JP2005337898A - 反射体制御方式の高速炉 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 反射体制御方式の高速炉の炉心2の軸方向中央部2aの反射体微分反応度が、この軸方向上部2b及び下部2cの反射体微分反応度より低い。例えば、炉心下端から炉心高さの略1/10ないし略1/5から略1/2までの領域2aに比べて、この領域の下部2b及び上部2cの核分裂性物質割合を増加させる。
【選択図】 図2
Description
次に、本発明に係る反射体制御方式の高速炉の第2の実施の形態を図6を用いて説明する。図6は、図1における炉心2を拡大したものである。炉心2を軸方向に3領域に区分し、燃料の平均燃料密度(スメア密度)を変化させた構成となっている。この実施の形態の場合、燃料は酸化物燃料であり、上記各軸方向領域で燃料径は同一であるが、スメア密度を変化させて、第1の実施の形態と同様に核分裂性物質の量を変化させている。
Claims (11)
- 液体金属の冷却材に浸された炉心の外側に設置された中性子反射体を上下方向に移動させて炉心からの中性子の漏洩を調整することによって炉心の反応度を制御する反射体制御方式の高速炉において、前記中性子反射体を上部、中央部、下部と区分した場合、前記炉心の軸方向中央部の反射体微分反応度が、この軸方向上部及び下部の反射体微分反応度より低いこと、を特徴とする反射体制御方式の高速炉。
- 前記炉心下端から炉心高さの略1/10ないし略1/5から略1/2までの領域に比べて、この領域以外の炉心での核分裂性物質割合を増加させて成ること、を特徴とする請求項1記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記炉心高さの略1/10ないし略1/5から略1/2までの領域に比べて、この領域以外の炉心での燃料スメア密度を増加させて成ること、を特徴とする請求項1記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記軸方向中央部近辺の反射体微分反応度の低減手段は、前記炉心高さの略1/10ないし略1/5から略1/2までの領域に比べて、この領域以外の炉心での燃料径を増加させて成ること、を特徴とする請求項1記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記炉心高さの略1/10ないし略1/5から略1/2までの領域に比べて、この領域以外の炉心での核分裂性物質割合、燃料スメア密度及び燃料径のいずれか一方を増加させて成ること、を特徴とする請求項1記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記炉心下端から炉心高さの略1/10ないし略1/5から略1/2までの領域及びその上方の領域において、徐々に上方部分にかけて核分裂性物質割合、燃料スメア密度及び燃料径のいずれか一方を増加させて成ること、を特徴とする請求項1記載の反射体制御方式の高速炉。
- 液体金属の冷却材に浸された炉心の外側に設置された中性子反射体を上下方向に移動させて炉心からの中性子の漏洩を調整することによって炉心の反応度を制御する反射体制御方式の高速炉において、前記中性子反射体を上部、中央部、下部と区分した場合、前記炉心の軸方向中央部及び下部の反射体微分反応度をこの軸方向上部の反射体微分反応度より低いこと、を特徴とする反射体制御方式の高速炉。
- 前記炉心高さの略1/2から上の領域のみを、核分裂性物質割合、燃料スメア密度及び燃料径のいずれか一方をその下方の領域よりも増加させて成ること、を特徴とする請求項7記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記炉心下端から炉心高さの略1/10ないし略1/5から略1/2までの領域または炉心下端から略1/2までの領域における燃料中に含まれるマイナーアクチニドの混合割合が他の領域よりも増加させて成ること、を特徴とする請求項7記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記炉心下端から略1/10ないし略1/5までを除いて、マイナーアクチニドの混合割合を炉心下部ほど増加させて成ること、を特徴とする請求項7記載の反射体制御方式の高速炉。
- 前記マイナーアクチニドがネプツニウム及びアメリシウムのいずれか一方であること、を特徴とする請求項9又は10記載の反射体制御方式の高速炉。
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