JP2005311209A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子を電極ピッチに関わらず短絡なく確実に半導体キャリア上にフリップチップ実装した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極1を一側面に有した半導体素子3と、前記半導体素子3上の複数の電極1にそれぞれ対応する複数の電極5を上面に有した半導体キャリア4とが、互いの電極1,5どうし導電性接着剤6により接続され、前記半導体素子3と半導体キャリア4との間隙および前記半導体素子3の周辺端部が封止樹脂7で充填被覆された半導体装置において、複数組の前記電極1,5は、電極配列方向に沿って半導体素子3側と半導体キャリア4側とに交互にAuバンプ2a,2bが形成され、各Auバンプ2a,2b上に供給された導電性接着剤6により接続された構成とする。これにより、導電性接着剤6の濡れ拡がりに起因する隣接電極間の短絡を防止することができ、半導体素子3(および半導体キャリア4)の電極ピッチが狭くても十分量の導電性接着剤6を供給して、確実にフリップチップ接続することが可能である。
【選択図】 図1
【解決手段】複数の電極1を一側面に有した半導体素子3と、前記半導体素子3上の複数の電極1にそれぞれ対応する複数の電極5を上面に有した半導体キャリア4とが、互いの電極1,5どうし導電性接着剤6により接続され、前記半導体素子3と半導体キャリア4との間隙および前記半導体素子3の周辺端部が封止樹脂7で充填被覆された半導体装置において、複数組の前記電極1,5は、電極配列方向に沿って半導体素子3側と半導体キャリア4側とに交互にAuバンプ2a,2bが形成され、各Auバンプ2a,2b上に供給された導電性接着剤6により接続された構成とする。これにより、導電性接着剤6の濡れ拡がりに起因する隣接電極間の短絡を防止することができ、半導体素子3(および半導体キャリア4)の電極ピッチが狭くても十分量の導電性接着剤6を供給して、確実にフリップチップ接続することが可能である。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体素子をフリップチップ方式で搭載した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
図3に従来の半導体装置の構成を示す。(a)は同半導体装置の平面図、(b)は同半導体装置の断面図((a)におけるB−B’断面)である。
表面の電極1にAuバンプ2が形成された半導体素子3が、表面側を下にしてフリップチップ方式で半導体キャリア4上に搭載されている。半導体キャリア4は、セラミックを絶縁基体とした多層回路基板の上面に、前記半導体素子3との導通をとるための複数の電極5が形成されていて、各電極5に対して半導体素子3のAuバンプ2が導電性接着剤6によって接続されている。半導体素子3と半導体キャリア4との隙間および半導体素子3の周辺端部は封止樹脂7によって封止されている。8は半導体キャリア4の下面に格子状に形成された外部電極端子である(たとえば特許文献1参照)。
特開平6−224259号公報
表面の電極1にAuバンプ2が形成された半導体素子3が、表面側を下にしてフリップチップ方式で半導体キャリア4上に搭載されている。半導体キャリア4は、セラミックを絶縁基体とした多層回路基板の上面に、前記半導体素子3との導通をとるための複数の電極5が形成されていて、各電極5に対して半導体素子3のAuバンプ2が導電性接着剤6によって接続されている。半導体素子3と半導体キャリア4との隙間および半導体素子3の周辺端部は封止樹脂7によって封止されている。8は半導体キャリア4の下面に格子状に形成された外部電極端子である(たとえば特許文献1参照)。
従来の半導体装置では、半導体素子3の全ての電極1にAuバンプ2を形成し、各Auバンプ2上に導電性接着剤6を供給しているのであるが、このAuバンプ2上の導電性接着剤6が、半導体素子3を半導体キャリア4上にフリップチップ接続する際に半導体キャリア4側に濡れ拡がる。
そのため、近年のように半導体素子3の多機能化、微細化が進み、半導体素子3上の電極1のピッチ(および半導体キャリア4上の電極5のピッチ)が狭くなってくると、半導体キャリア4側に濡れ拡がる導電性接着剤6によって隣接電極間で短絡が生じ、電気的接続不具合が生じてしまう。短絡を防ぐために導電性接着剤6の濡れ拡がりを小さくしようとすると、導電性接着剤6の供給量が不十分となり、接続性を確保できなくなり、接続オープンが生じてしまう。
本発明は上記問題を解決するもので、半導体素子を電極ピッチに関わらず短絡なく確実に半導体キャリア上にフリップチップ実装した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、複数の電極を一側面に有した半導体素子と前記半導体素子上の複数の電極にそれぞれ対応する複数の電極を上面に有した半導体キャリアとが、互いの電極どうし導電性接着剤により接続され、前記半導体素子と半導体キャリアとの間隙および前記半導体素子の周辺端部が樹脂で充填被覆された半導体装置において、複数組の前記電極は、電極配列方向に沿って半導体素子側と半導体キャリア側とに交互に金属バンプが形成され、各金属バンプ上に供給された導電性接着剤により接続されたことを特徴とする。
また本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子の一側面に配列された複数の電極の内、一つ置きの電極上に金属バンプを形成する工程と、半導体キャリアの上面に前記半導体素子上の複数の電極にそれぞれ対応して形成された複数の電極の内、前記半導体素子の金属バンプが形成されない電極に対応する電極上に金属バンプを形成する工程と、前記半導体素子および半導体キャリアの金属バンプ上に導電性接着剤を供給する工程と、前記半導体キャリア上に前記半導体素子をフリップチップ接合し、前記導電性接着剤を硬化させる工程と、前記半導体素子と半導体キャリアとの間に樹脂を注入して両者間の間隙および前記半導体素子の周辺端部を充填被覆し、前記樹脂を硬化させる工程とを有することを特徴とする。
上記した各構成によれば、金属バンプ上の導電性接着剤が対向電極の周囲まで濡れ拡がっても、その対向電極に隣接した電極の周囲に濡れ拡がりが発生することはなく、隣接電極間の短絡は生じにくい。したがって、電極ピッチが狭い場合も各金属バンプ上に十分量の導電性接着剤を供給して、電極どうし確実に接続することが可能である。
本発明の半導体装置およびその製造方法は、電極配列方向に沿って半導体素子側の電極上と半導体キャリア側の電極上とに交互に金属バンプを形成し、各金属バンプ上に導電性接着剤を供給して対向電極と接続するので、導電性接着剤の濡れ拡がりに起因する隣接電極間の短絡は生じにくく、半導体素子(および半導体キャリア)の電極ピッチが狭くても十分量の導電性接着剤を供給して、確実にフリップチップ接続することが可能である。よって、小型化、高信頼性化された半導体装置を安定かつ容易に提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の一実施形態における半導体装置の構成を示す(a)平面図、(b)背面図、(c)断面図((a)のA−A’断面)であり、図2は同半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。図中、先に図3を用いて説明した従来の半導体装置と同様の作用を有する部材に図3と同じ符号を付す。
図1は本発明の一実施形態における半導体装置の構成を示す(a)平面図、(b)背面図、(c)断面図((a)のA−A’断面)であり、図2は同半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。図中、先に図3を用いて説明した従来の半導体装置と同様の作用を有する部材に図3と同じ符号を付す。
半導体装置においては、表面周縁部の電極1にAuバンプ2が形成された半導体素子3が、表面側を下にしてフリップチップ方式で半導体キャリア4上に搭載されている。半導体キャリア4は、セラミックを絶縁基体とした多層回路基板の上面に、半導体素子3との導通をとるための複数の電極5が形成されていて、各電極5に対して半導体素子3のAuバンプ2が導電性接着剤6によって接続されている。半導体素子3と半導体キャリア4との隙間および半導体素子3の周辺端部は封止樹脂7によって封止されている。電極1,5はアルミニウムなどで形成されている。8は半導体キャリア4の下面に一定の間隔で格子状に形成された外部電極端子である。
この半導体装置が従来のものと相違するのは、複数組の電極1,5は、電極配列方向に沿って半導体素子3側の電極1上と半導体キャリア4側の電極5上とに交互にAuバンプ2(2a,2b)が形成されていて、各Auバンプ2上に供給された導電性接着剤6により接続されている点である。
以下、上記半導体装置の製造方法について説明する。
図2(a)に示すように、半導体素子3の表面周縁部に配列された複数の電極1の内、一つ置きの電極1上にAuバンプ(Au二段突起)2aを形成する。
図2(a)に示すように、半導体素子3の表面周縁部に配列された複数の電極1の内、一つ置きの電極1上にAuバンプ(Au二段突起)2aを形成する。
その際には、ワイヤーボンディング法(ボールボンディング法)を用いて、キャピラリー9のAuワイヤー10の先端に形成したボールを電極1に熱圧接させることにより二段突起の下段部を形成し、さらにキャピラリー9を移動させて形成したループをもって二段突起の上段部を形成する。この状態ではAuバンプ2aの高さは均一でなく、また頭頂部の平坦性にも欠けているので、上方から加圧することにより、高さの均一化ならびに頭頂部の平坦化、いわゆるレベリングを行っておく(後述する図2(d)参照)。
同様にして、図2(b)に示すように、半導体キャリア4の上面に前記半導体素子3上の複数の電極1にそれぞれ対応して形成された複数の電極5の内、Auバンプ2aが形成されない電極1に対応する一つ置きの電極5上にAuバンプ2bを形成する。これらAuバンプ2bもレベリングしておく。
次に、回転する円盤上にドクターブレード法を用いて導電性接着剤6を適当な厚みに塗布する。この際、導電性接着剤6は常に新鮮な表面を維持する目的にてスキージにて円盤上で攪拌される。
次に、回転する円盤上にドクターブレード法を用いて導電性接着剤6を適当な厚みに塗布する。この際、導電性接着剤6は常に新鮮な表面を維持する目的にてスキージにて円盤上で攪拌される。
そして、Auバンプ2bを設けた半導体キャリア4を導電性接着剤6に押し当ててから引き上げる方法、いわゆる転写法によって、図2(c)に示すようにAuバンプ2bの上段部領域に導電性接着剤6を供給する。導電性接着剤6としては、信頼性、熱応力などを考慮して、例えばバインダーとしてのエポキシレジンと導体フィラーとしてのAg−Pd合金とを含んだ接着剤を用いることができる。
同様にして、図2(d)に示すように、半導体素子3のAuバンプ2aの上に導電性接着剤6を適当な厚みにて供給する。
その後に、図2(e)に示すように、導電性接着剤6が供給された半導体キャリア4を、反転ツール等を用いて、平坦性の確保された搭載用ステージ11上に設置し、この半導体キャリア4上に半導体素子3を表面を下にしてフリップチップ接合する。
その後に、図2(e)に示すように、導電性接着剤6が供給された半導体キャリア4を、反転ツール等を用いて、平坦性の確保された搭載用ステージ11上に設置し、この半導体キャリア4上に半導体素子3を表面を下にしてフリップチップ接合する。
その際には、半導体素子3上の導電性接着剤6が供給されたAuバンプ2aと、半導体キャリア4上の電極5とを位置精度よく対向させる。また、半導体キャリア4上の導電性接着剤6が供給されたAuバンプ2bと半導体素子3上の電極1とを位置精度よく対向させる。その後に導電性接着剤6を一定の温度で熱硬化させる。
次に、図2(f)に示すように、半導体素子3と半導体キャリア4との間隙および半導体素子3の周辺端部を熱硬化性の封止樹脂7で充填被覆し、この封止樹脂7を一定の温度にて硬化させて樹脂モールドする。
その際には、半導体素子3,半導体キャリア4間の間隙に封止樹脂7を注入ノズルにより一方向から注入し、間隙が埋まった後に半導体素子3の周辺端部を封止する。封止樹脂7としては、たとえばエポキシ系樹脂に高熱伝導セラミックである窒化アルミニウム(AlN)もしくは窒化珪素(SiC)等をフィラーとして添加したものを用い、オーブン中で加熱することにより硬化させる。
そして最後に、半導体キャリア4の下面に一定の間隔で格子状に外部接続端子8を形成する。
以上のようにすることにより、フリップチップ接合の際に、半導体素子3のAuバンプ2a上に供給された導電性接着剤6が半導体キャリア4の電極5の周囲まで濡れ拡がっても、それに隣接した半導体キャリア4の電極5上にはAuバンプ2bが形成されていて、そのAuバンプ2b上に供給された導電性接着剤6は半導体素子3上の電極1の周囲に濡れ拡がることになるので、隣接する電極5どうしや電極1どうしが導電性接着剤6によって短絡する不具合は発生しない。
したがって、半導体素子3(および半導体キャリア4)の電極ピッチが狭い場合も、各Auバンプ2a,2b上に十分量の導電性接着剤6を供給して確実に安定して接合することが可能である。よって、狭ピッチ化された半導体素子3を用いて、小型化、高信頼性化された半導体装置を安定かつ容易に製造することができる。
以上のようにすることにより、フリップチップ接合の際に、半導体素子3のAuバンプ2a上に供給された導電性接着剤6が半導体キャリア4の電極5の周囲まで濡れ拡がっても、それに隣接した半導体キャリア4の電極5上にはAuバンプ2bが形成されていて、そのAuバンプ2b上に供給された導電性接着剤6は半導体素子3上の電極1の周囲に濡れ拡がることになるので、隣接する電極5どうしや電極1どうしが導電性接着剤6によって短絡する不具合は発生しない。
したがって、半導体素子3(および半導体キャリア4)の電極ピッチが狭い場合も、各Auバンプ2a,2b上に十分量の導電性接着剤6を供給して確実に安定して接合することが可能である。よって、狭ピッチ化された半導体素子3を用いて、小型化、高信頼性化された半導体装置を安定かつ容易に製造することができる。
本発明の半導体装置およびその製造方法は、フリップチップ方式で接合させる積層型半導体装置及びその製造方法として有用である。
1 電極
2a,2b Auバンプ
3 半導体素子
4 半導体キャリア
5 電極
6 導電性接着剤
7 封止樹脂
2a,2b Auバンプ
3 半導体素子
4 半導体キャリア
5 電極
6 導電性接着剤
7 封止樹脂
Claims (2)
- 複数の電極を一側面に有した半導体素子と前記半導体素子上の複数の電極にそれぞれ対応する複数の電極を上面に有した半導体キャリアとが、互いの電極どうし導電性接着剤により接続され、前記半導体素子と半導体キャリアとの間隙および前記半導体素子の周辺端部が樹脂で充填被覆された半導体装置において、
複数組の前記電極は、電極配列方向に沿って半導体素子側と半導体キャリア側とに交互に金属バンプが形成され、各金属バンプ上に供給された導電性接着剤により接続された半導体装置。 - 半導体素子の一側面に配列された複数の電極の内、一つ置きの電極上に金属バンプを形成する工程と、
半導体キャリアの上面に前記半導体素子上の複数の電極にそれぞれ対応して形成された複数の電極の内、前記半導体素子の金属バンプが形成されない電極に対応する電極上に金属バンプを形成する工程と、
前記半導体素子および半導体キャリアの金属バンプ上に導電性接着剤を供給する工程と、
前記半導体キャリア上に前記半導体素子をフリップチップ接合し、前記導電性接着剤を硬化させる工程と、
前記半導体素子と半導体キャリアとの間に樹脂を注入して両者間の間隙および前記半導体素子の周辺端部を充填被覆し、前記樹脂を硬化させる工程と
を有する半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004129108A JP2005311209A (ja) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20130285238A1 (en) * | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stud bump structure for semiconductor package assemblies |
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2004
- 2004-04-26 JP JP2004129108A patent/JP2005311209A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20130285238A1 (en) * | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stud bump structure for semiconductor package assemblies |
US9768137B2 (en) * | 2012-04-30 | 2017-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stud bump structure for semiconductor package assemblies |
US10879203B2 (en) | 2012-04-30 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stud bump structure for semiconductor package assemblies |
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