JP2005302855A - 半導体加熱装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の半導体加熱装置は、被処理物を搭載して加熱する加熱部と、該加熱部を支持する支持部と、該支持部と接触する冷却モジュールとからなることを特徴とする。前記加熱部と支持部とは、複数個組み合わされ、該複数の加熱部の被処理物搭載面が同一平面を構成していることが好ましい。また、前記支持部の下に、断熱材を配することが好ましい。前記加熱部はセラミックスヒータであることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
[比較例]
2 支持部
3 冷却モジュール
4 電極
5 被処理物搭載面
6 隙間
7 断熱材
8 金属化部
9 電気接続手段
10 被処理物
Claims (21)
- 被処理物を搭載して加熱する加熱部と、該加熱部を支持する支持部と、該支持部と接触する冷却モジュールとからなることを特徴とする半導体加熱装置。
- 前記加熱部と支持部とが、複数個組み合わされ、該複数の加熱部の被処理物搭載面が同一平面を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体加熱装置。
- 前記支持部の下に、断熱材を配したことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体加熱装置。
- 前記加熱部がセラミックスであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記セラミックスの主成分が、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムから選ばれた1種類以上の材料であることを特徴とする請求項4に記載の半導体加熱装置。
- 前記加熱部の内部または表面に発熱体が形成されていることを特徴とする請求項4または5のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記発熱体の主成分が、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、白金(Pt)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)から選ばれる1種以上の材質であることを特徴とする請求項6に記載の半導体加熱装置。
- 前記支持部の熱伝導率が、30W/mK以上であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記支持部の主成分が、AlN、SiC、Si3N4、Al−SiC、Si−SiC、Al、Ag、Ni、Cu、CuW、CuMo、W、Moのうちのいずれか1種類以上からなることを特徴とする請求項8に記載の半導体加熱装置。
- 前記断熱材の熱伝導率が、30W/mK未満であることを特徴とする請求項3乃至9のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記断熱材の主成分が、アルミナ、ムライト、ムライト−アルミナ、多孔体のいずれか1種類以上であることを特徴とする請求項10に記載の半導体加熱装置。
- 前記支持体と冷却モジュールとが、機械的に結合されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記冷却モジュールが、前記支持体と当接、分離可能なように可動式であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記加熱部の被処理物搭載面に、金属板または金属−セラミックス複合体を設置していることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記加熱部の被処理物搭載面が、金属処理していることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記金属処理が、メッキ処理であることを特徴とする請求項15に記載の半導体加熱装置。
- 前記メッキが、ニッケルメッキおよび/または金メッキであることを特徴とする請求項16に記載の半導体加熱装置。
- 前記加熱部が複数個組み合わされ、該加熱部の被処理物搭載面の金属処理の金属同士が、電気的に接続されていることを特徴とする請求項15乃至17のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 前記加熱部が複数個組み合わされ、個々の加熱部の間に設けられた隙間を減圧あるいは真空にして、被処理物を加熱部の被処理物搭載面に吸着することを特徴とする請求項2に記載の半導体加熱装置。
- 前記加熱部の被処理物搭載面に、ダイヤモンドまたはDLC(ダイヤモンド状カーボン)がコーティングされていることを特徴とする請求項1乃至20のいずれかに記載の半導体加熱装置。
- 用途が、ウェハプローバあるいはハンドラ装置あるいはテスター装置であることを特徴とする請求項1乃至20のいずれかに記載の半導体加熱装置。
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