JP2005297111A - シリカ微粒子のアルカリ性懸濁液による研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基板、ハードディスク基板などの研磨処理に関する。詳しくは、シリカ微粒子、水、塩基性物質を含んでいる研磨液による研磨速度が向上した研磨方法に関する。
【解決手段】シリカ微粒子のアルカリ性懸濁液による研磨方法において、シリカ微粒子を含む懸濁液21と塩基性物質の水溶液22を混合し、混合液13を速やかに研磨面に供給し研磨することにより研磨速度の向上を図るものである。すなわち、研磨液13として使う直前にシリカ微粒子を含む懸濁液21を高pHにすることである。高pHのシリカ微粒子を含くむ懸濁液ではシリカ微粒子が溶解し研磨力が低下するので、懸濁液を高pHに調製した後直ちに使用すると高い研磨力が維持できることを利用したのが本研磨方法である。
【選択図】図2
【解決手段】シリカ微粒子のアルカリ性懸濁液による研磨方法において、シリカ微粒子を含む懸濁液21と塩基性物質の水溶液22を混合し、混合液13を速やかに研磨面に供給し研磨することにより研磨速度の向上を図るものである。すなわち、研磨液13として使う直前にシリカ微粒子を含む懸濁液21を高pHにすることである。高pHのシリカ微粒子を含くむ懸濁液ではシリカ微粒子が溶解し研磨力が低下するので、懸濁液を高pHに調製した後直ちに使用すると高い研磨力が維持できることを利用したのが本研磨方法である。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体基板、ハードディスク基板などの研磨処理に関する。詳しくは、シリカ微粒子、水、塩基性物質を含んでいる研磨液による研磨速度が向上した研磨方法に関する。
近年、半導体素子やハードディスクの小型化、大容量化などの高機能化が著しい。このため、半導体素子の基板であるシリコン・ウエハーやハードディスク基板には極めて高い平坦性、無傷性の表面を有するものが求められ、無擾乱鏡面研磨とかプラナリゼーション加工が広く実用化されている。このような表面加工には、シリカ微粒子をpH10前後のアルカリ性溶液に懸濁させた研磨液(スラリー)と特殊構造の不織布(研磨パッド)を用いた、いわゆるメカニカル・ケミカル・ポリシング(CMP)と呼ばれる研磨方法が行われている。
この研磨装置の概略を図1に示す。研磨は研磨パッド11とウエハー12の界面にスラリー13(スラリーの供給部は図示されていない)を連続的に供給しながら行われる。このとき研磨パッド11は研磨定盤14に貼り付けられ、ウエハー12はウエハー・キャリア15に貼り付けられている。そして、研磨定盤14とウエハー・キャリア15は回転しその相対速度差が付与され、研磨定盤14とウエハー12の間に研磨圧が負荷されている。
この研磨に用いるスラリーは、例えば、商品名3900RS(株式会社フジミ製)あるいは商品名ILD−1300(ロデール・ニッタ株式会社製)などであり、これらはシリカ微粒子を含むアルカリ性研磨液である。
研磨剤粒子としては製造法や形状の異なる各種のシリカ微粒子が使われている。しかし、基板材料を極めて高い平坦性、無傷性の表面に加工するという観点からは、アルコキシシランから製造したコロイダルシリカが、フュームドシリカや水ガラスを原料としたコロイダルシリカなどに比較して極めて優れている。この理由は、アルコキシシランからのコロイダルシリカの表面平滑性にあると思われる。しかしながら、このコロイダルシリカには研磨速度が遅いという欠点がある。
研磨速度が遅いと、その適用範囲はシリコン・ウエハーのファイナル研磨工程におけるスクラッチ傷を消すためのタッチポリシュや半導体基板のメタル膜研磨の一部に脇役的に使われるに過ぎない。このような状況から、基板材料を極めて高い平坦性、無傷性の表面に加工しうるシリカ微粒子による研磨速度の早い研磨方法の開発が強く望まれていた。
本発明者は、コロイダルシリカ含有の市販の研磨液にアンモニアを添加してシリコン・ウエハーの研磨速度の変化を調べた。その結果、アルカリ性(pH)を高くすると研磨速度が速くなるということを見いだした。しかし、pHが高すぎると、研磨液を調製した直後は市販の研磨液の数倍という非常に高い研磨速度を示すが、調製後急速に研磨速度が減少して行くことがわかった。例えば、pH13.2のアルカリ性研磨液では、研磨液の調製後6時間でほとんど研磨力が失われることを見いだした。この理由は、シリカ微粒子の粒子径が高pH下で急速に減少することにあった。そこで、本発明者は高いpH下でも、高い研磨速度を発揮できる研磨方法の開発を鋭意検討して、本発明に到った。
本発明は、シリカ微粒子を含む懸濁液と塩基性物質の水溶液を混合し、混合液を速やかに研磨面に供給し研磨することを特徴とするシリカ微粒子のアルカリ性懸濁液による研磨方法により研磨速度の向上を図るものである。すなわち、研磨液として使う直前にシリカ微粒子を含む懸濁液を高pHにすることである。
本発明ではシリカ微粒子を含む懸濁液と塩基性物質の水溶液の混合液(スラリー)を速やかに研磨面に供給することが重要であるが、その供給方法としては、シリカ微粒子を含む懸濁液21と塩基性物質の水溶液22を供給ライン中で混合しながらこの混合液23を研磨面に供給する図2に示す方法(供給方法(1))、或いはシリカ微粒子を含む懸濁液21と塩基性物質の水溶液22を混合槽24で混合し、この混合液を研磨面に供給する図3に示す方法(供給方法(2))、或いはシリカ微粒子を含む懸濁液21と塩基性物質の水溶液22の混合操作をバッチ式で行い、その混合液を研磨面に供給する方法(供給方法(3))などがある。供給方法(1)および(2)は連続式或いは半連続式に混合が行われ、供給方法(3)ではバッチ式の混合である。混合後は6時間で研磨能力が全く失われることもあるので、混合後速やかに研磨面に供給しなければならない。しかし、混合後の粒子の粒子径が数ナノメートルになる前ならば研磨が可能であるので、その前に供給するということも供給方法の目安となる。
供給方法(1)は、貯槽31内のシリカ微粒子を含む懸濁液21と貯槽32内の塩基性物質の水溶液22を供給ライン中で混合し、供給口36から直接研磨面にスラリー13を供給する方法である。このとき、必要によっては混合後の供給ライン中に充填物35などを配置して混合を促進することも有効である。
供給方法(2)は、貯槽31内のシリカ微粒子を含む懸濁液21と貯槽32内の塩基性物質の水溶液22を混合槽37に供給し、撹拌機(図示していない)により撹拌混合し、混合液38を連続的に取り出し供給口36から研磨面に供給する方法である。このときは、撹拌を十分に行い、短い滞留時間で供給することが重要である。
本発明のシリカ微粒子を含む懸濁液21は、シリカ微粒子を水に懸濁すれば得られるが、この懸濁液に少量の塩基性物質を加えたシリカ微粒子のアルカリ性懸濁液である方が好ましい。アルカリ性にすることにより、シリカ微粒子の凝集がなくなり、長期間安定に保存することも可能になるからである。アルカリ性が高すぎるとシリカ微粒子が溶解してしまうことに注意することが必要である。このアルカリ性としては、pHで7.5から11.0の範囲が好ましい。
本発明に使用しうるシリカ微粒子は、いかなる製造法で製造したものでもよく、いかなる形状のものでもよい。しかし、フュームドシリカよりもコロイダルシリカの方が好ましい。特に、アルコキシシランから合成したコロイダルシリカが好ましい。このコロイダルシリカの合成方法は特許文献1や特許文献2にも記載されている。すなわち、アルコキシシランをアンモニアを触媒にして加水分解する方法である。コロイダルシリカが好ましい理由は、コロイダルシリカが球状或いは繭形であり表面が平滑であるのに対して、フュームドシリカは高温の火炎中で合成されるため、往々にして、微粒子が互いに溶融して、表面が滑らかでないからである。従って、表面が滑らかであれば、高温で微粒子同士を溶融したものでもよい。例えば、フュームドシリカを溶融してやや大粒子化した球状シリカも好ましいシリカ微粒子である。
本発明に用いられるシリカ微粒子の粒子径には特に制限がないが、5〜500nmであることが好ましく、さらにより好ましくは20〜200nmである。シリカ粒子の粒子径が微細すぎると、研磨処理時に研磨パッド内の凸凹に埋没し、研磨能力を発揮できないからである。また、粒子径が大きすぎると研磨パッドとウエファーの研磨界面に粒子が到達できなくなるからである。
本発明の塩基性物質の水溶液22は、塩基性物質を水に溶解したものであるが、塩基性物質としてはKOHやNaOHなどのアルカリ金属水酸化物若しくはアンモニアなどが好ましい。この塩基性物質の水溶液22のpHは、少なくともシリカ微粒子を含む懸濁液21のpHより大きい。
本発明のシリカ微粒子を含む懸濁液21と塩基性物質の水溶液22を混合したところの混合後のスラリー13のpHとしては、12.0以上が好ましい。さらに好ましくは、13.0以上である。また、このスラリー13のシリカ微粒子の含有量は、スラリー全体の重量を基準として、0.1〜5.0%であることが好ましく、0.2〜1.0%であることがより好ましい。多過ぎるとシリカ微粒子が凝集しやすくなり、研磨速度の低下を招くためである。
特願平09−227066
特願2002−371781
本発明の研磨方法は、シリカ微粒子を含んだpH10前後の研磨液による従来知られている研磨方法に比較し格段に研磨速度が向上したものである。この研磨方法は半導体基板、ハードディスク基板などの研磨処理に広く使用することができる。
以下、本発明の実施の形態を説明するが、本発明の実施例を説明する前に、本発明の研磨方法の概略を述べる。
スラリーによる研磨処理は図2の研磨装置で行った。ここでは、研磨機にマルトー製ダイヤラップML−150Pを用い、研磨パッドにフジボー製EXP−2を使い、2インチのシリコン・ウエハーを以下の研磨条件で研磨した。
スラリーの供給速度 20 ml/min
研磨圧力 0.18 kgf/cm2
研磨速度 80 rpm
研磨時間 30 分
研磨速度の評価は、研磨前後にシリコン・ウエハーの質量を測定し、その減量値から計算した。研磨速度を表示するのに、評価基準とした標準研磨の研磨速度を100%として、それとの相対値を用いた。下記の比較例1がこの標準研磨である。
スラリーの供給速度 20 ml/min
研磨圧力 0.18 kgf/cm2
研磨速度 80 rpm
研磨時間 30 分
研磨速度の評価は、研磨前後にシリコン・ウエハーの質量を測定し、その減量値から計算した。研磨速度を表示するのに、評価基準とした標準研磨の研磨速度を100%として、それとの相対値を用いた。下記の比較例1がこの標準研磨である。
シリカ微粒子としてはアルコキシシランから製造したシリカ微粒子(平均粒子径46nm、長径/短径=1.26の繭形粒子)を用いた。このシリカ微粒子にアンモニア、ヒロドキシエチルセルロース(HEC)、純水、ジエチレングリコールなどを加えて懸濁液を調製した。この組成は、シリカ微粒子10重量%、アンモニア5000wt.ppm、HEC3500wt.ppm、ジエチレングリコール1300wt.ppmを含んでいる。この懸濁液を研磨原料液と呼ぶことにする。この研磨原料液130容量部に純水2629容量部を加え、シリカ微粒子を含む懸濁液を調製した。この懸濁液に5mol/l KOH水溶液40容量部を加え、撹拌して研磨用スラリ−を調製した。このスラリーは、シリカを0.5重量%、アンモニア250wt.ppm、HEC175wt.ppm、ジエチレングリコール65wt.ppmを含んでおり、pHは13.2である。調製後40分後に、このスラリーを用いて前記の研磨条件でシリコンウエファーを研磨したところ、研磨速度は344%となった。
実施例1で調製したスラリーを使って調製後4時間45分後に前記の研磨条件で研磨した。その結果、研磨速度は108%となった。
実施例1と同様の研磨原料液の1000容量部に純水20524容量部を加えてスラリーを調製した。このスラリーは、シリカを0.5重量%、アンモニア250wt.ppm、HEC175wt.ppm、ジエチレングリコール65wt.ppmを含んでおり、pHは9.9である。このスラリーを用いて前記の研磨条件で研磨したところ、研磨速度は100%となった。尚、この比較例1は、本特許願の全実施例に対する標準研磨である。
実施例1と同様の研磨原料液の130容量部に純水2660容量部を加えシリカ微粒子を含む懸濁液を調製した。この懸濁液に5mol/l KOH水溶液8容量部を加えて撹拌しスラリーを調製した。このスラリーは、シリカを0.5重量%、アンモニア250wt.ppm、HEC175wt.ppm、ジエチレングリコール65wt.ppmを含んでおり、pHは12.4である。調製後45分後に、このスラリーを用いて前記の研磨条件で研磨したところ、研磨速度は158%となった。
実施例1と同様の研磨原料液の130容量部に純水2660容量部を加え、シリカ微粒子を含む懸濁液を調製した。この懸濁液に0.5mol/l KOH水溶液8容量部を加えて撹拌しスラリーを調製した。このスラリーは、シリカを0.5重量%、アンモニア250wt.ppm、HEC175wt.ppm、ジエチレングリコール65wt.ppmを含んでおり、pHは11.4である。調製後45分後に、このスラリーを用いて前記の研磨条件で研磨したところ、研磨速度は93%となった。
実施例1と同様の研磨原料液の130容量部に純水2470容量部を加え、シリカ微粒子を含む懸濁液を作製した。この懸濁液に1mol/l NaOH水溶液100容量部を加えて撹拌しスラリーを調製した。このスラリーは、シリカを0.5重量%、アンモニア250wt.ppm、HEC175wt.ppm、ジエチレングリコール65wt.ppmを含んでおり、pHは13.0である。調製後45分後に、このスラリーを用いて前記の研磨条件で研磨したところ、研磨速度は219%となった。
図2の供給方法により次のようにして研磨を行った。すなわち、貯槽31に実施例1と同様の研磨原料液260容量部に純水2539容量部を加えて調製したシリカ微粒子を含む懸濁液21を用意した。貯槽32に純水2539容量部と1.54mol/l KOH水溶液260容量部を混合した塩基性物質の水溶液22を用意した。そして、ポンプ33およびポンプ34を通して、2つの液を各々10 ml/分で流し、混合のためのプラスチック製充填物を充填した充填物部(長さ約1m)35を通して供給口36からスラリーを研磨部に供給した。このスラリーのpHは13.2である。このスラリーを用いて前記の研磨条件で研磨したところ、研磨速度は380%となった。
図3の供給方法により次のようにして研磨を行った。すなわち、貯槽31に実施例5と同様のシリカ微粒子を含む懸濁液21を用意し、貯槽32に実施例5と同様の塩基性物質の水溶液22を用意した。そして、ポンプ33およびポンプ34を通して、2つの液を各々10 ml/分で流し、混合槽37で平均滞留時間10分となるように撹拌し、混合液38を連続的に取り出しこのスラリーを供給口36から研磨部に供給した。このスラリーを用いて前記の研磨条件で研磨したところ、研磨速度は350%となった。
11 研磨パッド
12 ウエハー
13 スラリー
14 研磨定盤
15 ウエハー・キャリアー
21 シリカ微粒子を含む懸濁液
22 塩基性物質の水溶液
31 貯槽
32 貯槽
33 定量ポンプ
34 定量ポンプ
35 充填物部
36 供給口
37 混合槽
38 混合液(スラリ−)
12 ウエハー
13 スラリー
14 研磨定盤
15 ウエハー・キャリアー
21 シリカ微粒子を含む懸濁液
22 塩基性物質の水溶液
31 貯槽
32 貯槽
33 定量ポンプ
34 定量ポンプ
35 充填物部
36 供給口
37 混合槽
38 混合液(スラリ−)
Claims (1)
- シリカ微粒子を含む懸濁液と塩基性物質の水溶液を混合し、混合後混合液を速やかに研磨面に供給し研磨することを特徴とするシリカ微粒子のアルカリ性懸濁液による研磨方法
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004115149A JP2005297111A (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | シリカ微粒子のアルカリ性懸濁液による研磨方法 |
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ID=35329279
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JP2004115149A Pending JP2005297111A (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | シリカ微粒子のアルカリ性懸濁液による研磨方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021169083A (ja) * | 2016-03-11 | 2021-10-28 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 高度な流体処理方法およびシステム |
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2004
- 2004-04-09 JP JP2004115149A patent/JP2005297111A/ja active Pending
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JP2021169083A (ja) * | 2016-03-11 | 2021-10-28 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 高度な流体処理方法およびシステム |
JP7440183B2 (ja) | 2016-03-11 | 2024-02-28 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 高度な流体処理方法およびシステム |
US11925912B2 (en) | 2016-03-11 | 2024-03-12 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Fluid processing systems including a plurality of material tanks, at least one mixing tank, at least one holding tank, and recirculation loops |
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