JP2005332537A - 情報記録媒体用基板、モールドおよび情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面に溝形状を形成した情報記録媒体用基板をプレス成形で形成する際に問題となるモールドと上記基板の離型性および基板の平坦性を改善する。
【解決手段】本発明の情報記録媒体用基板１１は、プレス成形によって形成された情報記録媒体用基板であって、凹凸パターンが形成された成形面を有し、成形面における凹凸パターンの凹部（溝１５）の深さが成形面上で異なる大きさを有している。好ましい実施形態において、溝１５は複数の同心円上に略位置する溝であり、その溝深さは、同心円の中心からの距離に応じて段階的に変化している。
【選択図】 図２

Description

本発明は、ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ）などの磁気ディスク装置に代表される情報記録装置に搭載される情報記録媒体用の基板に関する。また、本発明は、そのような情報記録媒体用基板をプレス成形によって作製する工程で好適に用いられるモールドや、上記の情報記録媒体用基板を備えた情報記録媒体にも関している。

ＨＤＤは、磁性体を表面に形成したアルミニウムやガラスの HYPERLINK "http://ew.hitachi-system.co.jp/w/E38387E382A3E382B9E382AF.html" ディスク（プラッタ）を一定の間隔で複数枚重ね合わせた構造を有するストレージ装置であり、ディスクを高速に回転させながら磁気ヘッドでデータの記録／再生を実行する。基板として機能するディスク上には、下地層、磁性層、保護層、および潤滑層などが積層されており、データは、磁性層に形成する信号磁化の記録磁区（記録パターン）によって記録される。

ＨＤＤは、データ転送速度およびアクセス速度に優れ、価格も比較的低いため、ストレージ装置として広く普及しているが、記憶容量および記録密度を更に高めるための研究開発が活発に行われている。

本明細書では、データが記録されるディスクなどの媒体を「情報記録媒体（メディア）」と称し、このような情報記録媒体の基板を「情報記録媒体用基板」と称することとする。

ＨＤＤに用いる情報記録媒体において、記録密度の向上を実現するためには、情報記録媒体の磁気記録層部分に形成する記録パターンを微小化し隙間無く詰めることが重要である。

記録密度の向上には２つのアプローチがある。１つめは記録パターンとしてディスク円周方向に残す記録ビットの長さを減少させることである。２つめは記録パターンとしてディスク半径方向に残す記録ビットの幅や各記録ビットの間隔を減少させること、すなわちトラックピッチを減少させることである。

ディスク半径方向の高密度化に着目する。記録ビットの幅を減少させる場合、情報を記録するために用いる記録ヘッドの先端の磁極部を細くし、情報記録媒体に記録される記録パターンの幅を小さくすることが有効である。しかしながら、記録ビットの間隔を縮めていく場合、単純にその間隔を詰めていくだけでは問題が生じる。例えば、情報記録媒体上に磁気信号を記録する場合において、記録ビットの間隔を詰めることにより、新たに記録パターンを形成する際に隣接する既に記録されているパターンの一部を書き換えてしまうということが起こり、記録パターンの乱れが生じる。これは記録ヘッド先端から出る磁束が多少広がる傾向にあることから生じるためである。

また、情報記録媒体から磁気信号を再生する場合において、あるひとつの記録パターン上の信号を再生する際に隣接する別の記録トラックからの磁気信号をも検知してしまい、結果として再生信号が乱れるといったように、隣接トラックからの干渉（クロストーク）が生じる。これは、再生素子の感度が向上していることによって生じるためである。

このような問題を解決するため、情報記録媒体上に記録される記録ビット間に物理的な隙間を形成するなどして、個々の記録ビットを磁気的に分離して配置することが提案されている。

一方、情報記録媒体の作製方法については、プレス成形法を用いて記録媒体用基板を形成することが提案されている。プレス成形法によれば、モールド（成形型）を材料に押し当て加圧することにより、その材料に所望の形状を付与することができる。通常、モールドと材料はともに加熱され、両者の温度がある一定の状態になった後でプレス成形が実行される。ＨＤＤに搭載される情報記録媒体用基板としては、プレス成形法によりガラス製の情報記録媒体用基板を形成することが検討されている。ガラス基板は強度が高く、平滑性に優れているなどの利点を有しているからである。

プレス成形法を用いて情報記録媒体用基板を形成する場合、基板表面に対応するモールドの表面（以下、「成形面」と称する。）は、ほぼ鏡面に近い状態にする必要がある。しかし、モールド表面をこのような状態にすると、プレス成形後に基板とモールドが貼りつくなど、基板とモールド間の離型性が著しく悪化する。

特許文献１は、基板・モールド間の離型性を改善するため、情報記録媒体用基板に対応する部分の外側に段差または溝を形成する方法などを開示している。

特許文献２は、記録再生ヘッドの浮上を安定させるため、情報記録媒体の表面に溝や特定のパターンを形成することを開示している。媒体表面に溝などのパターンを形成する理由は、記録再生ヘッドの浮上量を記録媒体全面でほぼ一定にするためである。形成される溝の深さは２００ｎｍ以上と深い。

特許文献３は、モールドに形成するパターンの溝深さをＣＳＳゾーンとデータゾーンの２箇所で異なる大きさに設定している。溝深さは２００ｎｍ程度である。
特開２００３−２６４３１号公報 特開平６−３０９６５８号公報 特開平１０−３０２２５６号公報

情報記録媒体用基板の表面は、高い平滑性および平坦性を有していることが求められる。このため、プレス成形法を用いて情報記録媒体用基板を作製する場合、モールドの表面をほぼ鏡面状態に加工しておくことが必要である。

しかし、このように鏡面加工されたモールドを用いると、成形工程後に基板をモールドから離すことが困難になるため、離型性が重要な課題になる。

基板表面に溝を形成しない従来形の情報記録媒体用基板を作製する場合は、特許文献１が開示している方法が有効であるが、５０ｎｍ以上の深さの溝を有する情報記録媒体用基板表面をプレス成形で形成することが困難になることがわかった。具体的には、このようなプレス成型によって溝のある基板を形成すると、得られる基板表面の平滑性は、情報記録媒体用基板に求められる基準を満たすが、基板全体の平坦性が悪くなるため、情報媒体記録基板としての性能が不十分になった。

溝の深さを浅くし、平面に近づけることにより、平坦性を高める方策も考えられるが、情報記録媒体を構成している記録磁性膜や機能性下地膜の厚みを考慮すると５０ｎｍ以上の溝深さが必要になる。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、成形後の基板とモールドの離型性が良好であり、しかも平坦性が情報媒体記録基板としての仕様を満足する情報記録媒体用基板を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、上記の情報記録媒体用基板をプレス成形にて形成するために用いられるモールドや、高密度記録に対応できる情報記録媒体を提供することにある。

本発明の情報記録媒体用基板は、プレス成形によって形成された情報記録媒体用基板であって、凹凸パターンが形成された成形面を有し、前記成形面における凹凸パターンの凹部の深さが前記成形面上で異なる大きさを有している。

好ましい実施形態において、前記凹部は溝である。

好ましい実施形態において、前記溝は、複数の同心円上に略位置しており、前記溝の深さは、同心円の中心からの距離に応じて変化している。

好ましい実施形態において、前記溝の深さは、基板中心からの距離が大きくなるにつれて段階的に変化している。

好ましい実施形態において、前記溝の深さは、５０ｎｍ以上である。

好ましい実施形態において、前記成形面上において前記凹部が形成されていない領域によって規定される面の平面度は２μｍ以下である。

好ましい実施形態において、前記溝を横切る面における前記溝の断面は、Ｕ、Ｖ、または矩形の形状を有している。

好ましい実施形態において、前記溝の深さの前記基板内における最小値は、最大値の２５％以上８５％以下の範囲内にある。

好ましい実施形態において、本発明のモールドは、情報記録媒体用基板を形成するためのプレス成形に用いるモールドであって、凹凸パターンが形成された表面を有し、前記成形面における凹凸パターンの凸部の高さが前記表面上で異なる大きさを有している。

好ましい実施形態において、前記凸部は、複数の同心円上に略位置しており、前記凸部の高さは、同心円の中心からの距離に応じて変化している。

好ましい実施形態において、前記凸部の高さは、５０ｎｍ以上である。

好ましい実施形態において、前記表面上において前記凸部が形成されていない領域によって規定される面の平面度は２μｍ以下である。

好ましい実施形態において、前記凸部を横切る面における前記凸部の断面は、逆Ｕ、逆Ｖ、または矩形の形状を有している。

好ましい実施形態において、前記凸部の高さの前記表面内における最小値は、最大値の２５％以上７５％以下の範囲内にある。

本発明の情報記録媒体は、上記いずれかの情報記録媒体用基板と、前記基板の成形面上に形成された記録膜とを備えている。

好ましい実施形態において、前記媒体表面は、非磁性物質領域と磁性物質領域とを有しており、前記非磁性物質領域および磁性物質領域は、前記基板の成形面上において略同心円状に交互配列されている。

本発明によるモールドの製造方法は、情報記録媒体用基板を形成するためのプレス成形に用いるモールドの製造方法であって、前記モールドの表面に第１のエッチングによって凹凸パターンを形成する工程と、前記凹凸パターンに対する第２のエッチングによって前記凹凸パターンにおける凸部の高さに半径方向で分布を与える工程とを有している。

本発明によれば、凹凸パターンを表面に有しながら、プレス成形のモールドに対する離型性および平坦性に優れた情報記録媒体を歩留まりよく量産することができる。このような情報記録媒体によれば、隣接トラックとの干渉を低減でき、より高い記録密度を達成することが可能になる。

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態を説明する。

まず、図１（ａ）から（ｃ）を参照する。

図１（ａ）に示される情報記録媒体用基板１１は、円形のディスク状基板であり、一点鎖線で示す中心軸に関して略軸対称の形状を有している。基板１１の中心部には開孔部１３が形成されており、また、基板１１の表面には、略同心円状の複数の溝１５が形成されている。なお、溝１５はスパイラル状に形成されていてもよい。

図１（ｃ）に示すように、基板１１の主面レベルから測定した溝１５の底部までの距離Ｄを溝１５の深さと定義する。図１（ｂ）では、簡単のため、溝１５の深さＤが基板１１の全面において略一定の大きさを有するように記載されているが、実際の基板１１では、溝１５の深さＤは、ディスク中心からの距離ｒに応じて変化している。したがって、溝１５の深さＤは、ディスク中心からの距離ｒの関数Ｄ（ｒ）で表される。

次に、図２（ａ）および（ｂ）を参照する。図２（ａ）は、本発明の好ましい実施形態における情報記録媒体用基板１１の概略断面図であり、図２（ｂ）は、基板１１の成形に用いるモールド１２の概略断面図である。

図２（ａ）における基板１１の寸法は、実際の基板１１の寸法を比例的には表しておらず、溝１５の深さの変化を強調して記載している。基板１１の典型的な厚さは、０．３〜１．３ｍｍであり、基板１１の典型的な直径は２０〜９５ｍｍである。また、基板１１の中央部に設けられた開孔部の直径は、例えば５．０〜２５．０ｍｍである。溝１５の深さは、例えば５０〜２００ｎｍであり、各溝１５の幅およびピッチは例えば５０〜１５０ｎｍ、１００〜２００ｎｍである。

図２（ａ）から明らかなように、基板１１の表面には半径方向に深さの変化する溝１５が存在するため、その上に磁気記録層を形成した場合、溝１５の側面部で磁気記録層が薄くなり、半径方向に磁気的不連続部分が形成される。このため、基板１１の表面のうち、溝に挟まれた部分（記録トラック）は、溝１５の存在によって、隣接する他の記録トラックから磁気的に分離される。溝１５の内部を非磁性材料で埋め込むと、隣接するトラック間の磁気的結合をより効果的に分離することができる。このような溝１５を基板１１の表面に設けることにより、隣接する記録トラック間の干渉を低減できるため、記録密度を高めることができる。

本発明の主たる特徴点は、基板１１の表面に形成する溝１５の深さが基板の半径方向で異なるように形成されていることにある。例えば、形成する溝１５の深さを基板中心側でより深くなるように形成する。形成する溝１５の深さは少なくとも５０ｎｍ以上であることが望ましい。逆に、溝１５を深くしすぎると、離型性の低下を招く可能性がある。溝１５の幅（半径方向サイズ）を数十ｎｍに設定する場合、形成する溝１５の深さは２００ｎｍを超えないことが望ましい。

溝１５の形状は特に限定されるものではないが、プレス成形によって形成するため、溝１５の底部における幅が溝１５の上部における幅に対して同等または小さいことが好ましい。具体的には、溝１５を横切る断面が図２（ａ）に示すような略凹形状のほか、Ｖ字形状やＵ字形状であってもよい。また、溝１５の幅が大きくなると、その分、記録媒体上においてデータ記録の可能な領域が減少し、記録容量の減少につながる。このため、溝幅の上限は、情報記録媒体に要求される記録密度や記録容量に基づいて決定される。

図２（ａ）の基板１１上に形成される記録層（不図示）を構成する磁性材料は、コバルトおよび鉄のうち少なくとも１種類を含有する合金であることが望ましい。基板１１の材料は、ガラスであることが望ましいが、樹脂材料であってもよい。

次に、図２（ｂ）を参照する。図２（ｂ）は、情報記録媒体用基板１１をプレス成形によって作製するためのモールド１２の概略断面を示している。

モールド１２の表面には、情報記録媒体用基板１１の表面に形成する形状を規定するパターンが形成されている。図示している例では、基板１１の表面に形成すべき溝に対応する凸部（突出部）が設けられている。

以下、図３（ａ）〜（ｄ）を参照してモールド１２の作製方法を説明する。

まず、図３（ａ）に示すように、モールド保護膜２２で上面が覆われたモールド母材２１を用意する。モールド母材は、通常、焼結体から形成されるが、焼結体における空孔などの存在が表面欠陥の原因になるため、本発明では、単結晶材料などのように表面に欠陥の少ない材料をモールド母材として用いる。モールド保護膜２２は、情報記録媒体用基板１１の材料と化学的に反応しにくい材料、例えば貴金属または貴金属の合金膜から形成することが好ましい。基板１１をガラス材料から形成する場合、イリジウム（Ｉｒ）またはＩｒ合金を用いることができる。

モールド保護膜２２の形成は、スパッタ法などの乾式成膜法によって行なうことができる。本発明の好ましい実施形態によれば、モールド母材２１の表面を清浄化した後、スパッタ装置内でモールド母材２１の表面にＩｒ合金の薄膜を形成する。モールド保護膜２２の表面は平滑であることが望ましい。成膜条件などによってモールド保護膜２２の結晶粒が大きく、表面の平滑性が低い場合は、研磨などの方法により、モールド保護膜２２の表面を平滑にすることが必要になる。

次に、モールド保護膜２２の表面に所望の形状を形成する。より具体的には、基板１１の表面に形成すべき凹凸パターンに対応するパターンをモールド保護膜２２の表面に形成する。ここでは、エッチングによりモールド保護膜２２の表面を微細に加工する。具体的には、まず、図３（ａ）に示すように、モールド保護膜２２の表面に転写すべき形状を規定するエッチングマスク２３を形成する。このエッチングマスク２３は、例えばレジストを塗布した後、電子ビーム露光・現像工程を経て形成される。電子ビーム以外のエネルギービーム（光ビームを含む）を用いてエッチングマスク２３を形成しても良い。また、露光・現像されたレジストをそのままエッチングマスク２３として用いる代わりに、モールド保護膜２２上に金属膜を堆積し、リソグラフィおよびエッチング工程によって金属膜をパターニングして形成した金属製エッチングマスク２３を用いても良い。

微細なパターンを有するエッチングマスク２３は、ドライエッチング法によってパターニングされることが好ましい。ドライエッチング法には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、イオンビームエッチングなどの方法があるが、反応性のイオンエッチングを用いるのが望ましい。スパッタエッチングなどの物理的な除去効果のみでパターニングを行なうことも可能であるが、エッチング処理工程時において被エッチング物がエッチングマスクに再付着し、バリなどを形成することが問題となる場合がある。この場合、バリなどの再付着物を完全に除去することが余分に必要となる。

モールド保護膜２２の表面に所望の形状を付与するには、モールド母材２１の表面をエッチングすることによってモールド母材２１の表面に直接的に凹凸パターンを形成した後、その上にモールド保護膜２２を堆積してもよい。ただし、この方法による場合は、モールド母材２１の表面に存在する段差のエッジ部分において、モールド保護膜２２のステップカバレッジや密着性が問題となる可能性がある。このため、モールド母材２１の表面は平坦な状態でモールド保護膜２２を堆積し、モールド保護膜２２の表面に所望の形状を付与することが好ましい。このようにモールド保護膜２２から必要な凹凸パターンを形成する場合、モールド保護膜２２の厚さは、基板１１に形成する凹部（溝）の最大深さ以上に設定することが好ましい。

以下、より具体的にモールド製造方法を説明する。

まず、モールド保護膜２２上にレジストを塗布した後、電子線描画装置を用い、所望の潜像パターンをレジスト中に形成する。レジストを現像液に浸漬し、パターニングを行なった後、水洗、乾燥を行なうことにより、図３（ａ）に示すエッチングマスク２３を得る。

次に、図３（ｂ）に示すように、モールド保護膜２２に対する第１のエッチングを反応性イオンエッチングによって実行する。このとき、モールド保護膜２２の表面には、例えば深さ５０〜２００ｎｍ程度の凹部が形成される。第１のエッチングは、凹部の深さが母材２１の上面内で略一様になるような条件で行なわれることが好ましい。

第１のエッチングの後、図３（ｃ）に示すように、エッチングマスク２３を除去し、その後にモールド保護膜２２に対する第２のエッチングを行なう。図３（ｄ）に示すように、この第２のエッチングにより、モールド保護膜２２の凹凸パターンのサイズに面内分布が与えられる。言い換えると、基板１１に形成するべき溝に対応する凸部の高さを位置に応じて調節する。

第１のエッチングは、面内におけるエッチング量を均一化する条件で行なうが、第２のエッチングでは、面内におけるエッチング量に分布を生じさせる条件を採用する。このようなエッチング量の分布は、エッチング装置内の電極やプラズマとモールドとの間の配置関係やプラズマ形成条件を変化させることにより、生じさせることができる。

なお、一般には、モールド保護膜２２の表面に形成された凹凸パターンのうち、凹部はエッチングされにくく、凸部がエッチングされやすい傾向がある。このため、レジストパターンなしで行なう第２のエッチングにより、凸部の高さは全体的に減少する。この第２のエッチングの条件を調節することにより、例えばモールド母材２１の中心部ではモールド保護膜２２の表面における凸部に対するエッチング量を相対的に少なくする一方で、モールド母材２１の周辺部ではモールド保護膜２２の表面における凸部に対するエッチング量を相対的に大きくすることが可能である。前述したように、エッチング装置内におけるモールド母材２１の配置やプラズマ形成条件を調節することにより、モールド母材２１の任意の領域におけるエッチング量を他の部分に比べて相対的に上昇または減少させることが可能である。

こうして、図２（ｂ）に示すような断面構造を有するモールド１２を形成することができる。

上記の例では、モールド保護膜２２に凹凸パターンを形成しているが、モールド母材２１の表面に直接的に凹凸パターンを形成する場合でも、上記に説明した工程と同様の工程を実行すればよい。その場合、反応性のイオンエッチングを用いるので、エッチング時に用いるガスをモールド母材の材料をエッチングできるものに変更することになる。そして、高さ／深さが位置に応じて分布を持つような凹凸パターンをモールド母材２１の表面に形成した後、その上にモールド保護膜２２を形成することになる。

なお、モールド母材２１と基板１１の材料との間で化学的な反応性が乏しい場合は、加工されたモールド母材２１の表面にモールド保護膜２２を堆積することなく、モールド母材２１をそのまま用いてプレス成形を実行しても良い。

次に、こうして形成したモールド１２（図２（ｂ））を用い、プレス成形を行なうことにより、図２（ａ）に示す情報記録媒体用基板１１を作製する。

以下、図４（ａ）から（ｃ）を参照しながら、プレス成形の方法を説明する。

まず図４（ａ）を参照する。図４（ａ）は、プレス成形工程開始前の段階におけるプレス成形機の主要部断面構成を示している。図示されているプレス成形機は、一対のモールド３２が取り付けられた一対のモールド支持体（不図示）と、各モールド支持体を上下に駆動することができる駆動機構（不図示）とを備えている。このモールド３２は、図３（ａ）から（ｄ）に示す方法で作製されたものであり、凹凸パターンが形成された面が対抗するようにして支持体に固定されている。

図４（ａ）の段階では、円盤状に成形された情報記録媒体用基板３１が用意され、プレス成形機内の下方のモールド３２の上に配置される。成形前における基板３１の表面の平滑性および平坦性は、それほど重要ではない。このような凹凸パターンが形成される前の基板３１も、微細な凹凸パターンのモールド（不図示）を用いるプレス成形によって作製されたものである。

次に、モールド３２を加熱し、その温度を所定のレベル（例えば５００℃以上）まで上昇させる。また、上下に位置するモールド３２の間隔を縮小するように駆動機構を動作させ、図４（ｂ）に示すように、基板３１に対するプレス成形を実行する。このプレス成形時において、雰囲気ガスは、基板３１に対して高温でも反応しにくい窒素やアルゴンなどの不活性ガスであることが好ましく、減圧状態にあることが望ましい。

図４（ｂ）に示すように、プレス成形により、モールド３２の表面に存在する凹凸パターンがガラス基板３１の上面および下面に転写される。

プレス成形後、基板３１に歪が残らないようにモールド３２およびガラス基板３１を冷却し、図４（ｃ）に示すようにモールド３２から基板３１が取り出される。本発明の好ましい実施形態では、表面に形成される溝の深さがディスク半径方向に適切な範囲で分布を有しているため、モールド３２と基板３１との間における離型性が向上する。

プレス成形機から取り出した基板３１を洗浄した後、スパッタリングなどの方法を用いて、最大で１００ｎｍの薄膜を複数積層し、情報記録媒体を形成する。

情報記録媒体としての表面荒さが小さくなる条件で成膜を行なっているため、基板に溝が形成されていても薄膜形成後における表面粗さは小さく、基板表面の形状は、成膜前のレベルにほぼ維持される。薄膜の堆積は、記録媒体としての平坦度として、情報記録媒体用基板の状態とほとんど変わらないものにするため両面に行なうことが望ましい。

なお、図３（ａ）から（ｄ）に示す例では、面内のエッチング量が相対的に均一になる条件でエッチング（第１のエッチング）を行なった後、面内でエッチング量が変化する条件のエッチング（第２のエッチング）を行なっている。もしも、この順番を入れ替え、最初に面内でエッチング量が変化する条件のエッチングを行なうと、図３（ｂ）に示される溝の深さが面内で変化した構造が得られる。このような構造のモールドを使用して成形を行なうと、基板表面（成形面）において溝の存在しない部分（記録トラック）の高さ（レベル）が面内で変化することになる。このことは、情報記録媒体用基板の平坦性を劣化させ、記録媒体として好ましくない。したがって、本発明でモールド作製のために行なう第１のエッチングでは、できる限り面内でエッチング量が均一化されることが好ましい。具体的には、面内における最小エッチング量と最大エッチング量の差が、面内平均エッチング量の５％以下となるような均一性を示す条件で第１のエッチングを行なうことが好ましい。

以下、本発明の実施例を説明する。

（実施例１）
本実施例では、単結晶サファイア基板からなるモールド母材２１を用意し、その表面を清浄化した後、スパッタ法により、イリジウム（Ｉｒ）合金からなるモールド保護膜２２をモールド母材２１の表面に堆積した。モールド保護膜２２の厚さは１５０ｎｍに設定した。

次に、モールド保護膜２２の表面にレジストを塗布し、電子線描画装置を用いてパターンを描画した後、現像液に浸漬した。そして、水洗・乾燥後、パターニングされたレジストをエッチングマスクとして用い、モールド保護膜２２に第１のエッチング（反応性イオンエッチング）を行なった。第１のエッチングの後、レジストを除去し、エッチング量の評価をおこなったところ、エッチング量は９０±１０ｎｍであった。

次に、エッチングマスクを用いることなく、モールド保護膜２２の全面に対して第２のエッチングを行い、凹凸パターンの凸部の高さを調整した。第２のエッチングの後、凸部の高さの評価をおこなった。その結果を図５に示す（条件Ｂ）。

モールド保護膜２２に形成された凸部の高さは、モールド中心側で最高の９０ｎｍであり、外周側では最低の６０ｎｍであった。この条件Ｂで作製したモールドを用い、プレス成形により情報記録媒体用基板を形成した。

情報記録媒体用基板の表面のうち、溝以外の部分の平滑性を原子間力顕微鏡で評価した結果、平均表面粗さ１ｎｍ以下であり良好であった。また、基板に形成された溝の深さを評価した。その結果を、条件Ｂのデータとして図６に「■」の符号でプロットする。

図６からわかるように、条件Ｂでは、深さが５０〜９０ｎｍの範囲で変化する溝が基板表面に形成されている。条件Ｂによる基板の平面度は１．２μｍであり、情報記録媒体用基板として良好な水準にあった。また、成形後に基板はモールドから容易に取り出すことができ、離型性は良好であった。

次に、条件Ｂとは異なる条件Ａ、Ｃ〜Ｅでモールドを作製し、各モールドを用いて基板を成形した。まず、条件Ｃについて、条件Ｂと異なる点のみを説明する。

条件Ｃでは、モールド保護膜２２の厚さを２５０ｎｍに設定し、第１のエッチングにおけるエッチング時間を条件Ｂの第１のエッチングにおけるエッチング時間よりも長い値に設定した。この結果、条件Ｃでは、相対的にモールド保護膜２２に対するエッチング量が大きくなり、モールド表面に形成される凹凸の高低差が大きくなる。第１のエッチングのためのレジストパターンを除去した段階において、モールド保護膜２２のエッチング部分（凹部）の深さ（凸部の高さに相当）を評価した。その結果、凸部の高さは、１７０±２０ｎｍであった。

次に、第２のエッチングをモールド保護膜２２の全面に対して行い、凸部の高さに半径方向分布を与えた。図５の△で示すポイントは、条件Ｃに対応するデータである。図５からわかるように、凸部の高さは、モールド中心側で約１４０ｎｍであり、外周側で約６０ｎｍであった。

次に、条件Ｃで作製したモールドを用いて情報記録媒体用基板を形成した。基板の表面で溝以外の部分の平滑性は、条件Ｂで作製したモールドを用いて形成したときと同様に、平均表面粗さが１ｎｍ以下であり、良好であった。

図６の△で示すポイントは、条件Ｃに対応するデータである。図６からわかるように、５０〜１３０ｎｍの間で深さが径方向に変化する溝が基板表面に形成されていた。平面度は１．６μｍであり、情報記録媒体用基板として良好であった。また、基板とモールドとの間の離型性も良好であった。

上記の条件ＢおよびＣによる場合よりも凹凸の径方向分布が大きくなる条件ＤおよびＥでもモールドを作成し、基板を成型した。条件ＤおよびＥでは、それぞれ、モールド保護膜２２の厚さを３００ｎｍおよび４００ｎｍに設定した。第１のエッチングを行なった後、モールド保護膜２２に対するエッチング量を評価したところ、条件Ｄでのエッチング量は２２０±２０ｎｍ、条件Ｅでのエッチング量は３１０ｎｍ±２５ｎｍであった。

図５における●で示すポイントは、条件Ｄに対応するデータであり、凸部の高さは、モールド中心側は約２００ｎｍであり、外周側で約７０ｎｍであった。図５における×で示すポイントは、条件Ｅに対応するデータであり、凸部の高さは、モールド中心側は約２８０ｎｍであり、外周側で約６０ｎｍであった。

図６における●で示すポイントは、条件Ｄに対応するデータであり、溝深さは、モールド中心側は約１９０ｎｍであり、外周側で約７０ｎｍであった。図６における×で示すポイントは、条件Ｅに対応するデータであり、溝深さは、モールド中心側は約２７０ｎｍであり、外周側で約６０ｎｍであった。

条件Ｄによる場合、基板表面の溝部以外の部分の平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、良好であった。平面度も１．９μｍであり、条件Ｂ、Ｃに比べて、幾分大きいもののも、良好な水準にあった。モールドと基板との間の離型性も、条件Ｂや条件Ｃによる場合と同様に良好であった。

これに対して、条件Ｅで作製したモールドを用いて情報記録媒体用基板を成型した場合、基板表面の溝以外部分の平均表面粗さは１ｎｍと良好であったが、基板の平面度は４．５μｍと悪化した。また、条件Ｅでは、モールドと基板との離型性が悪く、モールドへの基板の貼りつきが生じるという問題が発生した。

次に、条件Ｂによる場合と比較してモールド中心側と外周側での凸部の高さの高低差が小さくなる条件Ａでもモールドを作製した。条件Ａでは、モールド保護膜２２の厚さを条件Ｂにおける厚さと等しく１５０ｎｍに設定し、また、第１のエッチングにおけるエッチング量も同一にした。ただし、条件Ａでは、第２のエッチングでモールド保護膜２２の全面で均一なエッチングが生じるようにした。その結果、モールド保護膜２２に形成される凸部の高さは、モールド中心側で最大７０ｎｍ、外周側で最小５０ｎｍになった。

条件Ａで作製したモールドを用いて成型した情報記録媒体用基板では、溝以外の部分の平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、平面度は１．４μｍであった。また、モールドと基板との間の離型性も良好であった。

図５および図６において、条件Ａのデータは◆で示されている。

上述した各条件のもとで得られた基板平面度および離型性の関係を以下の表１に整理する。なお、表１の最右欄には、「記録媒体平面度」の測定値を記載しているが、これについては、後で詳しく説明する。

表１からもわかるように、条件Ａ〜Ｄによれば、基板平面度は２μｍ以下となり、溝が形成された情報記録媒体用基板としては良好な範囲内にあるが、条件Ｅでは平面度が他の条件に比べて悪くなっている。また、条件Ａ〜Ｄによれば、離型性も良好であったが、条件Ｅで離型性に大きな問題がある。本発明者の実験によると、情報記録媒体用基板に形成する溝の深さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内にあるとき、良好な離型性が得られるが、この範囲を超えて大きな分布を有する溝を形成すると、離型性の低下が顕著になる。

条件Ａ〜Ｅによって形成された情報記録媒体用基板の上に磁気記録層や保護層を積層することによって情報記録媒体を作製した。情報記録媒体の平面度を測定した結果を表１の最右欄に記載している。条件Ａ〜Ｄによる場合、記録媒体平面度は基板平面度に比べて最大で０．３μｍ程度低下しているが、情報記録媒体基板の平面度が略維持されている。媒体表面の平滑性を、原子間力顕微鏡で評価したところ、平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、良好であった。

こうして作製した情報記録媒体の表面は、基板の溝形状を反映した形状を有しているため、記録媒体における記録層は、ディスク半径方向において空間的に分離された構造を有している。このため、高密度記録に有効な構成が実現されていた。

記録層間の空間は非磁性物質で埋めることが好ましい。具体的には、以下の工程を実施する。まず、溝の形成された情報記録媒体上に記録層を形成した後、または保護膜を形成した後、情報記録媒体の表面を非磁性物質層で覆い、平坦な表面を有する状態を形成する。この後、非磁性物質層の全面を上面から均一にエッチバックする。このエッチバックは、溝以外の部分の磁性体が露出した時点を終端として停止する。このようなエッチバックにより、溝内に非磁性物質を埋め込むことができるため、トラック間での磁気的な分離をより確実に行なうことができる。

上記のエッチバックは、情報記録媒体の表面に露出している非磁性物質および磁性物質の両方の平均表面粗さが１ｎｍ以下になる条件で行なうことが好ましい。このようにして形成した情報記録媒体では、記録層がディスク半径方向において磁気的・空間的に分離されているため、高密度記録に特に有効である。

（実施例２）
本実施例でも、単結晶サファイア基板からなるモールド母材２１の表面を清浄化した後、スパッタ法でモールド母材２１の表面にイリジウム合金からなるモールド保護膜２２を堆積した。モールド保護膜２２の厚さは１５０ｎｍに設定した。

次に、モールド保護膜２２の表面にレジストを塗布し、電子線描画装置を用いてパターンを描画した後、現像液に浸漬した。水洗・乾燥後、パターニングされたレジストをエッチングマスクとして用い、モールド保護膜２２に第１のエッチング（反応性イオンエッチング）を行なった。第１のエッチングの後、レジストを除去し、エッチング量の評価を行なった結果、エッチング量は８０±１０ｎｍであった。

次に、エッチングマスクを用いることなく、モールド保護膜２２の全面に対して第２のエッチングを行ない、凹凸パターンの凸部の高さを調整した。第２のエッチングの後、凸部の高さの評価をおこなった結果を図７に示す（条件Ｂ）。凸部の高さは、モールド中心から３５〜４５ｎｍの位置で最高の約１００ｎｍであり、モールド中心および外周に近づくに従って低下した。外周部で凸部の高さは最も低く、６０ｎｍであった。この条件Ｂのモールドを用い、プレス成形により情報記録媒体用基板を形成した。

基板表面で溝以外の部分の平滑性を原子間力顕微鏡で評価した結果、平均表面粗さ１ｎｍ以下であり良好であった。基板に形成された溝の深さを評価した結果を、図８のＢのデータポイントとしてプロットする。図８からわかるように、深さが５０〜１００ｎｍの範囲で分布する溝が基板表面に形成されていた。

条件Ｂの平面度は１．３μｍであり、情報記録媒体用基板として良好である。また、成形後に基板はモールドから容易に取り出すことができた。

次に、条件Ｂとは異なる条件Ａ、Ｃ〜Ｅでモールドを作製し、各モールドを用いて基板を成形した。まず、条件Ｃについて、条件Ｂと異なる点のみを説明する。

条件Ｃでは、モールド保護膜２２の厚さを２５０ｎｍに設定し、第１のエッチングにおけるエッチング時間を条件Ｂの第１のエッチングにおけるエッチング時間よりも長い値に設定した。この結果、条件Ｃでは、相対的にモールド保護膜２２に対するエッチング量が大きくなり、モールド表面に形成される凹凸の高低差が大きくなる。第１のエッチングのためのレジストパターンを除去した段階において、モールド保護膜２２のエッチング部分（凹部）の深さ、言い換えると、凸部の高さを評価した。その結果、凸部の高さは、１７０±２０ｎｍであった。

次に、第２のエッチングをモールド保護膜２２の全面に対して行い、凸部の高さに半径方向分布を与えた。図７の△で示すポイントは、条件Ｃに対応するデータである。図７からわかるように、凸部の高さは、モールド中心から４０〜４５ｎｍの位置で約１４０ｎｍであり、モールド中心および外周に近づくに従って低下した。外周部で凸部の高さは最も低く、６０ｎｍであった。

条件Ｃで作製したモールドを用いて、情報記録媒体用基板を形成した。基板の表面で溝以外の部分の平滑性は、条件Ｂで作製したモールドを用いて形成したときと同様に、平均表面粗さが１ｎｍ以下であり、良好であった。

図８の△で示すポイントは、条件Ｃに対応するデータである。図８からわかるように、６０〜１４０ｎｍの間で深さが径方向に変化する溝が基板表面に形成されていた。平面度は１．８μｍであり、情報記録媒体用基板として良好であった。また、基板とモールドとの間の離型性も良好であった。

上記の条件ＢおよびＣによる場合よりも凹凸の径方向分布が大きくなる条件ＤおよびＥでもモールドを作成し、基板を成形した。条件ＤおよびＥでは、それぞれ、モールド保護膜２２の厚さを３００ｎｍおよび４００ｎｍに設定した。第１のエッチングを行なった後、モールド保護膜２２に対するエッチング量を評価したところ、条件Ｄでのエッチング量は２２０±２０ｎｍ、条件Ｅでのエッチング量は３１０ｎｍ±２５ｎｍであった。

図７における●で示すポイントは、条件Ｄに対応するデータであり、図７における×で示すポイントは、条件Ｅに対応するデータである。

第２のエッチングを行なった後、モールド保護膜２２に形成されている凸部の高さを測定した。凸部の高さは、条件Ｄでは５０〜１９０ｎｍの分布を示した。

図８における●で示すポイントは、条件Ｄに対応するデータであり、図８における×で示すポイントは、条件Ｅに対応するデータである。

条件Ｄによる場合、基板表面の溝部以外の部分の平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、良好であった。平面度も２．０μｍであり、条件Ｂ、Ｃに比べて、幾分大きいもののも、良好な水準にあった。モールドと基板との間の離型性も、条件Ｂや条件Ｃによる場合と同様に良好であった。

これに対して、条件Ｅで作製したモールドを用いて情報記録媒体用基板を成型した場合、モールドと基板との離型性が悪く、平面度を評価できる試料が得られなかった。試料の一部から評価した結果、基板表面の溝以外部分の平均表面粗さは１ｎｍであり、溝の深さは６０〜２５０ｎｍであった。

次に、条件Ｂによる場合と比較してモールド中心側と外周側での凸部の高さの高低差が小さくなる条件Ａでもモールドを作製した。条件Ａでは、モールド保護膜２２の厚さを条件Ｂにおける厚さと等しく１５０ｎｍに設定し、また、第１のエッチングにおけるエッチング量も同一にした。ただし、条件Ａでは、第２のエッチングでモールド保護膜２２の全面で均一なエッチングが生じるようにした。その結果、モールド保護膜２２に形成される凸部の高さは、最大７０ｎｍ、最小５０ｎｍになった。

条件Ａで作製したモールドを用いて成型した情報記録媒体用基板では、溝以外の部分の平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、平面度は１．２μｍであった。また、モールドと基板との間の離型性も良好であった。

図７および図８において、条件Ａのデータは◆で示されている。

上述した各条件のもとで得られた基板平面度および離型性の関係を以下の表２に整理する。なお、表２の最右欄には、「記録媒体平面度」の測定値を記載している。

表２からもわかるように、条件Ａ〜Ｄによれば、基板平面度は２μｍ以下となり、溝が形成された情報記録媒体用基板としては良好な範囲内にあるが、条件Ｅでは平面度は測定できなかった。また、条件Ａ〜Ｄによれば、離型性も良好であったが、条件Ｅで離型性に大きな問題があった。本発明者の実験によると、モールド中心と外周部との間に溝深さのピークを有する場合、情報記録媒体用基板に形成する溝の深さが５０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあるとき、良好な離型性が得られるが、この範囲を超えて大きな分布を有する溝を形成すると、離型性の低下が顕著になる。

条件Ａ〜Ｄによって形成された情報記録媒体用基板の上に磁気記録層や保護層を積層することによって情報記録媒体を作製した。情報記録媒体の平面度を測定した結果を表２の最右欄に記載している。条件Ａ〜Ｄによる場合、記録媒体平面度は基板平面度に比べて最大で０．３μｍ程度低下しているが、情報記録媒体基板の平面度が略維持されている。媒体表面の平滑性を、原子間力顕微鏡で評価したところ、平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、良好であった。

（実施例３）
本実施例でも、単結晶サファイア基板からなるモールド母材２１の表面を清浄化した後、スパッタ法でモールド母材２１の表面にイリジウム合金からなるモールド保護膜２２を堆積した。モールド保護膜２２の厚さは１５０ｎｍに設定した。

次に、モールド保護膜２２の表面にレジストを塗布し、電子線描画装置を用いてパターンを描画した後、現像液に浸漬する。水洗・乾燥後、パターニングされたレジストをエッチングマスクとして用い、モールド保護膜２２に第１のエッチング（反応性イオンエッチング）を行なった。第１のエッチングの後、レジストを除去し、エッチング量の評価をおこなった結果、エッチング量は８０±１０ｎｍであった。

次に、エッチングマスクを用いることなく、モールド保護膜２２の全面に対して第２のエッチングを行ない、凹凸パターンの凸部の高さを調整した。第２のエッチングの後、凸部の高さの評価をおこなった結果を図７に示す（条件Ｂ）。凸部の高さは、モールド中心側で約最小の７０ｎｍであり、外周に近づくに従って増加した。外周部における凸部の高さは最も大きく、１３０ｎｍであった。この条件Ｂのモールドを用い、プレス成形により情報記録媒体用基板を形成した。

基板表面で溝以外の部分の平滑性を原子間力顕微鏡で評価した結果、平均表面粗さ１ｎｍ以下であり良好であった。基板に形成された溝の深さを評価した結果を、図１０のＢのデータポイントとしてプロットする。

図１０からわかるように、深さが７０〜１１０ｎｍの範囲で分布する溝が基板表面に形成されていたことを確認できる。

条件Ｂの平面度は１．４μｍであり、情報記録媒体用基板として良好である。また、成形後に基板はモールドから容易に取り出すことができた。

次に、条件Ｂとは異なる条件Ａ、Ｃ〜Ｅでモールドを作製し、各モールドを用いて基板を成形した。

まず、条件Ｃについて、条件Ｂと異なる点のみを説明する。

条件Ｃでは、モールド保護膜２２の厚さを２５０ｎｍに設定し、第１のエッチングにおけるエッチング時間を条件Ｂの第１のエッチングにおけるエッチング時間よりも長い値に設定した。この結果、条件Ｃでは、相対的にモールド保護膜２２に対するエッチング量が大きくなり、モールド表面に形成される凹凸の高低差が大きくなる。第１のエッチングのためのレジストパターンを除去した段階において、モールド保護膜２２のエッチング部分（凹部）の深さ、言い換えると、凸部の高さを評価した。その結果、凸部の高さは、１７０±２０ｎｍであった。

次に、第２のエッチングをモールド保護膜２２の全面に対して行い、凸部の高さに半径方向分布を与えた。図９の△で示すポイントは、条件Ｃに対応するデータである。図７からわかるように、凸部の高さは、モールド中心側で最小の約７０ｎｍであり、外周部での凸部の高さは最も高く１６０ｎｍであった。

条件Ｃで作製したモールドを用いて、情報記録媒体用基板を形成した。基板の表面で溝以外の部分の平滑性は、条件Ｂで作製したモールドを用いて形成したときと同様に、平均表面粗さが１ｎｍ以下であり、良好であった。

図１０の△で示すポイントは、条件Ｃに対応するデータである。図１０からわかるように、７０〜１６０ｎｍの間で深さが径方向に変化する溝が基板表面に形成されていた。平面度は１．５μｍであり、情報記録媒体用基板として良好であった。また、基板とモールドとの間の離型性も良好であった。

上記の条件ＢおよびＣによる場合よりも凹凸の径方向分布が大きくなる条件ＤおよびＥでもモールドを作成し、基板を成形した。条件ＤおよびＥでは、それぞれ、モールド保護膜２２の厚さを３００ｎｍおよび４００ｎｍに設定した。第１のエッチングを行なった後、モールド保護膜２２に対するエッチング量を評価したところ、条件Ｄでのエッチング量は２２０±２０ｎｍ、条件Ｅでのエッチング量は３１０ｎｍ±２５ｎｍであった。

図１０における●で示すポイントは、条件Ｄに対応するデータであり、図１０における×で示すポイントは、条件Ｅに対応するデータである。第２のエッチングを行なった後、モールド保護膜２２に形成されている凸部の高さを測定した。凸部の高さは、条件Ｄでは５０〜２００ｎｍの分布を示した。

条件Ｄによる場合、基板表面の溝部以外の部分の平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、良好であった。平面度も２．０μｍであり、条件Ｂ、Ｃに比べて、幾分大きいもののも、良好な水準にあった。モールドと基板との間の離型性も、条件Ｂや条件Ｃによる場合と同様に良好であった。

これに対して、条件Ｅで作製したモールドを用いて情報記録媒体用基板を成型した場合、基板表面の溝以外部分の平均表面粗さは１ｎｍと良好であったが、基板の平面度は５．１μｍと悪化した。また、条件Ｅでは、モールドと基板との離型性が悪く、モールドへの基板の貼りつきが生じるという問題が発生した。基板表面に形成された溝の深さは５０〜３４０ｎｍであった。

次に、条件Ｂによる場合と比較してモールド中心側と外周側での凸部の高さの高低差が小さくなる条件Ａでもモールドを作製した。条件Ａでは、モールド保護膜２２の厚さを条件Ｂにおける厚さと等しく１５０ｎｍに設定し、また、第１のエッチングにおけるエッチング量も同一にした。ただし、条件Ａでは、第２のエッチングでモールド保護膜２２の全面で均一なエッチングが生じるようにした。その結果、モールド保護膜２２に形成される凸部の高さは、モールド中心側で最小の５０ｎｍ、外周側で最大の８０ｎｍになった。

条件Ａで作製したモールドを用いて成型した情報記録媒体用基板では、溝以外の部分の平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、平面度は１．２μｍであった。また、モールドと基板との間の離型性も良好であった。

上述した各条件のもとで得られた基板平面度および離型性の関係を以下の表３に整理する。なお、表３の最右欄には、「記録媒体平面度」の測定値を記載している。

表３からもわかるように、条件Ａ〜Ｄによれば、基板平面度は２μｍ以下となり、溝が形成された情報記録媒体用基板としては良好な範囲内にあるが、条件Ｅでは平面度が他の条件に比べて悪くなっている。また、条件Ａ〜Ｄによれば、離型性も良好であったが、条件Ｅで離型性に大きな問題がある。本発明者の実験によると、情報記録媒体用基板に形成する溝の深さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内にあるとき、良好な離型性が得られるが、この範囲を超えて大きな分布を有する溝を形成すると、離型性の低下が顕著になる。

条件Ａ〜Ｄによる場合、記録媒体平面度は基板平面度に比べて最大で０．２μｍ程度低下しているが、情報記録媒体基板の平面度が略維持されている。媒体表面の平滑性を、原子間力顕微鏡で評価したところ、平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、良好であった。

なお、上記の各実施例では、略同心円上に形成された溝を有する情報記録媒体用基板を作製したが、半径方向に伸びる溝が付加的に形成されていてもよい。また、溝の断面形状は矩形に限定されず、ＵまたはＶ字型であってもよい。

本発明によれば、基板表面に溝形状を形成した情報記録媒体用基板をプレス成形で形成する際に問題となるモールドと上記基板の離型性および基板の平坦性が改善されるため、情報記録の高密度化に大きく寄与する。

（ａ）は、本発明の情報記録媒体用基板を示す平面図、（ｂ）は、その概略断面図、（ｃ）は、部分拡大断面図である。 （ａ）は、本発明による情報記録媒体用基板の実施形態を示す概略断面図であり、（ｂ）は、本発明によるモールドの実施形態を示す断面概略図である。 （ａ）から（ｄ）は、本発明のプレス成形に用いるモールドの製造方法の実施形態を示す工程断面である。 （ａ）から（ｃ）は、本発明の情報記録媒体用基板の形成工程の例を示す工程断面図である。 実施例１における本発明のモールド表面に形成した凸部高さのモールド半径方向における分布を示すグラフである。 実施例１における情報記録媒体用基板に形成された溝の深さの基板半径方向における分布を示すグラフである。 実施例２におけるモールド表面に形成した凸部の高さのモールド半径方向における分布を示すグラフである。 実施例２における情報記録媒体用基板に形成された溝の深さの基板半径方向における分布を示すグラフである。 実施例３におけるモールド表面に形成した凸部の高さのモールド半径方向における分布を示すグラフである。 実施例３における情報記録媒体用基板に形成された溝の深さの基板半径方向における分布を示すグラフである。

符号の説明

１１、３１ 情報記録媒体用基板
１３ 中心孔
１５ 溝
１２、３２ モールド
２１ モールド母材
２２ モールド保護膜
２３ エッチングマスク

Claims (17)

1. プレス成形によって形成された情報記録媒体用基板であって、
   凹凸パターンが形成された成形面を有し、
   前記成形面における凹凸パターンの凹部の深さが前記成形面上で異なる大きさを有している情報記録媒体用基板。
2. 前記凹部は溝である請求項１に記載の情報記録媒体用基板。
3. 前記溝は、複数の同心円上に略位置しており、
   前記溝の深さは、同心円の中心からの距離に応じて変化している、請求項２に記載の情報記録媒体用基板。
4. 前記溝の深さは、基板中心からの距離が大きくなるにつれて段階的に変化している、請求項１に記載の情報記録媒体用基板。
5. 前記溝の深さは、５０ｎｍ以上である請求項２から４のいずれかに記載の情報記録媒体用基板。
6. 前記成形面上において前記凹部が形成されていない領域によって規定される面の平面度は２μｍ以下である請求項２から５のいずれかに記載の情報記録媒体用基板。
7. 前記溝を横切る面における前記溝の断面は、Ｕ、Ｖ、または矩形の形状を有している請求項２から６のいずれかに記載の情報記録媒体用基板。
8. 前記溝の深さの前記基板内における最小値は、最大値の２５％以上８５％以下の範囲内にある請求項２から７のいずれかに記載の情報記録媒体用基板。
9. 情報記録媒体用基板を形成するためのプレス成形に用いるモールドであって、
   凹凸パターンが形成された表面を有し、
   前記表面における凹凸パターンの凸部の高さが前記表面上で異なる大きさを有しているモールド。
10. 前記凸部は、複数の同心円上に略位置しており、
    前記凸部の高さは、同心円の中心からの距離に応じて変化している、請求項９に記載のモールド。
11. 前記凸部の高さは、５０ｎｍ以上である請求項９または１０に記載のモールド。
12. 前記表面上において前記凸部が形成されていない領域によって規定される面の平面度は２μｍ以下である請求項９から１１のいずれかに記載のモールド。
13. 前記凸部を横切る面における前記凸部の断面は、逆Ｕ、逆Ｖ、または矩形の形状を有している請求項９から１２のいずれかに記載のモールド。
14. 前記凸部の高さの前記表面内における最小値は、最大値の２５％以上７５％以下の範囲内にある請求項９から１３のいずれかに記載のモールド。
15. 請求項１から８のいずれかに記載の情報記録媒体用基板と、
    前記基板の成形面上に形成された記録膜と
    を備えた情報記録媒体。
16. 前記記録膜は、非磁性物質領域と磁性物質領域とを有しており、
    前記非磁性物質領域および磁性物質領域は、前記基板の成形面上において略同心円状に交互配列されている請求項１５に記載の情報記録媒体。
17. 情報記録媒体用基板を形成するためのプレス成形に用いるモールドの製造方法であって、
    前記モールドの表面に第１のエッチングによって凹凸パターンを形成する工程と、
    前記凹凸パターンに対する第２のエッチングによって前記凹凸パターンにおける凸部の高さに半径方向分布を与える工程と、
    を有するモールドの製造方法。