JP2005335836A - Tftアレイ検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 TFTアレイ検査装置の設置面積を小さくし、また、基板を検査室に導入するために要する時間を短縮すること。このために、ロードロック室の排気時間を短縮し、ロードロック室に高真空を必要としないチャンバー構成とする。
【解決手段】 電子銃からTFT基板に電子線を照射し、当該電子線照射によりTFT基板のピクセルから発生する二次電子を検出することによってTFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置1において、真空状態においてTFT基板を検査する検査室2と、TFT基板を大気側との間でロード及びアンロードを行うロードロック室3とを備え、検査室2とロードロック室3とをそれぞれ異なる平面上に少なくとも一部を重ねて上下に配置する構成とする。また、ロードロック室3と搬送室4との間にゲートバルブを設けることによって、ロードロック室に高真空を必要としないチャンバー構成とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、TFTアレイ検査装置に関し、特に、検査室とロードロック室の配置及び真空排気系に関するものである。
TFT(薄膜トランジスタ)をアレイ状に配列した構成として例えば液晶基板があり、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)等に用いられている。
TFTを用いて構成される液晶ディスプレイは、TFT及びピクセル電極が形成された一方のガラス基板と対向電極が形成された他方のガラス基板との間に液晶を流しこんだ液晶パネルを基本構造としている。
TFT及びピクセル電極が形成されたガラス基板(以下「TFT基板」という。)の検査においては、電子線の電圧コントラスト技術を用いることによって、非接触で基板上の各ピクセルの状態を判定する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この電圧コントラスト技術を用いたTFT基板検査方法は、従来の機械的プローブを用いた検査方法に比べてコストが安く、また、光学的検査方法に比べて、検査速度が速いという利点を有する。
電圧コントラスト技術を用いたTFTアレイ検査装置では、検査されるTFT基板は高真空室内に搬送され、ステージ上に配置された状態で検査される。
検査装置は、電子線発生源、二次電子検出器及びデータ処理手段を備える。電子線発生源は、TFT基板の各ピクセルに電子線を照射し、二次電子検出器は電子線をTFT基板の各ピクセルに照射して発生した二次電子を検出する。また、二次電子検出器は、二次電子の検出量に基づいてピクセルの電圧波形に対応した波形を表わす信号をデータ処理手段(コンピュータシステム等)に出力する。データ処理手段は、二次電子検出器の出力信号を解析して、ピクセルの状態、特に、ピクセルの欠陥の有無や欠陥の内容を検査する。
検査されるTFT基板を高真空室内に搬送してステージ上に配置するために、TFTアレイ検査装置はロードロック室及び搬送室を備える。図10はTFTアレイ検査装置の一構成例を説明するための図である。
TFTアレイ検査装置は、真空状態において基板検査を行う検査室12と、大気側からTFT基板のロード及びアンロードを行うロードロック室13とを備え、搬送機構14aによりロードロック室13と検査室12との間においてTFT基板の搬送を行う。
搬送機構14aは、ロードロック室13と検査室12との間に設けた搬送室14に設置する構成の他、ロードロック室13内又は検査室12内に設置する構成とすることもできる。図10(a)は搬送室14内に設置する構成例を示し、図10(b)はロードロック室13内に設置する構成例を示し、図10(c)は検査室12内に設置する構成例を示している。
図10(a)に示す構成例では、大気側とロードロック室13との間にゲートバルブ15を備え、ロードロック室13と搬送室14との間にゲートバルブ16を備え、搬送室14と検査室12との間にゲートバルブ17を備える(特許文献2)。
また、ゲートバルブの個数を減らして、ゲートバルブの操作に伴う処理時間の長時間化を防ぐ構成も考えられる。図10(b)に示す構成例では、大気側とロードロック室13との間にゲートバルブ15を備え、ロードロック室13及び搬送室14を兼ねるチャンバーと検査室12との間にゲートバルブ17を備える。また、図10(c)に示す構成例では、大気側とロードロック室13との間にゲートバルブ15を備え、搬送室14及び検査室12を兼ねるチャンバーとロードロック室13との間にゲートバルブ17を備える。上記した従来のTFTアレイ検査室装置では、図10(a)〜(c)に示すように、ロードロック室と検査室を同一平面上に配置する構成としている。
図11は、従来の構成によるTFT検査装置において、TFT基板の移動状態を説明するための概略図であり、前記図10(b)に示す構成について示している。図11では、検査室で検査したTFT基板と、未検査のTFT基板とを入れ替える状態を示している。ゲートバルブ15を開いてロードロック室13内に未検査のTFT基板19を導入し(図11(b))、ゲートバルブ15を閉じて内部を排気し(図11(c))、ゲートバルブ17を開いて(図11(d))、検査済みのTFT基板18を検査室12aからロードロック室13aに移動し(図11(e))、未検査のTFT基板19をロードロック室13bから検査室12aに移動し(図11(f))、ゲートバルブ17を閉じた後ゲートバルブ15を開いて検査済みのTFT基板18を大気側に導出する。
図12は、このTFT基板の移動における時間経過を説明するための概略図である。図12において、経路Eは、検査室から検査済みの検査基板を導出する時間経過を示し、経路Fはロードロック室内に保持されていた未検査の検査基板を検査室に導入する時間経過を示している。また、符号T2で示す期間は、前回のTFT基板の検査が完了した時点から、次回のTFT基板の検査の為のアライメント開始時点までの期間を示している。
米国特許第5,982,190号明細書 特開2002−252155公報(段落0017,0018,図1)
従来のようにロードロック室と検査室を同一平面上に配置する構成では、搬送機構の為に設置面積が大きくなるという問題がある。
また、ロードロック室、搬送室及び検査室の各室間にゲートバルブを設ける構成では、ゲートバルブの操作により処理時間が長くなるという問題がある。また、ロードロック室内に搬送機構を組み込む構成では、ゲートバルブの操作時間は短縮されるものの、ロードロック室内の容積が大きくなるため排気に時間がかかる。
また、従来のロードロック機構は、ロードロック室や搬送室等の各チャンバー内を真空排気するために低真空ポンプと高真空ポンプとを接続した構成の排気系を用いて、各チャンバー内を高真空に真空引きしている。このような排気系では、所定の真空度まで真空引きするために、高真空ポンプによる時間排気に長時間を要するという問題がある。
このように、従来のTFTアレイ検査装置におけるチャンバーの配置及び排気系では、ロードロック室の排気に時間がかかるという問題がある。この排気時間はTFT基板の導入時間に影響し、TFT基板検査に要する処理時間が長くなるという問題が生じる。
そこで、本発明は上記課題を解決し、TFTアレイ検査装置の設置面積を小さくすることを目的とする。
また、基板を検査室に導入するために要する時間を短縮することを目的とし、このために、ロードロック室の排気時間を短縮することを目的とし、このためにロードロック室に高真空を必要としないチャンバー構成とすることを目的とする。
また、基板の検査室への導入時間を短縮して、TFTアレイ検査の処理時間を短縮することを目的とする。
上記目的を解決するために、本発明は、電子銃からTFT基板に電子線を照射し、当該電子線照射によりTFT基板のピクセルから発生する二次電子を検出することによってTFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、真空状態においてTFT基板を検査する検査室と、TFT基板を大気側との間でロード及びアンロードを行うロードロック室とを備え、検査室とロードロック室とをそれぞれ異なる平面上に少なくとも一部を重ねて上下に配置する構成とする。
本発明は、検査室とロードロック室とをそれぞれ異なる平面上において少なくとも一部を重ねて上下に配置する構成とすることによって、TFTアレイ検査装置の設置面積を小さくする。従来のTFTアレイ検査装置では検査室とロードロック室とを同一平面上に配置する構成であるため、TFTアレイ検査装置は少なくとも検査室を設置する面積とロードロック室を設置する面積とを加算した設置面積を必要とする。これに対して、本発明の構成によれば、検査室とロードロック室とは設置面積において少なくとも一部を共有することにより、TFTアレイ検査装置の設置面積を小さくすることができる。
また、検査室とロードロック室とをそれぞれ異なる平面上において少なくとも一部を重ねて上下に配置する構成において、検査室を上方に配置し、ロードロック室を下方に配置する構成とする。
この検査室を上方に設置する構成とすることで、検査室のメンテナンスを容易とすることができる。検査室は真空処理を行うためにシール機構を備えるが、検査室を下方に設置する構成の場合には、検査室内の設けられた機器のメンテナンスをシール機構を通して下方位置から行う必要があり、メンテナンス操作の工程数や操作の難易度が高くなる。これに対して、検査室を上方に設置する構成とする場合には、検査室内の設けられた機器のメンテナンスを検査室の上方から行うことができ、また、検査室の重量を利用して検査室内の密閉を高めることができるためシール機構を簡易なものとすることができる。
また、本発明のTFTアレイ検査装置は、ロードロック室と検査室との間に搬送室を備え、搬送室とロードロック室との間にゲートバルブを備える構成とする。この構成により、ロードロック室の容積を小さくして排気に要する時間を短縮し、処理時間を短縮することができる。また、ロードロック室の設置に要する面積を少なくし、検査室とロードロック室の上下配置と共に、TFTアレイ検査装置の設置面積の低減効果に寄与することができる。
また、本発明のTFTアレイ検査装置は、ロードロック室を低真空系のポンプ構成により真空排気し、検査室及び搬送室を高真空系のポンプ構成で真空排気する。ロードロック室を低真空系のポンプ構成で真空排気して、高真空状態まで真空引きすることなく低真空状態までの真空引きですませることにより、ロードロック室の排気時間を短縮することができる。これにより、基板の検査室への導入時間を短縮する。
さらに、搬送室とロードロック室との間に設けたゲートバルブに加えて、検査室とロードロック室との間にゲートバルブを備える構成とする。このゲートバルブによって、ロードロック室が低真空であっても、検査室内を短時間で高真空状態とすることができる。
本発明のTFT検査装置によれば、検査室とロードロック室とをそれぞれ異なる平面上に少なくとも一部を重ねて上下に配置するチャンバー構成とすることによって、TFTアレイ検査装置の設置面積を小さくすることができる。
また、この構成において、検査室とロードロック室との間にゲートバルブを備える構成とすることによって、搬送室を間に挟む構成としてロードロック室と検査室とを分離可能な構成とし、ロードロック室に高真空を必要としないチャンバー構成とする。
このロードロック室を高真空を必要としない構成として、ロードロック室の排気時間を短縮する。また、ロードロック室の排気時間を短縮することで、基板を検査室に導入する時間を短縮し、TFTアレイ検査の処理時間を短縮することができる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。
本発明のTFTアレイ検査装置は、前記した電子線発生源、二次電子検出器及びデータ処理手段を備える構成を検査室に備え、検査対象であるTFT基板を高真空の検査室内に搬送してステージ上に配置するために、ロードロック室及び搬送室を備える。
図1は本発明のTFTアレイ検査装置の一構成例を説明するための図である。
TFTアレイ検査装置は、真空状態において基板検査を行う検査室2と、大気側からTFT基板のロード及びアンロードを行うロードロック室3と、検査室2とロードロック室3との間に搬送室4を備える。搬送室4は搬送機構4aを備え、ロードロック室3と検査室2との間においてTFT基板の搬送を行う。
本発明のTFTアレイ検査装置1は、検査室2とロードロック室3とをそれぞれ異なる平面上において少なくとも一部を重ねて上下に配置する。また、搬送室4中の搬送機構4aは上下方向や水平方向に移動によってロードロック室3及び検査室2との間でTFT基板の搬送を行う。
検査室とロードロック室との配置構成は複数の形態とすることができる。図1(a)、(b)、(c)は第1〜3の配置形態を示し、検査室2をロードロック室3の上方に配置する構成例である。なお、第1の配置形態(図1(a))は、検査室2と搬送室4との境界部分を、検査室2が設置される上層側に設ける構成であり、第2の配置形態(図1(b))は、検査室2と搬送室4との境界部分を、検査室2が設置される下層側とロードロック室3が設置される上層側との間に設ける構成である。また、第3の配置形態(図1(c))は、第1の配置形態と同様の構成であって、検査室2と搬送室4との境界部分にゲートバルブ7を備える構成である。
また、図1(d)は第4の配置形態であり、検査室2をロードロック室3の下方に配置する構成例である。
また、第1、2,4の配置形態において、検査室2にはターボ分子ポンプTMP1〜TMP4とドライポンプDP1を含む高真空系のポンプ構成が接続され、搬送室4にはターボ分子ポンプTMP5とドライポンプDP2を含む高真空系のポンプ構成が接続され、ロードロック室3にはターボ分子ポンプTMP6とドライポンプDP3を含む高真空系のポンプ構成が接続されている。
一方、第3の配置形態では、検査室2及び搬送室4には前記した第1、2,4の配置形態と同様に、ターボ分子ポンプTMPとドライポンプDPを含む高真空系のポンプ構成が接続されるが、ロードロック室3にはドライポンプDP3のみの低真空系のポンプ構成が接続される。
図1に示す各形態の構成において、検査室2は導入されたTFT基板を支持して検査を行うステージ2aを備える。また、ロードロック室3は大気側と搬送室4との間にゲートバルブ5,6(第1ゲートバルブ5,第2ゲートバルブ6)を備え、ロードロック室3内のみを排気することができる。ロードロック室3内には基板支持部3a,3b(第1基板支持部3a,第2基板支持部3b)が設けられ、大気側から導入された未検査のTFT基板や検査室2で検査済みのTFT基板を一時的に保持し、大気側と検査室との間においてTFT基板の導出入を行う。
また、搬送室4は搬送機構4aを備え、検査室2との間及びロードロック室3との間でのTFT基板の受け渡しや、搬送室4内におけるTFT基板の移動を行う。
各形態は、検査室2とロードロック室3とをそれぞれ異なる平面上において少なくとも一部を重ねて上下に配置する構成とすることにより、設置面積に共有部分を設けてTFTアレイ検査装置全体の設置面積を小さくする。なお、図1(a),(c),(d)に示す形態では、検査室2の平面積とロードロック室3の平面積とを同面積とし、両面積部分を全て上下に重ねた状態を示しているが、検査室2とロードロック室3とを全て上下に重ねる構成である必要はなく、また、検査室2の平面積とロードロック室3の平面積とは必ずしも同一面積である必要はない。
検査室2とロードロック室3との少なくとも一部を上下に重ねることにより、その重なり合う部分の面積分だけでTFTアレイ検査装置全体の設置面積を小さくすることができる。
以下、図2〜図9を用いて本発明のTFTアレイ検査装置におけるTFT基板の移動について説明する。なお、図2〜図4及び図5,6は第1、3の配置形態であって、検査室を上方に配置しロードロック室を下方に配置して構成例であり、図8,9は第4の配置形態であって、検査室を下方に配置しロードロック室を上方に配置して構成例である。
はじめに、第1の配置形態において、検査室を上方に配置しロードロック室を下方に配置した構成例(図1(a)の形態)のTFT基板の移動について説明する。なお、一連の移動動作であるため、図2,3では(a)〜(u)を用い、図2,3間において連続する符号で示している。
第1ゲートバルブ5を開いて未検査の第1の検査基板8をロードロック室3内に導入し、導入した後第1ゲートバルブ5を閉じてロードロック室3内を排気する。図2(a)では、ロードロック室3の第1基板支持部3a上に配置する状態を示している。また、搬送室4内の搬送機構4aは支持部を第1基板支持部3aの高さに合わせて上下動させる。
搬送機構4aは支持部を第1基板支持部3a側に水平移動させ(図2(b))、第1基板支持部3aに支持されている第1の検査基板8を保持する(図2(c))。保持した第1の検査基板8を搬送室4内に水平移動させ(図2(d))、検査室2の高さに合わせて上方に移動させる(図2(e))。搬送機構4aは第1の検査基板8を検査室2側に水平移動させ(図2(f))、ステージ2a上に載置する(図2(g))。
また、図2(f),(g)の間、第1ゲートバルブ5を開いて未検査の第2の検査基板9をロードロック室3内に導入し、導入の後第1ゲートバルブ5を閉じてロードロック室3内を排気する。図2(g)では、ロードロック室3の第1基板支持部3a上に配置する状態を示している。
検査室2内において第1の検査基板8の検査を行う(図2(h))。検査が完了した後、搬送機構4aは支持部を検査室2に水平移動させ(図2(i))、ステージ2aに支持されている検査済みの第1の検査基板8を保持する(図2(j))。保持した第1の検査基板8を搬送室4内に水平移動させ(図2(k))、ロードロック室3の高さに合わせて下方に移動させ、第2ゲートバルブ6を開く(図2(l))。搬送機構4aは検査済みの第1の検査基板8をロードロック室3側に水平移動させ(図2(m))、第2基板支持部3b上に載置する(図2(n))。
搬送機構4aは支持部を搬送室2側に水平移動させ(図3(o))、ロードロック室3の第2基板支持部3aの高さに合わせて下方に移動させ(図3(p))、ロードロック室3の第2基板支持部3a側に水平移動させ(図3(q))、支持部上に未検査の第2の検査基板9を保持する(図3(r))。保持した第2の検査基板9を搬送室4内に水平移動させ(図3(s))、検査室2の高さに合わせて上方に移動させる。第2の検査基板9を搬送室4内に水平移動させた後は第2ゲートバルブ6を閉じる(図3(t))。搬送機構4aは第2の検査基板9を検査室2側に水平移動させ、ステージ2a上に載置する(図3(u))。
また、図3(u)の間、第1ゲートバルブ5を開いて検査済みの第1の検査基板8をロードロック室3から大気側に導出する。この後、図2(a)に戻って、次の検査基板をロードロック室3内に導入する。
図4は、上記した各動作の時間経過を示す図である。図4において、経路Aは、図2(h)〜図3(u)の工程を経て検査室から検査済みの検査基板を導出する時間経過を示し、経路Bは図3(p)〜図3(u)の工程を経てロードロック室内に保持されていた未検査の検査基板を検査室2に導入する時間経過を示している。
ここで、符号T1で示す期間は、前回のTFT基板の検査が完了した時点から、次回のTFT基板の検査の為のアライメント開始時点までの期間を示している。第1の形態による期間T1と前記図12で示した従来構成の期間T2とを比較すると、ロードロック室と搬送室と検査室とを備える構成とすることによって、検査間の時間を短縮することができる。
次に、第3の配置形態(図1(c)の形態)のTFT基板の移動について、図5,6を用いて説明する。第3の配置形態は、前記した第1の配置形態において検査室と搬送室との間に第3のゲートバルブ7を備えた構成であり、ロードロック室には低真空系の真空ポンプを接続する構成である。
なお、図5,6では一連の移動動作であるため、図2,3と同様に(A)〜(U)の連続する符号で示している。
図5(A)において、第1ゲートバルブ5を開いて未検査の第1の検査基板8をロードロック室3内に導入し、導入した後第1ゲートバルブ5を閉じてロードロック室3内を排気する。このとき、ロードロック室3には例えばドライポンプ等の低真空系の真空ポンプが接続されており、50Pa程度の真空度に真空引きされる。真空度が低いため、真空引きに要する時間は高真空に真空引きするよりも短時間とすることができる。
図5(A)では、ロードロック室3の第1基板支持部3a上に第1の検査基板8を配置する状態を示している。また、搬送室4内の搬送機構4aは支持部を第1基板支持部3aの高さに合わせて上下動させる。
第2ゲートバルブ6を開き、搬送機構4aにより支持部を第1基板支持部3a側に水平移動させて(図5(B))、ロードロック室3内の第1基板支持部3aに支持されている第1の検査基板8を保持する(図5(C))。保持した第1の検査基板8を搬送室4内に水平移動させて、第2ゲートバルブ6を閉じる(図5(D))。
第1の検査基板8を検査室2の高さに合わせて上方に移動させ(図5(E))。第3のゲートバルブ7を開いて、第1の検査基板8を検査室2側に水平移動させ(図5(F))、ステージ2a上に載置し第3のゲートバルブ7を閉じる(図5(G))。
また、図5(F),(G)の間、第1ゲートバルブ5を開いて未検査の第2の検査基板9をロードロック室3内に導入し、導入の後第1ゲートバルブ5を閉じてロードロック室3内を排気する。図5(G)では、ロードロック室3の第1基板支持部3a上に配置する状態を示している。
検査室2内を高真空系の真空ポンプで排気し、検査室2内において第1の検査基板8の検査を行う(図5(H))。検査が完了した後第3ゲートバルブ7を開き、搬送機構4aは支持部を検査室2に水平移動させ(図5(I))、ステージ2aに支持されている検査済みの第1の検査基板8を保持する(図5(J))。保持した第1の検査基板8を搬送室4内に水平移動させる(図5(K))。
第3ゲートバルブ7を閉じ、ロードロック室3の高さに合わせて下方に移動させ、第2ゲートバルブ6を開く(図5(L))。搬送機構4aは検査済みの第1の検査基板8をロードロック室3側に水平移動させ(図5(M))、第2基板支持部3b上に載置する(図5(N))。
送機構4aは支持部を搬送室2側に水平移動させ(図5(O))、ロードロック室3の第2基板支持部3aの高さに合わせて下方に移動させ(図5(P))、ロードロック室3の第2基板支持部3a側に水平移動させ(図5(Q))、支持部上に未検査の第2の検査基板9を保持する(図5(R))。保持した第2の検査基板9を搬送室4内に水平移動させ(図5(S))、検査室2の高さに合わせて上方に移動させる。第2の検査基板9を搬送室4内に水平移動させた後は第2ゲートバルブ6を閉じる(図5(T))。
第2の検査基板9を検査室2の高さに合わせて上昇させ、第3ゲートバルブ7を開き、第2の検査基板9を検査室2側に水平移動させ、ステージ2a上に載置させる(図5(U))。
また、図5(U)の間、第1ゲートバルブ5を開いて検査済みの第1の検査基板8をロードロック室3から大気側に導出する。この後、図5(A)に戻って、次の検査基板をロードロック室3内に導入する。
図7は、上記した第3の配置形態における各動作の時間経過を示す図であり、図7(a)はロードロック室を低真空系の真空ポンプで排気した場合の時間経過例を示し、図7(b)はロードロック室を高真空系の真空ポンプで排気した場合の時間経過例を示している。なお、時間間隔は説明の便宜上から模式的に示しているに過ぎず、必ずしも実際の時間間隔を反映するものではない。図7(a),(b)において、経路C,Dはロードロック室に搬入された未検査の検査基板を検査室2に導入する時間経過を示している。
図7(a)及び図7(b)のロードロック室における排気時間を比較すると、第3の配置形態のようにロードロック室を低真空系の真空ポンプで排気した場合には、高真空とするための長い排気時間を要さないため、短時間とすることができる。
次に、検査室を下方に配置しロードロック室を上方に配置して構成例(図1(d)の形態)においてTFT基板の移動について図8,9を用いて説明する。以下に示す移動動作は、図2,3で示した移動動作とほぼ同様とすることができる。
なお、一連の移動動作であるため、前記した図2,3と同様に、図8,9では(a)〜(u)の連続する符号で示している。
第1ゲートバルブ5を開いて未検査の第1の検査基板8をロードロック室3内に導入し、導入した後第1ゲートバルブ5を閉じてロードロック室3内を排気する。図8(a)では、ロードロック室3の第1基板支持部3a上に配置する状態を示している。また、搬送室4内の搬送機構4aは支持部を第1基板支持部3aの高さに合わせて上下動させる。
搬送機構4aは支持部を第1基板支持部3a側に水平移動させ(図8(b))、第1基板支持部3aに支持されている第1の検査基板8を保持する(図8(c))。保持した第1の検査基板8を搬送室4内に水平移動させ(図8(d))、検査室2の高さに合わせて下方に移動させる(図8(e))。搬送機構4aは第1の検査基板8を検査室2側に水平移動させ(図8(f))、ステージ2a上に載置する(図8(g))。
また、図8(f),(g)の間、第1ゲートバルブ5を開いて未検査の第2の検査基板9をロードロック室3内に導入し、導入の後第1ゲートバルブ5を閉じてロードロック室3内を排気する。図8(g)では、ロードロック室3の第1基板支持部3a上に配置する状態を示している。
検査室2内において第1の検査基板8を行う(図8(h))。検査が完了した後、搬送機構4aは支持部を検査室2に水平移動させ(図8(i))、ステージ2aに支持されている検査済みの第1の検査基板8を保持する(図8(j))。保持した第1の検査基板8を搬送室4内に水平移動させ(図8(k))、ロードロック室3の高さに合わせて上方に移動させ、第2ゲートバルブ6を開く(図8(l))。搬送機構4aは検査済みの第1の検査基板8をロードロック室3側に水平移動させ(図8(m))、第2基板支持部3b上に載置する(図8(n))。
搬送機構4aは支持部を搬送室2側に水平移動させ(図9(o))、ロードロック室3の第2基板支持部3aの高さに合わせて下方に移動させ(図9(p))、ロードロック室3の第2基板支持部3a側に水平移動させ(図9(q))、支持部上に未検査の第2の検査基板9を保持する(図9(r))。保持した第2の検査基板9を搬送室4内に水平移動させ(図9(s))、検査室2の高さに合わせて下方に移動させる。第2の検査基板9を搬送室4内に水平移動させた後は第2ゲートバルブ6を閉じる(図9(t))。搬送機構4aは第2の検査基板9を検査室2側に水平移動させ、ステージ2a上に載置する(図9(u))。
また、図9(u)の間、ゲートバルブ5を開いて検査済みの第1の検査基板8をロードロック室3から大気側に導出する。この後、図8(a)に戻って、次の検査基板をロードロック室3内に導入する。
なお、検査室と搬送室との間に設けられる第3ゲートバルブは、検査室と搬送室との間のリークを完全に遮断する必要はなく、両室間を流通する気体のコンダクタンスを小さくするだけでもよい。両室間を流通する気体のコンダクタンスを小さくすることによって、搬送室から高真空度への気体の流入を低減させ、これによって検査室における真空排気に要する時間を短縮することができる。
また、この第3ゲートバルブとしてコンダクタンスを小さくする効果でよい場合には、ゲートバルブの構造を簡易なものとすることができるため、TFT検査装置の全体のコストを下げることもできる。
また、上記した例において、高真空として例えば50Pa〜0.1Paとし、低真空として〜50Pa程度とすることができるが、必ずしもこの数値である必要はない。
本発明のTFTアレイ検査装置のほか、真空処理室及びロードロック室を利用する装置に適応することが可能である。例えば、電子線やイオンビームを用いた露光装置、電子顕微鏡等に適用することができる。
本発明のTFTアレイ検査装置の一構成例を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の構成例の動作を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の構成例の動作を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の構成例の動作の時間経過を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の他の構成例の動作を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の他の構成例の動作を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の他の構成例の動作の時間経過を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の別の構成例の動作を説明するための図である。 本発明のTFTアレイ検査装置の別の構成例の動作を説明するための図である。 従来のTFTアレイ検査装置の構成例を説明するための図である。 従来のTFTアレイ検査装置の構成例の動作を説明するための図である。 従来のTFTアレイ検査装置の構成例の動作の時間経過を説明するための図である。
符号の説明
1,11…TFTアレイ検査装置、2,12…検査室、2a,12a…ステージ、3,13…ロードロック室、3a…第1基板支持部、3b…第2基板支持部、4,14…搬送室、4a,14a…搬送機構、5,6,7,15,16,17…ゲートバルブ、8,9…検査基板、13a,13b…基板保持部。

Claims (5)

  1. 電子銃からTFT基板に電子線を照射し、当該電子線照射によりTFT基板のピクセルから発生する二次電子を検出することによってTFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、
    真空状態においてTFT基板を検査する検査室と、
    TFT基板を大気側との間でロード及びアンロードを行うロードロック室とを備え、前記検査室と前記ロードロック室とをそれぞれ異なる平面上に少なくとも一部を重ねて上下に配置することを特徴とするTFTアレイ検査装置。
  2. 前記検査室を上方に配置することを特徴とする請求項1に記載のTFTアレイ検査装置。
  3. 前記ロードロック室と前記検査室との間にTFT基板を上下方向に搬送する搬送室を備え、当該搬送室とロードロック室との間にゲートバルブを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のTFTアレイ検査装置。
  4. 前記ロードロック室は低真空系のポンプ構成により真空排気し、前記検査室及び前記搬送室は高真空系のポンプ構成で真空排気することを特徴とする請求3に記載のTFTアレイ検査装置。
  5. 前記検査室と前記搬送室との間にゲートバルブを備えることを特徴とする請求項4に記載のTFTアレイ検査装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008032432A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Shimadzu Corp Tft基板検査装置およびtft基板検査方法
JP4692895B2 (ja) * 2006-07-26 2011-06-01 株式会社島津製作所 Tft基板検査装置およびtft基板検査方法

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