JP2005335988A - ダイヤモンド膜付き基板とダイヤモンド膜およびそれらの形成方法、半導体装置、光デバイス、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、装飾表示基板並びに砥粒 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板、例えば酸化マグネシウム基板10上にイリジウム層11が形成されたダイヤモンド成長基板に、所定のパターンに沿って単結晶のダイヤモンド膜13が形成された構成とする。ダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、これを所定のパターンに加工し、この表面に単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、形成する。
【選択図】図1
Description
図11は、従来例に係るダイヤモンドを形成する方法を示す断面図である。
シリコンなどの基板100上に気相成長によりダイヤモンド膜101を形成する。
高圧下で合成したダイヤモンドを基板(高圧ダイヤモンド基板)110として、ホモエピタキシャル成長によりダイヤモンド膜111を形成する。
ここで、上記のいずれの方法でも、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値とダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に形成することが非常に難しい。
好ましくは所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜であり、あるいは好ましくは単結晶あるいは高配向のダイヤモンド膜である。
また、b/a比としては、好ましくは1/50、より好ましくは1/100、さらに好ましくは1/150である。
図1は、本実施形態に係るダイヤモンド膜付き基板の断面図である。
例えば、ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板として、酸化マグネシウム基板10上に、イリジウム層11が形成されている。
イリジウム層11との境界における酸化マグネシウム基板10の表面が(100)面であり、イリジウム層11の表面が(100)面であってダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となっている。
このイリジウム層11のダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面に、所定のパターンに沿って、単結晶のダイヤモンド膜13が形成されている。
また、ダイヤモンド膜が所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜である。例えば、3mm×3mm、5mm×5mm、10mm×10mmなどの正方形形状や、あるいは5mm×3mm、7mm×3mm、10mm×3mmなどの長方形形状など、所望するサイズおよび形状に制御して実現することが可能となっている。
例えば、ダイヤモンド膜13は単結晶ダイヤモンド膜であって、面積が例えば4mm×9mm程度であり、厚みが数100μm以下である。
また、本実施形態に係る上記のダイヤモンド膜は単結晶であるので、例えばダイヤモンド膜を半導体材料あるいは光デバイス材料などに用いた場合に、ダイヤモンドの電気的、機械的、熱的、光学的特性を最大限に引き出して利用することができ、基板の大きさや導電性の均一性、電気抵抗値なども問題がない。
また、例えば、上記のダイヤモンド膜付き基板からダイヤモンド膜を剥離して用いることも可能であり、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、砥粒などに適用することが可能である。
まず、図2(a)に示すように、例えば、酸化マグネシウム基板10を準備する。酸化マグネシウム基板10の主面F1は(100)面とする。
次に、図2(b)に示すように、酸化マグネシウム基板10の主面F1上に、イリジウム層11をエピタキシャル成長により形成する。イリジウム層11の表面F2も(100)面として形成され、ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となる。
以上で、ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板が形成される。
上記のイオン照射の条件としては、例えば、電流密度を200mA/cm2、反応圧力を115Torr、CH4/H2ガス混合比を2%、ガス流量を200sccm、放電電圧を390V、ダイヤモンド成長基板の温度を940℃、照射時間を3分とする。
次に、図3(b)に示すように、レジスト膜Rをマスクとしてイオンビームエッチングなどのエッチング処理Etを施し、所定のダイヤモンド成長領域のパターンに加工されたイオン照射層12aとする。この後、アッシング処理などによりレジスト膜Rを除去する。
上記のエピタキシャル成長の条件としては、ダイヤモンド成長基板と対向電極に印加する電圧の極性を上記のイオン照射におけるプラズマとは逆にして(基板側を負電位の陰極とし、対向電極をアースとする陽極として)、例えば、放電電流を(600〜1000)×3mA、反応圧力を120Torr、CH4/H2ガス混合比を1〜5%、ダイヤモンド成長基板の温度を980〜1200℃、成長時間を20〜120分とする。
図3(c)上は、ピラミッド型のダイヤモンド膜13aが形成されていることを示しているが、ダイヤモンド成長領域のパターン形状や、エピタキシャル成長の時間などを含む条件を調整することにより、種々の形状に制御してダイヤモンド膜13を形成することができる。
図4(a)は図3(c)と同様のピラミッド型の形状に成長したダイヤモンド膜13aの斜視図であり、図4(b)は上面図である。
ダイヤモンド膜13aの表面は、実質的に4つの三角形状の面から構成され、これらはイリジウム層の(100)面F2に対して斜めに傾斜した(111)面F3となっている。
上記の形状のダイヤモンド膜は、イリジウム層の(100)面上にダイヤモンド成長領域を正方形に取り、4つの辺から成長する面にそれぞれ(111)面が出現する条件に調整することで、形成することができる。
ダイヤモンド膜13bの表面は、側面がイリジウム層の(100)面F2に対して斜めに傾斜した(111)面F4となっており、上面に(100)面F5が出現している。
上記の形状のダイヤモンド膜は、イリジウム層の(100)面上にダイヤモンド成長領域を直線状に取り、上記と同様に各側面に(111)面が出現する条件に調整することで、形成することができる。
ダイヤモンド膜に対するホウ素などのp型の導電性不純物は、(100)面および(111)面のいずれに対しても導入することができるが、リンなどのn型の導電性不純物は、(100)面には導入することができず、(111)面には導入が可能である。
従って、上記のピラミッド型や直線状のパターンで形成されたダイヤモンド膜は、それぞれ(111)面を有しているので、n型不純物とp型不純物のいずれも導入することが可能となっており、それらの導入により、ダイヤモンドを用いた半導体デバイスを実現するこことができる。
また、図6(a)に示すピラミッド型の形状のダイヤモンド膜13aからさらに横方向にエピタキシャル成長させることで、図6(b)に示すように、平面状のダイヤモンド膜13cに成長させることができる。
このb/a比としては、好ましくは1/50、より好ましくは1/100、さらに好ましくは1/150である。従来薄くするほど形成するのが困難となっていたが、本実施形態においては、従来では実現できなかった薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に実現できる。
また、本実施形態でダイヤモンド膜を形成するときには、所定のサイズおよび形状に制御して成長させる。3mm×3mm、5mm×5mm、10mm×10mmなどの正方形形状や、あるいは5mm×3mm、7mm×3mm、10mm×3mmなどの長方形形状など、所望するサイズおよび形状に制御して形成する。
例えば、ダイヤモンド膜13は単結晶ダイヤモンド膜であって、面積が例えば4mm×9mm程度であり、厚みが数100μm以下とする。
また、ダイヤモンド膜が単結晶であるので、例えばダイヤモンド膜を半導体材料や光デバイス材料として用いる場合にもダイヤモンドの特性を十分に活かすことができ、また、基板の大きさや導電性の均一性、電気抵抗値なども問題がない。
本実施形態に係るダイヤモンド膜は、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値とダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下となっている。
上記のb/a比としては、好ましくは1/50、より好ましくは1/100、さらに好ましくは1/150である。本実施形態のダイヤモンド膜においては、従来では実現できなかった薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に実現できる。
例えば、ダイヤモンド膜13は単結晶ダイヤモンド膜であって、面積が例えば4mm×9mm程度であり、厚みが数100μm以下である。
ここで、高配向ダイヤモンド膜とは、単結晶程に結晶粒界が少なくはないが、結晶の向きが比較的揃っている状態で、例えばシリコン基板にバイアス処理を行い、ダイヤモンドを成長させる場合などに形成することができる。
また、ヘテロエピタキシャル成長以外の方法、例えばシリコン基板上にダイヤモンドを成長させる方法や、シリコン基板にバイアス処理を行ってからダイヤモンドを成長させる方法でダイヤモンド膜を形成し、これを剥離して得ることで、多結晶あるいは高配向のダイヤモンド膜を形成することができる。
上記以外は、第1実施形態と同様にして形成することが可能である。
さらに、例えば窓材に利用する場合には純度が高い方が好ましいが、多結晶あるいは高配向のダイヤモンド膜でも表面を研磨することなどにより好ましく用いることが可能である。素子の放熱板などに利用する場合にも、単結晶、多結晶あるいは高配向のいずれのダイヤモンド膜を用いることが可能である。
マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品あるいは砥粒などの微細なパターンや形状を制御して形成することが可能である。
図4(a)および(b)に示す構造のダイヤモンド膜の電子顕微鏡写真を撮影した。図7は1つのピラミッド型のダイヤモンド膜を斜め上方から観察した電子顕微鏡写真であり、図8は複数のピラミッド型のダイヤモンド膜を上面から観察した写真である。
ダイヤモンド膜がピラミッド型の形状となっていることが確認できる。
図5(a)および(b)に示す構造と同様のダイヤモンド膜の電子顕微鏡写真を撮影した。図9は複数本の直線状のダイヤモンド膜を斜め上方から観察した写真である。
ダイヤモンド膜の長手方向の2つの側面である(111)面が頂部まで延びており、図5(a)および(b)に示す(100)面は出現していない構造となっている。
図10は本発明に係るダイヤモンド膜で構成したマイクロフィルタの電子顕微鏡写真である。
薄いダイヤモンド膜に、所定パターンのフィルタ機能として、直径数μmの孔が多数開口している構成である。ダイヤモンド成長基板からは剥離されて用いられる。
ダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、マイクロフィルタの開口部となる部分を除去するようにイオン照射層をパターン加工し、イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、ダイヤモンド膜をダイヤモンド成長基板から剥離して、形成することができる。
まず、本発明のダイヤモンド膜付き基板において、ダイヤモンド膜中にn型および/またはp型の導電性不純物が導入することで、高周波用半導体装置やスイッチング用半導体装置などの半導体装置とすることができる。
また、ダイヤモンド成長基板上に所定のパターンに沿って光導波路となる単結晶のダイヤモンド膜が形成された構成として、優れた半導体的性質を利用したレーザーやダイオードなどの光デバイスとすることができる。
さらに、ダイヤモンド成長基板に、ダイヤモンド膜が、装飾および/または情報の表示のパターンに沿って形成されている構成として装飾表示基板とすることができる。
また、所定のパターンのマイクロマシン用部品の形状として、マイクロマシン用部品とすることができる。マイクロマシン用部品を形成する場合には、同一基板上に複数個の前記マイクロマシン用部品が同時に形成されたものであることは好ましい。
さらに、ダイヤモンド膜をダイヤモンド成長基板から剥離して砥粒とすることができる。この場合、ダイヤモンドの粒子が、立方体構造、直方体構造、六八面体構造および/あるいは角錐型構造を有することが好ましい。本実施形態において、ダイヤモンド膜(粒子)のサイズや形状を種々に制御して、所望のサイズや形状の砥粒となるダイヤモンド膜を得ることができる。
例えば、ダイヤモンド成長基板は、酸化マグネシウム基板にイリジウム層が形成された基板の他、ダイヤモンドが成長可能な基板であれば特に限定はない。
本発明のダイヤモンド膜付き基板、ダイヤモンド膜およびそれらの形成方法は、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値とダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下の薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に形成するために開発されたが、いうまでもなく、本発明は上記よりも厚い領域にも適用可能であり、種々のサイズや形状のダイヤモンド膜を有する基板およびその形成方法を実現することができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
11…イリジウム層
12,12a…イオン照射層
13,13a,13b,13c…ダイヤモンド膜
100…シリコン基板
101…ダイヤモンド膜
110…高圧ダイヤモンド基板
111…ダイヤモンド膜
D…結晶欠陥
R…レジスト膜
Claims (42)
- ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板と、
前記ダイヤモンド成長基板上に、所定のパターンに沿って形成された単結晶のダイヤモンド膜と
を有するダイヤモンド膜付き基板。 - 前記ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値と前記ダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下である
請求項1に記載のダイヤモンド膜付き基板。 - 前記ダイヤモンド膜が所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜である
請求項2に記載のダイヤモンド膜付き基板。 - 前記ダイヤモンド成長基板は、ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長が可能な表面を有する
請求項1に記載のダイヤモンド付き基板。 - 前記ダイヤモンド成長基板は、少なくとも表層にイリジウム層が形成された基板である
請求項1に記載のダイヤモンド膜付き基板。 - 前記イリジウム層の表面が(100)面であって前記ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となっている
請求項5に記載のダイヤモンド膜付き基板。 - 前記ダイヤモンド成長基板は、単結晶の酸化マグネシウム基板と、前記酸化マグネシウム基板の表面に形成された前記イリジウム層とを有する
請求項5に記載のダイヤモンド膜付き基板。 - 前記イリジウム層との境界における前記酸化マグネシウム基板の表面が(100)面であり、
前記イリジウム層の表面が(100)面であって前記ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となっている
請求項7に記載のダイヤモンド膜付き基板。 - 前記ダイヤモンド膜の表面に(111)面が出現している
請求項1に記載のダイヤモンド膜付き基板。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させて、形成したことを特徴とする
ダイヤモンド膜付き基板。 - ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値と前記ダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下である
ダイヤモンド膜。 - 前記ダイヤモンド膜が所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜である
請求項11に記載のダイヤモンド膜。 - 前記ダイヤモンド膜が高配向あるいは単結晶ダイヤモンド膜である
請求項11に記載のダイヤモンド膜。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、ダイヤモンド膜を前記ダイヤモンド成長基板から剥離して、形成したことを特徴とする
ダイヤモンド膜。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成する工程と、
前記イオン照射層を所定のパターンに加工する工程と、
所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させる工程と
を有するダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - 前記ダイヤモンド膜を成長させる工程において、前記ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値と前記ダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下として形成する
請求項15に記載のダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - 前記ダイヤモンド膜を成長させる工程において、所定のサイズおよび形状に制御して成長させる
請求項16に記載のダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - 前記ダイヤモンド成長基板として、少なくとも表層にイリジウム層が形成された基板を用いる
請求項15に記載のダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - 前記ダイヤモンド成長基板として、前記イリジウム層の表面が(100)面であって前記ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となっている基板を用いる
請求項18に記載のダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - 前記ダイヤモンド成長基板として、単結晶の酸化マグネシウム基板と、前記酸化マグネシウム基板の表面に形成された前記イリジウム層とを有する基板を用いる
請求項19に記載のダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - 前記ダイヤモンド成長基板として、前記イリジウム層との境界における前記酸化マグネシウム基板の表面が(100)面であり、前記イリジウム層の表面が(100)面であって前記ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となっている基板を用いる
請求項20に記載のダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - ダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させる工程において、表面に(111)面が出現するダイヤモンド膜を成長させる
請求項15に記載のダイヤモンド膜付き基板の形成方法。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成する工程と、
前記イオン照射層を所定のパターンに加工する工程と、
所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記ダイヤモンド膜を前記ダイヤモンド成長基板から剥離する工程と
を有するダイヤモンド膜の形成方法。 - 前記ダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させる工程において、前記ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値と前記ダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下であるダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させる
請求項23に記載のダイヤモンド膜の形成方法。 - 前記ダイヤモンド膜を成長させる工程において、所定のサイズおよび形状に制御して成長させる
請求項24に記載のダイヤモンド膜の形成方法。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板と、前記ダイヤモンド成長基板上に所定のパターンに沿って形成され、半導体である単結晶のダイヤモンド膜とを有し、
前記ダイヤモンド膜中に、n型および/またはp型の導電性不純物が導入されている
半導体装置。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、前記ダイヤモンド膜中にn型および/またはp型の導電性不純物が導入して、形成したことを特徴とする
半導体装置。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板と、前記ダイヤモンド成長基板上に所定のパターンに沿って形成され、光導波路となる単結晶のダイヤモンド膜とを有する
光デバイス。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させて、形成したことを特徴とする
光デバイス。 - 所定のパターンのフィルタ機能を有する形状を有するダイヤモンド膜を有し、
前記ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値と前記ダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下である
マイクロフィルタ。 - 前記ダイヤモンド膜が所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜である
請求項30に記載のマイクロフィルタ。 - 前記ダイヤモンド膜が高配向または単結晶ダイヤモンド膜である
請求項30に記載のマイクロフィルタ。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、所定のパターンのフィルタ機能を有する形状の単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、ダイヤモンド膜を前記ダイヤモンド成長基板から剥離して、形成したことを特徴とする
マイクロフィルタ。 - 所定のパターンのマイクロマシン用部品の形状を有するダイヤモンド膜を有し、
前記ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さaの値と前記ダイヤモンド膜の厚みbの値の比(b/a)が1/20以下である
マイクロマシン用部品。 - 前記ダイヤモンド膜が所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜である
請求項34に記載のマイクロマシン用部品。 - 前記ダイヤモンド膜が高配向または単結晶ダイヤモンド膜である
請求項34に記載のマイクロマシン用部品。 - 同一基板上に複数個の前記マイクロマシン用部品が同時に形成されたものである
請求項34に記載のマイクロマシン用部品。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、所定のパターンのマイクロマシン用部品の形状の単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、ダイヤモンド膜を前記ダイヤモンド成長基板から剥離して、形成したことを特徴とする
マイクロマシン用部品。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板と、前記ダイヤモンド成長基板上に所定のパターンに沿って形成され、半導体である単結晶のダイヤモンド膜とを有し、
前記ダイヤモンド膜が、装飾および/または情報の表示のパターンに沿って形成されている
装飾表示基板。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、所定の装飾および/または情報の表示のパターンの単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させて、形成したことを特徴とする
装飾表示基板。 - ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、前記イオン照射層を所定のパターンに加工し、所定のパターンに加工した前記イオン照射層の表面に、所定のパターンの単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、ダイヤモンド膜を前記ダイヤモンド成長基板から剥離して、形成したことを特徴とする
砥粒。 - 所定の形状のダイヤモンドの粒子からなる砥粒であって、前記ダイヤモンドの粒子が、立方体構造、直方体構造、六八面体構造および/あるいは角錐型構造を有する
砥粒。
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