JP2005324195A - 水素化処理用多孔質4族金属酸化物及び水素化処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一般式MO2・nH2O(但し、Mは4族金属を示し、nは0.02以上である)で表される4族金属含水酸化物のヒドロゾル又はヒドロゲル若しくはそれらの乾燥物に、焼成時の粒子成長を抑制する粒子成長抑制剤としてP、S、Mo、W、V、B、Al、及びSiから選ばれた金属を含むオキシアニオン及び/又は金属カルボニルアニオン、又は、Fe、Ni、Co、Mg、Mn、Pt、Pd、Rh、及びRuから選ばれた金属カチオンを添加したのち、乾燥、焼成して得られる80m2/g以上の高比表面積を持つ水素化処理用多孔質4族金属酸化物、及びこれを用いた水素化処理方法。
【選択図】 図3
Description
本発明は、触媒担体、触媒、乾燥剤、吸着剤、充填剤等の用途に有用な多孔質4族金属酸化物とそれらを製造するための方法及びその用途に係るもので、特に、高比表面積でかつ熱安定性にも優れた多孔質4族金属酸化物水素化処理用触媒担体と触媒、及びそれらの製造方法並びにその用途に関する。
従来、多孔質4族金属酸化物は、例えば、液相における水酸化チタンの一般的な合成方法である硫酸チタン(硫酸チタニル)溶液を加水分解する方法、四塩化チタンあるいは硫酸チタン(硫酸チタニル)等の水溶液をアルカリで中和する方法、チタンアルコキシドを加水分解するゾル・ゲル化方法等で生成させた4族金属含水酸化物を乾燥・焼成して製造されている。
(4族金属含水酸化物の製造)
4族金属含水酸化物のヒドロゾル、ヒドロゲル又はそれらの乾燥物で、MO2・nH2Oとして表される当該4族金属含水酸化物のnが0.02以上のものを製造する条件は、該多孔質4族金属酸化物(MO2)濃度は1〜20重量%、好ましくは3〜15重量%、反応温度は常温から300℃、好ましくは常温から180℃、更に好ましくは常温から100℃、反応圧力は常圧から3.0MPaで、好ましくは常圧から0.9MPaで、更に好ましくは常圧から0.1MPa、pHは0.5〜11、好ましくは1.0〜10の範囲でアルカリによる中和反応あるいは加水分解反応によって4族金属含水酸化物を生成する。
上記一般式MO2・nH2O(但し、Mは4族金属を示し、nは0.02以上である)で表される4族金属含水酸化物のヒドロゾル又はヒドロゲル若しくはそれらの乾燥物に、粒子成長抑制剤として1種又は2種以上のアニオン、又はカチオン、若しくはこれらアニオン及びカチオンを添加するが、この際に、粒子成長抑制剤がアニオンの場合には好ましくは4族金属酸化物の等電点未満のpHで添加するのがよく、また、粒子成長抑制剤がカチオンの場合には好ましくは4族金属酸化物の等電点以上のpHで添加するのがよく、更に、粒子成長抑制剤がアニオン及びカチオンの場合には好ましくは4族金属酸化物の等電点未満のpHで同時に添加するのがよい。これは、イオン交換等による置換がより効果的に進むことによる。そして、これら粒子成長抑制剤の添加量については、4族金属酸化物100g当たり0.06〜6g当量、好ましくは0.1〜5g当量添加し、温度常温から100℃で、熟成時間0.1〜5時間、好ましくは0.2〜3時間保持する。
なお、上記ヒドロゾルはその生成段階のもの、ヒドロゲルはその生成後のものに粒子成長抑制剤を添加するのが効果的である。
4族金属酸化物基準での含水量を30〜900重量%、好ましくは50〜700重量%にろ過・脱水し、所要の形状に成型し、乾燥温度40〜350℃、好ましくは80〜200℃で、乾燥時間0.5〜24時間、好ましくは80〜200℃で乾燥し、温度350〜1200℃、好ましくは400〜700℃で焼成する。
すなわち、種子生成工程については、不均一沈殿法、均一沈殿法、共沈法、イオン交換法、加水分解法、及び金属溶解法等の慣用の方法を採用することができる。また、ヒドロゾル合成工程については、上記種子生成工程で得られた4族金属含水酸化物のヒドロゾルに4族金属化合物の水溶液、及び/又はpH調整剤とを交互に添加し、ヒドロゾル溶解pH領域とヒドロゾル析出pH領域との間を交互に複数回変動させるものであり、ヒドロゾル溶解pH領域とは微細粒子のヒドロゾルを可溶化し得るpH領域をいい、また、ヒドロゾル析出pH領域とはヒドロゾル粒子の成長及び凝集を生起させるpH領域をいう。更に、このヒドロゾル合成工程においては、必要により、熟成、洗浄、固形分含量調節等の処理が行われ、所望の性状を有する4族金属含水酸化物のヒドロゾルあるいはヒドロゲルとされる。
(細孔シャープネス度)
水銀ポロシメータにより測定された累積細孔分布曲線に関し、先ず累積細孔容積を示す縦軸と細孔直径(Å)を表す横軸において、全細孔容積(PVT)の(1/2)PVにおける細孔径(メデアン直径)を求める。次に、メディアン直径の対数値における±5%の細孔径範囲内に有する細孔容積(PVM)を求め、その細孔容積(PVM)と全細孔容積(PVT)から以下の式により、細孔分布のシャープ度を表わす細孔シャープネス度を求める。
細孔シャープネス度={細孔容積(PVM)/全細孔容積(PVT)}*100
ここで定義する細孔シャープネス度は、全細孔容積に対する反応に最適な細孔の度合いを評価するための因子であり、細孔シャープネス度が大きい程、シャープな細孔分布を有することになり、好ましいものとなる。
触媒及び担体の比表面積は、BETの三点法により測定し、測定機器にはマウンテック社製Macsorb Model-1201を使用した。
触媒及び担体の細孔容積と細孔分布は、測定圧力414MPaで水銀圧入法により測定し、測定機器には島津製作所製オートポア9200形を使用した。
触媒及び担体の結晶構造はX線回折法により測定し、測定機器にはPHILIPS社製PW3710を使用した。
(四塩化チタン水溶液の調製)
氷を加えた純水に冷却した四塩化チタン(TiCl4)1kgを徐々に添加し酸化チタン換算濃度210g/リットルの四塩化チタン水溶液を調製した。
(14wt%NH4OH水溶液の調製)
28wt%NH4OHを2倍に希釈し、14wt%NH4OH水溶液を調製した。
次に、30リットルの撹拌機付きベッセルに純水10リットルを入れ、攪拌しながら前記四塩化チタン水溶液1.5リットルを添加し、pHを0.5以下まで低下させた。
この溶液に上記14wt%NH4OH水溶液2.3リットルを添加し、pHを7まで上昇させ、約5分間放置した。
上記ヒドロゾル合成工程終了後、濾過し、得られたケーキを純水にて洗浄し、硝酸銀滴定により濾液中に塩素(Cl-)が確認されなくなるまで洗浄操作を繰り返し、チタニアヒドロゾルを得た。
以上のようにして得られたチタニアヒドロゾルを吸引濾過し、含水量約50重量%になるまで脱水し、次いで穴径1.5mmφのダイスを用いて成形し、得られた成形物を120℃にて3時間乾燥し、チタニア乾燥成形物を得た。
上記で得られたチタニア乾燥成型物を、酸化チタン当たり酸化物基準で16.3重量%のパラモリブデン酸アンモニウムを含有する水溶液に浸漬し、室温下に2時間放置したのち、5Cの濾紙で濾過し、モリブデン担持物を得た。
得られたモリブデン担持物を120℃で3時間乾燥した後、500℃で3時間焼成し、モリブデン担持チタニア触媒を得た。
得られたモリブデン担持チタニア触媒の物性を表1に示す。
これらの操作を更に3回繰り返し、ヒドロゾル溶解pH領域(pH0.5)とヒドロゾル析出pH領域(pH7)との間を交互に合計5回変動させた。
これ以降の洗浄・濾過・成形・乾燥・粒子成長抑制剤添加工程・乾燥焼成工程は実施例1と同様とした。
得られたモリブデン担持チタニア触媒の物性を表1に示す。
得られた触媒の物性を表1に示す。
得られた触媒の物性を表2に示す。
得られた触媒の物性を表2に示す。
得られた触媒の物性を表2に示す。
得られた触媒の物性を表3に示す。
得られた触媒の物性を表3に示す。
得られた触媒の物性を表3に示す。
得られた触媒の物性を表4に示す。
得られた触媒の物性を表4に示す。
得られた触媒の物性を表4に示す。
得られた触媒の物性を表5に示す。
得られた触媒の物性を表5に示す。
得られた触媒の物性を表5に示す。
得られた触媒の物性を表6に示す。
得られた触媒の物性を表6に示す。
得られた触媒の物性を表6に示す。
得られた触媒の物性を表7に示す。
得られた触媒の物性を表7に示す。
得られた触媒の物性を表7に示す。
得られた触媒の物性を表8に示す。
得られた触媒の物性を表8に示す。
得られた触媒の物性を表8に示す。
得られた触媒の物性を表9に示す。
得られた触媒の物性を表9に示す。
得られた触媒の物性を表9に示す。
得られた触媒の物性を表9に示す。
四塩化チタン水溶液と14wt%NH4OH水溶液を95℃の合成温度条件にて連続で混合し、チタニアヒドロゾルを得た。得られたチタニアヒドロゾルを濾過し、水で3回洗浄し、次いで成形した後、500℃で3時間焼成してチタニア担体を製造した。
得られたチタニア担体の物性を表10に示す。
実施例2で得られた粒子成長抑制剤添加前のチタニア成形乾燥物を500℃で焼成し、チタニア担体を製造した。
得られたチタニア担体の物性を表10に示す。
実施例2で得られた粒子成長抑制剤添加前のチタニア成形物を370℃で乾燥し、含水酸化物水分量(n)を0.01に調整したのち、粒子成長抑制剤として、酸化チタン当たり酸化物基準で16.3重量%のパラモリブデン酸アンモニウムを加えた以外は実施例2と同様にしてモリブデン担持チタニア触媒を得た。
得られた触媒の物性を表10に示す。
触媒として市販のチタニアを触媒化し、BET比表面積42m2/gのNi/Mo担持チタニア触媒(Ni:2.4wt%/Mo:16.7wt%)を用いた以外は、上記実施例29と同様にして水素化処理を行った。この水素化処理の結果、生成油の窒素濃度は0.10重量%となった。
脱窒素反応を1次反応として脱窒素反応速度を求めると、実施例15の触媒は、比較例4の触媒と比較して、約3.5倍の脱窒素活性を示した。
触媒として、市販のチタニアを触媒化し、BET比表面積40m2/gのCo・Mo担持チタニア触媒(Co:3.9wt%/Mo:13.3wt%)を用いた以外は、上記実施例30と同様にして水素化処理を行った。この水素化処理の結果、生成油の硫黄濃度は450ppmとなった。脱硫反応を1.5次反応として脱硫反応速度を求めると、実施例14の触媒は、比較例5の触媒と比較して、約3.8倍の脱硫活性を示した。
Claims (8)
- 一般式MO2・nH2O(但し、Mは4族金属を示し、nは0.02以上である)で表される4族金属含水酸化物のヒドロゾル又はヒドロゲル若しくはそれらの乾燥物に、焼成時の粒子成長を抑制する粒子成長抑制剤としてP、S、Mo、W、V、B、Al、及びSiから選ばれた1種又は2種以上の金属を含むオキシアニオン及び/又は金属カルボニルアニオン、又は、Fe、Ni、Co、Mg、Mn、Pt、Pd、Rh、及びRuから選ばれた1種又は2種以上の金属カチオン、若しくは、これらオキシアニオン及び/又は金属カルボニルアニオンと金属カチオンとを添加したのち、乾燥、焼成して得られる80m2/g以上の高比表面積を持つ水素化処理用多孔質4族金属酸化物。
- 請求項1に記載の水素化処理用多孔質4族金属酸化物であって、4族金属(M)がチタン(Ti)である水素化処理用多孔質チタニア。
- アニオンの添加は4族金属酸化物の等電点未満のpHで、カチオンの添加は4族金属酸化物の等電点以上のpHで、アニオン及びカチオンを同時に添加する場合は4族金属酸化物の等電点未満のpHで行われる請求項1又は2に記載の水素化処理用多孔質4族金属酸化物。
- 4族金属含水酸化物のヒドロゾル又はヒドロゲルは、4族金属含水酸化物の沈殿領域pHと溶解領域pHとの間を交互に複数回以上スイングすることにより製造される請求項1〜3のいずれかに記載の水素化処理用多孔質4族金属酸化物。
- 粒子成長抑制剤は、4族金属酸化物100g当たり0.06〜6g当量の割合で添加される請求項1〜4のいずれかに記載の水素化処理用多孔質4族金属酸化物。
- 粒子成長抑制剤が水素化処理触媒活性を有する金属のオキシアニオン及び/又は金属カルボニルアニオン、又は金属カチオンである請求項1〜5のいずれかに記載の水素化処理用多孔質4族金属酸化物。
- 多孔質4族金属酸化物の細孔シャープネス度が30%以上である請求項1〜6のいずれかに記載の水素化処理用多孔質4族金属酸化物。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の水素化処理用多孔質4族金属酸化物を触媒あるいは触媒担体として用いることを特徴とする水素化処理方法。
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