5: Chuck table mechanism 52: Chuck table 56: Chuck table moving mechanism 6 : First cassette 7: Second cassette 9: Temporary workpiece placing means 9: Cleaning means 11: Workpiece conveying means 12: Workpiece carrying means 13: Workpiece carrying means 10: Semiconductor wafer 110: Semiconductor chip 111: Electrode plate 120: Bump (electrode)
130: Resin layer

Claims (3)

板状物の表面に突出して形成された複数個の電極の加工方法であって、
該板状物の表面に溶剤によって溶解する樹脂により樹脂層を被覆する樹脂層被覆工程と、
該樹脂層が被覆された該板状物の表面に突出して形成された複数個の電極を該樹脂層とともに切削して電極の高さを揃える切削工程と、
該切削工程終了後に該板状物の表面に被覆された該樹脂層を溶剤によって溶解除去する樹脂層除去工程と、を含む、
ことを特徴とする板状物に形成された電極の加工方法。
A method of processing a plurality of electrodes formed to protrude on the surface of a plate-like object,
A resin layer coating step of coating the resin layer with a resin that dissolves on the surface of the plate-like material with a solvent;
A cutting step of cutting a plurality of electrodes formed projecting on the surface of the plate-like material coated with the resin layer together with the resin layer to align the height of the electrodes;
A resin layer removing step of dissolving and removing the resin layer coated on the surface of the plate-like material with a solvent after the cutting step is completed.
The processing method of the electrode formed in the plate-shaped object characterized by the above-mentioned.
該樹脂層被覆工程は、該板状物の表面に液状の樹脂を塗布し経時的に硬化せしめて樹脂層を形成する、請求項1記載の板状物に形成された電極の加工方法。   The method for processing an electrode formed on a plate-like material according to claim 1, wherein the resin layer coating step forms a resin layer by applying a liquid resin to the surface of the plate-like material and curing it over time. 該樹脂層は水溶性樹脂によって形成され、該樹脂層除去工程は該樹脂層を水によって溶解除去する、請求項1又は2記載の板状物に形成された電極の加工方法。   The method for processing an electrode formed on a plate-like object according to claim 1 or 2, wherein the resin layer is formed of a water-soluble resin, and the resin layer removing step dissolves and removes the resin layer with water.
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