JP2005326866A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005326866A5
JP2005326866A5 JP2005168024A JP2005168024A JP2005326866A5 JP 2005326866 A5 JP2005326866 A5 JP 2005326866A5 JP 2005168024 A JP2005168024 A JP 2005168024A JP 2005168024 A JP2005168024 A JP 2005168024A JP 2005326866 A5 JP2005326866 A5 JP 2005326866A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manufacturing
circuit board
crystallizing
semiconductor layer
energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005168024A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005326866A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005168024A priority Critical patent/JP2005326866A/ja
Priority claimed from JP2005168024A external-priority patent/JP2005326866A/ja
Publication of JP2005326866A publication Critical patent/JP2005326866A/ja
Publication of JP2005326866A5 publication Critical patent/JP2005326866A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (3)

  1. 線状にエネルギーを供給して半導体を結晶化させる工程を備える回路基板の製造方法において、
    半導体層においてキャリアが流れる方向と前記線状に供給されるエネルギーの長手方向とを略平行な方向にして当該半導体層全体を結晶化させること
    を特徴とする回路基板の製造方法。
  2. 線状にエネルギーを供給して半導体を結晶化させる工程を備える回路基板の製造方法において、
    半導体層に形成するゲート電極における長手方向と前記線状に供給されるエネルギーの長手方向とを略直角な方向にして当該半導体層全体を結晶化させること
    を特徴とする回路基板の製造方法。
  3. レーザ光により前記エネルギーを供給することを特徴とする
    請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
JP2005168024A 2005-06-08 2005-06-08 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法 Pending JP2005326866A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005168024A JP2005326866A (ja) 2005-06-08 2005-06-08 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005168024A JP2005326866A (ja) 2005-06-08 2005-06-08 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16755599A Division JP3770368B2 (ja) 1999-06-14 1999-06-14 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005326866A JP2005326866A (ja) 2005-11-24
JP2005326866A5 true JP2005326866A5 (ja) 2006-07-27

Family

ID=35473203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005168024A Pending JP2005326866A (ja) 2005-06-08 2005-06-08 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005326866A (ja)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3206071B2 (ja) * 1992-01-14 2001-09-04 富士ゼロックス株式会社 半導体素子の製造方法
JPH0945632A (ja) * 1995-08-03 1997-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザーアニール方法及び半導体膜の溶融結晶化方法
JPH09172181A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP3939383B2 (ja) * 1996-04-27 2007-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3349355B2 (ja) * 1996-08-19 2002-11-25 三洋電機株式会社 半導体膜のレーザーアニール方法
JPH11121751A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPH11121753A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200625529A (en) Contact hole structures and contact structures and fabrication methods thereof
JP2009152565A5 (ja)
DK1989740T4 (da) Fremgangsmåde til solcellemarkering og solcelle
JP2009033145A5 (ja)
JP2006179924A5 (ja)
JP2006339157A5 (ja)
JP2012151456A5 (ja) 半導体装置の作製方法
DE602005010774D1 (de) Thermokopf mit zwischen Kühlkörperplatte und Kopfsubstrat aufgetragenem Klebstof und Herstellungsverfahren dafür
JP2009003434A5 (ja)
JP2008270187A5 (ja) 発光装置の作製方法
TW200739992A (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing same
JP2011009723A5 (ja)
JP2009545774A5 (ja)
ATE523896T1 (de) Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren
DE502006005304D1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit stromaufweitungsschicht
JP2008034364A5 (ja)
TW200705137A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2008114341A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2011060901A5 (ja)
JP2010027210A5 (ja)
JP2005204344A5 (ja)
JP2005184025A5 (ja)
JP2005326866A5 (ja)
EP1972016A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE ELECTRON TRANSISTOR (SET) USING NANO-LITHOGRAPHIC TECHNOLOGY IN THE SEMICONDUCTOR PROCESS
JP2009049143A5 (ja)