JP2005327864A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005327864A JP2005327864A JP2004143927A JP2004143927A JP2005327864A JP 2005327864 A JP2005327864 A JP 2005327864A JP 2004143927 A JP2004143927 A JP 2004143927A JP 2004143927 A JP2004143927 A JP 2004143927A JP 2005327864 A JP2005327864 A JP 2005327864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mist
- gas
- supply path
- raw material
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 低蒸気圧の液体原料を気化して得た気化原料ガスを成膜装置に供給するにあたり、気化器と成膜装置を結ぶ供給路内での、気化原料ガスのミストの付着を防止してパーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】 気化器3内に液体原料と、キャリアガスとを供給する。気化器3では、液体原料を気化して気化原料ガスを得、この処理ガス成分とミストを含む気化原料ガスが下流側のミスト分離部4に搬送される。ミスト分離部4では、前記処理ガス成分は、重力方向に対して屈曲する通気路を介して成膜処理部100へ通気していき、前記ミストは、屈曲部にて重力により落下してミスト溜まり部46に溜まるので、こうして前記処理ガスとミストとが分離される。これによりミスト分離部4と成膜処理部100を結ぶ供給路53内では、ミストの付着が防止され、パーティクルの発生を抑えることができる。
【選択図】 図1
Description
前記貯留槽の下流側に、液体原料供給路を介して接続され、液体原料を気化して気化原料ガスを得る気化器と、
前記気化器の下流側に、気化原料ガス供給路を介して設けられ、前記気化原料ガスに含まれる処理ガスとミストとを分離し、分離されたミストを排出するためのミスト分離部と、
このミスト分離部の下流側に、処理ガス供給路を介して設けられ、ミスト分離部から送られた処理ガスを用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴とする。
(実施例1)
上述の成膜装置を用いて、液体原料としてHEAD、キャリアガスとしてN2ガスを用い、成膜処理部100に他の処理ガスとしてNH3ガスを導入して、反応容器110内温度を350℃〜500℃、反応容器110内圧力を26.6Pa〜133Pa(0.2Torr〜1Torr)に調整し、ウエハW上にシリコンナイトライド膜を成膜し、膜中の粒径0.13μm以上のパーティクル数と、膜厚とを各ラン(ラン1〜ラン17)毎に測定した。パーティクル数は最大97個カウントした。ここで各ランの間には、加熱されたN2ガスによる第3の供給路53のパージ処理と、N2ガスにより気化器3とミスト分離部4とのパージ処理を行った。
(比較例1)
従来の図8に示す方式の気化システムを用いた成膜装置にて、液体原料としてHEAD、キャリアガスとしてN2ガスを用い、成膜処理部100に他の処理ガスとしてNH3ガスを導入して、実施例1と同様の条件でウエハW上にシリコンナイトライド膜を成膜し、膜中の粒径0.13μm以上のパーティクル数と、膜厚とを各ラン(ラン1〜ラン21)毎に測定した。この結果を図7(b)に示す。
100 成膜装置
110 反応管
120 ウエハボート
130 加熱手段
150 真空ポンプ
200 ガス供給系
2 貯留槽
21 加圧気体供給路
3 気化器
4 ミスト分離部
42 ミスト排出路
44 排気ポンプ
51 第1の供給路(液体原料供給路)
52 第2の供給路(気化原料ガス供給路)
53 第3の供給路(処理ガス供給路)
6 洗浄液供給手段
61 洗浄液供給路
7 パージガス供給手段
71 パージガス供給路
V1〜V3 バルブ
Vm ミスト排出バルブ
Claims (13)
- 液体原料を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽の下流側に、液体原料供給路を介して接続され、液体原料を気化して気化原料ガスを得る気化器と、
前記気化器の下流側に、気化原料ガス供給路を介して設けられ、前記気化原料ガスに含まれる処理ガスとミストとを分離し、分離されたミストを排出するためのミスト分離部と、
このミスト分離部の下流側に、処理ガス供給路を介して設けられ、ミスト分離部から送られた処理ガスを用いて基板に成膜処理を行う成膜処理部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - ミスト分離部は、通気路を屈曲して構成され、屈曲部位よりも上流側を流れているミストが慣性力によりそのまま進もうとして当該屈曲部位にて気体から分離されるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記ミスト分離部は、上方側に気化原料ガス供給路が接続されると共に、下端部の側面に処理ガス供給路が接続された縦型の筒状部により構成されたことを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記ミスト分離部は、ミストを貯留するミスト溜まり部と、
このミスト溜まり部に貯留するミストを除去する排出口と、を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の成膜装置。 - 前記ミスト分離部の排出口に、ミスト溜まり部に貯留されるミストをミスト分離部から除去するための吸引路を設けることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の成膜装置。
- 前記処理ガス供給路におけるミスト分離部の近傍に、当該処理ガス供給路内の付着物を除去するためにパージガスを供給するパージガス供給路が接続されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の成膜装置。
- 前記パージガス供給路には、パージガスを加熱するための加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項6記載の成膜装置。
- 前記ミスト分離部には、このミスト分離部の内部を洗浄するための洗浄液を供給する供給路が接続されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一に記載の成膜装置。
- 気化器にて液体原料を気化して気化原料ガスを得る工程と、
次いで気化器の下流側に気化原料ガス供給路を介して設けられたミスト分離部にて、前記気化原料ガスに含まれる処理ガスとミストとを分離し、分離されたミストを排出口から排出する工程と、
次いでミスト分離部の下流側に処理ガス供給路を介して設けられた成膜処理部にて、前記処理ガスを用いて基板に成膜処理を行う工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 成膜処理を行った後、前記処理ガス供給路におけるミスト分離部の近傍に、当該処理ガス供給路内の付着物を除去するために、パージガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項9記載の成膜方法。
- 前記パージガスを供給する前に、このパージガスを加熱する工程を含むことを特徴とする請求項10記載の成膜方法。
- 成膜処理を行った後、ミスト分離部にパージガスを供給し、このパージガスを処理ガス供給路以外から排出する工程を含むことを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一に記載の成膜方法。
- 成膜処理を行った後、ミスト分離部に洗浄液を供給し、この洗浄液を処理ガス供給路以外から排出する工程を含むことを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一に記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004143927A JP4150356B2 (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004143927A JP4150356B2 (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005327864A true JP2005327864A (ja) | 2005-11-24 |
JP4150356B2 JP4150356B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=35473965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004143927A Expired - Fee Related JP4150356B2 (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4150356B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007086393A1 (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理システム |
WO2009107239A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体製造装置の配管パージ方法 |
JP2010059498A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2010540766A (ja) * | 2007-09-25 | 2010-12-24 | ピー2アイ リミテッド | 蒸気運搬システム |
JP2010540765A (ja) * | 2007-09-25 | 2010-12-24 | ピー2アイ リミテッド | 蒸気運搬システム |
WO2012111295A1 (ja) | 2011-02-14 | 2012-08-23 | 三井造船株式会社 | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 |
WO2013183660A1 (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | 株式会社渡辺商行 | 成膜装置 |
US8755679B2 (en) | 2006-04-05 | 2014-06-17 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporizer |
JP2014127619A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Micronics Japan Co Ltd | 配線形成装置、メンテナンス方法および配線形成方法 |
WO2016009608A1 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びバルブ装置 |
JP2018125449A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社日立国際電気 | リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
WO2019082674A1 (ja) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | 株式会社堀場エステック | 気化装置及び気化装置用分離器 |
-
2004
- 2004-05-13 JP JP2004143927A patent/JP4150356B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8506714B2 (en) | 2006-01-24 | 2013-08-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing system |
WO2007086393A1 (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理システム |
US8641829B2 (en) | 2006-01-24 | 2014-02-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing system |
US8755679B2 (en) | 2006-04-05 | 2014-06-17 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporizer |
JP2010540766A (ja) * | 2007-09-25 | 2010-12-24 | ピー2アイ リミテッド | 蒸気運搬システム |
JP2010540765A (ja) * | 2007-09-25 | 2010-12-24 | ピー2アイ リミテッド | 蒸気運搬システム |
CN102899637A (zh) * | 2007-09-25 | 2013-01-30 | P2I有限公司 | 蒸汽传输系统 |
WO2009107239A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体製造装置の配管パージ方法 |
JP2010059498A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
WO2012111295A1 (ja) | 2011-02-14 | 2012-08-23 | 三井造船株式会社 | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 |
WO2013183660A1 (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | 株式会社渡辺商行 | 成膜装置 |
JP2014127619A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Micronics Japan Co Ltd | 配線形成装置、メンテナンス方法および配線形成方法 |
WO2016009608A1 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びバルブ装置 |
CN106661730A (zh) * | 2014-07-17 | 2017-05-10 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给装置和阀装置 |
US10870920B2 (en) | 2014-07-17 | 2020-12-22 | Tokyo Electron Limited | Gas supply device and valve device |
JP2018125449A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社日立国際電気 | リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
WO2019082674A1 (ja) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | 株式会社堀場エステック | 気化装置及び気化装置用分離器 |
JPWO2019082674A1 (ja) * | 2017-10-23 | 2020-09-17 | 株式会社堀場エステック | 気化装置及び気化装置用分離器 |
JP7184794B2 (ja) | 2017-10-23 | 2022-12-06 | 株式会社堀場エステック | 気化装置及び気化装置用分離器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4150356B2 (ja) | 2008-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4553245B2 (ja) | 気化器、成膜装置及び成膜方法 | |
US10612143B2 (en) | Raw material gas supply apparatus and film forming apparatus | |
JP4299286B2 (ja) | 気化装置、成膜装置及び気化方法 | |
US6905549B2 (en) | Vertical type semiconductor device producing apparatus | |
JP4961381B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP4150356B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JPH09186107A (ja) | 処理ガス供給装置のクリーニング方法 | |
JP4365785B2 (ja) | 成膜装置 | |
US8734901B2 (en) | Film deposition method and apparatus | |
JP2002525430A (ja) | Cvdリアクタ用ガス供給システムおよび同システムを制御する方法 | |
JP2004140328A (ja) | ガス供給系及び処理システム | |
JP2004006801A (ja) | 縦型半導体製造装置 | |
TWI804993B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式 | |
US8211500B2 (en) | Copper film deposition method | |
WO2007086393A1 (ja) | 基板処理システム | |
JP2006222265A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2005024926A1 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2003213422A (ja) | 薄膜の形成装置及びその形成方法 | |
JP2009239297A (ja) | 処理システム | |
JP2005064306A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002208564A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2008160081A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR101066138B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP5373161B2 (ja) | 気化ユニットの洗浄方法 | |
JP5060375B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080627 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4150356 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140704 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |