JP2005327808A - 半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン集積回路と同一基板上に四族半導体材料を用いた発光・受光デバイスを製作し、デバイス間を光伝送路で接続することで光による情報伝送を可能とする半導体デバイスが得られる。
【選択図】 図1
Description
2 酸化膜
3 シリコン層
4 透明材料(光伝送路)
5 p型半導体
6 n型半導体
7 絶縁膜(リンドープ酸化膜)
8 電極
9 発光デバイス
10 受光デバイス
21 p型半導体
22 n型半導体
23 不純物濃度1018atoms・cm−3以下の半導体
24 n型半導体
25 p型半導体
26 半導体
Claims (11)
- 電気信号を光信号に変換する発光デバイスと、光信号を電気信号に変換する受光デバイスと、これら発光デバイスおよび受光デバイスを表面上に搭載配置した半導体基板とを、同一主成分の半導体材料で構成したことを特徴とする半導体デバイス。
- 電気信号を光信号に変換する発光デバイスと、光信号を電気信号に変換する受光デバイスと、これら発光デバイスおよび受光デバイス間を光接続するための導光手段とを、同一半導体基板上に配置したことを特徴とする半導体デバイス。
- 前記発光デバイス、前記受光デバイス、および前記半導体基板は四族の元素の少なくとも一つまたはそれらの複合物を主成分として構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体デバイス。
- 前記発光デバイスおよび前記受光デバイスの少なくとも一方は、p型半導体とn型半導体とを接合させたpn接合構造を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
- 前記発光デバイスおよび前記受光デバイスの少なくとも一方は、p型半導体とn型半導体との間に不純物濃度1018atoms・cm−3以下の半導体層を設けたpin接合構造を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
- 前記発光デバイスおよび前記受光デバイスの少なくとも一方は、組成比が1%以上異なる異種(ヘテロ)材料を接合させた構造を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
- 前記導光手段は、四族元素半導体の窒化物、酸化物、または酸窒化物を含むことを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス。
- 前記発光デバイスおよび前記受光デバイスを、光信号を伝送するための透明材料薄膜により光学的に結合させたことを特徴とする請求項1または請求項3乃至7のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
- 前記発光デバイスおよび前記受光デバイスを、光信号を伝送するための透明材料の細線により光学的に結合させたことを特徴とする請求項1または請求項3乃至7のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
- 前記透明材料は、シリコン系四族元素の酸化物あるいは窒化物あるいは酸窒化物であることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体基板には、シリコン集積回路が形成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03191572A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-21 | Nippon Soken Inc | 光半導体装置 |
JPH05218384A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Hitachi Ltd | 光導波路付き半導体集積回路 |
JPH0697499A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nippon Steel Corp | 発光素子 |
JPH0697420A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nippon Steel Corp | 光結合素子 |
JPH1146014A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Hitachi Ltd | 4族系半導体装置、半導体光装置、および半導体高発光部材 |
JP2003031790A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-05-12 JP JP2004142537A patent/JP4649604B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03191572A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-21 | Nippon Soken Inc | 光半導体装置 |
JPH05218384A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Hitachi Ltd | 光導波路付き半導体集積回路 |
JPH0697499A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nippon Steel Corp | 発光素子 |
JPH0697420A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nippon Steel Corp | 光結合素子 |
JPH1146014A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Hitachi Ltd | 4族系半導体装置、半導体光装置、および半導体高発光部材 |
JP2003031790A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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