JP2005333131A - Cmosイメージセンサー及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CMOSイメージセンサー100は光感知素子及び素子分離絶縁膜20a,20bが形成された基板;前記基板に形成された複数の金属層と酸化物薄膜層を含むイメージセンサーにおいて、金属層内側に離隔して形成された複数の反射層40a,40b;複数の反射層内側に酸化物薄膜層を所定の厚さでエッチングして製造した溝に形成されたカラーフィルター50;カラーフィルター上部の両側に所定の距離だけ離隔して形成された複数の突出部60a,60b;突出部及び酸化物薄膜層の最上部に形成された平坦層70;及び平坦層上に形成されたマイクロレンズ80;を含むことを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
CCDは、それぞれのMOS(Metal-Oxide-Silicon:以下、MOSと称する)キャパシタが互いに極めて近接に位置しており、電荷キャリアがキャパシタに保存され、搬送される素子である。CMOSイメージセンサーは、制御回路及び信号処理回路を周辺回路として用いるCMOS技術を利用して、画素数分MOSトランジスタを形成し、これを利用して次々出力を検出するスイッチ方式を採用する素子である。
一方、カメラ付き携帯電話の重要性が高くなるにつれ、カメラ付き携帯電話の消費電力を低減する方案が求められ、これによりCMOSイメージセンサーに対する関心が増加している。その理由は、CMOSイメージセンサーは、一般のシリコン半導体を生産するCMOS工程にて製作され、サイズが小さく、安価であると共に、消費電力が低いという長所を有するためである。
一方、カメラ付き携帯電話などの携帯機器がより小型化されていることから、カメラ付き携帯電話を構成する光学系に用いられる光学システムはコンパクト化、且つ高画質化している。従って、カメラ付き携帯電話などに用いられているCMOSの画素数が30万、100万、130万、200万、300万画素などへと増加し、センサーのピクセルサイズがより小さくなり、イメージモジュールのコンパクト化につれ、イメージセンサーの対角の長さがより減少している。これにより後焦点距離(back focal length)が小さくなり、よってCMOSの外郭から入射する光の入射角度はより大きくなる。結果的に、レンズの後焦点距離が減少するほど、CMOSの中央部分と外郭から入射される光量比(以下、周辺光量比と称する)がより低下する。これはCMOSだけの現象ではなく、CCDにも認められる現象であって、最近のセンサーに関する最も大きな問題点のひとつである。
一般に、イメージセンサーのピクセル領域(PX)、つまり、マイクロレンズによる有効な光学活性領域(OA)でフォトダイオードが占める部分は一定の部分であり、ピクセル全領域を占めない(図1参照)。従って、イメージセンサーはピクセル領域でフォトダイオードが占める比率(fill factor)が1とならないため、入射する光の損失が生じる。それゆえに、同図のような方式でマイクロレンズをフォトダイオード上部に配置し、損失する入射光を集光することによりフォトダイオードへ収束する光量が増加する。
図6Aはマイクロレンズ製造用マスクを一定の比率で縮小することによりマイクロレンズとフォトダイオードの光軸のずれを表したイメージセンサーの概略図であり、図6Bはマイクロレンズとフォトダイオードの光軸のずれにより傾斜入射する光がフォトダイオードへ収束することを表した図である。図6に示したイメージセンサーはセンサーの外郭へ行くほどマイクロレンズとフォトダイオードとの光軸のずれを大きくさせ、センサーの外郭から入射される光の収束程度を増加させて、周辺光量を改善している。
このような問題点を解決するために、センサーの中央と周辺部のマイクロレンズの特性を異ならせて構成することが考えられる。これにより、フォトダイオードへ収束する光の均一度、つまり周辺光量比を向上させることができる。しかし、このようなマイクロレンズを形成する方法として、従来のように、フォトレジストを四角形または円筒形の柱でパターンニングした後、熱を加えてマイクロレンズを形成する方法では、これを実現することは不可能である。
また、一般に、イメージセンサーの周辺光量比は、マイクロレンズとフォトダイオードとの距離によって変化する。例えば、図5はマイクロレンズとフォトダイオードとの距離により、マイクロレンズにより傾いて入射する光の収束程度を表す図である。図8Aはマイクロレンズとフォトダイオードとの距離H1が長い場合、図8Bはマイクロレンズとフォトダイオードとの距離H2が短い場合を表す。レンズの特性上、焦点距離が長ければ上面での焦点偏差W1が大きく、焦点距離が短ければ焦点偏差W2が小さくなる。このような特性のため、マイクロレンズの焦点位置をフォトダイオードにする場合、マイクロレンズとフォトダイオードとの距離が長ければ、フォトダイオードへ収束する光量が減少する。図8Cに示すように、マイクロレンズに垂直入射する光線は全てフォトダイオードへ収束するが、傾斜入射する光線はマイクロレンズとフォトダイオードとの距離が増加することにより焦点偏差が増加し、フォトダイオードは周辺の構造物などに反射する部分が多くなる。従って、周辺光量を改善するためにはマイクロレンズとフォトダイオードとの距離をできるだけ減らすことが好ましい。しかし、CCDと異なってCMOSでは構造的な問題によりマイクロレンズとフォトダイオードとの距離を減らすことが容易ではない。
半導体基板に光感知素子及び素子分離絶縁膜を形成する工程;
前記半導体基板の上部に複数の金属層及び複数の酸化物薄膜層を形成する工程;
前記金属層内側に酸化物薄膜層をエッチングして溝を形成し、前記溝に反射層を形成する工程;
前記反射層内側の酸化物薄膜層を所定の厚さでエッチングして溝を形成し、前記溝にカラーフィルターを形成する工程;
前記カラーフィルター上部の両側に複数の突出部を形成する工程;
前記突出部及び前記酸化物薄膜層の表面上に平坦層を形成する工程;及び
前記平坦層の上にマイクロレンズを形成する工程;を含むことを特徴とする。
これにより、簡便な素子で高性能のセンサーを実現することができるとともに、簡便に製造することができ、製造コストの上昇を招くことなく、安価なセンサーを得ることができる。
これにより、本来は光感知素子の外側において収束又は照射されることにより感知されない光であっても、その光の外側への収束又は照射を反射層により有効に阻止することができ、突出部間の開口を通った光を確実に光感知素子に収束することができる。
これにより、マイクロレンズの焦点距離を、光感知素子表面に焦点を設定するよりも、相当短く設定することができ、マイクロレンズの上面の焦点偏差を減らすことができる。従って、センサーに傾いて入射する光が光感知素子へ収束する光の量を増加させることができる。
これにより、光感知素子へ収束する光の量を確実に増加させることができる。
なお、複数の突出部の長さは、(1)同一であり、突出部間の開口中心を通る軸と前記光感知素子の中心を通る軸とが一致するか、(2)それぞれ相異なっており、突出部間の開口中心を通る軸と前記光感知素子の中心を通る軸とが一致しないかのいずれかであることが好ましい。
また、本発明のCMOSイメージセンサーの製造方法によれば、光感度と周辺光量比とが改善された高品質及び高信頼性のセンサーを、効率よく、製造コストを増加させることなく製造することが可能となる。
図1A〜図1Hは本発明によるCMOSイメージセンサー100の製造工程別の断面図である。
図1Aは通常の方法でカラーフィルターを形成する直前までの工程が行われた状態の断面図である。このCMOSイメージセンサー100は、シリコン基板10上に形成された素子分離絶縁膜20a、20b間に受光素子としてフォトダイオード30が形成され、その他イメージセンサーを構成するNMOS及びPMOSトランジスタなどのCMOS素子(図示せず)が形成されていてもよい。
このようなロジック回路部分(図示せず)を形成するため、例えば、複数の金属層M1〜M4が形成され、各金属層M1〜M4はロジック回路部分を形成する工程のうち形成された複数の酸化物薄膜層D1〜D4により取り囲まれている。なお、金属層M1〜M4及び酸化物薄膜層D1〜D4の積層数は、その材料、製造工程、得ようとする素子又は回路等の特性等により、適宜設定することができる。
続いて、図1Cに示すように、酸化物薄膜層D1〜D4を貫通して形成された溝にスパッタ法を利用して反射層40a、40bを堆積する。反射層40a、40bは反射率が高く、光の吸収が少ない物質であればいずれのものであっても適用できる。反射層40を構成する物質の例として、例えば、シリコン(Si)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)及びタングステン(W)など、光に対して高反射率を有する物質が挙げられる。なお、この溝は、基板表面(又は素子分離絶縁膜の表面)に至ることが好ましいが、必ずしもその底部が基板等の表面にいたっていなくてもよい。
その後、図1Eに示すように、カラーフィルター50を形成するため、反射層40a、40b内側の酸化物薄膜層D4を所定の厚さだけエッチングして溝を形成する。
続いて、図1Fに示すように、溝内に直接カラーフィルター50を形成し、その表面を平坦化する。カラーフィルター50は、赤R、緑G及び青Bの3つのカラーフィルターがアレイ化されて形成されている。一般に、カラーフィルター50は、フォトレジストに色素を添加することなどにより製作されるが、その透過性はフォトレジストに添加する色素の量によって決定することができる。しかし、実際には最適の色感を表すカラーフィルターの厚さと色素量とは決まっているので、カラーフィルターの厚さを調節することが最も重要である。本発明では、任意にカラーフィルターの厚さを調節することができる。
次に、図1Gに示すように、カラーフィルター50上部に高反射物質を公知の方法(例えば、蒸着、スパッタリング、気相成長法など)で形成し、突出部60a、60bを形成する。これらの突出部60a、60bは高反射物質で形成することが好ましいが、必ずしも金属でなくてもよい。突出部60a、60b間の開口中心は、フォトダイオード30の中心と一致させることが一般的であるが、本発明では開口の中心がセンサーの外郭に位置していることで、フォトダイオード30の光軸とずれていてもよい。また、センサーの外郭へ行くほど開口の幅が変化してもよいし、突出部60a、60bが左右非対称であってもよい。なお、複数の突出部の長さ(幅)は、すべて同一でもよいし、一部同一でもよいし、全て異なってもよい。また、これら複数の突出部とフォトダイオードの中心軸との距離は、すべて同一でもよいし、一部同一でもよいし、全て異なってもよい。
本発明ではマイクロレンズ80の焦点位置をフォトダイオード30にあわせることではなく、カラーフィルター50の中央上部部分、言い換えると、突出部の開口内のどこか(例えば、開口の底付近、開口の表面付近など)がマイクロレンズ80の焦点位置になるようマイクロレンズ80の曲率及び屈折率を調節することである。なお、この方式により形成されたマイクロレンズ80の焦点を仮想焦点と定義する。
従って、傾斜入射する光に対したマイクロレンズ80上面の焦点偏差が極めて小さくなるため、センサーの周辺光量比を増大させることができる。
このとき、突出部60a、60bは酸化物薄膜層D1〜D4及びフォトダイオード30の表面から反射され、戻ってくる光線を再びフォトダイオード30へ再反射する。よって、CMOSイメージセンサー100の光効率をより増大させることができる。
突出部60a、60bの役割は二つある。第一に、突出部60a、60b間の開口、つまり仮想焦点面に入射した光は、反射層40a、40bから反射され、フォトダイオード30へ収束する。このとき、突出部60a、60bは、酸化物薄膜層D1〜D4間の屈折率差により生じる表面反射を改善する。第二に周辺光量比を改善する。つまり、突出部60a、60bの幅とフォトダイオード30との軸ずれを調節することにより、周辺光量比を改善することができる。このCMOSイメージセンサー100は、突出部60a、60bの幅とフォトダイオード30の軸ずれとを調節することにより、中央部分と外郭部分とに入射する光の角度が相違していることから生じる周辺光量比を改善することができる。
以上では、本発明の原理を例示するために本発明の好適な実施例について図示し、説明したが、本発明は上述した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲で請求している本発明の要旨を逸脱することなく本発明に対する種々の変形及び修正が可能であることは当業者であれば理解できるであろう。よって、そのような変更及び修正は本発明の特許請求の範囲に含まれるものと見なすべきである。
20a、20b 素子分離絶縁膜
30 フォトダイオード
40a、40b 反射層
50 カラーフィルター
60a、60b 突出部
70 平坦層
80 マイクロレンズ
100 CMOSイメージセンサー
D1〜D4 酸化物薄膜層
M1〜M4 金属層
Claims (12)
- 光感知素子及び素子分離絶縁膜が形成された基板、前記基板に形成された複数の金属層と酸化物薄膜層とを含むイメージセンサーであって、
前記金属層内側に、離隔して形成された複数の反射層;
前記複数の反射層内側に前記酸化物薄膜層を所定の厚さでエッチングして製造した溝に形成されたカラーフィルター;
前記カラーフィルター上部の両側に所定の距離だけ離隔して形成された複数の突出部;
前記突出部及び前記酸化物薄膜層の表面上に形成された平坦層;及び
前記平坦層上に形成されたマイクロレンズ;を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。 - 前記光感知素子は、フォトダイオード又はフォトゲートのいずれかである請求項1に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記複数の反射層は、前記突出部間の開口を介して入射した光を反射して前記光感知素子へ収束する請求項1又は2に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記マイクロレンズの焦点位置は、前記突出部間の開口上に形成される請求項1〜3のいずれか1つに記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記複数の突出部は、屈折率の違いにより前記フォトダイオード及び前記酸化物薄膜層の表面から反射する光を再反射し、前記光感知素子へ収束する請求項1〜4のいずれか1つに記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記複数の突出部の長さが同一であり、前記突出部間の開口中心を通る軸と前記光感知素子の中心を通る軸とが一致する請求項1〜5のいずれか1つに記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記複数の突出部の長さがそれぞれ相異なっているため、前記突出部間の開口中心を通る軸と前記光感知素子の中心を通る軸とが一致しない請求項1〜5のいずれか1つに記載のCMOSイメージセンサー。
- 半導体基板に光感知素子及び素子分離絶縁膜を形成する工程;
前記半導体基板の上部に複数の金属層及び複数の酸化物薄膜層を形成する工程;
前記金属層内側に酸化物薄膜層をエッチングして溝を形成し、前記溝に反射層を形成する工程;
前記反射層内側の酸化物薄膜層を所定の厚さでエッチングして溝を形成し、前記溝にカラーフィルターを形成する工程;
前記カラーフィルター上部の両側に複数の突出部を形成する工程;
前記突出部及び前記酸化物薄膜層の表面上に平坦層を形成する工程;及び
前記平坦層の上にマイクロレンズを形成する工程;を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサーの製造方法。 - 前記光感知素子は、フォトダイオード又はフォトゲートのいずれかである請求項8に記載の方法。
- 前記複数の反射層は、前記突出部間の開口を介して入射した光を反射し、前記光感知素子へ収束する請求項8又は9に記載の方法。
- 前記マイクロレンズの焦点位置を、前記突出部間の開口上に形成する請求項8〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記複数の突出部は、屈折率の違いにより、前記フォトダイオード及び前記酸化物薄膜層の表面から反射する光を再反射し、前記光感知素子へ収束する請求項8〜11に記載の方法。
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