JP2005317270A - 導電性微粒子及び導電接続構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】粒子同士の凝集や搭載機のホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生することなく搭載できる導電性微粒子、及び、該導電性微粒子を用いて導電接続された導電接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子（１）の表面に低融点金属を被覆してなる導電性微粒子であって、該導電性微粒子の表面に、該導電性微粒子外接円（３）の直径（４）の２〜２０％の高さ（５）の凹凸部を有する導電性微粒子を含有する導電性微粒子、好ましくは基材微粒子の平均粒径が５〜８００μｍ、アスペクト比が１．１未満、ＣＶ値が５％以下である導電性微粒子、好ましくは低融点金属が、錫−銀系合金である導電性微粒子、該導電性微粒子を用いて導電接続されてなる導電接続構造体。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気回路の２つ以上の電極を導電接続するのに使用され、特にＢＧＡ用、ＣＳＰ用等に好適に用いられる導電性微粒子、及び、該導電性微粒子を用いた導電接続構造体に関する。

従来、電子回路基板とＩＣやＬＳＩとを接続するためには、それぞれのピンをプリント基板上にハンダ付けすることにより行っていたが、生産効率が悪く、また、ＩＣやＬＳＩの高密度実装化には適さないものであった。これを解決するためにハンダボールにより基板とＩＣやＬＳＩとを接続するＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＣＳＰ（チップサイズパッケージ）等の技術が開発された。この技術によれば、チップと基板とは、チップ或いは基板上に実装されたハンダボールを高温で溶融し接続することができ、高生産性、高密度化に適した電子回路を構成できる。また、より接続信頼性を向上させるために、基材微粒子の表面にハンダ濡れ性を有する金属メッキ層を形成したハンダボールが報告されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、これらのハンダボールは、チップ或いは基板上に搭載する際に、主に静電気の影響と考えられる原因により、粒子同士が合着したり、粒子が搭載機（マウンター）のホッパーの壁に付着したりして、ホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生するため、うまく搭載できないという不具合があった。また、これらの不具合は、基材微粒子を内包するハンダボールや粒径の小さいハンダボールで顕著に発生する傾向が強いものであった。
これらを解決する方法として、ホッパー表面に帯電防止を施すという方法も用いられているが十分な効果が得られていない。

特開平９−３０６２３２号公報

本発明は、上記現状に鑑み、粒子同士の凝集や搭載機のホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生することなく搭載できる導電性微粒子、及び、該導電性微粒子を用いて導電接続された導電接続構造体を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１記載の発明は、基材微粒子の表面に低融点金属を被覆してなる導電性微粒子であって、該導電性微粒子の表面に、該導電性微粒子外接円の直径の２〜２０％の高さの凹凸部を有する導電性微粒子を含有する導電性微粒子を提供する。

また、請求項２記載の発明は、基材微粒子の平均粒径が５〜８００μｍ、アスペクト比が１．１未満、ＣＶ値が５％以下である請求項１記載の導電性微粒子を提供する。

また、請求項３記載の発明は、低融点金属が、錫−銀系合金である請求項１又は２記載の導電性微粒子を提供する。

また、請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性微粒子を用いて導電接続されてなる導電接続構造体を提供する。

以下、本発明の詳細を説明する。
本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の表面に低融点金属を被覆してなるものである。
上記基材微粒子としては、特に限定されないが、例えば、樹脂微粒子、金属微粒子、セラミック微粒子、カーボン微粒子、有機−無機ハイブリッド材料や複合材料等が挙げられる。

上記樹脂微粒子を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、フェノール樹脂、アミノ樹脂、ポリエステル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ジビニルベンゼン重合体；ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体；（メタ）アクリル酸エステル重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸エステル重合体は、必要に応じて架橋型、非架橋型いずれを用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。なかでも、ジビニルベンゼン系重合体、（メタ）アクリル酸エステル系重合体からなる微粒子が好ましく用いられる。ここで、（メタ）アクリル酸エステルとはメタクリル酸エステル又はアクリル酸エステルを意味する。

上記金属微粒子としては、特に限定されず、例えば、銅、ニッケル、鉄、錫、アルミニウム、コバルト、クロム、金、銀、パラジウム、タングステン等の金属の単体、これらの混合物、又は合金等からなる微粒子が挙げられる。なかでも、銅微粒子が好ましい。

上記セラミック微粒子としては、特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ等からなる微粒子が挙げられる。

本発明における基材微粒子は、平均粒径が５〜８００μｍであることが好ましい。
上記平均粒径が、５μｍ未満の場合は、粒子同士の合着やホッパー壁への付着を防ぐことが困難となることがあり、８００μｍを超えると、微細ピッチの電極に対応できず隣接電極と接触し電極間でのショートが発生する場合がある。
上記平均粒径は、より好ましくは２０〜３００μｍであり、更に好ましくは５０〜１５０μｍである。
上記平均粒径は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した任意の基材微粒子１００個の粒子径を平均した値である。

上記基材微粒子は、アスペクト比が１．１未満であることが好ましい。
アスペクト比が１．１以上では、粒径が不揃いとなるため、搭載機（マウンター）のホッパー内で詰まり易くなるため搭載機での搭載不良が発生したり、導電性微粒子を介して電極同士を接触させる際に電極に接触しない粒子が多数発生し接続抵抗が大きくなったりすることがある。
上記アスペクト比は、より好ましくは１．０５未満であり、更に好ましくは１．０３未満であり、１．０１未満では著しく効果が高まるので特に好ましい。

本発明で用いる基材微粒子は、製造法にもよるが、アスペクト比が大きい場合には、変形可能な状態で表面張力を利用する等の方法で球形化処理をして球状にし、アスペクト比を小さくすることが好ましい。

上記アスペクト比は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した任意の基材微粒子１００個の平均長径を平均短径で割った値である。

上記基材微粒子は、ＣＶ値が５％以下であることが好ましい。
ＣＶ値が５％を超えると、粒径が不揃いとなるため、搭載機のホッパー内で詰まり易くなるため搭載機での搭載不良が発生したり、導電性微粒子を介して電極同士を接触させる際に電極に接触しない粒子が多数発生し接続抵抗が大きくなったりすることがある。
上記ＣＶ値は、より好ましくは２％以下であり、更に好ましくは１％以下であり、０．５％以下では著しく効果が高まるので特に好ましい。

本発明で用いる基材微粒子は、ＣＶ値が大きい場合には、分級等により粒径を揃え、ＣＶ値を小さくすることが好ましい。特に、２００μｍ以下の粒径の微粒子は精度良く分級することが難しいため、篩、ローラー選別、湿式分級等を組み合わせることが好ましい。

上記ＣＶ値は、下記の式（１）で表される値である。
ＣＶ値（％）＝（σ／Ｄｎ）×１００・・・・（１）
（式中、σは、粒径の標準偏差を表し、Ｄｎは、数平均粒径を表す）
上記標準偏差及び上記数平均粒径は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した任意の基材微粒子１００個の粒子径を統計計算して得られた値である。

上記基材微粒子としては、なかでも、平均粒径が５０〜１５０μｍ、アスペクト比が１．０３未満、ＣＶ値が１％以下のものが更に好ましい。

本発明においては、導電性微粒子の平均粒径が５０〜１５０μｍの場合、搭載機への付着を起こりにくくするために、導電性微粒子の粒径は、平均粒径±２μｍのものであることが好ましい。平均粒径±２μｍを超える範囲の粒子が混入すると、粒径が不揃いとなるため、搭載機のホッパー内で詰まり易くなり搭載不良が発生することがある。

本発明における導電性微粒子は、基材微粒子の表面に低融点金属を被覆しているため、導電性微粒子を介して電極同士の導通をはかる際に、例えば、リフローにより電極間の接合を行った場合、電極と金属接合が可能であり、高い信頼性と大きな電気容量を確保することができる。上記リフローとは、低融点金属を溶融するまで加熱し、次いで冷却固化させる一連の工程を意味する。

本発明における低融点金属としては、特に限定されず、例えば、錫、鉛、ビスマス等の金属；錫、鉛、金、銀、亜鉛、銅、ビスマス、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン等から選ばれた２種以上の合金等が挙げられる。上記合金としては、共晶ハンダ等の鉛含有ハンダ；錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−インジウム系、錫−ビスマス系等の鉛フリーハンダ等が挙げられ、なかでも、錫−銀系の合金が好ましい。上記錫−銀系の合金の具体的なものとしては、錫−銀合金、錫−銀−銅合金等が挙げられる。上記低融点金属としては、融点が３００℃以下のものが好ましく、より好ましくは融点が２３０℃以下のものである。

上記低融点金属の被覆層（以下、低融点金属層ともいう）の厚さは、基材微粒子の直径の１／５０〜１／５であることが好ましい。低融点金属層の厚さが、基材微粒子の直径の１／５０未満では、低融点金属で充分な接合が行えなかったり、充分な電気容量を得ることが出来ない場合があり、基材微粒子の直径の１／５を超えると、凝集が起こったり、均一な厚さの低融点金属層が得にくい場合がある。より好ましくは基材微粒子の直径の１／３０〜１／１０である。

本発明における導電性微粒子は、上記低融点金属層の下地層として、高融点金属の被覆層（以下、高融点金属層ともいう）が形成されているものを基材微粒子とすることが好ましい。

上記高融点金属としては、特に限定されず、例えば、ニッケル、銅、金、銀、亜鉛、アルミニウム、コバルト、クロム、チタン、アンチモン等が挙げられる。なかでも、融点が４００℃以上のものが好ましく用いられる。

上記高融点金属層の厚さは、基材微粒子の直径の１／１００〜１／１０であることが好ましい。

基材微粒子の表面に低融点金属又は高融点金属を被覆する方法としては、特に限定されず、例えば、無電解メッキ、電気メッキ、溶融メッキ、蒸着等の方法が挙げられる。基材微粒子が樹脂微粒子等の非導電性である場合は、無電解メッキにより形成する方法が好適に用いられる。

本発明における導電性微粒子は、該導電性微粒子の表面に、該導電性微粒子外接円の直径の２〜２０％の高さの凹凸部を有する導電性微粒子を含有するものである。
外接円の直径の２〜２０％の高さの凹凸部を有する導電性微粒子とは、導電性微粒子が表面に、外接円の直径の２〜２０％の高さの凸部を有するものであるか、又は、外接円の直径の２〜２０％の高さ（深さ）の凹部を有するものである。なお、凹部の場合は、高さは深さのことを意味する。

上記凹凸部の高さが２％未満の場合は、粒子の移動の際に溜まった静電気を逃すことができずに、粒子同士が合着したり、粒子がホッパー壁に付着したりして、ホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生し、搭載機での搭載不良が発生することがある。上記凹凸部の高さが２０％を超えると、粒子の球状としての均一性がなくなるため、導電性微粒子を介して電極同士を接続する際に接続不良が発生したりすることがある。上記凹凸部の高さの好ましい範囲は、４〜２０％である。

以下に、本発明の導電性微粒子における断面の模式図を用いて、本発明の導電性微粒子における凸部及び凹部について説明する。
図１は、本発明の導電性微粒子の一実施形態を示す断面の模式図であり、表面に突起を有する導電性微粒子である。図１に示すように、導電性微粒子の断面において、導電性微粒子は、基材微粒子１の表面に低融点金属層２が形成されており、表面に凸部６を有している。本発明においては、凸部６の外接円３の直径４に対して、導電性微粒子の表面の凸部６の高さ５は、２〜２０％となっている。
なお、導電性微粒子の断面観察は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により行うことができる。

図２は、本発明の導電性微粒子の他の実施形態を示す断面の模式図であり、表面に窪みを有する導電性微粒子である。図２に示すように、導電性微粒子の断面において、導電性微粒子は、基材微粒子１１の表面に低融点金属層１２が形成されており、表面に凸部１６を有している。本発明においては、凸部１６の外接円１３の直径１４に対して、導電性微粒子の表面の凹部１７の高さ１５（深さ）は、２〜２０％となっている。

また、図２における導電性微粒子の断面において、外接円１３の直径１４より求めた円の面積に対する、凹部１７の面積の比率は、４〜４０％であることが好ましい。

外接円の面積に対する凹部の面積の比率が、４％未満の場合は、粒子の移動の際に溜まった静電気を逃すことができずに、粒子同士が合着したり、粒子がホッパー壁に付着したりして、ホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生し、搭載機での搭載不良が発生することがあり、４０％を超えると、粒子の球状としての均一性がなくなるため、導電性微粒子を介して電極同士を接続する際に接続不良が発生したりすることがある。

本発明においては、導電性微粒子の外接円の直径に対して２〜２０％の高さの凹凸部を有する導電性微粒子の含有量は、十分な効果を得るために導電性微粒子の全体重量の０．１％以上であることが好ましい。より好ましい含有量は２％以上であり、更に好ましい含有量は１０％以上であり、１００％（全ての導電性微粒子）であってもよい。

本発明の導電性微粒子に凹凸部を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、低融点金属を電気メッキにより基材微粒子に被覆する際に、基材微粒子の表面に芯物質を付着させておく方法；基材微粒子表面を、基材微粒子より硬い粒子と一緒にボールミル等により混合し機械的衝撃を与えて表面粗化した後、低融点金属を電気メッキにより被覆する方法（以下、基材微粒子表面粗化方法ともいう）；低融点金属を電気メッキにより被覆した導電性微粒子表面を、導電性微粒子より硬い粒子と一緒にボールミル等により混合し機械的衝撃を与えて表面粗化する方法（以下、導電性微粒子表面粗化方法ともいう）；上述の方法において電気メッキの代わりに無電解メッキやスパッタリングにより低融点金属を被覆する方法；無電解メッキにより低融点金属を被覆する際に、無電解メッキ液中に芯物質を分散添加し芯物質が懸濁状態で含有している無電解メッキ浴により無電解メッキを行う方法；無電解メッキにより低融点金属を被覆する際に、基材微粒子上へのメッキ皮膜の形成とメッキ浴の自己分解とを同時に起こして、この自己分解物を凸部の核とし、次いで、構成成分が少なくとも２液に分離した無電解メッキ液により無電解メッキを行うことにより、凸部の成長とメッキ皮膜の成長とを同時に行う方法等が挙げられる。

上記基材微粒子表面粗化方法又は上記導電性微粒子表面粗化方法における、一緒に混合する硬い粒子の大きさは、１０〜２００μｍが好ましい。

上記硬い粒子の混合量は、基材微粒子表面粗化方法の場合は、基材微粒子１００重量部に対して、５〜１００重量部が好ましく、導電性微粒子表面粗化方法の場合は、導電性微粒子１００重量部に対して、１〜５０重量部が好ましい。

上記電気メッキを行う方法としては、例えば、バレルメッキや遠心力を利用して粒子を電極に接触させてメッキする方法等が挙げられる。

本発明の導電性微粒子の用途としては特に限定されず、例えば、光学用フィルムやセンサー、スイッチングフィルム、導電接続フィルム等が挙げられる。なかでも、液晶ディスプレー、パーソナルコンピュータ、携帯通信機器等のエレクトロニクス製品において、半導体素子等の小型電気部品を基板に電気的に接続したり、基板同士を電気的に接続する方法のうち、微細な電極を対向させて接続する際に用いられる導電接続材料として好適に使用される。
本発明の導電性微粒子を用いて導電接続されてなる導電接続構造体もまた、本発明の一つである。

上記基板としては、フレキシブル基板とリジッド基板とに大別される。上記フレキシブル基板としては、例えば、５０〜５００μｍの厚さの樹脂シートが挙げられる。上記樹脂シートの材質としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン等が挙げられる。

上記リジッド基板としては、樹脂製とセラミック製が挙げられる。上記樹脂製としては、例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、フェノール樹脂、セルロース繊維強化フェノール樹脂等からなるものが挙げられる。上記セラミック製としては、例えば、二酸化ケイ素、アルミナ、ガラス等からなるものが挙げられる。
なかでも、導電性微粒子を電極に充分押しつけることができるという観点から、よりリジッドな基板が好ましい。

上記基板の構成は特に限定されず、単層のものであってもよく、単位面積当たりの電極数を増加させるために、例えば、複数の層が形成され、スルーホール形成等の手段により、これらの層が相互に電気的に接続されている多層基板であってもよい。

上記電気部品としては特に限定されず、例えば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体等の能動部品；抵抗、コンデンサ、水晶振動子等の受動部品；ベアチップ等が挙げられる。

本発明の導電性微粒子は、特にベアチップの接合用として好適である。更に、通常ベアチップをフリップチップで接合する場合にはバンプが必要となるが、本発明の導電性微粒子を用いた場合、導電性微粒子がバンプの役目を果たすため、バンプ作製における煩雑な工程を省くことができるという大きなメリットがある。

上記基板又は電気部品の表面に形成される電極の形状としては特に限定されず、例えば、縞状、ドット状、任意形状のもの等が挙げられる。

上記電極の材質としては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、カーボン、アルミニウム、ＩＴＯ等が挙げられる。接触抵抗を低減させるために、銅、ニッケル等の上に更に金が被覆された電極を用いることができる。

上記電極の厚さは、０．１〜１００μｍが好ましい。また、上記電極の幅は、１〜５００μｍが好ましい。

本発明の導電性微粒子と、上記基板又は電気部品等との接合方法としては、例えば、通常のボールマウンターを用いて導電性微粒子を基板又は電気部品電極上にフラックスを用いて仮固定させた後、リフローにより電極上に導電性微粒子を固定し、その後、もう一方の電極を有する基板又は電気部品を電極の位置が合うように置き、熱圧着等により接続する。
上記熱圧着を行うには、例えば、ヒーターが付いた圧着機やボンディングマシーン等が用いられる。

本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の表面に低融点金属を被覆してなる導電性微粒子であり、表面に微細な凹凸を設けることにより、例えば、基材微粒子を内包するハンダボールや粒径の小さいハンダボールにおいても、粒子同士の凝集や搭載機のホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生させずスムースに搭載することができる。
また、基材微粒子の粒径を高度に制御し、導電性微粒子の粒径を高度に制御することにより、ホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生させずスムースに搭載することを可能にした。

本発明は、上述の構成よりなるので、粒子同士の凝集や搭載機のホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生することなく搭載できる導電性微粒子、及び、該導電性微粒子を用いて導電接続された導電接続構造体を得ることが可能となった。
特に、本発明の導電性微粒子は、基材微粒子を内包するハンダボールや粒径の小さいハンダボールにおいて、上述の構成とすることにより、ブリッジや目詰まり等を発生させずスムースに搭載することができ、高生産性、高密度化が可能で信頼性の高い接続ができることを可能にした。

以下、実施例を挙げて本発明をより詳しく説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
懸濁重合により得られたジビニルベンゼン系重合体を篩により分級し微球体を得た。得られた微球体に無電解メッキによりニッケルを０．２μｍの厚さで付け、更に電気メッキにより銅を３μｍの厚さで付けた。得られた微球体を、ローラー選別機を用いて分級し、平均粒径１００μｍ、アスペクト比１．０２、ＣＶ値０．５％の基材微粒子を得た。得られた基材微粒子に電気メッキにより共晶ハンダを７μｍの厚さで付け、その後、表面粗化のため約２０μｍのニッケル粉と共にボールミルで混合して導電性微粒子を得た。

得られた導電性微粒子の断面を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察したところ、該導電性微粒子の凸部に外接する外接円の直径に対して、凹部の高さ（深さ）が４〜６％の導電性微粒子を３０％以上含有していることが観察された。また、得られた導電性微粒子は平均粒径が１１４μｍであり、実質的に１１２μｍ未満と１１６μｍを超える導電性微粒子を含んでいなかった。

得られた導電性微粒子を、電極パターンが描かれたＦＲ−４基板の電極上に通常の搭載機（マウンター）を用いて搭載したところ、繰り返し搭載しても静電付着による凝集等の不具合は発生せず、非常に良好に搭載することができた。その後、フリップチップボンダーを用いてこの基板とＩＣチップとのフリップチップ接続を行ったが、問題なく信頼性の高い導電接続構造体が得られた。これらの結果を表１に示した。

（実施例２）
銅ボールを篩により分級し、平均粒径２００μｍ、アスペクト比１．０４、ＣＶ値２％の基材微粒子を得た。得られた基材微粒子に電気メッキにより錫−銀合金を１０μｍの厚さで付け、その後、表面粗化のため約３０μｍのニッケル粉と共にボールミルで混合して導電性微粒子を得た。

得られた導電性微粒子の断面を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察したところ、該導電性微粒子の凸部に外接する外接円の直径に対して、凹部の高さ（深さ）が２〜４％の導電性微粒子を１０％以上含有していることが観察された。

得られた導電性微粒子を、ＩＣチップの電極上に通常の搭載機（マウンター）を用いて搭載したところ、繰り返し搭載しても静電付着による凝集等の不具合は発生せず、良好に搭載することができた。その後、フリップチップボンダーを用いてこのＩＣチップと電極パターンが描かれたセラミック基板とのフリップチップ接続を行ったが、問題なく信頼性の高い導電接続構造体が得られた。これらの結果を表１に示した。

（実施例３）
懸濁重合により得られたアクリル酸エステル系重合体を篩と湿式分級とにより分級し微球体を得た。得られた微球体に無電解メッキによりニッケルを０．３μｍの厚さで付け、更に電気メッキにより銅を６μｍの厚さで付け、平均粒径３００μｍ、アスペクト比１．０６、ＣＶ値３％の基材微粒子を得た。得られた基材微粒子に電気メッキにより共晶ハンダを１５μｍの厚さで付け、その後、表面粗化のため約４０μｍのニッケル粉と共にボールミルで混合して導電性微粒子を得た。

得られた導電性微粒子の断面を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察したところ、該導電性微粒子の凸部に外接する外接円の直径に対して、凹部の高さ（深さ）が２〜４％の導電性微粒子を５％以上含有していることが観察された。

得られた導電性微粒子を、ハンダボールの付いていないＣＳＰパッケージの電極上に通常の搭載機（マウンター）を用いて搭載したところ、繰り返し搭載しても静電付着による凝集等の不具合は発生せず、良好に搭載することができた。その後、このＣＳＰを電極パターンが描かれたＦＲ−４基板にのせ、リフローにより接続を行ったが、問題なく信頼性の高い導電接続構造体が得られた。これらの結果を表１に示した。

（比較例１）
表面粗化を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして導電性微粒子を得た。

実施例１と同様にして導電性微粒子の断面を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察したところ、断面には２％以上の凹部の高さ（深さ）を有する導電性微粒子は観察されなかった。

実施例１と同様にして搭載機（マウンター）を用いて搭載したが、すぐに付着によるブリッジが発生し、うまく搭載することができなくなった。これらの結果を表１に示した。

（比較例２）
平均粒径２００μｍ、アスペクト比１．１、ＣＶ値２％の銅ボールを基材微粒子とし、表面粗化を行わなかったこと以外は実施例２と同様にして導電性微粒子を得た。

実施例２と同様にして導電性微粒子の断面を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察したところ、断面には２％以上の凹部の高さ（深さ）を有する導電性微粒子は観察されなかった。

実施例２と同様にして搭載機（マウンター）を用いて搭載したが、すぐに付着によるブリッジが発生し、うまく搭載することができなくなった。これらの結果を表１に示した。

表１より、導電性微粒子の表面に、該導電性微粒子の凸部に外接する外接円の直径に対して２〜２０％の高さ（深さ）の凹部を有する導電性微粒子を含有するものは、搭載機（マウンター）を用いた搭載が良好であることがわかる。

本発明によれば、粒子同士の凝集や搭載機のホッパー内でブリッジや目詰まり等を発生することなく搭載できる導電性微粒子、及び、該導電性微粒子を用いて導電接続された導電接続構造体を提供できる。

本発明の導電性微粒子の一実施形態で、導電性微粒子の断面の模式図である。 本発明の導電性微粒子の他の実施形態で、導電性微粒子の断面の模式図である。

符号の説明

１、１１ 基材微粒子
２、１２ 低融点金属層
３、１３ 外接円
４、１４ 直径
５、１５ 高さ
６、１６ 凸部
１７ 凹部

Claims (4)

1. 基材微粒子の表面に低融点金属を被覆してなる導電性微粒子であって、
   該導電性微粒子の表面に、該導電性微粒子外接円の直径の２〜２０％の高さの凹凸部を有する導電性微粒子を含有することを特徴とする導電性微粒子。
2. 基材微粒子の平均粒径が５〜８００μｍ、アスペクト比が１．１未満、ＣＶ値が５％以下であることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子。
3. 低融点金属が、錫−銀系合金であることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性微粒子を用いて導電接続されてなることを特徴とする導電接続構造体。
   
   

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