JP2005304297A - チャージポンピング効率を維持する高電圧発生回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のポンプ段を通じてポンピング及びプリチャージングによりチャージポンピングされたノードが高電圧にディスチャージされる高電圧発生回路。電源電圧レベルがチャージポンピングされたノードの電圧レベルより高い場合に、チャージポンピングされたノードは電源電圧レベルにプリチャージされてポンピング効率が増加する。電源電圧レベルがチャージポンピングされたノードの電圧レベルより低い場合には、チャージポンピングされたノードと電源電圧との間の経路が遮断され、チャージポンピングされたノードのレベルが維持されてポンピング効率が維持される。
【選択図】図5
Description
したがって、低電源電圧でもポンピング効率を維持する高電圧発生回路及びその発生方法の存在が要求される。
本発明の更に好ましい態様に係る第3ポンプ回路は、プリチャージ制御信号に応答して第4ブーストノードを選択的にプリチャージさせる制御部を更に含む。制御部は、第3プリチャージ信号に応答して第1連結点を接地電圧レベルにリセットさせる第1 NMOSトランジスタと、第3プリチャージ信号を入力して所定の時間を遅延させる遅延部と、第3プリチャージ信号に応答して電源電圧レベルと第4ブーストノードレベルとを比較する比較部と、電源電圧と第1連結点との間に連結され、比較部の出力にゲーティングされるPMOSトランジスタと、遅延された第3プリチャージ信号に応答して第1連結点のレベルをラッチするフリップフロップと、フリップフロップ出力及び前記第3プリチャージ信号を入力するNORゲートと、NORゲート出力をブースティングするキャパシタと、電源電圧と第4ブーストノードとの間に連結され、キャパシタ出力にゲーティングされる第2 NMOSトランジスタとを含む。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
ノードN516は、VDD電源にダイオード連結されたトランジスタ514により少なくともVDD−Vt電圧レベルにプリチャージされ、VDD電源に連結され、ノードN502にゲーティングされるトランジスタ512により更にプリチャージされる。そして、ノードN516は、VDD電圧レベル以上の高電圧の第1スイッチング信号S1に連結されたキャパシタ516によりブーストされる。ブーストされたノードN516にゲーティングされるトランジスタS314、S316を通じて、ノードN312及びノードN310のチャージをそれぞれノードN320及びノードN330に伝達する。
504、506、508、510、512、514、520、522、523、524、526、528、534、536、538、540、542、544、S310、S312、S314、S316、S330、S340…トランジスタ
516、530、532、546、C310、C312、C320、C330…キャパシタ
S1…第1スイッチング信号
S2…第2スイッチング信号
S3…第3スイッチング信号
P1…第1プリチャージ信号
P2…第2プリチャージ信号
P3…第3プリチャージ信号
310…第1ポンプ回路
320…第2ポンプ回路
330…第3ポンプ回路
PMP1…第1ポンピング信号
PMP2…第2ポンピング信号
PMP3…第3ポンピング信号
VDD…電源電圧
VPP…高電圧
Claims (42)
- 第1プリチャージ信号に応答して第1ブーストノードを電源電圧レベルにプリチャージさせ、第1ポンピング信号に応答して前記第1ブーストノードをブーストブーストさせる第1ポンプ回路と、
前記第1プリチャージ信号に応答して第2ブーストノードを前記電源電圧レベルにプリチャージさせ、前記第1ポンピング信号に応答して前記第2ブーストノードをブーストさせ、第2プリチャージ信号に応答して第3ブーストノードをプリチャージさせ、第2ポンピング信号に応答して前記第3ブーストノードをブーストさせる第2ポンプ回路と、
前記第3ポンピング信号に応答して第4ブーストノードをブーストさせる第3ポンプ回路と、
第1スイッチング信号に応答して前記第2ブーストノードを第3ブーストノードに連結させる第1スイッチ部と、
前記第1スイッチング信号に応答して前記第1ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第2スイッチ部と、
第2スイッチング信号に応答して前記第3ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第3スイッチ部と、
第3スイッチング信号に応答して前記第4ブーストノードを出力端子に連結させる第4スイッチ部と
を備えることを特徴とする高電圧発生回路。 - 前記第1ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間にダイオード連結された第1 NMOSトランジスタと、
前記第1プリチャージ信号をブースティングする第1キャパシタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間にダイオード連結された第2 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1ポンピング信号にゲーティングされる第3 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間に連結され、前記第1キャパシタ出力にゲーティングされる第4 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第1ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項1記載の高電圧発生回路。 - 前記第2ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間にダイオード連結された第5 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第2ブーストノードをブーストさせる第3キャパシタと、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第6 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間にダイオード連結された第7 NMOSトランジスタと、
前記第2プリチャージ信号をブースティングする第4キャパシタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間にダイオード連結された第8 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間に連結され、前記第3ブーストノードにゲーティングされる第9 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第4キャパシタ出力にゲーティングされる第10 NMOSトランジスタと、
前記第2ポンピング信号をブースティングして前記第3ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項1記載の高電圧発生回路。 - 前記第3ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第4ブーストノードとの間にダイオード連結された第11 NMOSトランジスタと、
前記第3プリチャージ信号をブースティングする第6キャパシタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間にダイオード連結された第12 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間に連結され、前記第4ブーストノードにゲーティングされる第13 NMOSトランジスタと、
前記第3ポンピング信号をブースティングして前記第4ブーストノードをブーストさせる第7キャパシタと、を備えることを特徴とする請求項1記載の高電圧発生回路。 - 前記第1スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第16 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1記載の高電圧発生回路。 - 前記第2スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第17 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1記載の高電圧発生回路。 - 前記第3スイッチ部は、
前記第2スイッチング信号をブースティングする第9キャパシタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間にダイオード連結された第18 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第2プリチャージ信号にゲーティングされる第19 NMOSトランジスタと、
前記第3ブーストノードと前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記第9キャパシタ出力にゲーティングされる第20 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1記載の高電圧発生回路。 - 前記第4スイッチ部は、
前記第3スイッチング信号をブースティングする第10キャパシタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間にダイオード連結された第21 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第22 NMOSトランジスタと、
前記第10キャパシタ出力と前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第23 NMOSトランジスタと、
前記第4ブーストノードと前記出力端子との間に連結され、前記第10キャパシタ出力にゲーティングされる第24 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1記載の高電圧発生回路。 - 第1プリチャージ信号に応答して第1ブーストノードを電源電圧レベルにプリチャージさせ、第1ポンピング信号に応答して前記第1ブーストノードをブーストさせる第1ポンプ回路と、
前記第1プリチャージ信号に応答して第2ブーストノードを前記電源電圧レベルにプリチャージさせ、前記第1ポンピング信号に応答して前記第2ブーストノードをブーストさせ、第2プリチャージ信号に応答して第3ブーストノードをプリチャージさせ、第2ポンピング信号に応答して前記第3ブーストノードをブーストさせる第2ポンプ回路と、
前記電源電圧と第4ブーストノードとの間に前記第4ブーストノードのフローティングを防止するキーパーが連結され、前記第3ポンピング信号に応答して第4ブーストノードをブーストさせる第3ポンプ回路と、
第1スイッチング信号に応答して前記第2ブーストノードを第3ブーストノードに連結させる第1スイッチ部と、
前記第1スイッチング信号に応答して前記第1ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第2スイッチ部と、
第2スイッチング信号に応答して前記第3ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第3スイッチ部と、
第3スイッチング信号に応答して前記第4ブーストノードを出力端子に連結させる第4スイッチ部と
を備えることを特徴とする高電圧発生回路。 - 前記キーパーは、大きい抵抗より構成されることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。
- 前記キーパーは、幅より長さが長いトランジスタより構成されることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。
- 前記第1ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間にダイオード連結された第1 NMOSトランジスタと、
前記第1プリチャージ信号をブースティングする第1キャパシタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間にダイオード連結された第2 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1ポンピング信号にゲーティングされる第3 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間に連結され、前記第1キャパシタ出力にゲーティングされる第4 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第1ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。 - 前記第2ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間にダイオード連結された第5 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第2ブーストノードをブーストさせる第3キャパシタと、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第6 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間にダイオード連結された第7 NMOSトランジスタと、
前記第2プリチャージ信号をブースティングする第4キャパシタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間にダイオード連結された第8 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間に連結され、前記第3ブーストノードにゲーティングされる第9 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第4キャパシタ出力にゲーティングされる第10 NMOSトランジスタと、
前記第2ポンピング信号をブースティングして前記第3ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。 - 前記第3ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第4ブーストノードとの間にダイオード連結された第11 NMOSトランジスタと、
前記第3プリチャージ信号をブースティングする第6キャパシタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間にダイオード連結された第12 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間に連結され、前記第4ブーストノードにゲーティングされる第13 NMOSトランジスタと、
前記第3ポンピング信号をブースティングして前記第4ブーストノードをブーストさせる第7キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。 - 前記第1スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第16 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。 - 前記第2スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第17 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。 - 前記第3スイッチ部は、
前記第2スイッチング信号をブースティングする第9キャパシタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間にダイオード連結された第18 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第2プリチャージ信号にゲーティングされる第19 NMOSトランジスタと、
前記第3ブーストノードと前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記第9キャパシタ出力にゲーティングされる第20 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。 - 前記第4スイッチ部は、
前記第3スイッチング信号をブースティングする第10キャパシタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間にダイオード連結された第21 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第22 NMOSトランジスタと、
前記第10キャパシタ出力と前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第23 NMOSトランジスタと、
前記第4ブーストノードと前記出力端子との間に連結され、前記第10キャパシタ出力にゲーティングされる第24 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項9記載の高電圧発生回路。 - 第1プリチャージ信号に応答して第1ブーストノードを電源電圧レベルにプリチャージさせ、第1ポンピング信号に応答して前記第1ブーストノードをブーストさせる第1ポンプ回路と、
前記第1プリチャージ信号に応答して第2ブーストノードを前記電源電圧レベルにプリチャージさせ、前記第1ポンピング信号に応答して前記第2ブーストノードをブーストさせ、第2プリチャージ信号に応答して第3ブーストノードをプリチャージさせ、第2ポンピング信号に応答して前記第3ブーストノードをブーストさせる第2ポンプ回路と、
プリチャージ制御信号に応答して前記第4ブーストノードを選択的にプリチャージさせ、前記第3ポンピング信号に応答して第4ブーストノードをブーストさせる第3ポンプ回路と、
第1スイッチング信号に応答して前記第2ブーストノードを第3ブーストノードに連結させる第1スイッチ部と、
前記第1スイッチング信号に応答して前記第1ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第2スイッチ部と、
第2スイッチング信号に応答して前記第3ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第3スイッチ部と、
第3スイッチング信号に応答して前記第4ブーストノードを出力端子に連結させる第4スイッチ部と
を備えることを特徴とする高電圧発生回路。 - 前記プリチャージ制御信号は
前記電源電圧レベルと前記第4ブーストノードレベルとを比較する制御部により発生され、
制御部は、
前記第3プリチャージ信号に応答して第1連結点を接地電圧レベルにリセットさせる第1 NMOSトランジスタと、
前記第3プリチャージ信号を入力して所定の時間を遅延させる遅延部と、
前記第3プリチャージ信号に応答して前記電源電圧レベルと前記第4ブーストノードレベルとを比較する比較部と、
前記電源電圧と前記第1連結点との間に連結され、前記比較部の出力にゲーティングされるPMOSトランジスタと、
前記遅延された第3プリチャージ信号に応答して前記第1連結点のレベルをラッチするフリップフロップと、
前記フリップフロップ出力及び前記第3プリチャージ信号を入力するNORゲートと、
前記NORゲート出力をブースティングするキャパシタと、
前記電源電圧と前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記キャパシタ出力にゲーティングされる第2 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 前記第1ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間にダイオード連結された第1 NMOSトランジスタと、
前記第1プリチャージ信号をブースティングする第1キャパシタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間にダイオード連結された第2 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1ポンピング信号にゲーティングされる第3 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間に連結され、前記第1キャパシタ出力にゲーティングされる第4 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第1ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 前記第2ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間にダイオード連結された第5 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第2ブーストノードをブーストさせる第3キャパシタと、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第6 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間にダイオード連結された第7 NMOSトランジスタと、
前記第2プリチャージ信号をブースティングする第4キャパシタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間にダイオード連結された第8 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間に連結され、前記第3ブーストノードにゲーティングされる第9 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第4キャパシタ出力にゲーティングされる第10 NMOSトランジスタと、
前記第2ポンピング信号をブースティングして前記第3ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 前記第3ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第4ブーストノードとの間にダイオード連結された第11 NMOSトランジスタと、
前記第3プリチャージ信号をブースティングする第6キャパシタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間にダイオード連結された第12 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間に連結され、前記第4ブーストノードにゲーティングされる第13 NMOSトランジスタと、
前記第3ポンピング信号をブースティングして前記第4ブーストノードをブーストさせる第7キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 前記第1スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第16 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 前記第2スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第17 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 前記第3スイッチ部は、
前記第2スイッチング信号をブースティングする第9キャパシタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間にダイオード連結された第18 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第2プリチャージ信号にゲーティングされる第19 NMOSトランジスタと、
前記第3ブーストノードと前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記第9キャパシタ出力にゲーティングされる第20 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 前記第4スイッチ部は、
前記第3スイッチング信号をブースティングする第10キャパシタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間にダイオード連結された第21 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第22 NMOSトランジスタと、
前記第10キャパシタ出力と前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第23 NMOSトランジスタと、
前記第4ブーストノードと前記出力端子との間に連結され、前記第10キャパシタ出力にゲーティングされる第24 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項19記載の高電圧発生回路。 - 第1プリチャージ信号に応答して第1ブーストノードを電源電圧レベルにプリチャージさせ、第1ポンピング信号に応答して前記第1ブーストノードをブーストさせる第1ポンプ回路と、
前記第1プリチャージ信号に応答して第2ブーストノードを前記電源電圧レベルにプリチャージさせ、前記第1ポンピング信号に応答して前記第2ブーストノードをブーストさせ、第2プリチャージ信号に応答して第3ブーストノードをプリチャージさせ、第2ポンピング信号に応答して前記第3ブーストノードをブーストさせる第2ポンプ回路と、
前記電源電圧レベルと高電圧レベルとを比較するチャージポンプ部により前記第4ブーストノードを所定の電圧レベルにプリチャージさせ、前記第3ポンピング信号に応答して第4ブーストノードをブーストさせる第3ポンプ回路と、
第1スイッチング信号に応答して前記第2ブーストノードを第3ブーストノードに連結させる第1スイッチ部と、
前記第1スイッチング信号に応答して前記第1ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第2スイッチ部と、
第2スイッチング信号に応答して前記第3ブーストノードを前記第4ブーストノードに連結させる第3スイッチ部と、
第3スイッチング信号に応答して前記第4ブーストノードを前記出力端子に連結させる第4スイッチ部と
を備えることを特徴とする高電圧発生回路。 - 前記チャージ補償部は、
前記電源電圧に一端が連結される第1抵抗と、
前記出力端子に一端が連結される第2抵抗と、
前記第2抵抗の一端と接地電圧との間に連結される第3抵抗と、
前記第1抵抗の他端と前記第2抵抗の他端とを入力する第1比較器と、
前記第1抵抗の他端と前記第1比較器の出力との間に連結される第4抵抗と、
前記第1比較器の出力と前記第4ブーストノードとを入力する第2比較器と、
前記出力端子にそのソースが連結され、前記第4ブーストノードにそのドレインが連結され、前記第2比較器の出力にそのゲートが連結されるNMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - 前記第1ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間にダイオード連結された第1 NMOSトランジスタと、
前記第1プリチャージ信号をブースティングする第1キャパシタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間にダイオード連結された第2 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1ポンピング信号にゲーティングされる第3 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第1ブーストノードとの間に連結され、前記第1キャパシタ出力にゲーティングされる第4 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第1ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - 前記第2ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間にダイオード連結された第5 NMOSトランジスタと、
前記第1ポンピング信号をブースティングして前記第2ブーストノードをブーストさせる第3キャパシタと、
前記電源電圧と前記第2ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第6 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間にダイオード連結された第7 NMOSトランジスタと、
前記第2プリチャージ信号をブースティングする第4キャパシタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間にダイオード連結された第8 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第4キャパシタ出力との間に連結され、前記第3ブーストノードにゲーティングされる第9 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第4キャパシタ出力にゲーティングされる第10 NMOSトランジスタと、
前記第2ポンピング信号をブースティングして前記第3ブーストノードをブーストさせる第2キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - 前記第3ポンプ回路は、
前記電源電圧と前記第4ブーストノードとの間にダイオード連結された第11 NMOSトランジスタと、
前記第3プリチャージ信号をブースティングする第6キャパシタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間にダイオード連結された第12 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第6キャパシタ出力との間に連結され、前記第4ブーストノードにゲーティングされる第13 NMOSトランジスタと、
前記第3ポンピング信号をブースティングして前記第4ブーストノードをブーストさせる第7キャパシタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - 前記第1スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第16 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - 前記第2スイッチ部は、
前記第1スイッチング信号をブースティングする第8キャパシタと、
前記電源電圧と前記第8キャパシタ出力との間にダイオード連結された第14 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第3キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第1プリチャージ信号にゲーティングされる第15 NMOSトランジスタと、
前記第2ブーストノードと前記第3ブーストノードとの間に連結され、前記第8キャパシタ出力にゲーティングされる第17 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - 前記第3スイッチ部は、
前記第2スイッチング信号をブースティングする第9キャパシタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間にダイオード連結された第18 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第9キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第2プリチャージ信号にゲーティングされる第19 NMOSトランジスタと、
前記第3ブーストノードと前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記第9キャパシタ出力にゲーティングされる第20 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - 前記第4スイッチ部は、
前記第3スイッチング信号をブースティングする第10キャパシタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間にダイオード連結された第21 NMOSトランジスタと、
前記電源電圧と前記第10キャパシタ出力との間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第22 NMOSトランジスタと、
前記第10キャパシタ出力と前記第4ブーストノードとの間に連結され、前記ブーストされた第3プリチャージ信号にゲーティングされる第23 NMOSトランジスタと、
前記第4ブーストノードと前記出力端子との間に連結され、前記第10キャパシタ出力にゲーティングされる第24 NMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項28記載の高電圧発生回路。 - フリーチャージングとブースティングとの連続動作で出力端子を発生する高電圧発生回路において、
最終ブースティング動作でブーストされたブーストノードを前記出力端子に伝達するスイッチと、
前記フリーチャージング時、前記ブーストされたブーストノードから電源電圧への経路形成を防止するキーパーと
を備えることを特徴とする高電圧発生回路。 - 前記キーパーは、前記電源電圧と前記ブーストノードとの間に連結される大きい抵抗より構成されることを特徴とする請求項37記載の高電圧発生回路。
- 前記キーパーは、前記電源電圧と前記ブーストノードとの間に連結される、幅より長さが長いトランジスタより構成されることを特徴とする請求項37記載の高電圧発生回路。
- フリーチャージングとブースティングとの連続動作で高電圧を発生する高電圧発生回路において、
最終ブースティング動作でブーストされたブーストノードを前記出力端子に伝達するスイッチと、
前記フリーチャージング時、前記ブーストノードの電圧レベルを所定のレベルで一定に維持させるチャージ補償部と
を備えることを特徴とする高電圧発生回路。 - 前記チャージ補償部は、前記ブーストノードの電圧レベルを、前記高電圧レベルと電源電圧レベルとの差に維持させることを特徴とする請求項40記載の高電圧発生回路。
- 前記チャージ補償部は、
電源電圧に一端が連結される第1抵抗と、
前記出力端子に一端が連結される第2抵抗と、
前記第2抵抗の一端と接地電圧との間に連結される第3抵抗と、
前記第1抵抗の他端と前記第2抵抗の他端とを入力する第1比較器と、
前記第1抵抗の他端と前記第1比較器の出力との間に連結される第4抵抗と、
前記第1比較器の出力と前記第4ブーストノードとを入力する第2比較器と、
前記出力端子にそのソースが連結され、前記第4ブーストノードにそのドレインが連結され、前記第2比較器の出力にそのゲートが連結されるNMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項40記載の高電圧発生回路。
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