JP2023108238A - 成膜装置およびその検査方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 221
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 89
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 36
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 32
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
Description
真空チャンバ内に配置され、内部が大気環境に保たれた大気ボックスと、
前記大気ボックスの複数の箇所にある、前記大気ボックスの内部の大気がリークするリーク箇所の候補のうちの1箇所にヘリウムを供給する第1供給手段と、
前記複数の箇所のうちのヘリウムが供給されていない箇所に、ヘリウムとは異なるガスを供給する第2供給手段と、
前記第1供給手段によりヘリウムが供給され前記第2供給手段により前記異なるガスが供給された前記大気ボックスから、リークしたヘリウムが検出されるかどうかを判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする成膜装置である。
真空チャンバ内に配置され、内部が大気環境に保たれた大気ボックスの複数の箇所にある、前記大気ボックスの内部の大気がリークするリーク箇所の候補のうちの1箇所にヘリウムを供給する第1供給ステップと、
前記複数の箇所のうちのヘリウムが供給されていない箇所に、ヘリウムとは異なるガスを供給する第2供給ステップと、
前記第1供給ステップによりヘリウムが供給され前記第2供給ステップにより前記異なるガスが供給された前記大気ボックスから、リークしたヘリウムが検出されるかどうかを判定する判定ステップと、
を有することを特徴とする成膜装置の検査方法である。
(成膜装置)
図1は、実施例に係る、有機ELディスプレイを製造するインライン式の成膜装置500の構成を示す模式的な平面図である。有機ELディスプレイは、一般的に、回路素子を形成する回路素子形成工程と、基板上に有機発光素子を形成する有機発光素子形成工程と、形成した有機発光層上に保護層を形成する封止工程と、を経て製造される。実施例に係る成膜装置500は有機発光素子形成工程を主に行う。
4、基板搬出室545、の各チャンバを備える。
基板キャリアCの構成と基板Sの保持について説明する。図2(a)は基板キャリアCの模式的平面図である。基板キャリアCは、平面視で略矩形の平板状の構造体である。ここで、成膜装置内には、キャリア搬送経路の両側に沿ってキャリア搬送ローラが複数配置されている。基板キャリアCの搬送時には、基板キャリアCの四辺のうち、搬送方向に沿った対向する二辺がキャリア搬送ローラによって支持される。キャリア搬送ローラが回転することにより、基板キャリアCが搬送方向に移動する。
図3は、基板Sを基板キャリアCに取り付け、その基板キャリアCを反転してマスクMへ載置するまでの様子を示す模式的断面図である。図3(a)は、合流室503等において行われる、保持面405が上方を向いた基板キャリアCにより基板Sが支持される様子を示す。基板Sがキャリア面板401の保持面405に向かって下降していき、図3(b)に示すようにチャック部材402によって保持された状態となる。
行う撮影手段が配置されている。アライメント装置の制御部は、撮影手段により基板上の基板アライメントマークとマスク上のマスクアライメントマークを撮像し、基板アライメントマークとマスクアライメントマークが所定の位置関係になるように、基板キャリアCとマスクMを相対的にXY平面内で移動させる。そして、所定の位置関係になった時点で基板キャリアCとマスクMの少なくともいずれか一方をZ方向に移動させて、マスクMに基板キャリアCを載置する。そして、図3(d)のように基板キャリアCを載せた状態のマスクMが、マスク搬送ローラによって成膜システム内を移動しながら、成膜を受ける。
図4を参照して、大気ボックスおよび回転台を含むチャンバの構成の一例を説明する。図4は、キャリア分離室531(第1の分離室)のチャンバの内部の断面図であり、基板キャリアCを載置した状態のマスクMがチャンバ内に搬入されている状態を示す。
本実施例では、成膜装置500内の各チャンバにおける、基板キャリアCとマスクMの取り付け、分離、搬入および搬出のパターンについて、図面を参照しながら説明する。これにより、成膜装置500のチャンバ内におけるマスクMの回転の適用例を説明する。具
体的には、基板キャリアCとマスクMの合流が発生するマスク組込室510、基板キャリアCを載置したマスクMが旋回する回転室522と524、および、基板キャリアCがマスクMから分離され得るキャリア分離室531(第1の分離室)とキャリア分離室532(第2の分離室)における動作説明を行う。
マスク組込室510には、基板キャリアCが左から、マスクMが下からそれぞれ搬入される。マスク組込室510には、キャリア分離室531と同様の回転台が設けられており、回転台がXY平面内で回転することにより、マスクMの向きも90度変化する。基板キャリアCはキャリア搬送ローラにより、マスクMはマスク搬送ローラにより、それぞれ右に搬送される。なお、実施例の構成では、アライメント室511において基板キャリアCがマスクMに載置されるが、マスク組込室510において載置を行ってもよい。
回転室522には、基板キャリアCが載置されたマスクMが左から搬入される。回転室522にも回転台が設けられており、回転台の回転により、マスクMおよび基板キャリアCの向きが90度変化する。回転室524には、基板キャリアCが載置されたマスクMが上から搬入される。回転室524にも回転台が設けられており、回転台の回転により、マスクMおよび基板キャリアCの向きが90度変化する。
キャリア分離室531には、基板キャリアCが載置されたマスクMが右から搬入される。キャリア分離室531では、基板キャリアCが、キャリアZ駆動部231の動作によってマスクから分離され、キャリア搬送ローラ220に支持される。
キャリア分離室531において、マスクMは2通りの動作を行い得る。まず、マスク交換などの理由でマスクMを成膜装置500から搬出する場合は、キャリア分離室531内
の回転台245が回転し、マスクMの向きを90度変化させる。そして、図6のようにマスク搬送ローラ210がY方向に連続した状態になったら、マスクMを下に搬出する。
一方、マスクMを次回の成膜に再利用する場合は、回転台245を回転させずに、図5のようにマスク搬送ローラ210がX方向に連続した状態で、マスクMを左に搬出する。なお、(3-1)と(3-2)どちらの場合も、基板キャリアCは基板搬送ローラによって左に搬出される。実施例の構成では、キャリア分離室531で必ず基板キャリアCを分離しているが、本発明はこれに限定されない。(3-2)のようにマスクMを再利用する場合は、マスクMに基板キャリアCを取り付けたまま左に搬出し、キャリア分離室532で分離を行うようにしてもよい。
(4-1)
マスク交換が発生する場合は、キャリア分離室532には、マスクMが下から搬入される。ここで、キャリア分離室532にも回転台が設けられており、(4-1)の場合は、マスク搬送ローラが上下方向に連続するように制御されている。よって、搬入されたマスクMは向きを変えずにそのまま上に搬出される。
一方、マスクMを再利用する場合は、キャリア分離室532には、マスクMが右から搬入される。この場合は、マスク搬送ローラが左右方向に連続するように回転台が制御される。そして、マスクMが搬入された後、回転台が90度回転する。そして、マスクMが上に搬出される。なお、(4-1)と(4-2)どちらの場合も、成膜済みの基板Sを保持している基板キャリアCは、右から搬入されて左に搬出される。したがって(4-1)の場合は、マスクMと基板キャリアCが上下に離間した状態で、それぞれマスク搬送ローラとキャリア搬送ローラに支持されながら搬送されてくる。
続いて、図9~図11のチャンバ断面図を参照しつつ、マスクMの回転および搬送の具体的な例を説明する。ここでは、上記(3-1)のように、キャリア分離室531においてマスク交換が発生する場合を例として説明する。各図において、説明に不要な一部の構成要素については、符号を省くか、記載自体を省略している。
により支持される様子を示す。まず、キャリア支持部230の突出部が基板キャリアCの溝部と噛み合い、基板キャリアCが支持される。そして、キャリアZ駆動部231がキャリア駆動軸232を介してキャリア支持部230を持ち上げることで、基板キャリアCがマスクMから分離して上昇する。キャリアZ駆動部231は、キャリア搬送ローラ220の設置されている高さよりも上に、基板キャリアCを持ち上げる。続いて、キャリア搬送ローラの駆動部222a、222bが、キャリア搬送ローラ220a、220bを、ローラの回転軸方向において接近させることで、キャリア搬送ローラ220a、220bが退避位置から支持位置に移動する。続いて、キャリアZ駆動部231が基板キャリアCを下降させてキャリア搬送ローラ220上に載置する。
本実施例では、チャンバ内に配置された大気ボックスからのリークを精度良く検出する方法について説明する。
図13は、実施例2-1にかかるキャリア分離室531のチャンバ構成を示す模式的な断面図である。便宜上、8つある大気ボックス201のうちの1つに注目し、拡大して示
している。チャンバには、2つの挿通穴275a、275bが設けられている。大気ボックスからチャンバ内部へのリーク箇所の候補は、これらの挿通穴275a、275bである。
6)。したがって、ヘリウムディテクタ301がヘリウムを検出した場合、挿通穴275aでリークが発生していることが分かる。
図16は、ヘリウムディテクタ301が加圧積分法によりリーク検出を行う構成を示すブロック図である。図13と同じ部分については説明を省略する。大気ボックス201は、気密な被覆部320により全体が覆われている。プローブ270は、被覆部320の内部に配置されている。
図18は、ヘリウムディテクタ301がスニッファー法によりリーク検出を行う構成を示すブロック図である。図13と同じ部分については説明を省略する。大気ボックス201のリーク箇所の候補の付近それぞれには、吸い込みプローブ279(279a、279b)が配置されている。ヘリウムディテクタ301の本体は、各吸い込みプローブの収集した気体を分析してヘリウムの有無を検出する。
散したとしても、他のリーク発生候補箇所では大気等によりブロックされるので、リークの発生した箇所を特定することができる。したがって、成膜装置の大気ボックスからのリークを精度良く検出できる。
次に、本実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成を示し、有機EL表示装置の製造方法を例示する。
Claims (7)
- 真空チャンバ内に配置され、内部が大気環境に保たれた大気ボックスと、
前記大気ボックスの複数の箇所にある、前記大気ボックスの内部の大気がリークするリーク箇所の候補のうちの1箇所にヘリウムを供給する第1供給手段と、
前記複数の箇所のうちのヘリウムが供給されていない箇所に、ヘリウムとは異なるガスを供給する第2供給手段と、
前記第1供給手段によりヘリウムが供給され前記第2供給手段により前記異なるガスが供給された前記大気ボックスから、リークしたヘリウムが検出されるかどうかを判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記大気ボックスは、前記真空チャンバの内部に配置される機構を駆動する駆動手段を内包する
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記真空チャンバの内部に配置される機構には、基板上に薄膜を形成するための成膜源を移動させる成膜源搬送手段、前記基板を保持する基板キャリアを搬送するキャリア搬送手段、前記薄膜を形成するために前記基板と前記成膜源の間に配置されるマスクを搬送するマスク搬送手段、のうちの少なくともいずれか1つを含む
ことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記リーク箇所の候補とは、前記大気ボックスの内部から外部に貫通して配置される部材のための複数の貫通孔のうちの少なくともいずれかである
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記第1供給手段によりヘリウムが供給され前記第2供給手段により前記異なるガスが供給された前記大気ボックスからリークしたヘリウムが検出する検出手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。 - 前記検出手段は、前記複数の貫通孔のそれぞれに少なくとも1つが配置された複数のプローブを含むことを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 真空チャンバ内に配置され、内部が大気環境に保たれた大気ボックスの複数の箇所にある、前記大気ボックスの内部の大気がリークするリーク箇所の候補のうちの1箇所にヘリウムを供給する第1供給ステップと、
前記複数の箇所のうちのヘリウムが供給されていない箇所に、ヘリウムとは異なるガスを供給する第2供給ステップと、
前記第1供給ステップによりヘリウムが供給され前記第2供給ステップにより前記異なるガスが供給された前記大気ボックスから、リークしたヘリウムが検出されるかどうかを判定する判定ステップと、
を有することを特徴とする成膜装置の検査方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022009248A JP2023108238A (ja) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | 成膜装置およびその検査方法 |
KR1020220171357A KR20230114694A (ko) | 2022-01-25 | 2022-12-09 | 성막 장치 및 그 검사 방법 |
CN202211622059.5A CN116497345A (zh) | 2022-01-25 | 2022-12-16 | 成膜装置及其检查方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023108238A true JP2023108238A (ja) | 2023-08-04 |
Family
ID=87329081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2022009248A Pending JP2023108238A (ja) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | 成膜装置およびその検査方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023108238A (ja) |
KR (1) | KR20230114694A (ja) |
CN (1) | CN116497345A (ja) |
-
2022
- 2022-01-25 JP JP2022009248A patent/JP2023108238A/ja active Pending
- 2022-12-09 KR KR1020220171357A patent/KR20230114694A/ko unknown
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KR20230114694A (ko) | 2023-08-01 |
CN116497345A (zh) | 2023-07-28 |
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