JP2005311346A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型シリンドリカルレンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型シリンドリカルレンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射し、
   前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズと前記半導体膜の表面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
   Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ 式（１）
   Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ 式（２）
   （但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは半導体膜の表面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型シリンドリカルレンズの焦点距離である。）
3. 前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間に配置されたミラーによって、前記スリットを通過したレーザ光を、前記半導体膜の表面に対し斜めの方向に偏向させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の作製方法。
4. レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型球面レンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型球面レンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射し、
   前記スリットと前記凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型球面レンズと前記半導体膜の表面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
   Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ 式（１）
   Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ 式（２）
   （但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは半導体膜の表面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型球面レンズの焦点距離である。）
6. 前記レーザ発振器と前記凸型球面レンズとの間に配置されたミラーによって、前記スリットを通過したレーザ光を、前記ミラーと前記スリットとの間に配置された第２の凸型球面レンズに対して斜めの方向に入射させることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の作製方法。
7. 前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
8. 前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜に含まれる不純物元素の活性化を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
9. レーザ発振器と、
   前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
   前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズと、を備えたことを特徴とするレーザ照射装置。
10. レーザ発振器と、
    前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
    前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズと、を備え、
    前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズと前記照射面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
    Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ 式（１）
    Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ 式（２）
    （但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは照射面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型シリンドリカルレンズの焦点距離である。）
11. 前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間に、前記レーザ光の進行方向を前記照射面に対し斜めの方向に偏向させるミラーを配置した請求項９又は１０に記載のレーザ照射装置。
12. 前記凸型シリンドリカルレンズと前記照射面との間に、前記凸型シリンドリカルレンズの前記レーザ光に作用する方向を前記照射面に対し９０度回転した方向に、前記レーザ光を集光する第２の凸型シリンドリカルレンズを配置した請求項９乃至１１のいずれか一項に記載のレーザ照射装置。
13. レーザ発振器と、
    前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
    前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型球面レンズと、を備えたことを特徴とするレーザ照射装置。
14. レーザ発振器と、
    前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
    前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型球面レンズと、を備え、
    前記スリットと前記凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型球面レンズと前記照射面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
    Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ 式（１）
    Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ 式（２）
    （但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは照射面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型球面レンズの焦点距離である。）
15. 前記レーザ発振器と前記凸型球面レンズとの間にミラーと、
    前記ミラーと前記スリットとの間に、前記スリットを通過したレーザ光が前記ミラーによって斜めに入射される第２の凸型球面レンズと、を配置した請求項１４に記載のレーザ照射装置。