New! View global litigation for patent families

JP2005310830A - Solar cell and manufacturing method thereof - Google Patents

Solar cell and manufacturing method thereof

Info

Publication number
JP2005310830A
JP2005310830A JP2004121921A JP2004121921A JP2005310830A JP 2005310830 A JP2005310830 A JP 2005310830A JP 2004121921 A JP2004121921 A JP 2004121921A JP 2004121921 A JP2004121921 A JP 2004121921A JP 2005310830 A JP2005310830 A JP 2005310830A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
type
region
conductivity
doping
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004121921A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kyotaro Nakamura
京太郎 中村
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GASES [GHG] EMISSION, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell and a manufacturing method of the same in which higher conversion efficiency is assured by controlling re-coupling loss of carrier at the rear surface of the solar cell. <P>SOLUTION: The solar cell and the manufacturing method thereof comprises a first doping region 13 of a first conductivity type having an impurity concentration which is higher than that of the semiconductor substrate 10 formed on one surface of the semiconductor substrate 10 of the first conductivity type; a second doping region 12 of a second conductivity type which is opposed to the first conductivity type; and any one of a third doping region 20 of the first conductivity type having an impurity concentration which is higher than that of the semiconductor substrate 10 but is lower than that of the first doping region 13, or the third doping region 20 of the second conductivity type having an impurity concentration which is higher than that of the semiconductor substrate 10 but is lower than that of the second doping region 12. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は太陽電池および太陽電池の製造方法に関し、特に裏面のみに電極が形成されている裏面電極型の太陽電池およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a solar cell and a solar cell, it relates to back electrode type solar cell and a manufacturing method thereof are specifically formed only on the electrode back.

近年、特に地球環境の保護の観点から、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池は次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。 Recently, particularly in view of global environmental protection, solar cells for converting sunlight energy into electrical energy expected as an energy source in the next generation is increasing rapidly. 太陽電池の種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池が主流となっている。 The types of solar cells, there are various, such as those used as or organic material using a compound semiconductor, Currently, solar cells using silicon crystal has become mainstream. そして、現在、最も多く製造および販売されている太陽電池においては、太陽光が入射する側の面(受光面)にn電極が形成されており、受光面と反対側の面(裏面)にp電極が形成されている。 And now, the most in many manufacturing and sold by which the solar cell, sunlight has n electrode is formed on the surface (light receiving surface) of the side incident, p on the surface opposite to the light-receiving surface (back surface) electrode is formed. このような太陽電池の受光面に形成されているn電極は太陽光の入射により発生した電流を外部に取り出すために不可欠なものであるが、n電極の下方の部分には太陽光が入射しないためその部分には電流が発生しない。 Although n electrode formed on the light receiving surface of the solar cell is indispensable to take out a current generated by the incident sunlight to the outside, sunlight is not incident on the lower portion of the n-electrode since the current is not generated in the part. それゆえ、n電極の面積が大きくなると太陽電池の変換効率が低下してしまうという問題があった。 Therefore, the conversion efficiency of the solar cell has a problem that decreases the area of ​​the n-electrode increases.

そこで、たとえば特許文献1には、太陽電池の受光面には電極を形成せず、裏面のみにn電極およびp電極を形成した裏面電極型の太陽電池が開示されている。 Therefore, for example, in Patent Document 1, the light receiving surface of the solar cell without forming the electrode, the solar cell of only the back electrode type forming the n electrode and p electrode on the rear surface is disclosed. この太陽電池においては、受光面に形成された電極によって太陽光の入射が阻害されることがないため、原理的には高い変換効率を期待することができる。 In this solar cell, since it is not the incident sunlight is inhibited by formed on the light-receiving surface electrode can be expected a high conversion efficiency in principle.

図8に、この裏面電極型の太陽電池の模式的な断面図を示す。 Figure 8 shows a schematic cross-sectional view of the solar cell of this back electrode type. この太陽電池のシリコン基板10の裏面には高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13とが交互に形成されている。 This is the back surface of the silicon substrate 10 of the solar cell with high-concentration p-doped region 12 and the heavily doped n-doped region 13 are formed alternately. そして、シリコン基板10の受光面および裏面にはそれぞれパッシベーション膜11が形成されており、これによりキャリアの再結合が抑制されている。 Then, each of the light receiving surface and the back surface of the silicon substrate 10 and the passivation film 11 is formed, thereby recombination of carriers is suppressed. また、シリコン基板10の裏面側のパッシベーション膜11の一部が除去されてコンタクトホール16、17が形成されており、コンタクトホール16、17を通して高濃度pドーピング領域12上にp電極14が、高濃度nドーピング領域13上にn電極15がそれぞれ形成されている。 Also, part of the back surface side of the passivation film 11 of the silicon substrate 10 is removed and the contact holes 16 and 17 are formed, p electrode 14 on the high-concentration p-doped region 12 through the contact hole 16 and 17, high n electrode 15 on the concentration n-doped region 13 are formed. 図8からもわかるように、太陽電池の受光面には電極が形成されていないため、受光面において太陽光の入射が阻害されない。 As can be seen from FIG. 8, since the light-receiving surface of the solar cell is not the electrode is formed, the incidence of sunlight is not inhibited in the light-receiving surface. ここで、太陽電池の受光面に形成されているパッシベーション膜11は太陽光の反射防止膜としての機能も兼ね備えている。 Here, the passivation film 11 formed on the light receiving surface of the solar cell also functions as an antireflection film of sunlight.

この裏面電極型の太陽電池はたとえば以下のようにして製造される。 The solar cell of this back electrode type, for example is manufactured as follows. まず、シリコン基板10の受光面および裏面にそれぞれシリコン酸化膜を形成した後にシリコン窒化膜を形成してパッシベーション膜11を形成する。 First, a passivation film 11 and a silicon nitride film is formed after forming a silicon oxide film, respectively on the light receiving surface and the back surface of the silicon substrate 10. 次に、フォトエッチングにより、シリコン基板10の裏面のパッシベーション膜11の一部を除去してコンタクトホール17を形成する。 Then, by photoetching, by removing a portion of the back surface of the passivation film 11 of the silicon substrate 10 to form a contact hole 17. そして、CVD法を用いて、シリコン基板10の裏面側の全面にn型ドーパントを含むガラス層を堆積させる。 Then, by using the CVD method to deposit a glass layer containing an n-type dopant in the entire back surface side of the silicon substrate 10. 続いて、高濃度pドーピング領域12が形成される部分に対応するガラス層の部分を除去した後、フォトエッチングによりその部分のパッシベーション膜11の一部を除去してコンタクトホール16を形成する。 Subsequently, after removing the portion of the glass layer corresponding to the portion where the high-concentration p-doped region 12 is formed, by removing a portion of the passivation film 11 of that part by photoetching to form a contact hole 16. そして、CVD法を用いて、シリコン基板10の裏面側にp型ドーパントを含むガラス層を堆積させる。 Then, using the CVD method to deposit a glass layer comprising a p-type dopant on the back side of silicon substrate 10.

次いで、このようにガラス層が堆積されたシリコン基板10を900℃に加熱することによって、シリコン基板10の裏面に高濃度pドーピング領域12および高濃度nドーピング領域13が形成される。 Then, by heating this manner the silicon substrate 10 in which a glass layer is deposited 900 ° C., the high-concentration p-doped region 12 and the heavily doped n-doped region 13 is formed on the back surface of the silicon substrate 10. その後、パッシベーション膜11に堆積されているガラス層をすべて除去し、水素雰囲気下で900℃以上の高温でシリコン基板10を熱処理する。 Then, remove all the glass layers have been deposited on the passivation film 11, heat treatment of the silicon substrate 10 at a high temperature of at least 900 ° C. under a hydrogen atmosphere. これにより、シリコン基板10とシリコン基板10の裏面のパッシベーション膜11のシリコン酸化膜との界面が水素化処理される。 Thus, the interface between the silicon oxide film on the back surface of the passivation film 11 of the silicon substrate 10 and the silicon substrate 10 is hydrotreated. そして、高濃度pドーピング領域12上および高濃度nドーピング領域13上に残留しているガラス層を除去した後に、スパッタリング法によりシリコン基板10の裏面側にアルミニウム膜を堆積する。 Then, after removing the glass layer remaining on the high-concentration p-doped region 12 and on the high-concentration n-doped region 13 is deposited an aluminum film on the back surface side of the silicon substrate 10 by a sputtering method. このアルミニウム膜をフォトエッチングを用いてパターンニングすることによってp電極14およびn電極15がそれぞれ形成される。 p electrode 14 and n electrode 15 are formed respectively by patterning using a photo-etching the aluminum film.

しかしながら、この裏面電極型の太陽電池は、当初、集光型の太陽電池として開発されたものであり、その製造には複雑なフォトリソグラフィ技術、高品位のドーピング技術および高温における水素化処理などのパッシベーション技術が用いられていた。 However, the solar cell of the back electrode type, originally has been developed as a solar cell concentrating, complex photolithographic techniques for its production, such as hydrotreating in doping technique and high-temperature high-quality passivation techniques have been used. したがって、その製造コストが非常に高く、一般的に地上で用いられる太陽電池には適していなかった。 Therefore, the manufacturing cost is very high, the solar cell used generally ground was not suitable.

そこで、たとえば非特許文献1には、製造プロセスを簡略化することによって製造コストの低減を図った裏面電極型の太陽電池が開示されている。 Therefore, for example, Non-Patent Document 1, a solar cell back electrode type which aimed to reduce the manufacturing cost by simplifying the manufacturing process is disclosed. 図9に、この裏面電極型の太陽電池の模式的な断面図を示す。 Figure 9 shows a schematic cross-sectional view of the solar cell of this back electrode type. この裏面電極型の太陽電池においては、シリコン基板10の裏面の高濃度pドーピング領域12に対応する部分の一部が数μm程度削られており、高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13とが接していることを特徴としている。 In the solar cell of this back electrode type, a part of the portion corresponding to the back surface of the high-concentration p-doped region 12 of the silicon substrate 10 have been cut several [mu] m, the high-concentration p-doped region 12 and the high concentration n-doped region It is characterized in that 13 and is in contact.

この裏面電極型の太陽電池はたとえば以下のようにして製造される。 The solar cell of this back electrode type, for example is manufactured as follows. まず、CVD法を用いて、シリコン基板10の裏面の全面にn型ドーパントを含むガラス層を堆積させる。 First, by using the CVD method to deposit a glass layer containing an n-type dopant in the entire back surface of the silicon substrate 10. その後、このガラス層をシリコン基板10ごと櫛の歯状にエッチングする。 Thereafter, etching the glass layer to the tooth by the silicon substrate 10 comb. これにより、図9に示すように、シリコン基板10の裏面に段差が形成される。 Thus, as shown in FIG. 9, a step is formed on the back surface of the silicon substrate 10. そして、シリコン基板10の裏面側にp型ドーパントを含むガラス層をさらに堆積させる。 Then, further depositing a glass layer comprising a p-type dopant on the back side of the silicon substrate 10. その後、シリコン基板10を熱処理すると、シリコン基板10の裏面においてn型ドーパントを含むガラス層に接している部分には高濃度nドーピング領域13が形成され、p型ドーパントを含むガラス層に接している部分には高濃度pドーピング領域12が形成される。 Thereafter, the heat treatment of the silicon substrate 10, the portions in contact with the glass layer containing an n-type dopant in the back surface of the silicon substrate 10 the high concentration n-doped region 13 is formed in contact with the glass layer containing a p-type dopant the partial high-concentration p-doped region 12 is formed. そして、シリコン基板10の受光面および裏面にパッシベーション膜11を形成した後に、コンタクトホール16、17を形成する。 Then, after forming the passivation film 11 on the light receiving surface and the back surface of the silicon substrate 10 to form a contact hole 16, 17. これらのコンタクトホール16、17を通してp電極14およびn電極15が、高濃度pドーピング領域12上および高濃度nドーピング領域13上にそれぞれ形成される。 p electrode 14 and n electrode 15 through the contact holes 16 and 17 are formed respectively on the high-concentration p-doped region 12 and on the high-concentration n-doped region 13.

しかしながら、この太陽電池においては、特に高濃度pドーピング領域と高濃度nドーピング領域のシリコン基板の裏面近傍におけるドーパント濃度が非常に高い。 However, in this solar cell, very high dopant concentration at the back surface near the silicon substrate, especially a high-concentration p-doped region and the heavily doped n-doped region. したがって、これらの領域の間にリーク電流が流れることによって太陽電池の変換効率が低下する可能性があった。 Therefore, the conversion efficiency of the solar cell may decrease by leakage current flows between these regions.
米国特許第4927770号明細書 US Pat. No. 4927770 特表2003−531807号公報 JP-T 2003-531807 JP 特表2002−539615号公報 JP-T 2002-539615 JP Ronald A. Sinton and Richard M. Swanson, " Simplified Backside-Contact Solar Cells ", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL.37,NO.2,February 1990,P.348-p.352 " Rear Surface Effects in High Efficiency Silicon Solar Cells " SR Wenham, SJ Robinson, X. Dai, J. Zhao, A. Wang, YH Tang, A. Ebong, CB Honsberg and MA Green, Proc. IEEE 1st WEPVSC, Hawaii (1994) pp.1278-1282 A. Sinton And Ronald Richard M. Swanson, " Simplified Backside-Contact Solar Cells ", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL.37, NO.2, February 1990, P.348-P.352 " Rear Surface Effects In High Efficiency Solar Cells Silicon "SR Wenham, SJ Robinson, X. Dai, J. Zhao, A. Wang, YH Tang, A. Ebong, CB Honsberg And MA Green, Proc. IEEE 1St WEPVSC, Hawaii (1994) Pp.1278-1282

上記のような裏面電極型の太陽電池においては、太陽電池の変換効率と、シリコン基板とパッシベーション膜との界面におけるキャリアの表面再結合速度とが密接に関連している。 In back electrode type solar cell as described above, the conversion efficiency of the solar cell, and the surface recombination velocity of carriers at the interface between the silicon substrate and the passivation film are closely related. したがって、高い変換効率を有する太陽電池を実現するためには、この表面再結合速度を低減して、キャリアの再結合損失を抑制する必要がある。 Therefore, in order to realize a solar cell having high conversion efficiency is to reduce the surface recombination velocity, it is necessary to suppress the recombination loss of carriers.

本発明の目的は、太陽電池の裏面におけるキャリアの再結合損失を抑制することによって高い変換効率を有する太陽電池およびその製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a solar cell and a manufacturing method thereof having high conversion efficiency by suppressing the recombination loss of carriers on the back surface of the solar cell.

本発明は、第1導電型の半導体基板の一面に形成されている、半導体基板よりも不純物濃度が高い第1導電型の第1ドーピング領域と、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型の第2ドーピング領域と、半導体基板よりも不純物濃度が高く第1ドーピング領域よりも不純物濃度が低い第1導電型の第3ドーピング領域または半導体基板よりも不純物濃度が高く第2ドーピング領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3ドーピング領域のいずれか一方とを含む太陽電池である。 The present invention is formed on one surface of a first conductivity type semiconductor substrate, a first doped region impurity concentration than the semiconductor substrate is higher first conductivity type, the first conductivity type is opposite conductivity type a second doping region of a second conductivity type, the second doping higher third doping region or impurity concentration than the semiconductor substrate of a first conductivity type low impurity concentration than the first doping region higher impurity concentration than the semiconductor substrate impurity concentration than the region is a solar cell including a one of low of the second conductivity type third doping region. ここで、導電型にはp型とn型とがあり、第1導電型がp型である場合には第2導電型がn型となり、第1導電型がn型である場合には第2導電型がp型となる。 Here, the conductivity type has a p-type and n-type, if the first conductivity type is p-type becomes the second conductivity type is n-type, if the first conductivity type is n-type first second conductivity type is p-type. また、本発明において「不純物」は、半導体基板中においてキャリアを供給する不純物のことをいう。 Further, "impurities" in the present invention refers to the impurity supplying carriers in the semiconductor substrate.

また、本発明の太陽電池においては、第3ドーピング領域が、第1ドーピング領域および第2ドーピング領域の少なくとも一方と接触していることが好ましい。 Further, in the solar cell of the present invention, the third doping region is preferably in contact with at least one of the first doped region and the second doping region.

また、本発明の太陽電池においては、第3ドーピング領域の不純物濃度が10 17 /cm 3以上10 19 /cm 3以下であることが好ましい。 Further, in the solar cell of the present invention, it is preferable impurity concentration of the third doped region is 10 17 / cm 3 or more 10 19 / cm 3 or less.

さらに、本発明は、第1導電型の半導体基板の一面に、半導体基板よりも不純物濃度が高い第1導電型の第1ドーピング領域を形成する工程と、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型の第2ドーピング領域を形成する工程と、半導体基板よりも不純物濃度が高く第1ドーピング領域よりも不純物濃度が低い第1導電型の第3ドーピング領域または半導体基板よりも不純物濃度が高く第2ドーピング領域よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3ドーピング領域のいずれか一方を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法である。 Furthermore, the present invention is, on one side of the first conductivity type semiconductor substrate, forming a first doping region of a high impurity concentration first conductivity type than the semiconductor substrate, opposite conductivity type from the first conductivity type in is a step of forming a second doped region of a second conductivity type, the third doping region or impurities than the semiconductor substrate impurity concentration than the first doping region higher impurity concentration than the semiconductor substrate is lower first conductivity type it is a manufacturing method of a solar cell and a step of forming one of the third doping region of low impurity concentration than the second doped region high concentration second conductivity type. ここで、本発明においては、これらの工程の順序が入れ替わっていてもよい。 In the present invention, it may be replaced with the order of these steps. また、本発明においては、これらの工程以外の工程が含まれていてもよいことは言うまでもない。 In the present invention, it goes without saying that may include steps other than these steps.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、第1ドーピング領域および第2ドーピング領域を形成した後に、第3ドーピング領域を形成することができる。 Further, in the method for manufacturing a solar cell of the present invention, after forming a first doped region and the second doped region, it is possible to form the third doped region.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、第3ドーピング領域の一部に第3ドーピング領域と同じ導電型のドーパントを拡散することによって第1ドーピング領域または第2ドーピング領域を形成することができる。 Further, in the method for manufacturing a solar cell of the present invention, to form a first doped region and the second doped region by diffusing a dopant of the same conductivity type as the third doped region to a portion of the third doped region it can.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、半導体基板の一面に、第1ドーピング領域または第2ドーピング領域に対応する位置に開口部を有するドーパントの透過量を低減するマスクを形成した後に半導体基板の一面にマスクを通してドーパントを拡散させることによって、マスクが形成されている半導体基板の面に第3ドーピング領域を形成すると同時に、開口部から露出している半導体基板の面に第3ドーピング領域と同じ導電型である第1ドーピング領域または第2ドーピング領域を形成することができる。 Further, in the method for manufacturing a solar cell of the present invention, on one surface of a semiconductor substrate, a semiconductor after forming a mask for reducing the transmission amount of dopant having an opening at a position corresponding to the first doping region and the second doped region by diffusing a dopant through a mask on one surface of the substrate, and at the same time to form a third doped region on the surface of the semiconductor substrate a mask is formed, and a third doped region on the surface of the semiconductor substrate exposed through the opening it is possible to form the first doping region and the second doped region of the same conductivity type.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、第3ドーピング領域の一部を除去することによって半導体基板の一部を露出させ、露出した半導体基板の一部に第3ドーピング領域とは逆の導電型であるドーパントを拡散して第1ドーピング領域または第2ドーピング領域を形成することができる。 Further, in the method for manufacturing a solar cell of the present invention, to expose part of the semiconductor substrate by removing a portion of the third doped region, opposite to the third doped region to a portion of the exposed semiconductor substrate the dopant in the conductivity type can be formed first doped region and the second doped region is diffused.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、半導体基板の一面の一部に固相拡散源層を設置した後に固相拡散源層を加熱することによって第3ドーピング領域を形成することができる。 Further, in the method for manufacturing a solar cell of the present invention, it is possible to form the third doped region by heating the solid-phase diffusion source layer after placing the solid-phase diffusion source layer to a part of one surface of the semiconductor substrate . ここで、固相拡散源層はドーピングペーストであり得る。 Here, the solid-phase diffusion source layer may be a doping paste. また、固相拡散源層はエッチングペーストによりパターンニングされ得る。 Further, the solid-phase diffusion source layer can be patterned by etching paste.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、半導体基板の一面に、開口部を有するマスクを形成した後に、半導体基板の一面にドーパントを拡散させることによって、第1ドーピング領域、第2ドーピング領域および第3ドーパント領域の少なくとも1つが形成され、マスクがスピンオングラス膜またはマスキングペーストであり得る。 Further, in the method for manufacturing a solar cell of the present invention, on one surface of the semiconductor substrate, after forming a mask having an opening, by diffusing a dopant into one surface of the semiconductor substrate, a first doped region, the second doped region and at least one third dopant region is formed, the mask can be a spin-on-glass film or masking paste.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、半導体基板の一面に、開口部を有するマスクを形成した後に、半導体基板の一面にドーパントを拡散させることによって、第1ドーピング領域、第2ドーピング領域および第3ドーパント領域の少なくとも1つが形成され、マスクがエッチングペーストによりパターンニングされ得る。 Further, in the method for manufacturing a solar cell of the present invention, on one surface of the semiconductor substrate, after forming a mask having an opening, by diffusing a dopant into one surface of the semiconductor substrate, a first doped region, the second doped region and at least one third dopant region is formed, the mask may be patterned by etching paste.

本発明によれば、太陽電池の裏面におけるキャリアの再結合損失を抑制することによって高い変換効率を有する太陽電池およびその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a solar cell and a manufacturing method thereof having high conversion efficiency by suppressing the recombination loss of carriers on the back surface of the solar cell.

以下、本発明の実施の形態について説明する。 The following describes embodiments of the present invention. なお、本願の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。 Incidentally, in the drawings of the present application, identical reference numerals denote the same or corresponding parts. また、本明細書において、太陽電池モジュールに太陽光が入射する側の面を受光面とし、受光面の反対側にあって太陽光が入射しない側の面を裏面とする。 In the present specification, the surface on the side where sunlight enters the light-receiving plane in the solar cell module, the solar In the opposite side of the light-receiving surface to the back surface of the side not incident.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
図1に、本発明の太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図を示す。 Figure 1 shows a schematic cross-sectional view of a preferred example of the solar cell of the present invention. この太陽電池においては、半導体基板の一例であるn型のシリコン基板10の裏面に第1ドーピング領域としての高濃度nドーピング領域13と第2ドーピング領域としての高濃度pドーピング領域12と形成されている。 In this solar cell, it is formed as high-concentration p-doped region 12 as a high-concentration n-doped region 13 and the second doping region of a first doping region on the back surface of the n-type silicon substrate 10 of which is an example of a semiconductor substrate there. そして、高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13との間に低濃度nドーピング領域20が形成されている。 Then, the low-concentration n-doped region 20 is formed between the high-concentration p-doped region 12 and the high concentration n-doped region 13. ここで、低濃度nドーピング領域20の不純物濃度は、高濃度nドーピング領域13の不純物濃度よりも低く、シリコン基板10の不純物濃度よりも高い。 Here, the impurity concentration of the low concentration n-doped region 20 is lower than the impurity concentration of the high concentration n-doped region 13 is higher than the impurity concentration of the silicon substrate 10.

また、シリコン基板10の受光面の全面および裏面の一部にはパッシベーション膜11が形成されている。 Further, a part of the entire surface and back surface of the light-receiving surface of the silicon substrate 10 is a passivation film 11 is formed. また、シリコン基板10の裏面にはコンタクトホール16、17を通してp電極14およびn電極15が高濃度pドーピング領域12上および高濃度nドーピング領域13上にそれぞれ形成されている。 Further, on the back surface of the silicon substrate 10 are formed respectively p electrode 14 and n electrode 15 on the high-concentration p-doped region 12 and on the high-concentration n-doped region 13 through the contact hole 16, 17.

このような太陽電池においては、低濃度nドーピング領域20の形成によってBSF(Back Surface Field)効果が生じ、シリコン基板10の裏面でのキャリアの再結合損失が抑制される。 In such a solar cell, BSF (Back Surface Field) effect by the formation of low-concentration n-doped region 20 occurs, recombination loss of carriers at the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed. ここで、BSFとはシリコン基板10に形成された内部電界のことである。 Here, it is that the internal electric field formed in the silicon substrate 10 and the BSF. この内部電界によってn型のシリコン基板10内で発生した少数キャリア(正孔)がシリコン基板10の裏面に流れにくくなって、シリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失が抑制されるため、太陽電池の変換効率を高くすることができる。 Since the minority carriers generated in the silicon substrate 10 of n-type by the internal electric field (holes) becomes less likely to flow to the back surface of the silicon substrate 10, recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed, the sun it is possible to increase the conversion efficiency of the cell.

また、シリコン基板10がp型である場合には、低濃度nドーピング領域20の形成によってFJ(Floating Junction)構造が形成され、シリコン基板10の裏面でのキャリアの再結合損失が抑制される。 Further, the silicon substrate 10 in the case of a p-type, FJ by the formation of low-concentration n-doped region 20 (Floating Junction) structure is formed, recombination losses of the carriers at the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed. ここで、FJ構造とは、シリコン基板10の裏面にシリコン基板10の導電型と逆の導電型であって、電極と接触していないドーピング領域を形成した構造のことをいう。 Here, the FJ structure, a conductivity type opposite to conductivity type of the silicon substrate 10 on the back surface of the silicon substrate 10 refers to a structure forming a doped region not in contact with the electrode. これにより、そのドーピング領域に形成されているパッシベーション膜11のパッシベーション効果を向上させることができ、シリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失が抑制されるため、太陽電池の変換効率を高くすることができる。 Thus, it is possible to improve the passivation effect of the passivation film 11 formed on the doped region, since the recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed, increasing the conversion efficiency of the solar cell can. なお、FJ構造については、これを応用したシリコン系太陽電池において720mVというシリコン系太陽電池としては最も高い開放電圧が得られたことが非特許文献2で報告されており、そのパッシベーション効果の有効性が実証されている。 Note that the FJ structure, have been reported the highest open-circuit voltage as a silicon-based solar cell that 720mV in silicon solar cell that applies this that is obtained in Non-Patent Document 2, the effectiveness of the passivation effect There has been demonstrated.

なお、シリコン基板10がp型である場合には、高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13との間に低濃度pドーピング領域を形成することもできる。 Note that when the silicon substrate 10 is p-type, can also form a low-concentration p-doped region between the high-concentration p-doped region 12 and the high concentration n-doped region 13. ここで、低濃度pドーピング領域の不純物濃度は、高濃度pドーピング領域12の不純物濃度よりも低く、シリコン基板10の不純物濃度よりも高い。 Here, the impurity concentration of the low concentration p-doped region is lower than the impurity concentration of the high concentration p-doped region 12 is higher than the impurity concentration of the silicon substrate 10. この場合には、BSF効果によってシリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失が抑制されるため、太陽電池の変換効率を高くすることができる。 In this case, since the recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed by BSF effect, it is possible to increase the conversion efficiency of the solar cell. また、この低濃度pドーピング領域が形成されたシリコン基板10がn型である場合には、FJ構造によってシリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失が抑制されるため、太陽電池の変換効率を高くすることができる。 Further, when the low-concentration p-doped region silicon substrate 10 that is formed is an n-type, because the recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed by FJ structure, the conversion efficiency of the solar cell it can be increased.

図2(A)から図2(E)の模式的断面図を参照して、本発明の太陽電池の製造工程の好ましい一例を説明する。 Figure 2 (A) through with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. 2 (E), illustrates a preferred example of the manufacturing process of the solar cell of the present invention. まず、図2(A)に示すように、シリコン基板10の受光面および裏面の全面にマスクとしての拡散制御マスク30を形成する。 First, as shown in FIG. 2 (A), to form a diffusion control mask 30 as a light receiving surface and mask in the entire back surface of the silicon substrate 10. ここで、拡散制御マスク30は、シリコン基板10内にドーパントが拡散するのを抑制または停止させる機能を有する。 Here, the diffusion control mask 30 has a function to suppress or stop the dopant from diffusing into the silicon substrate 10. 拡散制御マスク30としては、たとえばシリコン基板10の熱酸化より形成されたSiO 2膜やスピンオングラス膜などを用いることができる。 The diffusion control mask 30, or the like can be used SiO 2 film or a spin-on-glass film, for example formed from thermal oxidation of the silicon substrate 10. なかでも、低温で簡易に形成することができるため生産性が高く、シリコン基板10内におけるキャリアのバルクライフタイムも長くなる傾向にあるスピンオングラス膜を用いることが好ましい。 Among them, high productivity because it can be easily formed at a low temperature, it is preferable to use a spin-on-glass film in the bulk lifetime becomes long trend of carriers in the silicon substrate 10. なお、スピンオングラス膜とは、SiO 2を溶剤の中に混入した液状体をスピンコートした後に熱処理することによって溶剤を除去して得られた薄膜のことをいう。 Note that the spin-on-glass film refers to a thin film obtained by removing the solvent by heat treatment of the liquid material obtained by mixing SiO 2 in the solvent after spin coating.

次に、図2(B)に示すように、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30の一部を除去して開口部を形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (B), part of the back surface of the diffusion control mask 30 of silicon substrate 10 is removed to form an opening. ここで、拡散制御マスク30の除去は、フォトエッチングを用いて行なうこともできるが、より簡易にはエッチングペーストを用いて行なうこともできる。 Here, the removal of the diffusion control mask 30, can also be carried out using photo-etching, can also be more easily performed using etching paste. エッチングペーストは除去しようとする拡散制御マスク30の部分にスクリーン印刷された後に加熱される。 Etching paste is heated after being screen printed portion of the diffusion control mask 30 to be removed. これにより、拡散制御マスク30の一部が除去される。 Thus, a portion of the diffusion control mask 30 is removed. ここで、エッチングペーストとは、拡散制御マスク30をエッチングすることが可能な成分を含むペースト状物質のことをいう(たとえば特許文献2参照)。 Here, (for example, refer to Patent Document 2), which refers to a pasty material containing the etching paste, the component capable of etching the diffusion control mask 30. また、マスキングペーストをスクリーン印刷することによって上記のように一部が除去された形状の拡散制御マスク30を形成することもできる。 It is also possible to form a diffusion control mask 30 shape a part of which is removed as described above by screen printing a masking paste. なお、マスキングペーストとは、拡散制御マスク30の材料を含むペースト状物質のことをいう(たとえば特許文献3参照)。 Note that the masking paste refers to a paste-like substance containing a material of the diffusion control mask 30 (for example, see Patent Document 3).

そして、拡散制御マスク30の開口部からp型ドーパント31をシリコン基板10の裏面で拡散させると、高濃度pドーピング領域12が形成される。 When a p-type dopant 31 is diffused by the rear surface of the silicon substrate 10 from the opening portion of the diffusion control mask 30, the high-concentration p-doped region 12 is formed. ここで、p型ドーパント31の拡散方法としては、たとえば気相拡散法、イオンインプランテーション法または固相拡散法などを用いることができる。 Here, as a method of diffusing p-type dopant 31 can be used, for example vapor phase diffusion method, an ion implantation method or solid phase diffusion. なかでも、固相拡散源層をシリコン基板10の裏面に印刷または塗布した後に熱処理を行なうことによってドーパントを拡散させる固相拡散法が簡易で生産性が高いため好適である。 Among them, it is preferred for solid phase diffusion method to diffuse the dopant is high productivity in a simple by performing a heat treatment for solid phase diffusion source layer after printing or coating the back surface of the silicon substrate 10. 上記のように、エッチングペーストやマスキングペーストを用いて拡散制御マスク30を形成した後にp型ドーパント31を拡散させることによって、簡易に高濃度pドーピング領域12を形成することができる。 As described above, by diffusing a p-type dopant 31 after forming a diffusion control mask 30 by etching paste, masking paste, it is possible to form a high-concentration p-doped region 12 easily. それゆえ、本発明のように複雑なドーパント濃度分布を有する太陽電池であっても低コストで製造することができる。 Therefore, it can be a solar cell having a complex dopant concentration distribution as in the present invention is manufactured at a low cost.

続いて、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30をすべて除去した後に再度シリコン基板10の裏面に拡散制御マスク30を形成する。 Subsequently, a diffusion control mask 30 on the back surface of the silicon substrate 10 again after removing all the back surface of the diffusion control mask 30 of the silicon substrate 10. そして、図2(C)に示すように、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30の一部を除去して得られた開口部からn型ドーパント32をシリコン基板10の裏面で拡散させて、高濃度nドーピング領域13を形成する。 Then, as shown in FIG. 2 (C), and the n-type dopant 32 is diffused by the rear surface of the silicon substrate 10 through the opening obtained by removing a portion of the back surface of the diffusion control mask 30 of silicon substrate 10, forming a high-concentration n-doped region 13. ここで、拡散制御マスク30の形成方法およびn型ドーパント32の拡散方法は上記と同様である。 Here, the diffusion process of forming methods and the n-type dopant 32 of the diffusion control mask 30 is the same as described above.

そして、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30をすべて除去した後に再度シリコン基板10の裏面に拡散制御マスク30を形成する。 Then, a diffusion control mask 30 on the back surface of the silicon substrate 10 again after removing all the back surface of the diffusion control mask 30 of the silicon substrate 10. そして、図2(D)に示すように、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30の一部を除去して得られた開口部からn型ドーパント32をシリコン基板10の裏面で拡散させて、低濃度nドーピング領域20を形成する。 Then, as shown in FIG. 2 (D), and the n-type dopant 32 is diffused by the rear surface of the silicon substrate 10 through the opening obtained by removing a portion of the back surface of the diffusion control mask 30 of silicon substrate 10, forming a low-concentration n-doped region 20. ここで、n型ドーパント32は、高濃度nドーピング領域13の不純物濃度よりも低く、シリコン基板10の不純物濃度よりも高くなるようにドーパント量を調節して拡散させられる。 Here, n-type dopant 32 is lower than the impurity concentration of the high concentration n-doped region 13 is to adjust the amount of dopant is diffused so as to be higher than the impurity concentration of the silicon substrate 10.

その後、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30をすべて除去した後に、図2(E)に示すパッシベーション膜11を形成する。 Then, after removing all the back surface of the diffusion control mask 30 of silicon substrate 10, a passivation film 11 shown in FIG. 2 (E). そして、図2(E)に示すように、シリコン基板10の裏面のパッシベーション膜11の一部を除去してコンタクトホール16、17を形成する。 Then, as shown in FIG. 2 (E), by removing a part of the back surface of the passivation film 11 of the silicon substrate 10 to form a contact hole 16, 17. そして、コンタクトホール16、17を通してp電極14およびn電極15を高濃度pドーピング領域12上および高濃度nドーピング領域13上にそれぞれ形成する。 Then, to form respectively a p-electrode 14 and n electrode 15 through the contact hole 16, 17 on the high-concentration p-doped region 12 and on the high-concentration n-doped region 13. これにより、図1に示す太陽電池が完成する。 There is thus completed the solar cell shown in FIG.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
図3に、本発明の太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図を示す。 Figure 3 shows a schematic cross-sectional view of another preferable example of the solar cell of the present invention. この太陽電池においては、n型のシリコン基板10の裏面の高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13との間に形成されている低濃度nドーピング領域20がこれらの領域と接触している点に特徴がある。 In this solar cell, the low-concentration n-doped region 20 formed between the back of the high-concentration p-doped region 12 and the high concentration n-doped region 13 of n-type silicon substrate 10 is in contact with these regions it is characterized in that there.

このように高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13との間の領域をすべて低濃度nドーピング領域20で埋めてしまうことによって、n型のシリコン基板10内で発生した少数キャリア(正孔)が高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13との間からシリコン基板10の裏面に到達することを防止することができる。 By this way would fill in all the low-concentration n-doped region 20 a region between the high-concentration p-doped region 12 and the high concentration n-doped region 13, minority carriers (positive generated in the silicon substrate 10 of n-type can be holes) it is prevented from reaching the back surface of the silicon substrate 10 from between the high-concentration p-doped region 12 and the high concentration n-doped region 13. したがって、シリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失を抑制する効果をより向上させることができ、太陽電池の変換効率もより高くすることができる傾向にある。 Therefore, it is possible to further improve the effect of suppressing the recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10, the conversion efficiency of solar cells tends to be able to higher. また、図9に示す従来の太陽電池のように高濃度pドーピング領域12と高濃度nドーピング領域13とが直接接触していないため、これらの領域の間にリーク電流が流れるのを抑制することができ、太陽電池の変換効率もより高くすることができる傾向にある。 Further, since the high-concentration p-doped region 12 as in the conventional solar cell shown in FIG. 9 and the high-concentration n-doped region 13 is not in direct contact, suppressing the leak current from flowing between these regions it can be, there is a tendency that can also be higher conversion efficiency of the solar cell.

また、シリコン基板10がp型である場合には、FJ構造が形成されてシリコン基板10の裏面でのキャリアの再結合損失が抑制されることとなる。 Further, when the silicon substrate 10 is p-type, so that the recombination loss of carriers at the back surface of the silicon substrate 10 by FJ structure is formed it can be suppressed. この場合でもシリコン基板10の裏面においてFJ構造によるパッシベーション効果が向上した領域が広がることになるため、シリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失を抑制する効果をより向上させることができ、太陽電池の変換効率もより高くすることができる傾向にある。 Thus the passivation effect due FJ structure is that the widened region has improved the back surface of the silicon substrate 10 even if, it is possible to further improve the effect of suppressing the recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10, the solar cell conversion efficiency also tends to be able to higher.

図4(A)から図4(D)の模式的断面図を参照して、この太陽電池の製造工程の好ましい一例を説明する。 Referring to schematic cross sectional view of FIG. 4 (D) from FIG. 4 (A), the description of the preferred example of the manufacturing process for the solar cell. まず、図4(A)に示すように、n型のシリコン基板10の受光面に拡散制御マスク30を形成した後に、シリコン基板10の裏面の全面にn型ドーパント32を拡散させて低濃度nドーパント領域20を形成する。 First, as shown in FIG. 4 (A), after forming a diffusion control mask 30 on the light-receiving surface of n-type silicon substrate 10, by diffusing n-type dopant 32 on the entire surface of the back surface of the silicon substrate 10 lightly doped n to form a dopant region 20.

次に、シリコン基板10の裏面の全面に拡散制御マスク30を形成する。 Next, a diffusion control mask 30 to the entire back surface of the silicon substrate 10. そして、図4(B)の模式的断面図に示すように、拡散制御マスク30の一部を除去して得られた開口部からn型ドーパント32をシリコン基板10の裏面で拡散させて高濃度nドーピング領域13を形成する。 The schematic cross-section as shown in Figure, the high concentration of the n-type dopant 32 is diffused by the rear surface of the silicon substrate 10 through the opening obtained by removing a portion of the diffusion control mask 30 shown in FIG. 4 (B) forming an n-doped region 13.

続いて、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30をすべて除去した後に再度シリコン基板10の裏面に拡散制御マスク30を形成する。 Subsequently, a diffusion control mask 30 on the back surface of the silicon substrate 10 again after removing all the back surface of the diffusion control mask 30 of the silicon substrate 10. そして、図4(C)に示すように、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30の一部を除去して得られた開口部からp型ドーパント31をシリコン基板10の裏面で拡散させて、高濃度pドーピング領域12を形成する。 Then, as shown in FIG. 4 (C), and a p-type dopant 31 is diffused by the rear surface of the silicon substrate 10 through the opening obtained by removing a portion of the back surface of the diffusion control mask 30 of silicon substrate 10, forming a high-concentration p-doped region 12.

その後は上記と同様にして、拡散制御マスク30を除去した後に、図4(D)に示すようにシリコン基板10の裏面に形成されたパッシベーション膜11の一部を除去してコンタクトホール16、17を形成する。 Then in the same manner as above, after removal of the diffusion control mask 30, contact holes 16 and 17 by removing part of the passivation film 11 formed on the back surface of the silicon substrate 10 as shown in FIG. 4 (D) to form. そして、コンタクトホール16、17を通してp電極14およびn電極15を高濃度pドーピング領域12上および高濃度nドーピング領域13上にそれぞれ形成する。 Then, to form respectively a p-electrode 14 and n electrode 15 through the contact hole 16, 17 on the high-concentration p-doped region 12 and on the high-concentration n-doped region 13. これにより、図3に示す太陽電池が完成する。 There is thus completed the solar cell shown in FIG.

このように、まずシリコン基板10の裏面の全面に低濃度nドーパント領域20を形成した場合には、低濃度nドーパント領域20を形成するために拡散制御マスク30を形成する必要がなくなることから、より簡易に太陽電池を製造することができるため、太陽電池の製造コストをより低減することができる。 Thus, in the case of forming a low-concentration n dopant region 20 is the first of the back surface of the silicon substrate 10 over the entire surface, since the need to form a diffusion control mask 30 to form a low-concentration n dopant region 20 is eliminated, it is possible to manufacture the solar cell more easily, it is possible to further reduce the manufacturing cost of the solar cell.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
図5(A)から図5(C)の模式的断面図を参照して、本発明の太陽電池の製造工程の好ましい他の一例を説明する。 Figure 5 (A) with reference to the schematic sectional view in FIG. 5 (C), explaining another preferred example of the solar cell production process of the present invention. まず、図5(A)に示すように、n型のシリコン基板10の受光面に拡散制御マスク30を形成する。 First, as shown in FIG. 5 (A), to form a diffusion control mask 30 on the light-receiving surface of n-type silicon substrate 10. そして、シリコン基板10の裏面に膜厚および/または材質を調節することによって少量のn型ドーパント32しか透過しないようにn型ドーパント32の透過量を低減させた拡散制御マスク30aを形成する。 Then, a diffusion control mask 30a having a reduced amount of transmitted n-type dopant 32 to not only transmits a small amount of n-type dopant 32 by adjusting the thickness and / or material on the back surface of the silicon substrate 10. ここで、この拡散制御マスク30aはその一部に開口部を有している。 Here, the diffusion control mask 30a has an opening in a part thereof. 次いで、この拡散制御マスク30aを通してn型ドーパント32をシリコン基板10の裏面に拡散させる。 Then, the n-type dopant 32 is diffused into the back surface of the silicon substrate 10 through the diffusion control mask 30a. これにより、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30aの開口部に対応する部分においては高濃度nドーピング領域13が形成されるが、それ以外の部分においては拡散制御マスク30aによってn型ドーパント32の透過量が低減させられるため低濃度nドーパント領域20が形成される。 Thus, although the portion corresponding to the opening of the diffusion control mask 30a on the back surface of the silicon substrate 10 is high-concentration n-doped region 13 is formed, the n-type dopant 32 by diffusion control mask 30a is in the other part of the since the transmission amount is reduced low concentration n dopant region 20 is formed.

次に、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30aをすべて除去した後にシリコン基板10の裏面に拡散制御マスク30を形成する。 Next, a diffusion control mask 30 on the back surface of the silicon substrate 10 after removing all the back surface of the diffusion control mask 30a of the silicon substrate 10. そして、図5(B)に示すように、シリコン基板10の裏面の拡散制御マスク30の一部を除去して得られた開口部からp型ドーパント31をシリコン基板10の裏面で拡散させて、高濃度pドーピング領域12を形成する。 Then, as shown in FIG. 5 (B), and a p-type dopant 31 is diffused by the rear surface of the silicon substrate 10 through the opening obtained by removing a portion of the back surface of the diffusion control mask 30 of silicon substrate 10, forming a high-concentration p-doped region 12.

その後は上記と同様にして、拡散制御マスク30を除去した後に図5(C)に示すようにシリコン基板10の裏面に形成されたパッシベーション膜11の一部を除去してコンタクトホール16、17を形成する。 Then in the same manner as described above, the contact holes 16, 17 by removing a portion of the passivation film 11 formed on the back surface of the silicon substrate 10 as shown in FIG. 5 (C) after removal of the diffusion control mask 30 Form. そして、コンタクトホール16、17を通してp電極14およびn電極15を高濃度pドーピング領域12上および高濃度nドーピング領域13上にそれぞれ形成する。 Then, to form respectively a p-electrode 14 and n electrode 15 through the contact hole 16, 17 on the high-concentration p-doped region 12 and on the high-concentration n-doped region 13. これにより、本発明の太陽電池が完成する。 As a result, the solar cell of the present invention is completed.

このように、1回のn型ドーパント32の拡散によって低濃度nドーパント領域20と高濃度nドーピング領域13とを同時に形成した場合には、さらに簡易に太陽電池を製造することができるため、太陽電池の製造コストをさらに低減することができる。 Thus, for one in the case of forming by diffusion of n-type dopant 32 and the low concentration n dopant region 20 and a high-concentration n-doped region 13 at the same time, which can further be produced a solar cell easily, the sun it is possible to further reduce the manufacturing cost of the battery.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
図6(A)から図6(D)の模式的断面図を参照して、本発明の太陽電池の製造工程の好ましい他の一例を説明する。 FIG 6 (A) with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. 6 (D), the description of the preferred another example of a solar cell production process of the present invention. まず、上記と同様にして、図6(A)に示すように、1回のn型ドーパント32の拡散によって低濃度nドーパント領域20と高濃度nドーピング領域13とを同時に形成する。 First, in the same manner as described above, as shown in FIG. 6 (A), at the same time to form the low concentration n dopant region 20 and the high-concentration n-doped region 13 by diffusion of one n-type dopant 32.

次に、拡散制御マスク30、30aを除去した後に、シリコン基板10の受光面および裏面の全面に図6(B)に示すエッチングマスク33を形成する。 Next, after removing the diffusion control mask 30, 30a, to form an etching mask 33 shown in FIG. 6 (B) to the light receiving surface and the entire back surface of the silicon substrate 10. そして、図6(B)に示すように、このエッチングマスク33の一部を除去した後に、シリコン基板10をNaOHやKOHなどのアルカリ溶液や混酸などに浸漬させる。 Then, as shown in FIG. 6 (B), after removing a part of the etching mask 33, immersing the silicon substrate 10, such as an alkaline solution or a mixed acid such as NaOH or KOH. これにより、エッチングマスク33の除去部分に対応する部分のシリコン基板10を除去する。 Thus, removing the silicon substrate 10 in the portion corresponding to the removed portion of the etch mask 33. ここで、シリコン基板10の除去は低濃度nドーパント領域20が形成されていないシリコン基板10の領域が露出するまで行なわれる。 Here, removal of the silicon substrate 10 is performed up to the region of the silicon substrate 10 that are not low-concentration n dopant region 20 is formed is exposed.

続いて、シリコン基板10に形成されているエッチングマスク33をすべて除去した後に、シリコン基板10の受光面および裏面に図6(C)に示す拡散制御マスク30を形成する。 Then, after removing all the etching masks 33 are formed on the silicon substrate 10, to form the diffusion control mask 30 shown in FIG. 6 (C) on the light receiving surface and the back surface of the silicon substrate 10. そして、図6(C)に示すように、シリコン基板10の除去部分のうちシリコン基板10の裏面に平行な部分の拡散制御マスク30を除去する。 Then, as shown in FIG. 6 (C), removing the diffusion control mask 30 parallel portions on the back surface of the silicon substrate 10 of the removed portion of the silicon substrate 10. その後、p型ドーパント31をその拡散制御マスク30の除去部分から拡散させて、高濃度pドーピング領域12を形成する。 Thereafter, by diffusing p-type dopant 31 from the removal portion of the diffusion control mask 30, to form a high-concentration p-doped region 12.

そして、上記と同様にして、図6(D)に示すように、拡散制御マスク30を除去した後にシリコン基板10に形成されたパッシベーション膜11の一部を除去してコンタクトホール16、17を形成する。 Then, in the same manner as described above, as shown in FIG. 6 (D), the contact holes 16 and 17 by removing part of the passivation film 11 formed on the silicon substrate 10 after removal of the diffusion control mask 30 formed to. そして、コンタクトホール16、17を通してp電極14およびn電極15を高濃度pドーピング領域12上および高濃度nドーピング領域13上にそれぞれ形成する。 Then, to form respectively a p-electrode 14 and n electrode 15 through the contact hole 16, 17 on the high-concentration p-doped region 12 and on the high-concentration n-doped region 13. これにより、本発明の太陽電池が完成する。 As a result, the solar cell of the present invention is completed.

このように、低濃度nドーパント領域20が形成されていない領域にp型ドーパント31を拡散させて高濃度pドーピング領域12を形成することによって、この領域の不純物濃度が高くなりすぎるのを有効に防止することができる。 Thus, by forming the high-concentration p-doped region 12 by diffusing p-type dopant 31 in the region where the low-concentration n dopant region 20 is not formed, to enable the impurity concentration of this region too high it is possible to prevent. これにより、再結合電流やリーク電流の増大による変換効率の低下を抑制することができる。 Thus, you are possible to suppress a decrease in conversion efficiency due to the increase of the recombination current and the leakage current.

(実施の形態5) (Embodiment 5)
図7の模式的断面図に、本発明における低濃度nドーパント領域の形成方法の好ましい一例を示す。 In a schematic cross-sectional view of FIG. 7 shows a preferred example of the method of forming the low-concentration n dopant region in the present invention. この方法においては、拡散制御マスク30ではなく固相拡散源層40を用いて低濃度nドーパント領域20を形成することに特徴がある。 In this method, it is characterized by forming a low-concentration n dopant regions 20 with a solid-phase diffusion source layer 40 rather than diffusion control mask 30. すなわち、低濃度nドーパント領域20を形成しようと意図しているシリコン基板10の裏面の領域に固相拡散源層40を形成し、その後熱処理をすることによって、低濃度nドーパント領域20が形成される。 That is, the back surface region of the silicon substrate 10 that intends to form a low-concentration n dopant region 20 to form a solid-phase diffusion source layer 40, by a subsequent heat treatment, low concentration n dopant region 20 is formed that. この方法によれば、非常に簡易に低濃度nドーパント領域を形成することができるため、太陽電池を生産性良く、安価に製造することが可能となる。 According to this method, very it is possible to form a low-concentration n dopant region easily, the solar cell with good productivity, it is possible to inexpensively manufacture.

ここで、固相拡散源層40は、たとえば、まずドーパントを含んだスピンオングラス膜をシリコン基板10の裏面の全面に形成しておき、その後フォトエッチングやエッチングペーストなどを用いてその一部を除去してパターンニングすることによって形成される。 Here, the solid-phase diffusion source layer 40, for example, first, a spin-on-glass film containing a dopant previously formed on the entire back surface of the silicon substrate 10, removing a part by using a subsequent photo-etching or etching paste It is formed by patterning by. また、さらに簡易な方法としては、ドーピングペーストを所望のパターンにスクリーン印刷する方法がある。 As the more simple method is to screen print the doping paste in a desired pattern. なお、ドーピングペーストとは、固相拡散源層40の材料を含むペースト状物質のことをいう(たとえば特許文献3参照)。 Note that the doping paste refers to a paste-like substance containing a material of the solid phase diffusion source layer 40 (for example, see Patent Document 3).

(その他) (Other)
上記においては、低濃度nドーパント領域を形成する場合について説明したが、低濃度nドーパント領域を形成する代わりに低濃度pドーパント領域を形成することもできる。 In the above has described the case of forming a low-concentration n dopant regions, it is also possible to form the low-concentration p dopant region instead of forming a low-concentration n dopant region. この場合には、シリコン基板10がn型である場合にはFJ構造によって、シリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失が抑制される。 In this case, the silicon substrate 10 by FJ structure if it is n-type, recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed. また、シリコン基板10がp型である場合にはBSF効果によってシリコン基板10の裏面におけるキャリアの再結合損失が抑制される。 Further, when the silicon substrate 10 is a p-type recombination loss of carriers on the back surface of the silicon substrate 10 is suppressed by BSF effect.

また、上記においては半導体基板としてシリコン基板を用いているが、シリコン基板以外の半導体基板を用いてもよいことは言うまでもない。 In the above a silicon substrate is used as the semiconductor substrate, but may of course be used a semiconductor substrate other than the silicon substrate. また、上記において、n型ドーパントおよびp型ドーパントの種類は特に限定されない。 In the above, the type of n-type dopant and p-type dopant is not particularly limited.

図3に示す構造の太陽電池のモデルを用い、表1に示すパラメータの設定条件下においてシリコン基板の裏面の低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度を変化させたときの短絡電流密度(Jsc)、開放電圧(Voc)、曲線因子(F.F.)および変換効率をISE社のデバイスシミュレータTCADにより算出した。 Using a model of the solar cell of the structure shown in FIG. 3, the short-circuit current density when the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region of the back surface of the silicon substrate is varied in the setting conditions of the parameters shown in Table 1 (Jsc), open-circuit voltage (Voc), the fill factor (F.F.) and conversion efficiency were calculated by ISE's device simulator TCAD. 表2にその結果を示す。 Table 2 shows the results.

このシミュレーションにおいては、シリコン基板をn型、シリコン基板の不純物濃度を10 15 /cm 3 、高濃度nドーピング領域の表面不純物濃度を10 20 /cm 3に設定している。 In this simulation, the silicon substrate n-type impurity concentration of 10 15 / cm 3 of silicon substrate, has set the surface impurity concentration of the high concentration n-doped region to 10 20 / cm 3. したがって、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度が10 20 /cm 3の場合には、非特許文献1と同様に高濃度pドーピング領域と高濃度nドーピング領域とが直接接触している状態に相当する。 Therefore, when the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region is 10 20 / cm 3 is equivalent to the state where the non-patent document 1 in the same manner as in the high-concentration p-doped region and a heavily doped n-doped region is in direct contact to. また、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度が10 15 /cm 3の場合には、低濃度nドーピング領域を形成していない状態に相当する。 Further, when the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region is 10 15 / cm 3 corresponds to a state not forming a low-concentration n-doped region.

表2に示したように、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度を10 15 /cm 3から増加させるにつれて、短絡電流密度(Jsc)、開放電圧(Voc)および曲線因子(F.F.)がいずれも増加していき、変換効率が向上していることがわかる。 As shown in Table 2, as to increase the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region from 10 15 / cm 3, short-circuit current density (Jsc), an open-circuit voltage (Voc) and fill factor (F.F.) is both continue to increase, it can be seen that the conversion efficiency is improved.

しかしながら、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度を10 17 /cm 3よりも高くしても短絡電流密度(Jsc)は大きくならず、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度を10 18 /cm 3よりも高くしても開放電圧(Voc)は大きくならない。 However, the low-concentration n-doped region short circuit current density of the surface impurity concentration higher than 10 17 / cm 3 of (Jsc) is not greater than the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region 10 18 / cm 3 not even the open-circuit voltage (Voc) is larger and higher. また、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度を高くしすぎた場合には短絡電流密度(Jsc)および開放電圧(Voc)は逆に小さくなる。 In the case where too high a surface impurity concentration of the low concentration n-doped region is short-circuit current density (Jsc) and the open-circuit voltage (Voc) decreases conversely. 結果的に低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度が10 19 /cm 3である場合に最も変換効率が高くなり、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度が10 20 /cm 3である場合、すなわち、高濃度pドーピング領域と高濃度nドーピング領域とが直接接触している場合には若干変換効率が低下する。 Consequently most conversion efficiency when the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region is 10 19 / cm 3 increases, when the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region is 10 20 / cm 3, i.e., in the case where the high-concentration p-doped region and the heavily doped n-doped region is in direct contact slightly conversion efficiency decreases. したがって、この結果から、低濃度nドーピング領域の表面不純物濃度は10 17 /cm 3以上であり、10 19 /cm 3以下であることが変換効率を向上させる観点から望ましい。 Therefore, from these results, the surface impurity concentration of the low concentration n-doped region is at 10 17 / cm 3 or more, it is desirable from the viewpoint of improving the conversion efficiency is 10 19 / cm 3 or less.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。 Embodiments and examples disclosed herein are carried out are to be considered and not restrictive in all respects as illustrative. 本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The scope of the invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and is intended to include all modifications within the meaning and range of equivalency of the claims.

本発明によれば、太陽電池の裏面におけるキャリアの再結合損失を抑制することによって高い変換効率を有する太陽電池およびその製造方法を提供することができることから、本発明は太陽電池、特に裏面電極型の太陽電池に好適に利用される。 According to the present invention, since it is possible to provide a solar cell and a manufacturing method thereof having high conversion efficiency by suppressing the recombination loss of carriers on the back surface of the solar cell, the present invention is a solar cell, in particular the back electrode type It is suitably used for the solar cell.

本発明の太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a preferred example of the solar cell of the present invention. 本発明の太陽電池の製造工程の好ましい一例を示す模式的な断面図である。 It is a schematic sectional view showing a preferred example of the manufacturing process of the solar cell of the present invention. 本発明の太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of another preferable example of the solar cell of the present invention. 本発明の太陽電池の製造工程の好ましい一例を示す模式的な断面図である。 It is a schematic sectional view showing a preferred example of the manufacturing process of the solar cell of the present invention. 本発明の太陽電池の製造工程の好ましい他の一例を示す模式的な断面図である。 The preferred another example of a solar cell manufacturing process of the present invention is a schematic cross-sectional view illustrating. 本発明の太陽電池の製造工程の好ましい他の一例を示す模式的な断面図である。 The preferred another example of a solar cell manufacturing process of the present invention is a schematic cross-sectional view illustrating. 本発明における低濃度nドーパント領域の形成方法の好ましい一例を示す模式的な断面図である。 The preferred example of the method of forming the low-concentration n dopant region in the present invention is a schematic cross-sectional view illustrating. 従来の裏面電極型の太陽電池の一例の模式的な断面図である。 It is a schematic sectional view of an example of a solar cell of a conventional back electrode type. 従来の裏面電極型の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the conventional back electrode type.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 シリコン基板、11 パッシベーション膜、12 高濃度pドーピング領域、13 高濃度nドーピング領域、14 p電極、15 n電極、16,17 コンタクトホール、20 低濃度nドーピング領域、30,30a 拡散制御マスク、31 p型ドーパント、32 n型ドーパント、33 エッチングマスク、40 固相拡散源層。 10 a silicon substrate, 11 a passivation film, 12 high-concentration p-doped region, 13 high-concentration n-doped region, 14 p electrode, 15 n electrode, 16 and 17 a contact hole, 20 a low concentration n-doped region, 30, 30a diffusion control mask, 31 p-type dopant, 32 n-type dopant, 33 an etching mask, 40 solid-phase diffusion source layer.

Claims (13)

  1. 第1導電型の半導体基板の一面に形成されている、前記半導体基板よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第1ドーピング領域と、前記第1導電型とは逆の導電型である第2導電型の第2ドーピング領域と、前記半導体基板よりも不純物濃度が高く前記第1ドーピング領域よりも不純物濃度が低い前記第1導電型の第3ドーピング領域または前記半導体基板よりも不純物濃度が高く前記第2ドーピング領域よりも不純物濃度が低い前記第2導電型の第3ドーピング領域のいずれか一方と、を含む、太陽電池。 It is formed on one surface of a first conductivity type semiconductor substrate, which is the the first doping region of a high impurity concentration of the first conductivity type than the semiconductor substrate, opposite conductivity type from said first conductivity type second a second doped region of the second conductivity type, said high third doped region or an impurity concentration than the semiconductor substrate of the lower first conductivity type impurity concentration than higher the first doping region impurity concentration than the semiconductor substrate including one and any of the third doped region is an impurity concentration of lower second conductivity type than said second doping region, the solar cell.
  2. 前記第3ドーピング領域が、前記第1ドーピング領域および前記第2ドーピング領域の少なくとも一方と接触していることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。 It said third doping region, characterized in that in contact with at least one of the first doped region and the second doped region, the solar cell according to claim 1.
  3. 前記第3ドーピング領域の不純物濃度が、10 17 /cm 3以上10 19 /cm 3以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の太陽電池。 The impurity concentration of the third doped region, characterized in that it is 10 17 / cm 3 or more 10 19 / cm 3 or less, the solar cell according to claim 1 or 2.
  4. 第1導電型の半導体基板の一面に、前記半導体基板よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第1ドーピング領域を形成する工程と、前記第1導電型とは逆の導電型である第2導電型の第2ドーピング領域を形成する工程と、前記半導体基板よりも不純物濃度が高く前記第1ドーピング領域よりも不純物濃度が低い前記第1導電型の第3ドーピング領域または前記半導体基板よりも不純物濃度が高く前記第2ドーピング領域よりも不純物濃度が低い前記第2導電型の第3ドーピング領域のいずれか一方を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法。 On one side of the first conductivity type semiconductor substrate, forming a first doped region of the high impurity concentration than the semiconductor substrate of the first conductivity type, the first conductivity type is a conductivity type opposite to the first a step of forming a second doped region of the second conductivity type, than the third doping region or the semiconductor substrate of the impurity concentration than the semiconductor substrate impurity concentration than higher the first doping region is lower the first conductivity type and forming one of the third doping region of low impurity concentration and the second conductive type than the higher the second doping region impurity concentration, a method for manufacturing a solar cell.
  5. 前記第1ドーピング領域および前記第2ドーピング領域を形成した後に、前記第3ドーピング領域を形成することを特徴とする、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。 Wherein after forming the first doping region and the second doping region, and forming a third doped region, method of manufacturing a solar cell according to claim 4.
  6. 前記第3ドーピング領域の一部に前記第3ドーピング領域と同じ導電型のドーパントを拡散することによって前記第1ドーピング領域または前記第2ドーピング領域を形成することを特徴とする、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。 And forming the first doped region and the second doped region by diffusing a dopant of the same conductivity type and said third doping region in a portion of the third doped region, according to claim 4 the method of manufacturing solar cells.
  7. 前記半導体基板の一面に、前記第1ドーピング領域または前記第2ドーピング領域に対応する位置に開口部を有するドーパントの透過量を低減するマスクを形成した後に前記半導体基板の一面に前記マスクを通してドーパントを拡散させることによって、前記マスクが形成されている前記半導体基板の面に第3ドーピング領域を形成すると同時に、前記開口部から露出している前記半導体基板の面に前記第3ドーピング領域と同じ導電型である前記第1ドーピング領域または前記第2ドーピング領域を形成することを特徴とする、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。 On one surface of the semiconductor substrate, the dopant through the mask on one surface of the semiconductor substrate after forming a mask for reducing the transmission amount of dopant having an opening at a position corresponding to the first doping region and the second doped region by diffusing a third simultaneously makes a doped region, the same conductivity type as the third doped region to a surface of the semiconductor substrate exposed from the opening in the surface of the semiconductor substrate on which the mask is formed the first doping region or the and forming a second doping region, method of manufacturing a solar cell according to claim 4 is.
  8. 前記第3ドーピング領域の一部を除去することによって前記半導体基板の一部を露出させ、露出した前記半導体基板の一部に前記第3ドーピング領域とは逆の導電型であるドーパントを拡散して前記第1ドーピング領域または前記第2ドーピング領域を形成することを特徴とする、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。 The exposed portions of the semiconductor substrate, and said third doping region in a part of the exposed semiconductor substrate by diffusing dopant of the reverse conductivity type by removing a portion of said third doped region and forming the first doped region and the second doping region, method of manufacturing a solar cell according to claim 4.
  9. 前記半導体基板の一面の一部に固相拡散源層を設置した後に前記固相拡散源層を加熱することによって前記第3ドーピング領域を形成することを特徴とする、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。 Characterized in that said forming the third doped region by heating the solid-phase diffusion source layer after placing the solid-phase diffusion source layer to a part of one surface of the semiconductor substrate, solar according to claim 4 method for producing a battery.
  10. 前記固相拡散源層がドーピングペーストであることを特徴とする、請求項9に記載の太陽電池の製造方法。 Characterized in that said solid-phase diffusion source layer is doped paste method for manufacturing a solar cell according to claim 9.
  11. 前記固相拡散源層をエッチングペーストによりパターンニングすることを特徴とする、請求項9に記載の太陽電池の製造方法。 Wherein characterized in that the solid-phase diffusion source layer is patterned by etching paste, a method for manufacturing a solar cell according to claim 9.
  12. 前記半導体基板の一面に、開口部を有するマスクを形成した後に、前記半導体基板の一面に向けてドーパントを拡散させることによって、前記第1ドーピング領域、前記第2ドーピング領域および前記第3ドーパント領域の少なくとも1つを形成する太陽電池の製造方法であって、前記マスクがスピンオングラス膜またはマスキングペーストであることを特徴とする、請求項4から11のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。 On one surface of the semiconductor substrate, after forming a mask having an opening, said by diffusing dopant toward the one surface of the semiconductor substrate, the first doping region, said second doping region and the third dopant region a manufacturing method of a solar cell to form at least one, wherein the mask is a spin-on-glass film or masking paste method for manufacturing a solar cell according to claim 4 11.
  13. 前記半導体基板の一面に、開口部を有するマスクを形成した後に、前記半導体基板の一面に向けてドーパントを拡散させることによって、前記第1ドーピング領域、前記第2ドーピング領域および前記第3ドーパント領域の少なくとも1つを形成する太陽電池の製造方法であって、前記マスクをエッチングペーストによりパターンニングすることを特徴とする、請求項4から12のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。 On one surface of the semiconductor substrate, after forming a mask having an opening, said by diffusing dopant toward the one surface of the semiconductor substrate, the first doping region, said second doping region and the third dopant region a manufacturing method of a solar cell to form at least one, said mask, characterized in that patterned by etching paste, a method for manufacturing a solar cell according to claim 4-12.
JP2004121921A 2004-04-16 2004-04-16 Solar cell and manufacturing method thereof Withdrawn JP2005310830A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004121921A JP2005310830A (en) 2004-04-16 2004-04-16 Solar cell and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004121921A JP2005310830A (en) 2004-04-16 2004-04-16 Solar cell and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005310830A true true JP2005310830A (en) 2005-11-04

Family

ID=35439282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004121921A Withdrawn JP2005310830A (en) 2004-04-16 2004-04-16 Solar cell and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005310830A (en)

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134655A (en) * 2005-11-14 2007-05-31 Sharp Corp Solar cell and method of manufacturing same
JP2007220707A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Sharp Corp Method of manufacturing solar cell
JP2008010746A (en) * 2006-06-30 2008-01-17 Sharp Corp Solar battery and method for manufacture thereof
JP2008078665A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Commiss Energ Atom Method for producing doped region in substrate, and photovoltaic cell
JP2008186927A (en) * 2007-01-29 2008-08-14 Sharp Corp Back face junction solar battery and manufacturing method therefor
WO2010110036A1 (en) 2009-03-23 2010-09-30 シャープ株式会社 Wiring-sheet-attached solar battery cell, solar cell module, and process for manufacturing wiring-sheet-attached solar battery cell
WO2010110083A1 (en) 2009-03-25 2010-09-30 シャープ株式会社 Back electrode type solar cell, wiring sheet, solar cell provided with wiring sheet, solar cell module, method for manufacturing solar cell provided with wiring sheet, and method for manufacturing solar cell module
WO2010110106A1 (en) 2009-03-27 2010-09-30 シャープ株式会社 Method of producing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element
WO2010150749A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 シャープ株式会社 Solar cell, solar cell with wiring sheet attached, and solar cell module
JP2011100919A (en) * 2009-11-09 2011-05-19 Sharp Corp Back electrode solar cell, solar cell string, and solar cell module
JP2011124603A (en) * 2011-02-09 2011-06-23 Sharp Corp Method for manufacturing rear-side junction type solar cell
WO2011145521A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 シャープ株式会社 Semiconductor device, and method for producing semiconductor device
KR101101621B1 (en) * 2010-12-31 2012-01-02 현대중공업 주식회사 Front and back contact electric field solar cell and method thereof
KR101101438B1 (en) 2010-12-31 2012-01-02 현대중공업 주식회사 Front and back contact electric field solar cell and method thereof
JP2012508473A (en) * 2008-11-12 2012-04-05 シリコン シーピーヴィ ピーエルシー Solar battery
JP2012509584A (en) * 2008-11-21 2012-04-19 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ How to create a photovoltaic cell and such cells have an arrangement emitter in the substrate
WO2012066918A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-24 シャープ株式会社 Back electrode type solar cell
KR101153378B1 (en) 2009-12-22 2012-06-07 주식회사 효성 Back junction solar cells using a Floating junction and method for manufacturing thereof
JP2012114452A (en) * 2005-12-21 2012-06-14 Sunpower Corp Back side contact solar cell structures and fabrication processes
WO2012091252A1 (en) * 2010-12-31 2012-07-05 현대중공업 주식회사 Front and back surface field solar cell and a production method therefor
CN102738263A (en) * 2011-04-15 2012-10-17 上海凯世通半导体有限公司 Doping unit, doping wafer, doping method, battery and manufacturing method
CN102738264A (en) * 2011-04-15 2012-10-17 上海凯世通半导体有限公司 Doping unit, doping wafer, doping method, solar battery and manufacturing method
KR20120122772A (en) * 2011-04-29 2012-11-07 삼성디스플레이 주식회사 Solar cell and manufacturing method thereof
WO2013015362A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 京セラ株式会社 Solar cell element and solar cell module
KR101237556B1 (en) 2011-05-18 2013-02-26 현대중공업 주식회사 Bifacial Photovoltaic Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof
EP2605286A1 (en) * 2011-12-13 2013-06-19 Samsung SDI Co., Ltd. Photoelectric module
JP2013131658A (en) * 2011-12-22 2013-07-04 Hitachi Ltd Solar battery and photovoltaic power generation system
KR101338642B1 (en) 2012-04-03 2013-12-06 고려대학교 산학협력단 Methods of manufacturing crystalline-silicon solar cells
CN104040721A (en) * 2011-11-11 2014-09-10 夏普株式会社 Semiconductor device and method for producing semiconductor device
JP2015528196A (en) * 2012-05-29 2015-09-24 ソレクセル、インコーポレイテッド Structure and method of forming the continuous and discontinuous base region of the back contact solar cell of high efficiency
KR101773837B1 (en) 2011-01-21 2017-09-01 엘지전자 주식회사 Solar cell and the method of manufacturing the same

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134655A (en) * 2005-11-14 2007-05-31 Sharp Corp Solar cell and method of manufacturing same
JP2012114452A (en) * 2005-12-21 2012-06-14 Sunpower Corp Back side contact solar cell structures and fabrication processes
JP2007220707A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Sharp Corp Method of manufacturing solar cell
JP2008010746A (en) * 2006-06-30 2008-01-17 Sharp Corp Solar battery and method for manufacture thereof
JP2008078665A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Commiss Energ Atom Method for producing doped region in substrate, and photovoltaic cell
JP2008186927A (en) * 2007-01-29 2008-08-14 Sharp Corp Back face junction solar battery and manufacturing method therefor
JP2012508473A (en) * 2008-11-12 2012-04-05 シリコン シーピーヴィ ピーエルシー Solar battery
JP2012509584A (en) * 2008-11-21 2012-04-19 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ How to create a photovoltaic cell and such cells have an arrangement emitter in the substrate
US9263603B2 (en) 2009-03-23 2016-02-16 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell with connecting sheet, solar cell module, and fabrication method of solar cell with connecting sheet
WO2010110036A1 (en) 2009-03-23 2010-09-30 シャープ株式会社 Wiring-sheet-attached solar battery cell, solar cell module, and process for manufacturing wiring-sheet-attached solar battery cell
WO2010110083A1 (en) 2009-03-25 2010-09-30 シャープ株式会社 Back electrode type solar cell, wiring sheet, solar cell provided with wiring sheet, solar cell module, method for manufacturing solar cell provided with wiring sheet, and method for manufacturing solar cell module
WO2010110106A1 (en) 2009-03-27 2010-09-30 シャープ株式会社 Method of producing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element
US8361836B2 (en) 2009-03-27 2013-01-29 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing photoelectric conversion element and photoelectric conversion element
JPWO2010150749A1 (en) * 2009-06-22 2012-12-10 シャープ株式会社 Solar cell, solar cell and a solar cell module with a wiring sheet
US9048360B2 (en) 2009-06-22 2015-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell with interconnection sheet attached and solar cell module
WO2010150749A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 シャープ株式会社 Solar cell, solar cell with wiring sheet attached, and solar cell module
CN102804401A (en) * 2009-06-22 2012-11-28 夏普株式会社 Solar Cell, Solar Cell With Wiring Sheet Attached, And Solar Cell Module
JP2011100919A (en) * 2009-11-09 2011-05-19 Sharp Corp Back electrode solar cell, solar cell string, and solar cell module
KR101153378B1 (en) 2009-12-22 2012-06-07 주식회사 효성 Back junction solar cells using a Floating junction and method for manufacturing thereof
US9130101B2 (en) 2010-05-21 2015-09-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2011243932A (en) * 2010-05-21 2011-12-01 Sharp Corp Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
WO2011145521A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 シャープ株式会社 Semiconductor device, and method for producing semiconductor device
JP2012109373A (en) * 2010-11-17 2012-06-07 Sharp Corp Back-electrode-type solar cell
WO2012066918A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-24 シャープ株式会社 Back electrode type solar cell
KR101101621B1 (en) * 2010-12-31 2012-01-02 현대중공업 주식회사 Front and back contact electric field solar cell and method thereof
KR101101438B1 (en) 2010-12-31 2012-01-02 현대중공업 주식회사 Front and back contact electric field solar cell and method thereof
WO2012091252A1 (en) * 2010-12-31 2012-07-05 현대중공업 주식회사 Front and back surface field solar cell and a production method therefor
KR101773837B1 (en) 2011-01-21 2017-09-01 엘지전자 주식회사 Solar cell and the method of manufacturing the same
JP2011124603A (en) * 2011-02-09 2011-06-23 Sharp Corp Method for manufacturing rear-side junction type solar cell
CN102738263A (en) * 2011-04-15 2012-10-17 上海凯世通半导体有限公司 Doping unit, doping wafer, doping method, battery and manufacturing method
CN102738264A (en) * 2011-04-15 2012-10-17 上海凯世通半导体有限公司 Doping unit, doping wafer, doping method, solar battery and manufacturing method
KR101724005B1 (en) 2011-04-29 2017-04-07 삼성에스디아이 주식회사 Solar cell and a method of manufacturing the same
JP2012235084A (en) * 2011-04-29 2012-11-29 Samsung Sdi Co Ltd Formation method of doped region of solar cell, solar cell, and manufacturing method of solar cell
KR20120122772A (en) * 2011-04-29 2012-11-07 삼성디스플레이 주식회사 Solar cell and manufacturing method thereof
KR101237556B1 (en) 2011-05-18 2013-02-26 현대중공업 주식회사 Bifacial Photovoltaic Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof
CN103718305B (en) * 2011-07-28 2016-06-01 京瓷株式会社 The solar cell element and a solar cell module
JPWO2013015362A1 (en) * 2011-07-28 2015-02-23 京セラ株式会社 Solar cell element and the solar cell module
CN103718305A (en) * 2011-07-28 2014-04-09 京瓷株式会社 Solar cell element and solar cell module
WO2013015362A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 京セラ株式会社 Solar cell element and solar cell module
CN104040721A (en) * 2011-11-11 2014-09-10 夏普株式会社 Semiconductor device and method for producing semiconductor device
EP2605286A1 (en) * 2011-12-13 2013-06-19 Samsung SDI Co., Ltd. Photoelectric module
JP2013131658A (en) * 2011-12-22 2013-07-04 Hitachi Ltd Solar battery and photovoltaic power generation system
KR101338642B1 (en) 2012-04-03 2013-12-06 고려대학교 산학협력단 Methods of manufacturing crystalline-silicon solar cells
JP2015528196A (en) * 2012-05-29 2015-09-24 ソレクセル、インコーポレイテッド Structure and method of forming the continuous and discontinuous base region of the back contact solar cell of high efficiency

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110140226A1 (en) Semiconductor devices and methods for manufacturing the same
US20100032012A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US20100218818A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US20100147378A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US20110139230A1 (en) Ion implanted selective emitter solar cells with in situ surface passivation
US6524880B2 (en) Solar cell and method for fabricating the same
US20090025786A1 (en) Solar cell having high quality back contact with screen-printed local back surface field
JP2008034609A (en) Solar battery element, solar battery module using same, and manufacturing methods of both
JP2008529265A (en) Semiconductor device having a heterojunction and inter finger structure to
CN101401215A (en) Solar cell
US20070256733A1 (en) Solar Cell and Manufacturing Method Thereof
US20100029039A1 (en) Mono-silicon solar cells
JP2007281044A (en) Solar battery
US20110139229A1 (en) Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process
JP2004221149A (en) Manufacturing method of solar cell
JP2008010746A (en) Solar battery and method for manufacture thereof
JP2009295715A (en) Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same
JP2006120945A (en) Solar cell and solar cell module
JP2008519438A (en) Back-contact solar cells
US20090266401A1 (en) Single-sided contact solar cell with plated- through holes and method for its production
JP2002057352A (en) Solar battery and manufacturing method
US20100326504A1 (en) Solar cell and fabrication method thereof
JP2004193337A (en) Method for forming electrode for solar cell and solar cell manufactured thereby
JP2004273826A (en) Photoelectric converter and its fabricating process
JP2006332273A (en) Backside contact solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070703