JP2005297142A - 表面被覆スローアウェイチップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基材表面に最外層と内層とからなる被覆層を具える表面被覆スローアウェイチップである。内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。最外層は、窒化アルミニウム又は炭窒化アルミニウムからなり、最外層中に塩素を0超0.5原子%以下含有する。
【選択図】 なし
Description
<内層>
周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bから選ばれる1種以上の第一元素と、B、C、N、Oから選ばれる1種以上の第二元素とからなる化合物からなる(但し、第一元素がBのみの場合、第二元素は、B以外とする)
<最外層>
窒化アルミニウム又は炭窒化アルミニウムからなり、最外層中に塩素を0超0.5原子%以下含有する
<最外層>
本発明において、切削時、被削材に最初に接触する最外層は、窒化アルミニウム、又は炭窒化アルミニウムといったアルミニウム化合物からなるものとする。そして、本発明では、この窒化系アルミニウムからなる膜に塩素を含有させる。具体的には、最外層中に0超0.5原子%以下の塩素を含有させる。最外層に0.5原子%以下の塩素を含有することで、高温での切削環境下において保護被膜を形成することができ、潤滑性の向上を図ることができる。0.5原子%を超えて塩素を含むと、被覆層の強度が極端に落ち、最外層を形成する膜が容易に剥離してしまう。また、塩素を全く含有させないと、上記のように保護被膜の形成がなされない。特に好ましい塩素含有量は、0.07原子%以上0.3原子%以下である。最外層に0超0.5原子%以下の塩素を含ませる方法としては、上記窒化系アルミニウムからなる膜の形成に熱CVD法、プラズマCVD法といった化学的蒸着法(CVD法)を利用する場合、反応ガスに塩素含有ガス、例えば、塩化水素(HCl)を用いることが挙げられる。このとき、塩化水素の含有量は、反応ガス全体を100容量%として、0超5.0容量%未満、特に、1.0容量%以下とすることが挙げられる。また、窒化系アルミニウムからなる膜の形成にアーク式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法といった物理的蒸着法(PVD法)を利用する場合、膜形成後、イオン注入法により塩素イオンを注入することが挙げられる。このとき、注入量を適宜調整することで、最外層中の塩素の含有量を調整するとよい。
本発明において内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bから選ばれる1種以上の第一元素と、B、C、N、Oから選ばれる1種以上の第二元素とからなる化合物から構成されるものとする(但し、第一元素がBのみの場合、第二元素は、B以外とする)。特に、TiCN、TiN、TiBN、TiCNOなどのTiを含む化合物膜やAl2O3やZrO2などの酸化物膜は、耐摩耗性に優れて好ましい。また、TiNは、基材との密着性が高いため、最内層とすることが好ましい。このような内層は、単一の膜でもよいし、複数の膜から構成してもよい。内層を複数の膜にて構成する場合、各膜の組成や組織を異ならせるとよい。また、内層は、熱CVD法、プラズマCVD法などのCVD法、アーク式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などのPVD法のいずれで形成してもよい。公知の条件にて形成してもよい。
本発明において基材は、WC基超硬合金、サーメット、高速度鋼、セラミックス、立方晶型窒化硼素焼結体、及び窒化ケイ素焼結体のいずれかから構成されるものを利用することが好ましい。また、WC基超硬合金、サーメットからなる基材を利用する場合、WC以外の硬質相が消失したいわゆる脱β相、硬質相が消失して結合相に富むバインダー富化層、結合相を低減させた表面硬化層といった表面改質層が基材表面に存在しても本発明の効果は認められる。
組成がWC:86質量%、Co:8.0質量%、TiC:2.0質量%、NbC:2.0質量%、ZrC:2.0質量%である材料粉末を配合し、ボールミルで72時間湿式混合して乾燥した後、ブレーカ形状が施された圧紛体にプレス成型した。この圧粉体を焼結炉にて、真空雰囲気中で1420℃、1時間の条件で焼結を行い、焼結体を得た。得られた焼結体の刃先稜線部にSiCブラシホーニング処理を施して面取り加工を行い、ISO・SNMG120408のWC基超硬合金からなるスローアウェイチップの基材を得た。
試験例1で用いた超硬合金基材と同様のものを用意し、得られた基材表面に熱CVD法を用いて表1に示す成膜条件(ガス組成、圧力、温度)で被覆層を形成した。表5に被覆層の組成、膜厚、被覆層全体の膜厚(全膜厚)を示す。なお、表5において、基材に近い方から順に、第一膜、第二膜…としている。
速 度:V=180m/min
送 り:f=0.2mm/rev.
切込み:d=1.5mm
切削油:なし
基材を下記に変えて、表5の試料2-2、2-14と同様の組成の被覆層を公知のPVD法にて形成した後、イオン注入法を用いて塩素を最外層に含有させた表面被覆チップを作製し、試験例2と同様の切削条件で切削試験を実施した。試料2-2の被覆層を形成した試料はいずれも最外層の塩素の含有量を0.2原子%とした。
1 JIS規格:P20サーメット製の切削チップ(住友電工ハードメタル(株)製 T1200A)
2 セラミック製の切削チップ(住友電工ハードメタル(株)製 W80)
3 窒化珪素製の切削チップ(住友電工ハードメタル(株)製 NS260)
4 立方晶型窒化硼素切削チップ(住友電工ハードメタル(株)製 BN250)
その結果、試料2-2の組成の被覆層を具えるチップはいずれも、試料2-14の組成の被覆層を具える従来のチップよりも2倍以上の工具寿命を有することが確認できた。
Claims (7)
- 基材表面に被覆層を具える表面被覆スローアウェイチップにおいて、
前記被覆層は、基材上に形成される内層と、この内層上に形成される最外層とからなり、
前記内層は、
周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bから選ばれる1種以上の第一元素と、B、C、N、Oから選ばれる1種以上の第二元素とからなる化合物からなり、
前記最外層は、
窒化アルミニウム又は炭窒化アルミニウムからなり、最外層中に塩素を0超0.5原子%以下含有することを特徴とする表面被覆スローアウェイチップ。
但し、内層において、第一元素がBのみの場合、第二元素は、B以外とする。 - 最外層には、更に酸素を含有することを特徴とする請求項1に記載の表面被覆スローアウェイチップ。
- 最外層の膜厚は、内層の合計膜厚の1/2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の表面被覆スローアウェイチップ。
- 最外層の膜厚は、0.03μm以上10μm以下、被覆層全体の膜厚は、0.1μm以上30μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の表面被覆スローアウェイチップ。
- 最外層の膜硬度は、内層を構成する少なくとも一つの膜の硬度よりも低いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の表面被覆スローアウェイチップ。
- 最外層において、刃先稜線部分近傍で被削材と接触する箇所の面粗さが、切削工具断面から観察する方法で測定される5μmに対してRmaxで1.3μm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の表面被覆スローアウェイチップ。
- 基材は、WC基超硬合金、サーメット、高速度鋼、セラミックス、立方晶型窒化硼素焼結体、及び窒化ケイ素焼結体のいずれかから構成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の表面被覆スローアウェイチップ。
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