JP2005340403A - 成膜装置用の基板回転機構 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜される基板を回転しつつ保持するための基板トレイと、前記基板トレイを回転自在に保持する基板トレイ保持部と、前記基板トレイと基板トレイ保持部との間に存在する摺動部とからなる基板回転機構であって、前記摺動部が窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする基板回転機構であり、好ましくは、基板トレイが、窒化硼素を5〜50質量%含有する窒化珪素質焼結体からなり、また、基板トレイ保持部が、窒化硼素を5〜50質量%含有する窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする前記の基板回転機構であり、更に好ましくは、成膜装置が900℃以上で窒化物を形成する成膜装置であることを特徴とする前記の基板回転機構である。
【選択図】なし
Description
このような特性を有する窒化珪素質焼結体は、900℃以上のNH3雰囲気に対する耐食性に優れるためには、炭素或いは炭化珪素等の炭素含有成分が含まれないものが望ましく、また他部材と小面積で接するので機械的特性に優れる必要がある。このような要求を満足する窒化珪素質焼結体としては、本発明者の検討結果に拠れば、炭素含有量が5質量%以下であり、曲げ強さが600MPa以上であれば使用することができる。900℃以上のNH3雰囲気に対する耐食性に優れるために、当該窒化珪素質焼結体が窒化物を含有することもできるが、窒化物が窒化硼素の場合には5質量%以上含まれると、機械的特性が低下し、所望の摺動特性が得られないことがあるので避けるべきである。
ブロック状試片:SBN70
リング状試片 :窒化珪素
比摩耗量 :5.9×10−9mm2/N
ブロック状試片:窒化珪素
リング状試片 :SBN70
比摩耗量 :1.4×10−9mm2/N
ブロック状試片:SBN70
リング状試片 :SBN70
比摩耗量 :4.0×10−8mm2/N
実施例1の窒化珪素を用いて、直径5mmのボールベアリングを作成するとともに、SBN70を用いて、基板トレイと基板トレイ保持部とを作成し、GaN系半導体結晶薄膜を形成するMOCVD装置に使用した。100時間運転したが、その間、何ら異常が認められなかった。
Claims (4)
- 成膜装置用の基板回転機構であって、成膜される基板を回転しつつ保持するための基板トレイと、前記基板トレイを回転自在に保持する基板トレイ保持部と、前記基板トレイと基板トレイ保持部との間に存在する摺動部とからなり、前記摺動部が窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする成膜装置の基板回転機構。
- 基板トレイが、窒化硼素を5〜50質量%含有する窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする請求項1記載の基板回転機構。
- 基板トレイ保持部が、窒化硼素を5〜50質量%含有する窒化珪素質焼結体からなることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板回転機構。
- 成膜装置が、900℃以上で窒化物を形成する成膜装置であることを特徴とする請求項1、請求項2又は請求項3記載の基板回転機構。
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